JPH01224295A - ガスソース分子線結晶成長装置 - Google Patents
ガスソース分子線結晶成長装置Info
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- JPH01224295A JPH01224295A JP5020388A JP5020388A JPH01224295A JP H01224295 A JPH01224295 A JP H01224295A JP 5020388 A JP5020388 A JP 5020388A JP 5020388 A JP5020388 A JP 5020388A JP H01224295 A JPH01224295 A JP H01224295A
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- JP
- Japan
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- gas
- molecular beam
- section
- crystal growth
- beam source
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
ガスソース分子線結晶成長装置のうち、ガスを供給する
分子線源セルの新規な構成に関し、結晶成長層への炭素
などの不純物の混入を低減させることを目的とし、 分子線源セルの主ガス導入管に副ガス導入管を接続し、
主ガス導入管を複数の加熱帯に分割して、前記接続部よ
り原料ガスソースに近い側に配置した第１加熱帯を高温
度に加熱し、前記接続部より被成長基板に近い側に配置
した第２加熱帯を低温度に加熱して、金属水素化物ガス
を主ガス導入管より導入し、有機金属ガスを副ガス導入
管より導入して、分解温度の異なる複数のガスを混合反
応させて放射するように構成した分子線源セルを具備し
てなることを特徴とする。
分子線源セルの新規な構成に関し、結晶成長層への炭素
などの不純物の混入を低減させることを目的とし、 分子線源セルの主ガス導入管に副ガス導入管を接続し、
主ガス導入管を複数の加熱帯に分割して、前記接続部よ
り原料ガスソースに近い側に配置した第１加熱帯を高温
度に加熱し、前記接続部より被成長基板に近い側に配置
した第２加熱帯を低温度に加熱して、金属水素化物ガス
を主ガス導入管より導入し、有機金属ガスを副ガス導入
管より導入して、分解温度の異なる複数のガスを混合反
応させて放射するように構成した分子線源セルを具備し
てなることを特徴とする。
［産業上の利用分野］
本発明はガスソース分子線結晶成長装置に係り、特に結
晶成長室にガスを供給する分子線源セルの新規な構成に
関する。
晶成長室にガスを供給する分子線源セルの新規な構成に
関する。
結晶基板に沿って半導体膜をエピタキシャル成長するエ
ピタキシー法（結晶成長法）は半導体製造の基礎技術で
あり、その注目技術として、最近、ガスソース分子線エ
ピタキシー法が開発されている。
ピタキシー法（結晶成長法）は半導体製造の基礎技術で
あり、その注目技術として、最近、ガスソース分子線エ
ピタキシー法が開発されている。
しかし、このガスソース分子線エピタキシー法は化合物
ガスを熱分解させてエピタキシャル成長する方法である
から、結晶成長層へ不純物が混入し易く、その不純物混
入を出来るだけ少なくすることが要望されている。
ガスを熱分解させてエピタキシャル成長する方法である
から、結晶成長層へ不純物が混入し易く、その不純物混
入を出来るだけ少なくすることが要望されている。
［従来の技術］
さて、ガスソース分子線エピタキシー法は、従来の分子
線エピタキシー（ＭＢＥ）法における金属ソース源に代
ってガスソース源を用いるもので、例えば、ＧａＡｓ
（ガリウム砒素）層やＡｌＧａＡｓ （アルミガリウム
砒素）層を成長する場合、■族分子線源材料としてトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ ；Ｇａ （ＣＨ３）３）、）
リエチルガリウム（ＴＥＧ；Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）、）
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ ；Ａｌ （ＣＨ３）
ｓ ） 、 ）リエチルアルミニウム（ＴＥＡ ；Ａ
ｔ （Ｃ２Ｈ５） ｓ ）などのガスを用い、■族分子
線源材料としてアルシン（ＡｓＨａ）などが用いられて
いる。
線エピタキシー（ＭＢＥ）法における金属ソース源に代
ってガスソース源を用いるもので、例えば、ＧａＡｓ
（ガリウム砒素）層やＡｌＧａＡｓ （アルミガリウム
砒素）層を成長する場合、■族分子線源材料としてトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ ；Ｇａ （ＣＨ３）３）、）
リエチルガリウム（ＴＥＧ；Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）、）
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ ；Ａｌ （ＣＨ３）
ｓ ） 、 ）リエチルアルミニウム（ＴＥＡ ；Ａ
ｔ （Ｃ２Ｈ５） ｓ ）などのガスを用い、■族分子
線源材料としてアルシン（ＡｓＨａ）などが用いられて
いる。
このガスソース分子線結晶成長法は従来のＭＢＥ法より
も表面欠陥が低減できること、速い成長速度が容易に得
られることなどの利点があり、且つ、分子線領域でのガ
ス使用であるために、成長過程はＭＯＣＶＤ （有機金
属熱分解）法よりもＭＢＥ法に近く、ガス流の開閉によ
って非常に急峻なヘテロ界面が容易に形成でき、更に、
成長容器内の清浄な超高真空雰囲気を大気に曝すことな
くソースの交換ができて、工業生産上大きな利点がある
とされているものである。
も表面欠陥が低減できること、速い成長速度が容易に得
られることなどの利点があり、且つ、分子線領域でのガ
ス使用であるために、成長過程はＭＯＣＶＤ （有機金
属熱分解）法よりもＭＢＥ法に近く、ガス流の開閉によ
って非常に急峻なヘテロ界面が容易に形成でき、更に、
成長容器内の清浄な超高真空雰囲気を大気に曝すことな
くソースの交換ができて、工業生産上大きな利点がある
とされているものである。
第３図はそのガスソース分子線結晶成長をおこなう従来
の結晶成長装置を示しており、■は結晶成長室、２は基
板（被成長基板；ウェハー）、３は基板ホルダー、４は
ヒータ、５は分子線源セル。
の結晶成長装置を示しており、■は結晶成長室、２は基
板（被成長基板；ウェハー）、３は基板ホルダー、４は
ヒータ、５は分子線源セル。
６はバルブ、７は液体窒素シュラウド、８はゲートバル
ブである。図示のように、基板２は基板ホルダー３に保
持され、ヒータ４で加熱されて、例えば、基板２がＧａ
Ａｓ基板の場合には６００〜７００℃に加熱される。且
つ、分子線源セルは複数個が設けられ、複数の分子線源
セルがウェハー２に対向して配置されている。
ブである。図示のように、基板２は基板ホルダー３に保
持され、ヒータ４で加熱されて、例えば、基板２がＧａ
Ａｓ基板の場合には６００〜７００℃に加熱される。且
つ、分子線源セルは複数個が設けられ、複数の分子線源
セルがウェハー２に対向して配置されている。
第４図（ａ）、 （ｂ）は従来の分子線源セルの断面図
を示し、同図（ａＪは高温分解ガス用、同図（ｂ）は低
温分解ガス用である。第４図（ａ）に示す高温分解ガス
用分子線源セルは、例えば、Ｖ族ガスのアルシン（Ａｓ
）１３ ；金属水素化物ガス）などに用いられ、８０
０〜９００℃に加熱されて、ＡｓとＨ２とに分解してＡ
ｓを基板に向かって放射するセルである。図中、１１は
ガス導入管、 １２はＴａ Ｃタンタル）製のヒータ。
を示し、同図（ａＪは高温分解ガス用、同図（ｂ）は低
温分解ガス用である。第４図（ａ）に示す高温分解ガス
用分子線源セルは、例えば、Ｖ族ガスのアルシン（Ａｓ
）１３ ；金属水素化物ガス）などに用いられ、８０
０〜９００℃に加熱されて、ＡｓとＨ２とに分解してＡ
ｓを基板に向かって放射するセルである。図中、１１は
ガス導入管、 １２はＴａ Ｃタンタル）製のヒータ。
１３は真空フランジ、１４は熱遮蔽板、１５はＰＢＮ
（焼結窒化硼素）板で、ＰＢＮ１５を有する出口部分に
高温に加熱されてガスを分解する熱クラッキング部Ｃが
設けられている。
（焼結窒化硼素）板で、ＰＢＮ１５を有する出口部分に
高温に加熱されてガスを分解する熱クラッキング部Ｃが
設けられている。
また、第４図（ｂ）に示す低温分解ガス用分子線源セル
は、■族ガスの分解し易いＴＭＧやＴＭＡなどの有機金
属ガスなどに用いられ、セル内は凝縮しない程度の５０
〜６０℃に加熱されて放射するセルである。図中の記号
は第４図（ａ）と同一部位に同一記号が付けであるが、
この低温分解ガス用熱りラブキング部Ｃが設けられてい
ない。なお、これらの分子線源セルはガス導入管１１が
直径１７４インチ。
は、■族ガスの分解し易いＴＭＧやＴＭＡなどの有機金
属ガスなどに用いられ、セル内は凝縮しない程度の５０
〜６０℃に加熱されて放射するセルである。図中の記号
は第４図（ａ）と同一部位に同一記号が付けであるが、
この低温分解ガス用熱りラブキング部Ｃが設けられてい
ない。なお、これらの分子線源セルはガス導入管１１が
直径１７４インチ。
長さ約３０ｃｓの石英製で、ガス導入管１１の先端とウ
ェハー２との間隔が比較的に短く構成されている。
ェハー２との間隔が比較的に短く構成されている。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記のようなガスソース分子線エピタキシャ
ル成長装置を用いて、例えば、ＧａＡｓ層やＡｌＧａＡ
ｓ層を成長する場合には、ＧａソースとしてＴＭＧやＴ
ＥＣを用い、Ａｓソースとしてアルシンを用いており、
且つ、■属元素のアルシンは約９００℃に加熱した高温
用分子線源セル（第４図（ａ））から放出し、■属元素
のＴＭＧは約５０〜６０℃の低温用分子線源セル（第４
図（ｂ））から放出されるが、これはアルシンが６００
〜７００℃に加熱したＧａＡｓ基板上で分解されないた
め、予め分子線源セル内で加熱分解させて単体のＡｓ分
子として放射するものである。
ル成長装置を用いて、例えば、ＧａＡｓ層やＡｌＧａＡ
ｓ層を成長する場合には、ＧａソースとしてＴＭＧやＴ
ＥＣを用い、Ａｓソースとしてアルシンを用いており、
且つ、■属元素のアルシンは約９００℃に加熱した高温
用分子線源セル（第４図（ａ））から放出し、■属元素
のＴＭＧは約５０〜６０℃の低温用分子線源セル（第４
図（ｂ））から放出されるが、これはアルシンが６００
〜７００℃に加熱したＧａＡｓ基板上で分解されないた
め、予め分子線源セル内で加熱分解させて単体のＡｓ分
子として放射するものである。
一方、ＴＭＧは低温度で熱分解できるから、分子線源セ
ル内では熱分解させず、分子線源セルの管壁に原料ガス
が付着しない程度（５０〜６０℃）に加熱して、加熱し
たＧａＡｓ基板上で分解して被着させている。
ル内では熱分解させず、分子線源セルの管壁に原料ガス
が付着しない程度（５０〜６０℃）に加熱して、加熱し
たＧａＡｓ基板上で分解して被着させている。
しかし、このように、ＧａＡｓ基板上で熱分解させると
、Ｇａ分子を分離したメチル基（ＣＨ３）やエチル基（
Ｃ２Ｈ！５）がそのまま蒸発せずに、その基が分解して
遊離した炭素が結晶成長層に混入し、不純物となって結
晶成長層の純度を低下させる欠点がある。例えば、甚だ
しい場合には炭素（Ｃ）濃度が１０１１？／−程度に達
してアクセプタ（ｐ型）として働（。
、Ｇａ分子を分離したメチル基（ＣＨ３）やエチル基（
Ｃ２Ｈ！５）がそのまま蒸発せずに、その基が分解して
遊離した炭素が結晶成長層に混入し、不純物となって結
晶成長層の純度を低下させる欠点がある。例えば、甚だ
しい場合には炭素（Ｃ）濃度が１０１１？／−程度に達
してアクセプタ（ｐ型）として働（。
本発明はこのような結晶成長層への炭素などの不純物の
混入を低減させることを目的とした分子線源セルを具備
したガスソース分子線結晶成長装置を提案するものであ
る。
混入を低減させることを目的とした分子線源セルを具備
したガスソース分子線結晶成長装置を提案するものであ
る。
［課題を解決するための手段］
その目的は、分子線源セルの主ガス導入管に副ガス導入
管を接続し、主ガス導入管を複数の加熱帯に分割して、
前記接続部より原料ガスソースに近い側に配置した第１
加熱帯を高温度に加熱し、前記接続部より被成長基板に
近い側に配置した第２加熱帯を低温度に加熱して、金属
水素化物ガスを主ガス導入管より導入し、有機金属ガス
を副ガス導入管より導入して、分解温度の異なる複数の
ガスを混合反応させて放射するように構成した分子線源
セルを具備しているガスソース分子線結晶成長装置によ
って達成される。
管を接続し、主ガス導入管を複数の加熱帯に分割して、
前記接続部より原料ガスソースに近い側に配置した第１
加熱帯を高温度に加熱し、前記接続部より被成長基板に
近い側に配置した第２加熱帯を低温度に加熱して、金属
水素化物ガスを主ガス導入管より導入し、有機金属ガス
を副ガス導入管より導入して、分解温度の異なる複数の
ガスを混合反応させて放射するように構成した分子線源
セルを具備しているガスソース分子線結晶成長装置によ
って達成される。
［作用］
即ち、本発明は、金属水素化物ガスを分解する高温分解
ガス用分子線源セルと有機金属ガスを分解する低温分解
ガス用分子線源セルとを併合した構造の分子源セルに構
成し、セル内で有機金属ガスを金属分子とメチル基また
はエチル基とに分解させ、更に、このメチル基またはエ
チル基と金属水素化物ガスから分解した金属分子と反応
させ、その金属化合物として放射する。そうすると、基
板上で炭素が遊離し難く、炭素の混入を減少させること
ができる。
ガス用分子線源セルと有機金属ガスを分解する低温分解
ガス用分子線源セルとを併合した構造の分子源セルに構
成し、セル内で有機金属ガスを金属分子とメチル基また
はエチル基とに分解させ、更に、このメチル基またはエ
チル基と金属水素化物ガスから分解した金属分子と反応
させ、その金属化合物として放射する。そうすると、基
板上で炭素が遊離し難く、炭素の混入を減少させること
ができる。
なお、メチル基またはエチル基とＡｓとが反応し易いこ
とは文献によって実験的に証明されていて、Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ２６（３）＋１９８７、 ｐｐ４１９〜４
２２に記載されている。
とは文献によって実験的に証明されていて、Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ２６（３）＋１９８７、 ｐｐ４１９〜４
２２に記載されている。
［実施例］
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる分子線源セルの断面図を示して
おり、２０は主ガス導入管、２１は副ガス導入管、２２
はＴａ製のヒータ、２３は真空フランジ、２４は熱遮蔽
板、２５はＰＢＮ板で、Ｃは熱タラフキング部、Ａは予
備加熱部、Ｂは低温加熱部である。
おり、２０は主ガス導入管、２１は副ガス導入管、２２
はＴａ製のヒータ、２３は真空フランジ、２４は熱遮蔽
板、２５はＰＢＮ板で、Ｃは熱タラフキング部、Ａは予
備加熱部、Ｂは低温加熱部である。
ガス導入管２０．２１の原料ガスソースに近いガス入口
２６は直径１７４インチの細い石英管で構成し、予備加
熱部Ａでガス導入管を拡げて直径１インチ程度とし、そ
の管径の部分に熱グラフキング部Ｃ９低温加熱部Ｂを配
設している。なお、第１加熱帯とは予備加熱部Ａおよび
熱クラブキング部Ｃのことを意味し、第２加熱帯とは低
温加熱部Ｂのことを意味している。
２６は直径１７４インチの細い石英管で構成し、予備加
熱部Ａでガス導入管を拡げて直径１インチ程度とし、そ
の管径の部分に熱グラフキング部Ｃ９低温加熱部Ｂを配
設している。なお、第１加熱帯とは予備加熱部Ａおよび
熱クラブキング部Ｃのことを意味し、第２加熱帯とは低
温加熱部Ｂのことを意味している。
ヒータ２２は予備加熱部Ａ、熱タラツキング部Ｃ５低温
加熱部Ｂに三分割され、熱タラフキング部ＣにはＰＢＮ
板２５が配置されて、ＰＢＮ板は複数の円板を一定間隔
（１０鶴程度）で配置し、その各円板にはジグザクに孔
が設けてあり、その円板に当って原料ガスが効率良く分
解され、孔を通って先端２７から分子が放射される。ま
た、熱遮蔽板２４はＴａ （金属）とＰＢＮ （絶縁体
）とで構成されて、保温を目的としたものである。分子
線源セル全体の長さは３０〜４０ｃｎである。
加熱部Ｂに三分割され、熱タラフキング部ＣにはＰＢＮ
板２５が配置されて、ＰＢＮ板は複数の円板を一定間隔
（１０鶴程度）で配置し、その各円板にはジグザクに孔
が設けてあり、その円板に当って原料ガスが効率良く分
解され、孔を通って先端２７から分子が放射される。ま
た、熱遮蔽板２４はＴａ （金属）とＰＢＮ （絶縁体
）とで構成されて、保温を目的としたものである。分子
線源セル全体の長さは３０〜４０ｃｎである。
このような分子線源セルを用いて、アルシン（ＡｓＨａ
）とトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を熱分解させて放射
する例を説明すると、予備加熱部Ａの温度を３００〜４
００℃、熱タラツキング部Ｃの温度を８００〜９００℃
、低温加熱部Ｂの温度を４００〜５００℃程度にする。
）とトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を熱分解させて放射
する例を説明すると、予備加熱部Ａの温度を３００〜４
００℃、熱タラツキング部Ｃの温度を８００〜９００℃
、低温加熱部Ｂの温度を４００〜５００℃程度にする。
そうすると、主ガス導入管２０のガス入口から流入した
ＡｓＨ３ガスが予備加熱部Ａで加熱されて熱クランキン
グ部Ｃに入り、熱りランキング部ＣでＡｓと水素とに分
解されて低温加熱部Ｂに入る。低温加熱部Ｂでは副ガス
導入管２１のガス入口から流入したＴＥＧガスがＧａと
エチル基に分解され、そのエチル基とＡｓとが反応して
トリエチル砒素となって放射される。即ち、この分子線
源セルからはＡｓ分子、 Ｇａ分子、エチル基（未反応
のもの）およびトリエチル砒素が放射されるが、トリエ
チル砒素は基板上で炭素を遊離することが少なく、従っ
て、炭素不純物濃度の低い高純度な結晶成長層の成長を
助長する。
ＡｓＨ３ガスが予備加熱部Ａで加熱されて熱クランキン
グ部Ｃに入り、熱りランキング部ＣでＡｓと水素とに分
解されて低温加熱部Ｂに入る。低温加熱部Ｂでは副ガス
導入管２１のガス入口から流入したＴＥＧガスがＧａと
エチル基に分解され、そのエチル基とＡｓとが反応して
トリエチル砒素となって放射される。即ち、この分子線
源セルからはＡｓ分子、 Ｇａ分子、エチル基（未反応
のもの）およびトリエチル砒素が放射されるが、トリエ
チル砒素は基板上で炭素を遊離することが少なく、従っ
て、炭素不純物濃度の低い高純度な結晶成長層の成長を
助長する。
第２図は第１図に示す分子線源セルを設けた本発明にか
かるガスソース分子線結晶成長装置の例を示しており、
第３図と同一部位には同一記号を付けである。その他の
５１．５２は本発明の特徴とする分子線源セル、 ５３
．５４は従来の部分線源セルを示している。
かるガスソース分子線結晶成長装置の例を示しており、
第３図と同一部位には同一記号を付けである。その他の
５１．５２は本発明の特徴とする分子線源セル、 ５３
．５４は従来の部分線源セルを示している。
この第２図に示すガスソース分子線結晶成長装置を使用
し、５１をＡｓＨ３とＴＥＧとを導入するセル、５３を
ＡｓＨ３のみを導入するセル、５４をＴＥＧのみを導入
するセルとして、真空度１Ｏ−ｓＴｏｒｒ程度の結晶成
長室内でＧａＡｓ基板を６００℃に加熱して、従来の分
子線源セル５３．５４を用いてＧａＡｓ層を成長し、ま
た、本発明にかかる分子線源セル５１を用いてＧａＡｓ
層を成長した。その基板試料のＧａＡｓ層のホール測定
をおこなって、キャリア濃度を調べた結果、本発明にか
かる分子線源セルを用いると、単位体積当りの不純物濃
度を１桁ないし２桁減少させることができた。従って、
本発明にかかる分子線源セルを設けた結晶成長装置は、
高純度な結晶成長層の形成に有効である。
し、５１をＡｓＨ３とＴＥＧとを導入するセル、５３を
ＡｓＨ３のみを導入するセル、５４をＴＥＧのみを導入
するセルとして、真空度１Ｏ−ｓＴｏｒｒ程度の結晶成
長室内でＧａＡｓ基板を６００℃に加熱して、従来の分
子線源セル５３．５４を用いてＧａＡｓ層を成長し、ま
た、本発明にかかる分子線源セル５１を用いてＧａＡｓ
層を成長した。その基板試料のＧａＡｓ層のホール測定
をおこなって、キャリア濃度を調べた結果、本発明にか
かる分子線源セルを用いると、単位体積当りの不純物濃
度を１桁ないし２桁減少させることができた。従って、
本発明にかかる分子線源セルを設けた結晶成長装置は、
高純度な結晶成長層の形成に有効である。
上記はＡｓＨ３とＴＥＧを熱分解させる実施例で説明し
たが、■族としてＰＨ３（ホスフィン）。
たが、■族としてＰＨ３（ホスフィン）。
■族としてＴＭＧ、ＴＥＡ、ＴＭＡ、ＴＥｌなどを使用
することもでき、高純度なＡｌＧａＡｓ層をも成長でき
ることは勿論である。
することもでき、高純度なＡｌＧａＡｓ層をも成長でき
ることは勿論である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる分子線
源セルを設けたガスソース分子線結晶成長装置によれば
、高純度な結晶成長層が得られて、半導体装置の性能向
上に顕著に貢献するものである。
源セルを設けたガスソース分子線結晶成長装置によれば
、高純度な結晶成長層が得られて、半導体装置の性能向
上に顕著に貢献するものである。
第１図は本発明にかかる分子線源セルの断面図、第２図
は本発明にかかるガスソース分子線結晶成長装置を示す
図、 第３図は従来のガスソース分子線結晶成長装置を示す図
、 第４図（ａ）、 （ｂ）は従来の分子線源セルの断面図
である。 図において、 Ａは予備加熱部、 Ｂは低温加熱部、Ｃは熱クラッ
キング部、 １は結晶成長室、 ２は基板、 ３は基板ホルダー、 ４はヒータ、５は分子線源セ
ル、 ６はバルブ、 ７は液体窒素シュラウド８はゲートバルブ、２０は主ガ
ス導入管、 ２１は副ガス導入管、２２はＴａ製ヒー
タ、 ２３は真空フランジ、２４は熱遮蔽板、
２５はＰＢＮ板、２６はガス入口、 ２７は
ガス導入管の先端、５１、５２は本発明にかかる分子線
源セル、５３、５４は従来の分子線源セル を示している。
は本発明にかかるガスソース分子線結晶成長装置を示す
図、 第３図は従来のガスソース分子線結晶成長装置を示す図
、 第４図（ａ）、 （ｂ）は従来の分子線源セルの断面図
である。 図において、 Ａは予備加熱部、 Ｂは低温加熱部、Ｃは熱クラッ
キング部、 １は結晶成長室、 ２は基板、 ３は基板ホルダー、 ４はヒータ、５は分子線源セ
ル、 ６はバルブ、 ７は液体窒素シュラウド８はゲートバルブ、２０は主ガ
ス導入管、 ２１は副ガス導入管、２２はＴａ製ヒー
タ、 ２３は真空フランジ、２４は熱遮蔽板、
２５はＰＢＮ板、２６はガス入口、 ２７は
ガス導入管の先端、５１、５２は本発明にかかる分子線
源セル、５３、５４は従来の分子線源セル を示している。
Claims (1)
- 分子線源セルの主ガス導入管に副ガス導入管を接続し
、主ガス導入管を複数の加熱帯に分割して、前記接続部
より原料ガスソースに近い側に配置した第１加熱帯を高
温度に加熱し、前記接続部より被成長基板に近い側に配
置した第２加熱帯を低温度に加熱して、金属水素化物ガ
スを主ガス導入管より導入し、有機金属ガスを副ガス導
入管より導入して、分解温度の異なる複数のガスを混合
反応させて放射するように構成した分子線源セルを具備
してなることを特徴とするガスソース分子線結晶成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020388A JPH01224295A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ガスソース分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020388A JPH01224295A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ガスソース分子線結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01224295A true JPH01224295A (ja) | 1989-09-07 |
Family
ID=12852560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5020388A Pending JPH01224295A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ガスソース分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01224295A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04228494A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-18 | Cselt Spa (Cent Stud E Lab Telecomun) | エピタキシャル析出設備のための蒸気噴出源 |
| US5222074A (en) * | 1990-06-05 | 1993-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal decomposition cell |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP5020388A patent/JPH01224295A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04228494A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-18 | Cselt Spa (Cent Stud E Lab Telecomun) | エピタキシャル析出設備のための蒸気噴出源 |
| US5222074A (en) * | 1990-06-05 | 1993-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal decomposition cell |
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