JPH0670140U - 半導体圧力スイッチ - Google Patents
半導体圧力スイッチInfo
- Publication number
- JPH0670140U JPH0670140U JP1120393U JP1120393U JPH0670140U JP H0670140 U JPH0670140 U JP H0670140U JP 1120393 U JP1120393 U JP 1120393U JP 1120393 U JP1120393 U JP 1120393U JP H0670140 U JPH0670140 U JP H0670140U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- single crystal
- metal thin
- thin film
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 圧力スイッチのＯＮ時の電気抵抗を低下させ
る事を目的とする。 【構成】 裏面をエッチイグしてシリコンダイヤフラム
を形成した単結晶シリコンのシリコンダイヤフラム対向
面とガラス基板との間に多結晶シリコン層を挟んで気密
接合して圧力基準室を形成し、前記シリコンダイヤフラ
ムと相対する単結晶シリコン上に、金属薄膜部分を形成
し、該金属薄膜部分に相対するガラス基板上には、複数
の金属配線を形成し、該複数の金属配線と前記単結晶シ
リコン上の金属薄膜とが接触する事で電気的な閉回路を
形成するようにした。
る事を目的とする。 【構成】 裏面をエッチイグしてシリコンダイヤフラム
を形成した単結晶シリコンのシリコンダイヤフラム対向
面とガラス基板との間に多結晶シリコン層を挟んで気密
接合して圧力基準室を形成し、前記シリコンダイヤフラ
ムと相対する単結晶シリコン上に、金属薄膜部分を形成
し、該金属薄膜部分に相対するガラス基板上には、複数
の金属配線を形成し、該複数の金属配線と前記単結晶シ
リコン上の金属薄膜とが接触する事で電気的な閉回路を
形成するようにした。
Description
【０００１】
本考案は、自動車産業等におけるタイヤの空気圧検出、あるいは機械産業等で 圧力を検出するため装置に用いられる圧力スイッチに関する。
【０００２】
従来の圧力スイッチの構造は、単結晶シリコンを用いたシリコンダイヤフラム 上に金属接点を形成し、該金属接点と圧力基準室外部にある電気信号を取り出す ためのパッドとを、単結晶シリコン中の不純物拡散層を介して電気的に伝達し、 一方、ガラス側電極と外部との電気的信号の伝達も別経路の単結晶シリコン中の 不純物拡散層を介して行っていた。
【０００３】
従来の圧力スイッチでは、圧力基準室内の金属接点及び金属薄膜と圧力基準室 外のパッドを不純物拡散層を介して電気的に結んでいたためと、配線パターンが 複雑であったために、圧力スイッチがＯＮした時の抵抗が数百Ωと高かった。
【０００４】
上記課題を解決するために、ガラス基板上の二本のガラス基板側金属配線を接 続するための金属薄膜のみを単結晶シリコン上に形成し、更に、圧力基準室を形 成する多結晶シリコンの一部にＮ+不純物拡散を行い、該Ｎ+不純物拡散層を介し て圧力基準室内外のガラス基板側金属配線を接続させるようにしたものである。
【０００５】
上記のような構造にすることにより、圧力スイッチのＯＮ時の電気抵抗が１０ Ω以下と、従来の電気抵抗よりも一桁小さくすることができる。
【０００６】
【実施例】 以下、本考案による圧力スイッチの実施例を図面を用いて説明する。 図１及び図２は、本考案による圧力スイッチの構造の一実施例を示した図であ り、図１は平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【０００７】 本考案による圧力スイッチの構造は、単結晶シリコン１の一方の面に圧力基準 室８と、ガラス基板側金属配線５の圧力基準室内外を接続させるための多結晶シ リコン層２及び３を形成しており、ガラス基板側金属配線５の圧力基準室内外を 接続させるための多結晶シリコン層３には、Ｎ+不純物拡散を行っている。前記 単結晶シリコン１のシリコンダイヤフラム９上には圧力基準室８内のガラス基板 側金属配線５と対向するように金属薄膜４が形成されている。
【０００８】 前記シリコンダイヤフラム９に圧力がかかり、該シリコンダイヤフラム９が撓 むことで前記金属薄膜４が二本のガラス基板側金属配線５と接触して閉回路を形 成する構造になっている。
【０００９】
本発明の圧力スイッチによれば、ＯＮ時の電気抵抗を１０Ω以下と、従来の圧 力スイッチより一桁小さくする事ができ、また、低抵抗にできたことで圧力スイ ッチのスイッチング状態を検出する際のノイズを非常に小さくする事ができる等 の効果を有する。
【図１】本考案による圧力スイッチの構造を示した平面
図である。
図である。
【図２】本考案による圧力スイッチの構造を示した図１
のＡ−Ａ断面図である。
のＡ−Ａ断面図である。
１ 単結晶シリコン ２ 多結晶シリコン ３ Ｎ+を拡散した多結晶シリコン ４ 金属薄膜 ５ ガラス基板側金属配線 ６ ガラス基板 ７ アルミパッド ８ 圧力基準室 ９ シリコンダイヤフラム
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンダイヤフラム上の圧力基準室形
成側に金属薄膜を形成したＰ形単結晶シリコンと、複数
の金属薄膜配線を形成したガラス基板とからなり、前記
金属薄膜とガラス基板側金属配線が対向するように前記
単結晶シリコンとガラス基板とを気密接合した圧力スイ
ッチにおいて、圧力の変化による前記シリコンダイヤフ
ラムの歪みによって前記金属薄膜が複数のガラス基板側
金属薄膜と接触する事で、前記ガラス基板側金属薄膜配
線を閉回路として構成したことを特徴とする半導体圧力
スイッチ。 - 【請求項２】 単結晶シリコンとガラス基板の間に形成
した多結晶シリコンをスペーサーとして、前記単結晶シ
リコンとガラス基板との間で圧力基準室を形成したこと
を特徴とする請求項１記載の半導体圧力スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120393U JPH0670140U (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体圧力スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120393U JPH0670140U (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体圧力スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0670140U true JPH0670140U (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=11771472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1120393U Pending JPH0670140U (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体圧力スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670140U (ja) |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP1120393U patent/JPH0670140U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0010204B1 (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly | |
| CN1092836C (zh) | 电容性绝对压力传感器及其制造方法 | |
| KR100502497B1 (ko) | 다이어프램식 반도체 압력 센서 | |
| US6988412B1 (en) | Piezoresistive strain concentrator | |
| JPH06267382A (ja) | 圧力スイッチ及びその製造方法 | |
| US8063457B2 (en) | Semiconductor strain gauge and the manufacturing method | |
| JPS5828876A (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
| JPH11220137A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH09116173A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
| CN216410458U (zh) | 压力传感器 | |
| JPS63308390A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS63175482A (ja) | 圧力センサ | |
| JP5191030B2 (ja) | 半導体歪みゲージ | |
| JPH0670141U (ja) | 半導体圧力スイッチ | |
| JPH06267381A (ja) | 圧力スイッチ | |
| JPH06203712A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| JP2519393B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JPH0564863B2 (ja) | ||
| CN218994583U (zh) | 一种mems压力传感器 | |
| RU93033068A (ru) | Сенсорная структура | |
| JP2000275129A (ja) | 静電容量型センサ | |
| KR100277469B1 (ko) | 압력센서 및 그 제조방법 | |
| JP2002022581A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0394401A (ja) | 感温センサ | |
| JPH10274580A (ja) | 半導体圧力センサ |