JPH0669132A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0669132A JPH0669132A JP21884092A JP21884092A JPH0669132A JP H0669132 A JPH0669132 A JP H0669132A JP 21884092 A JP21884092 A JP 21884092A JP 21884092 A JP21884092 A JP 21884092A JP H0669132 A JPH0669132 A JP H0669132A
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- vapor phase
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相成長装置に関し、原料ガスが効率良く基
板上で分解して原料ガスの消費量が少なくなるＭＯＣＶ
Ｄ法を行う気相成長装置を目的とする。 【構成】 基板３を設置した反応容器１と、該反応容器
１に接続し、分解温度がそれぞれ異なる原料ガスを導入
する複数のガス導入管4A,4B,4C,4D を備えた気相成長装
置に於いて、前記複数のガス導入管4A,4B,4C,4D の各々
に加熱、或いは冷却が可能な温度制御手段11を備え、前
記各々のガス導入管4A,4B,4C,4D 内の原料ガスの温度を
制御可能として構成する。
板上で分解して原料ガスの消費量が少なくなるＭＯＣＶ
Ｄ法を行う気相成長装置を目的とする。 【構成】 基板３を設置した反応容器１と、該反応容器
１に接続し、分解温度がそれぞれ異なる原料ガスを導入
する複数のガス導入管4A,4B,4C,4D を備えた気相成長装
置に於いて、前記複数のガス導入管4A,4B,4C,4D の各々
に加熱、或いは冷却が可能な温度制御手段11を備え、前
記各々のガス導入管4A,4B,4C,4D 内の原料ガスの温度を
制御可能として構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置、特にＭＯ
ＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; 有
機金属気相成長）装置に関する。
ＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; 有
機金属気相成長）装置に関する。
【０００２】ジメチルカドミウム、或いはジイソプロピ
ルテルル等の有機金属化合物を原料ガスとして用いる有
機金属気相成長法は、ガリウム砒素、サファイア等の異
種基板上に該基板と構成元素の異なる水銀・カドミウム
・テルル（Hg1-x Cdx Te）のような化合物半導体結晶の
エピタキシャル成長が可能であり、然も大面積のエピタ
キシャル結晶を安価に成長して供給することが可能であ
る。
ルテルル等の有機金属化合物を原料ガスとして用いる有
機金属気相成長法は、ガリウム砒素、サファイア等の異
種基板上に該基板と構成元素の異なる水銀・カドミウム
・テルル（Hg1-x Cdx Te）のような化合物半導体結晶の
エピタキシャル成長が可能であり、然も大面積のエピタ
キシャル結晶を安価に成長して供給することが可能であ
る。
【０００３】また特性の異なった結晶を連続して成膜す
ることが可能で、半導体素子形成に極めて有効な方法で
ある。
ることが可能で、半導体素子形成に極めて有効な方法で
ある。
【０００４】
【従来の技術】このようなＭＯＣＶＤ装置でｐ型のHg
1-x Cdx Te結晶を成長する従来のＭＯＣＶＤ装置につい
て説明する。
1-x Cdx Te結晶を成長する従来のＭＯＣＶＤ装置につい
て説明する。
【０００５】図３に示すように石英より成る反応容器１
内にカーボンより成る基板設置台２が設置され、その上
にはエピタキシャル成長用のカドミウムテルル（CdT
e）、或いはガリウム砒素（GaAs）等の基板３が載置さ
れている。
内にカーボンより成る基板設置台２が設置され、その上
にはエピタキシャル成長用のカドミウムテルル（CdT
e）、或いはガリウム砒素（GaAs）等の基板３が載置さ
れている。
【０００６】上記反応容器１の上部にはキャリアガスの
水素ガスで担持されたジメチルカドミウムを反応容器１
内に導入するガス導入管4A、水素ガスで担持されたジイ
ソプロピルテルルを反応容器１内に導入するガス導入管
4B、水素ガスで担持された水銀を反応容器１内に導入す
るガス導入管4C、水素ガスで担持され、ドーピングガス
としてのターシャリーブチルアルシンを反応容器１内に
導入するガス導入管4Dがそれぞれ設けられ、その各々の
ガス導入管4A,4B,4C,4D は反応容器１に到達する以前に
結合されている。
水素ガスで担持されたジメチルカドミウムを反応容器１
内に導入するガス導入管4A、水素ガスで担持されたジイ
ソプロピルテルルを反応容器１内に導入するガス導入管
4B、水素ガスで担持された水銀を反応容器１内に導入す
るガス導入管4C、水素ガスで担持され、ドーピングガス
としてのターシャリーブチルアルシンを反応容器１内に
導入するガス導入管4Dがそれぞれ設けられ、その各々の
ガス導入管4A,4B,4C,4D は反応容器１に到達する以前に
結合されている。
【０００７】上記水素ガスで担持された水銀を反応容器
１内に導入するガス導入管4Cの周囲は水銀の凝結を防止
するための加熱ヒータ６が備えられている。そして各々
のガス導入管4A,4B,4C,4D 内のそれぞれの原料ガスは互
いに混合した状態で反応容器１内に導入する。そしてこ
れら混合した原料ガスは、基板設置台２を高周波誘導コ
イル５で加熱することで、基板３を加熱し、基板３上に
到達した混合せる原料ガスを熱分解してp 型のHg1-x Cd
x Te結晶をエピタキシャル成長している。
１内に導入するガス導入管4Cの周囲は水銀の凝結を防止
するための加熱ヒータ６が備えられている。そして各々
のガス導入管4A,4B,4C,4D 内のそれぞれの原料ガスは互
いに混合した状態で反応容器１内に導入する。そしてこ
れら混合した原料ガスは、基板設置台２を高周波誘導コ
イル５で加熱することで、基板３を加熱し、基板３上に
到達した混合せる原料ガスを熱分解してp 型のHg1-x Cd
x Te結晶をエピタキシャル成長している。
【０００８】然し、上記した水銀は単体の金属元素で、
ジメチルカドミウム、ジイソプロピルテルル等の有機金
属ガスが金属原子と有機ガスに分解する分解温度が異な
っており、特にｐ型のドーパントとして用いるターシャ
リーブチルアルシンはC4H9AsH2の分子式を有し、前記し
た分解温度が360 ℃のジメチルカドミウム、分解温度が
400 ℃のジイソプロピルテルル等の有機金属ガスに比較
して分解温度が500 ℃と高く、これら４種類のガスを原
料ガスとして混合し、CdTe等の基板３上にｐ型のHg1-x
Cdx Te結晶を気相成長する場合、基板３の加熱温度の設
定に問題を生じている。
ジメチルカドミウム、ジイソプロピルテルル等の有機金
属ガスが金属原子と有機ガスに分解する分解温度が異な
っており、特にｐ型のドーパントとして用いるターシャ
リーブチルアルシンはC4H9AsH2の分子式を有し、前記し
た分解温度が360 ℃のジメチルカドミウム、分解温度が
400 ℃のジイソプロピルテルル等の有機金属ガスに比較
して分解温度が500 ℃と高く、これら４種類のガスを原
料ガスとして混合し、CdTe等の基板３上にｐ型のHg1-x
Cdx Te結晶を気相成長する場合、基板３の加熱温度の設
定に問題を生じている。
【０００９】つまりCdTeの基板３の加熱温度を高くする
と分解温度の低いジメチルカドミウムや、ジイソプロピ
ルテテルの分解割合が、ターシャリーブチルアルシンよ
り大であるので、キャリア濃度の低い高抵抗なｐ型のHg
1-x Cdx Te結晶となる傾向がある。
と分解温度の低いジメチルカドミウムや、ジイソプロピ
ルテテルの分解割合が、ターシャリーブチルアルシンよ
り大であるので、キャリア濃度の低い高抵抗なｐ型のHg
1-x Cdx Te結晶となる傾向がある。
【００１０】これと反対にCdTeの基板３の加熱温度を低
くすると、分解温度の低いジメチルカドミウムや、ジイ
ソプロピルテテルが基板表面に到達する以前に基板の輻
射熱で分解し、HgCdTe結晶が成長しない問題がある。
くすると、分解温度の低いジメチルカドミウムや、ジイ
ソプロピルテテルが基板表面に到達する以前に基板の輻
射熱で分解し、HgCdTe結晶が成長しない問題がある。
【００１１】そのため、従来はジメチルカドミウム、ジ
イソプロピルテルル等の有機金属ガスと水銀とが最も効
率良く分解する温度に基板３を加熱し、分解効率の悪い
ターシャリーブチルアルシンは、反応容器１に導入する
ガス量を多くして分解効率の悪い点を補っていた。
イソプロピルテルル等の有機金属ガスと水銀とが最も効
率良く分解する温度に基板３を加熱し、分解効率の悪い
ターシャリーブチルアルシンは、反応容器１に導入する
ガス量を多くして分解効率の悪い点を補っていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】然し、上記したターシ
ャリーブチルアルシンは、高価でこのような有機金属ガ
スを大量に使用すると形成されるHg1-x Cdx Te結晶の製
造コストが大となる問題がある。
ャリーブチルアルシンは、高価でこのような有機金属ガ
スを大量に使用すると形成されるHg1-x Cdx Te結晶の製
造コストが大となる問題がある。
【００１３】またHg1-x Cdx Te結晶のｎ型のドーパント
として用いるイソプロピル沃素は（CH3)CHI の分子式を
有し、分解温度が40℃と低いが、ジメチルカドミウム、
ジイソプロピルテルルを混合して分解する際に分解を促
進する触媒のような働きを有するが、イソプロピル沃素
自体の分解を防ぐために、ガス導入管を冷却する必要が
ある。
として用いるイソプロピル沃素は（CH3)CHI の分子式を
有し、分解温度が40℃と低いが、ジメチルカドミウム、
ジイソプロピルテルルを混合して分解する際に分解を促
進する触媒のような働きを有するが、イソプロピル沃素
自体の分解を防ぐために、ガス導入管を冷却する必要が
ある。
【００１４】このような現状から分解温度のそれぞれ異
なるガスを反応容器内に導入する以前に混合すると、こ
れらの混合されたガス同士が反応容器内に導入される以
前に相互に反応し、形成されるHg1-x Cdx Te結晶の組成
や、抵抗値等の電気的特性が不安定となる問題がある。
なるガスを反応容器内に導入する以前に混合すると、こ
れらの混合されたガス同士が反応容器内に導入される以
前に相互に反応し、形成されるHg1-x Cdx Te結晶の組成
や、抵抗値等の電気的特性が不安定となる問題がある。
【００１５】本発明は、上記した問題点を解決し、分解
温度が互いに異なる複数の有機金属ガスを用いることに
よって生じる有機金属ガス同士の反応を抑制、或いは促
進することで収率の向上した、かつ不純物ドーピングが
確実に行い得るようにした気相成長装置の提供を目的と
する。
温度が互いに異なる複数の有機金属ガスを用いることに
よって生じる有機金属ガス同士の反応を抑制、或いは促
進することで収率の向上した、かつ不純物ドーピングが
確実に行い得るようにした気相成長装置の提供を目的と
する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、請求項１に示すように、基板を設置した反応容器
と、該反応容器に接続し、分解温度がそれぞれ異なる原
料ガスを導入する複数のガス導入管を備えた気相成長装
置に於いて、前記複数のガス導入管の各々に加熱、或い
は冷却手段を備え、前記各々のガス導入管内の原料ガス
の温度を制御可能としたことを特徴とする。
は、請求項１に示すように、基板を設置した反応容器
と、該反応容器に接続し、分解温度がそれぞれ異なる原
料ガスを導入する複数のガス導入管を備えた気相成長装
置に於いて、前記複数のガス導入管の各々に加熱、或い
は冷却手段を備え、前記各々のガス導入管内の原料ガス
の温度を制御可能としたことを特徴とする。
【００１７】また請求項２に示すように、前記複数のガ
ス導入管が反応容器より所定のガス通路を隔てた箇所で
結合するか、或いは反応容器の直前で結合するように
し、結合後のガス導入管に更に温度制御手段を設け、前
記結合したガス導入管で合流した原料ガス同士の反応の
促進、或いは抑制を行うようにしたことを特徴とするも
のである。
ス導入管が反応容器より所定のガス通路を隔てた箇所で
結合するか、或いは反応容器の直前で結合するように
し、結合後のガス導入管に更に温度制御手段を設け、前
記結合したガス導入管で合流した原料ガス同士の反応の
促進、或いは抑制を行うようにしたことを特徴とするも
のである。
【００１８】また請求項３に示すように、前記複数のガ
ス導入管、該ガス導入管の結合部に於いて、該ガス導入
管内、該ガス導入管の結合部を流れる原料ガスに、該原
料ガスのガスプラズマ、或いは原料ガス中間生成物が形
成可能となる手段を設けたことを特徴とする。
ス導入管、該ガス導入管の結合部に於いて、該ガス導入
管内、該ガス導入管の結合部を流れる原料ガスに、該原
料ガスのガスプラズマ、或いは原料ガス中間生成物が形
成可能となる手段を設けたことを特徴とする。
【００１９】また請求項４に示すように、前記複数のガ
ス導入管と結合部を光透過材で形成し、該ガス導入管内
と結合部内の原料ガスに光照射が可能となる光照射手段
を設けたことを特徴とする。
ス導入管と結合部を光透過材で形成し、該ガス導入管内
と結合部内の原料ガスに光照射が可能となる光照射手段
を設けたことを特徴とする。
【００２０】また請求項５に示すように、前記ガス導入
管に流入する原料ガスが、亜鉛、カドミウム、セレン、
テルル、アルミニウム、インジウム、ガリウム、砒素、
アンチモンの有機金属化合物ガスか、硫黄、塩素、沃
素、燐の水素化合物ガスか、水銀の単体元素のガスの何
れかであることを特徴とするものである。
管に流入する原料ガスが、亜鉛、カドミウム、セレン、
テルル、アルミニウム、インジウム、ガリウム、砒素、
アンチモンの有機金属化合物ガスか、硫黄、塩素、沃
素、燐の水素化合物ガスか、水銀の単体元素のガスの何
れかであることを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】本発明の気相成長装置は、分解温度が異なる複
数の原料ガスを各々導入するガス導入管の各々に加熱ヒ
ータ等の温度制御手段を設け、各々のガス導入管内の原
料ガスの温度が別個に制御できるようにする。
数の原料ガスを各々導入するガス導入管の各々に加熱ヒ
ータ等の温度制御手段を設け、各々のガス導入管内の原
料ガスの温度が別個に制御できるようにする。
【００２２】また上記したガス導入管を反応容器の直前
で結合するようにして、原料ガス同士が混合した後、混
合したガス同士が相互に反応するのを防止する。また上
記したガス導入管を反応容器より所定の距離を隔てた位
置で結合するようにして、原料ガス同士が混合した後、
混合したガス同士が互いに反応を促進するようにする。
で結合するようにして、原料ガス同士が混合した後、混
合したガス同士が相互に反応するのを防止する。また上
記したガス導入管を反応容器より所定の距離を隔てた位
置で結合するようにして、原料ガス同士が混合した後、
混合したガス同士が互いに反応を促進するようにする。
【００２３】図１では、ガス導入管4A,4B,4C,4D の結合
を反応容器１の直前で行った場合を示す。このように原
料ガス同士の混合を反応容器１の直前で行うことで、有
機金属ガス同士の反応を抑制し、反応の結果、誘起され
る有機金属ガスの分解を抑える働きを有する。
を反応容器１の直前で行った場合を示す。このように原
料ガス同士の混合を反応容器１の直前で行うことで、有
機金属ガス同士の反応を抑制し、反応の結果、誘起され
る有機金属ガスの分解を抑える働きを有する。
【００２４】また図２では、ガス導入管4A,4B,4C,4E を
反応容器１より所定の距離を隔てた位置で結合させ、結
合させた位置より反応容器1 内に到達する迄の配管に加
熱手段を設けて反応を促進させるようにする。
反応容器１より所定の距離を隔てた位置で結合させ、結
合させた位置より反応容器1 内に到達する迄の配管に加
熱手段を設けて反応を促進させるようにする。
【００２５】このようにすると、有機金属ガス同士の反
応が促進し、中間生成物の生成が誘起される。得られた
中間生成物は、温度調整器11により所定の温度に保持さ
れ、中間生成物が効率良く分解するように図られる。
応が促進し、中間生成物の生成が誘起される。得られた
中間生成物は、温度調整器11により所定の温度に保持さ
れ、中間生成物が効率良く分解するように図られる。
【００２６】このような図１と図２に示すガス導入管4
A,4B,4C,4D,4Eの反応容器１に対する配置の状態を適宜
組み合わせて、最も原料ガスが基板上で効率良く分解し
やすい条件を得るようにする。
A,4B,4C,4D,4Eの反応容器１に対する配置の状態を適宜
組み合わせて、最も原料ガスが基板上で効率良く分解し
やすい条件を得るようにする。
【００２７】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例に付き詳
細に説明する。p 型のHg1-x CdxTe結晶の気相成長の場
合について述べる。
細に説明する。p 型のHg1-x CdxTe結晶の気相成長の場
合について述べる。
【００２８】図１のガス導入管4Aより水素ガスに担持さ
れたジメチルカドミウムが、ガス導入管4Bより水素ガス
に担持されたジイソプロピルテルルが、ガス導入管4Cよ
り水素ガスに担持された金属水銀が供給され、ガス導入
管4Dより水素ガスに担持されたp 型の不純物ガスのター
シャリーブチルアルシンが反応容器１内に供給される。
れたジメチルカドミウムが、ガス導入管4Bより水素ガス
に担持されたジイソプロピルテルルが、ガス導入管4Cよ
り水素ガスに担持された金属水銀が供給され、ガス導入
管4Dより水素ガスに担持されたp 型の不純物ガスのター
シャリーブチルアルシンが反応容器１内に供給される。
【００２９】上記した金属水銀のガス導入管4Cは300
℃、ジメチルカドミウムガス導入管4Aとジイソプロピル
テルルガス導入管4Bは400 ℃の温度に、ターシャリーブ
チルアルシンのガス導入管4Dは360 ℃の温度になるよう
に温度調整器11で加熱されている。
℃、ジメチルカドミウムガス導入管4Aとジイソプロピル
テルルガス導入管4Bは400 ℃の温度に、ターシャリーブ
チルアルシンのガス導入管4Dは360 ℃の温度になるよう
に温度調整器11で加熱されている。
【００３０】このようにしたガス各々のガス導入管4A,4
B,4C,4D の結合位置は、反応容器１より所定の距離のガ
ス通路12を隔てた位置で結合され、前記した原料ガスの
うち、ジメチルカドミウムガスとターシャリーブチルア
ルシンガスとが反応し、両者のガスの反応による中間生
成物が形成される。
B,4C,4D の結合位置は、反応容器１より所定の距離のガ
ス通路12を隔てた位置で結合され、前記した原料ガスの
うち、ジメチルカドミウムガスとターシャリーブチルア
ルシンガスとが反応し、両者のガスの反応による中間生
成物が形成される。
【００３１】このような中間生成物は、更に分解を促進
させるために、反応容器１とガス導入管4A,4B,4C,4D の
結合部13の間に加熱ヒータよりなる温度調整器11を設け
て、加熱することで、原料ガスが互いに混合して反応し
た状態で反応容器１内の基板３上に供給されるので、不
純物のドーピング効率も向上する。
させるために、反応容器１とガス導入管4A,4B,4C,4D の
結合部13の間に加熱ヒータよりなる温度調整器11を設け
て、加熱することで、原料ガスが互いに混合して反応し
た状態で反応容器１内の基板３上に供給されるので、不
純物のドーピング効率も向上する。
【００３２】また他の実施例として、前記したガス導入
管4A,4B,4Cより前記した原料ガスを導入し、ガス導入管
4Eよりイソプロピル沃素を導入してn 型のHg1-x Cdx Te
結晶を形成する場合には、該ガス導入管4Eの温度を、温
度調整器11により40℃の低温に保って反応が促進しない
ようにすると共に、ガス導入管4A,4B,4C,4E の結合部13
と反応容器１との間の距離が殆ど無い程度に短く保つと
ともに、図示しないが、反応容器１と結合部13を加熱し
て混合ガス同士の凝結を防止する。
管4A,4B,4Cより前記した原料ガスを導入し、ガス導入管
4Eよりイソプロピル沃素を導入してn 型のHg1-x Cdx Te
結晶を形成する場合には、該ガス導入管4Eの温度を、温
度調整器11により40℃の低温に保って反応が促進しない
ようにすると共に、ガス導入管4A,4B,4C,4E の結合部13
と反応容器１との間の距離が殆ど無い程度に短く保つと
ともに、図示しないが、反応容器１と結合部13を加熱し
て混合ガス同士の凝結を防止する。
【００３３】また他の実施例として、上記したガス導入
管4A,4B,4C,4D,4Eとガス導入管の結合部13にマイクロ波
発振器を用いてマイクロ波を照射して、該ガス導入管と
ガス導入管の結合部内の原料ガスにガスプラズマを形成
してこれらの混合ガスの中間生成物を形成し、反応容器
１内に導入する混合ガスの反応が促進するようにする。
管4A,4B,4C,4D,4Eとガス導入管の結合部13にマイクロ波
発振器を用いてマイクロ波を照射して、該ガス導入管と
ガス導入管の結合部内の原料ガスにガスプラズマを形成
してこれらの混合ガスの中間生成物を形成し、反応容器
１内に導入する混合ガスの反応が促進するようにする。
【００３４】或いは他の実施例として、上記ガス導入管
4A,4B,4C,4D,4Eと該ガス導入管の結合部13に所定の間隔
を隔てて、電極を設置し、この電極間に高電圧を印加し
てガス導入管4A,4B,4C,4D,4E内と結合部13内の原料ガス
に電場を印加して原料ガスを分解して分解生成物を形成
して分解反応を促進する方法を採っても良い。
4A,4B,4C,4D,4Eと該ガス導入管の結合部13に所定の間隔
を隔てて、電極を設置し、この電極間に高電圧を印加し
てガス導入管4A,4B,4C,4D,4E内と結合部13内の原料ガス
に電場を印加して原料ガスを分解して分解生成物を形成
して分解反応を促進する方法を採っても良い。
【００３５】また他の実施例として、上記したガス導入
管4A,4B,4C,4D,4Eと該ガス導入管の結合部13を石英ガラ
ス等の透明な光透過材で形成し、該ガス導入管とガス導
入管の結合部に紫外線を照射して、光化学反応により原
料ガスを分解して原料ガスの中間生成物を形成して分解
反応を促進する方法を採っても良い。
管4A,4B,4C,4D,4Eと該ガス導入管の結合部13を石英ガラ
ス等の透明な光透過材で形成し、該ガス導入管とガス導
入管の結合部に紫外線を照射して、光化学反応により原
料ガスを分解して原料ガスの中間生成物を形成して分解
反応を促進する方法を採っても良い。
【００３６】また、本発明の装置で使用可能な原料ガス
は、本実施例で述べたジメチルカドミウム、ジイソプロ
ピルテルル、水銀、ターシャリーブチルアルシン、イソ
プロピル沃素の他に亜鉛、カドミウム、水銀、硫黄、セ
レン、テルル、アルミニウム、インジウム、ガリウム、
塩素、沃素、燐、砒素、アンチモンの各元素の単体ガス
か、上記各元素の有機金属化合物ガスか、或いは上記各
元素の水素化合物ガスの何れかを用いても差し支えな
い。
は、本実施例で述べたジメチルカドミウム、ジイソプロ
ピルテルル、水銀、ターシャリーブチルアルシン、イソ
プロピル沃素の他に亜鉛、カドミウム、水銀、硫黄、セ
レン、テルル、アルミニウム、インジウム、ガリウム、
塩素、沃素、燐、砒素、アンチモンの各元素の単体ガス
か、上記各元素の有機金属化合物ガスか、或いは上記各
元素の水素化合物ガスの何れかを用いても差し支えな
い。
【００３７】また本実施例では反応容器の上部より原料
ガスを導入する方法を採っているが、水平型の反応容器
を用いて基板を水平方向に設置し、原料ガスを基板に水
平方向から導入する横型の気相成長装置にも本発明は適
用可能である。
ガスを導入する方法を採っているが、水平型の反応容器
を用いて基板を水平方向に設置し、原料ガスを基板に水
平方向から導入する横型の気相成長装置にも本発明は適
用可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の気相成長装
置によると、分解温度の異なる原料ガスを、反応容器内
で最も効率良く分解できるようにすることが可能とな
り、高価な原料ガスの消費量が低下し、化合物半導体結
晶の製造コストが低下する効果がある。
置によると、分解温度の異なる原料ガスを、反応容器内
で最も効率良く分解できるようにすることが可能とな
り、高価な原料ガスの消費量が低下し、化合物半導体結
晶の製造コストが低下する効果がある。
【図１】 本発明の気相成長装置の第１実施例の説明図
である。
である。
【図２】 本発明の気相成長装置の第２実施例の説明図
である。
である。
【図３】 従来の気相成長装置の説明図である。
1 反応容器 2 基板設置台 3 基板 4A,4B,4C,4D,4E ガス導入管 5 高周波誘導コイル 11 温度調整器 12 ガス通路
Claims (5)
- 【請求項１】 基板(3) を設置した反応容器(1) と、該
反応容器(1) に接続し、分解温度がそれぞれ異なる原料
ガスを導入する複数のガス導入管(4A,4B,4C,4D,4E)を備
えた気相成長装置に於いて、 前記複数のガス導入管(4A,4B,4C,4D,4E)の各々に加熱、
或いは冷却が可能な温度制御手段(11)を備え、前記各々
のガス導入管(4A,4B,4C,4D,4E)内の原料ガスの温度を制
御可能としたことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の複数のガス導入管(4A,4
B,4C,4D,4E)の結合部(13)が反応容器(1) より所定の距
離を隔てた箇所に位置するか、或いは前記結合部(13)が
反応容器(1) に接近した位置と成るようにし、結合部(1
3)から反応容器(1) に到るガス導入管に更に温度制御手
段(11)を設け、前記結合部(13)で合流した原料ガス同士
の反応の促進、或いは抑制を行うようにしたことを特徴
とする気相成長装置。 - 【請求項３】 請求項１、或いは２に記載の複数のガス
導入管(4A,4B,4C,4D,4E)内、および結合部(13)を流れる
原料ガスに、該原料ガスのガスプラズマ、或いは原料ガ
ス中間生成物が形成可能となる手段を設けたことを特徴
とする気相成長装置。 - 【請求項４】 請求項１、或いは２に記載の複数のガス
導入管(4A,4B,4C,4D,4E)および結合部(13)を光透過材で
形成し、該ガス導入管(4A,4B,4C,4D,4E)内、および結合
部(13)の原料ガスに光照射する光照射手段を設けたこと
を特徴とする気相成長装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れかに記載のガス導入
管(4A,4B,4C,4D,4E)に流入する原料ガスが、亜鉛、カド
ミウム、セレン、テルル、アルミニウム、インジウム、
ガリウム、砒素、アンチモンの有機金属化合物ガスか、
硫黄、塩素、沃素、燐の水素化合物ガスか、水銀の単体
元素のガスの何れかであることを特徴とする気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21884092A JPH0669132A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21884092A JPH0669132A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669132A true JPH0669132A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16726165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21884092A Withdrawn JPH0669132A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273036A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 化合物半導体結晶の形成方法 |
| JP2012501067A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体プロセスチャンバのプロセスガス配送 |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21884092A patent/JPH0669132A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273036A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 化合物半導体結晶の形成方法 |
| JP2012501067A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体プロセスチャンバのプロセスガス配送 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |