JPH0669360A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0669360A JPH0669360A JP24128892A JP24128892A JPH0669360A JP H0669360 A JPH0669360 A JP H0669360A JP 24128892 A JP24128892 A JP 24128892A JP 24128892 A JP24128892 A JP 24128892A JP H0669360 A JPH0669360 A JP H0669360A
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- JP
- Japan
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- wiring layer
- semiconductor device
- laser light
- wiring
- metal wiring
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地層にダメージを与えることなく、配線層
の所望箇所を完全且つ適正に絶縁化し得る半導体装置の
製造方法を提供する。 【構成】 酸化雰囲気中で金属配線層３に対して局所的
にレーザ光を照射することにより、金属配線層３の所望
箇所に酸化物５を形成し、この酸化部分で金属配線層３
の絶縁化を行うようにしたものである。配線層３の所望
箇所を、物理的に切断するのではなく、配線層３を酸化
することにより絶縁化することができ、これにより配線
層３の下地層４にダメージを与えることなく完全な絶縁
を図ることができる。
の所望箇所を完全且つ適正に絶縁化し得る半導体装置の
製造方法を提供する。 【構成】 酸化雰囲気中で金属配線層３に対して局所的
にレーザ光を照射することにより、金属配線層３の所望
箇所に酸化物５を形成し、この酸化部分で金属配線層３
の絶縁化を行うようにしたものである。配線層３の所望
箇所を、物理的に切断するのではなく、配線層３を酸化
することにより絶縁化することができ、これにより配線
層３の下地層４にダメージを与えることなく完全な絶縁
を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に半導体装置における配線層の適所を絶縁化する
ための配線加工技術に関する。
法、特に半導体装置における配線層の適所を絶縁化する
ための配線加工技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造方法において、
その配線層の所望箇所を絶縁もしくは切断したい場合、
例えばレーザ光を配線層に局所的に照射して、その部分
の配線層を融解させる方法がある。ここで、図３はかか
るレーザ光を用いて行うための装置の一般的な原理構成
例を示しているが、図においてレーザ光源１で発生した
レーザ光は反射鏡２等により光路制御されて、配線層３
に照射される。レーザ光が照射された配線層３は局所的
に融解し、これにより配線層３の所望箇所を絶縁するこ
とができる。尚、図示例では配線層３は簡略化して表さ
れており、実際には一定の配線パターンが形成されてい
る。
その配線層の所望箇所を絶縁もしくは切断したい場合、
例えばレーザ光を配線層に局所的に照射して、その部分
の配線層を融解させる方法がある。ここで、図３はかか
るレーザ光を用いて行うための装置の一般的な原理構成
例を示しているが、図においてレーザ光源１で発生した
レーザ光は反射鏡２等により光路制御されて、配線層３
に照射される。レーザ光が照射された配線層３は局所的
に融解し、これにより配線層３の所望箇所を絶縁するこ
とができる。尚、図示例では配線層３は簡略化して表さ
れており、実際には一定の配線パターンが形成されてい
る。
【０００３】このように配線層３を物理的に切断するこ
とによって、配線層３の所定箇所のの導通をなくするこ
とができ、このような配線加工技術によれば、例えばダ
イナミックメモリの救済回路として又は半導体装置の設
計上の誤りの修正として用いることができる。なお、か
かる絶縁化が行われるべき配線層３として、多結晶シリ
コン，アルミニウム又は高融点金属等を用いていた。
とによって、配線層３の所定箇所のの導通をなくするこ
とができ、このような配線加工技術によれば、例えばダ
イナミックメモリの救済回路として又は半導体装置の設
計上の誤りの修正として用いることができる。なお、か
かる絶縁化が行われるべき配線層３として、多結晶シリ
コン，アルミニウム又は高融点金属等を用いていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体装置の製造方法では、上述のようにレーザ
のエネルギーによって配線金属を融解するようにしてい
ることから、下地層にダメージを与えないようにするた
めに、その融解部分を他の回路又は配線層から十分に離
隔させておく必要があった。また、レーザ光のエネルギ
ー強度の制御又は照射光路の制御自体に高度な技術を必
要とし、このような条件下では配線層３の任意箇所を融
解させることが実質的に不可能で、更に配線層３の配線
パターンの如何によっては融解時に切断困難になるとい
う問題があった。
従来の半導体装置の製造方法では、上述のようにレーザ
のエネルギーによって配線金属を融解するようにしてい
ることから、下地層にダメージを与えないようにするた
めに、その融解部分を他の回路又は配線層から十分に離
隔させておく必要があった。また、レーザ光のエネルギ
ー強度の制御又は照射光路の制御自体に高度な技術を必
要とし、このような条件下では配線層３の任意箇所を融
解させることが実質的に不可能で、更に配線層３の配線
パターンの如何によっては融解時に切断困難になるとい
う問題があった。
【０００５】本発明はかかる実情に鑑み、特に下地層に
ダメージを与えることなく、配線層の所望箇所を完全且
つ適正に絶縁化し得る半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
ダメージを与えることなく、配線層の所望箇所を完全且
つ適正に絶縁化し得る半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造装置の製造方法は、酸化雰囲気中で金属配線層に
対して局所的にレーザ光を照射することにより、上記金
属配線層の所望箇所に酸化物を形成し、この酸化部分で
上記金属配線層の絶縁化を行うようにしたものである。
の製造装置の製造方法は、酸化雰囲気中で金属配線層に
対して局所的にレーザ光を照射することにより、上記金
属配線層の所望箇所に酸化物を形成し、この酸化部分で
上記金属配線層の絶縁化を行うようにしたものである。
【０００７】上記酸化雰囲気は特に、酸素もしくは酸化
窒素化合物のガスで成り、また上記金属配線層はアルミ
ニウム材料により形成されている。
窒素化合物のガスで成り、また上記金属配線層はアルミ
ニウム材料により形成されている。
【０００８】また本発明方法では、上記金属配線層に対
して低エネルギーのレーザ光が照射されるようになって
いる。
して低エネルギーのレーザ光が照射されるようになって
いる。
【０００９】
【作用】本発明方法によれば、酸化雰囲気中で配線層に
対して局所的にレーザ光を照射することにより、該配線
層の所望箇所が酸化される。このように配線層において
酸化物を形成することにより、該配線層を物理的に切断
することなしに、その所望箇所を絶縁することができ
る。
対して局所的にレーザ光を照射することにより、該配線
層の所望箇所が酸化される。このように配線層において
酸化物を形成することにより、該配線層を物理的に切断
することなしに、その所望箇所を絶縁することができ
る。
【００１０】特に本発明方法では、酸素もしくは酸化窒
素化合物ガスの酸化雰囲気中で、しかもアルミニウムの
金属配線層に対してレーザ光を照射する場合に極めて高
い効果を得ることができる。また、低エネルギーのレー
ザを使用することにより、配線層の下地層にダメージを
与えず、しかも完全な絶縁化を図ることができる。
素化合物ガスの酸化雰囲気中で、しかもアルミニウムの
金属配線層に対してレーザ光を照射する場合に極めて高
い効果を得ることができる。また、低エネルギーのレー
ザを使用することにより、配線層の下地層にダメージを
与えず、しかも完全な絶縁化を図ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図１及び図２に基づき、本発明による
半導体装置の製造方法の一実施例を説明する。本発明方
法では、図１に示したように酸化雰囲気中で配線層３に
対して局所的にレーザ光が照射される。なお、このレー
ザ光は図３に示したようにレーザ光源１から反射鏡２を
介して照射されるようにしてもよいが、低エネルギーの
レーザ光が使用される。また、配線層３は下地層４の上
に形成されているが、例えば一例として図２に示される
ような配線パターンを有しているものとする。
半導体装置の製造方法の一実施例を説明する。本発明方
法では、図１に示したように酸化雰囲気中で配線層３に
対して局所的にレーザ光が照射される。なお、このレー
ザ光は図３に示したようにレーザ光源１から反射鏡２を
介して照射されるようにしてもよいが、低エネルギーの
レーザ光が使用される。また、配線層３は下地層４の上
に形成されているが、例えば一例として図２に示される
ような配線パターンを有しているものとする。
【００１２】上記酸化雰囲気としては、例えば酸素，酸
化窒素化合物等のガスが好適である。また、配線層３の
形成材料としては特にアルミニウムの場合に効果が高い
が、この他にシリコン或いはタングステン等の高融点金
属を用いることもできる。レーザ光としては、アルゴ
ン，クリプトン又はＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garne
t）等の連続波及びＹＡＧ，ルビー又はガラス等のパル
スレーザを適宜用いることができる。
化窒素化合物等のガスが好適である。また、配線層３の
形成材料としては特にアルミニウムの場合に効果が高い
が、この他にシリコン或いはタングステン等の高融点金
属を用いることもできる。レーザ光としては、アルゴ
ン，クリプトン又はＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garne
t）等の連続波及びＹＡＧ，ルビー又はガラス等のパル
スレーザを適宜用いることができる。
【００１３】本発明方法によれば、図１に示したように
上記酸化雰囲気中で配線層３に対して局所的にレーザ光
が照射され、これによりレーザ光照射部分に酸化物５が
形成される。このように酸化物５を形成することによ
り、図１の図示例では配線層３の配線部３ａと配線部３
ｂを電気的に切断することができる。この場合、照射さ
れるレーザ光自体が低エネルギーであるため、下地層４
にダメージを与えることなく上記配線部３ａ及び配線部
３ｂ間を完全に絶縁することができる。
上記酸化雰囲気中で配線層３に対して局所的にレーザ光
が照射され、これによりレーザ光照射部分に酸化物５が
形成される。このように酸化物５を形成することによ
り、図１の図示例では配線層３の配線部３ａと配線部３
ｂを電気的に切断することができる。この場合、照射さ
れるレーザ光自体が低エネルギーであるため、下地層４
にダメージを与えることなく上記配線部３ａ及び配線部
３ｂ間を完全に絶縁することができる。
【００１４】従って、配線層３が図２のような複雑な配
線パターンを有している場合でも、上記のように配線層
３の所望箇所に酸化物５を形成することにより、配線層
３の下地として他の素子や配線が存在していても、それ
らに何らダメージを与えることなく、配線層３の任意箇
所を適正に絶縁化することができる。このように配線層
３において、所望箇所を位置的制限なくしかも完全に絶
縁化することができるので、特にダイナミックメモリの
救済回路を形成する場合、又は半導体装置の設計上の誤
りを修正する場合等に、極めて有効且つ好適である。
線パターンを有している場合でも、上記のように配線層
３の所望箇所に酸化物５を形成することにより、配線層
３の下地として他の素子や配線が存在していても、それ
らに何らダメージを与えることなく、配線層３の任意箇
所を適正に絶縁化することができる。このように配線層
３において、所望箇所を位置的制限なくしかも完全に絶
縁化することができるので、特にダイナミックメモリの
救済回路を形成する場合、又は半導体装置の設計上の誤
りを修正する場合等に、極めて有効且つ好適である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、配
線層の所望箇所を絶縁するために、物理的に切断するの
ではなく、配線層の酸化により絶縁化することができ、
これにより配線層の下地層に何らダメージを与えること
なく完全な絶縁を図ることが可能になる。
線層の所望箇所を絶縁するために、物理的に切断するの
ではなく、配線層の酸化により絶縁化することができ、
これにより配線層の下地層に何らダメージを与えること
なく完全な絶縁を図ることが可能になる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法における配線層
に対するレーザ照射プロセスを示す図である。
に対するレーザ照射プロセスを示す図である。
【図２】本発明方法に係る配線層の配線パターン及びこ
の配線層に形成された酸化物を示す平面図である。
の配線層に形成された酸化物を示す平面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法に使用されるレー
ザ光照射装置の構成例を示す斜視図である。
ザ光照射装置の構成例を示す斜視図である。
３ 配線層 ３ａ 配線部 ３ｂ 配線部 ４ 下地層 ５ 酸化物
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化雰囲気中で金属配線層に対して局所
的にレーザ光を照射することにより、上記金属配線層の
所望箇所に酸化物を形成し、この酸化部分で上記金属配
線層の絶縁化を行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 上記酸化雰囲気は酸素もしくは酸化窒素
化合物のガスで成り、また上記金属配線層はアルミニウ
ム材料により形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記金属配線層に対して低エネルギーの
レーザ光が照射されるようにしたことを特徴とする請求
項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24128892A JPH0669360A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24128892A JPH0669360A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669360A true JPH0669360A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=17072040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24128892A Withdrawn JPH0669360A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669360A (ja) |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP24128892A patent/JPH0669360A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |