JPH0671021B2 - 樹脂封止型電子装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型電子装置の製造方法Info
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- JPH0671021B2 JPH0671021B2 JP63033586A JP3358688A JPH0671021B2 JP H0671021 B2 JPH0671021 B2 JP H0671021B2 JP 63033586 A JP63033586 A JP 63033586A JP 3358688 A JP3358688 A JP 3358688A JP H0671021 B2 JPH0671021 B2 JP H0671021B2
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- sealing
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は両主面に樹脂層を有する樹脂封止型パワートラ
ンジスタや樹脂封止型電力用センタタップダイオードな
どの樹脂封止型電子装置の製造方法に関する。
ンジスタや樹脂封止型電力用センタタップダイオードな
どの樹脂封止型電子装置の製造方法に関する。
支持板の略全面を樹脂封止体にて被覆した樹脂封止型半
導体装置がある。この種の半導体装置は放熱体等への取
り付けの際に絶縁シートを必要としない。しかし、支持
板の下面側にも樹脂封止体の一部が形成されるため、支
持板の下面が露出したタイプの樹脂封止型半導体装置よ
り放熱性の点で不利である。従って、支持板の下面側の
樹脂封止体を厚さ0.5mm程度の薄い層にすることによ
り、この不利を少なくしている。
導体装置がある。この種の半導体装置は放熱体等への取
り付けの際に絶縁シートを必要としない。しかし、支持
板の下面側にも樹脂封止体の一部が形成されるため、支
持板の下面が露出したタイプの樹脂封止型半導体装置よ
り放熱性の点で不利である。従って、支持板の下面側の
樹脂封止体を厚さ0.5mm程度の薄い層にすることによ
り、この不利を少なくしている。
しかし、パワートランジスタ等の大電流で使用する樹脂
封止型半導体装置では放熱性を少しでも向上させる必要
がある。このため、樹脂層を薄く形成するだけでは不十
分である。また、樹脂層を薄く形成するにも強度と成形
性の点から限界がある。
封止型半導体装置では放熱性を少しでも向上させる必要
がある。このため、樹脂層を薄く形成するだけでは不十
分である。また、樹脂層を薄く形成するにも強度と成形
性の点から限界がある。
そこで、従来では放熱性（熱伝導性）に優れた封止樹脂
を使用することで、上記の要求に応えていた。しかし、
この種の封止樹脂はコストが高いという欠点を有し、
又、熱伝導性を向上させるための結晶シリカ等の硬質の
物質を多量に含有しているため、金型、特に封止樹脂が
圧力をかけて注入されるゲート部分を著しく摩耗させ、
高価な金型の耐用期間を短くするという欠点を有する。
を使用することで、上記の要求に応えていた。しかし、
この種の封止樹脂はコストが高いという欠点を有し、
又、熱伝導性を向上させるための結晶シリカ等の硬質の
物質を多量に含有しているため、金型、特に封止樹脂が
圧力をかけて注入されるゲート部分を著しく摩耗させ、
高価な金型の耐用期間を短くするという欠点を有する。
そこで、本発明の目的は、放熱性に優れている樹脂封止
型電子装置を容易且つ低コストに製造することができる
方法を提供することにある。
型電子装置を容易且つ低コストに製造することができる
方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、リードフレームの
支持板の一方の主面に電子素子及び／又は回路基板が固
着されているリードフレーム組立体を用意する工程と、
前記支持板の一方の主面側と他方の主面側との両方を樹
脂封止することができるように形成された成形空所を有
し、前記支持板の一方の主面側への樹脂の流入を選択的
に抑制するためのスライド型を備えている成形用型を用
意する工程と、前記支持板の他方の面とこれに対向する
前記成形空所の壁面との間隔が前記支持板の一方の主面
とこれに対向する前記成形空所の壁面との間隔よりも小
さくなるように前記リードフレーム組立体を前記成形用
型に配置する工程と、前記スライド型によって前記支持
板の一方の主面側への樹脂の流入を抑制した状態で前記
成形用型の前記成形空所における前記支持板の他方の主
面側の全部又は大部分に熱伝導性に優れた第１の封止樹
脂の流体を押圧注入する工程と、前記スライド型を移動
することによって前記支持板の一方の主面側への樹脂の
流入の抑制状態を解除して前記成形空所における前記第
１の封止樹脂が充填されていない領域に前記第１の封止
樹脂より熱伝導性の低い第２の封止樹脂の流体を押圧注
入する工程とを有する樹脂封止型電子装置の製造方法に
係わるものである。
支持板の一方の主面に電子素子及び／又は回路基板が固
着されているリードフレーム組立体を用意する工程と、
前記支持板の一方の主面側と他方の主面側との両方を樹
脂封止することができるように形成された成形空所を有
し、前記支持板の一方の主面側への樹脂の流入を選択的
に抑制するためのスライド型を備えている成形用型を用
意する工程と、前記支持板の他方の面とこれに対向する
前記成形空所の壁面との間隔が前記支持板の一方の主面
とこれに対向する前記成形空所の壁面との間隔よりも小
さくなるように前記リードフレーム組立体を前記成形用
型に配置する工程と、前記スライド型によって前記支持
板の一方の主面側への樹脂の流入を抑制した状態で前記
成形用型の前記成形空所における前記支持板の他方の主
面側の全部又は大部分に熱伝導性に優れた第１の封止樹
脂の流体を押圧注入する工程と、前記スライド型を移動
することによって前記支持板の一方の主面側への樹脂の
流入の抑制状態を解除して前記成形空所における前記第
１の封止樹脂が充填されていない領域に前記第１の封止
樹脂より熱伝導性の低い第２の封止樹脂の流体を押圧注
入する工程とを有する樹脂封止型電子装置の製造方法に
係わるものである。
［発明の作用及び効果］ 本発明においては、スライド型によって支持板の一方の
主面側（上面側）への熱伝導性に優れた第１の封止樹脂
の流入を抑制しつつ支持板の他方の主面側（下面側）へ
の第１の封止樹脂の注入を良好に進めることができる。
従って、１つの成形用型を使用して第１及び第２の封止
樹脂による樹脂封止体を容易に得ることができる。
主面側（上面側）への熱伝導性に優れた第１の封止樹脂
の流入を抑制しつつ支持板の他方の主面側（下面側）へ
の第１の封止樹脂の注入を良好に進めることができる。
従って、１つの成形用型を使用して第１及び第２の封止
樹脂による樹脂封止体を容易に得ることができる。
第１図〜第11図を参照して本発明の一実施例に係わる樹
脂封止型パワートランジスタの製造方法を説明する。
脂封止型パワートランジスタの製造方法を説明する。
まず、第11図に示すリードフレーム１を用意する。この
リードフレーム１は支持板２と、支持板２の一端に配置
された外部リード３と、外部リード３を並列に連結する
タイバー４及び連結細条５を有する。実際のリードフレ
ーム１は複数の支持板２が並置された多素子取り用とな
つている。なお、６は外部放熱体への取り付けに使用さ
れるネジの挿入用孔である。リードフレーム１には周知
のダイボンデイング法により半導体チップ７即ちトラン
ジスタチップが半田（図示せず）を介して固着されてい
る。又、周知のワイヤボンデイング法によりリード細線
８が接続されている。リード細線８は半導体チップ７と
外部リード３を電気的に接続する。これによりチップ・
リードフレーム組立体９が得られる。以下、チップ・リ
ードフレーム組立体９を単にリードフレーム組立体と呼
ぶ。リードフレーム組立体９は第11図で点線で示すよう
に樹脂封止体10で被覆される。なお、樹脂封止体10は後
述から明らかになるように２種類の樹脂から成る。
リードフレーム１は支持板２と、支持板２の一端に配置
された外部リード３と、外部リード３を並列に連結する
タイバー４及び連結細条５を有する。実際のリードフレ
ーム１は複数の支持板２が並置された多素子取り用とな
つている。なお、６は外部放熱体への取り付けに使用さ
れるネジの挿入用孔である。リードフレーム１には周知
のダイボンデイング法により半導体チップ７即ちトラン
ジスタチップが半田（図示せず）を介して固着されてい
る。又、周知のワイヤボンデイング法によりリード細線
８が接続されている。リード細線８は半導体チップ７と
外部リード３を電気的に接続する。これによりチップ・
リードフレーム組立体９が得られる。以下、チップ・リ
ードフレーム組立体９を単にリードフレーム組立体と呼
ぶ。リードフレーム組立体９は第11図で点線で示すよう
に樹脂封止体10で被覆される。なお、樹脂封止体10は後
述から明らかになるように２種類の樹脂から成る。
トランスフアモールド法によつて樹脂封止体10を形成す
るために、リードフレーム組立体９を第１図に示すよう
に金型11に配置する。金型11は上型14と下型15の他に、
第１及び第２のスライド型12、13を有している。スライ
ド型12、13は上型14に対して相対的に上下可動可能とな
つている。上型14には凹部16と円柱状の凸部17が形成さ
れており、凸部17は支持板２の孔６に挿入されている。
但し、凸部17は孔６の内周面とは離間しているため、孔
６の内周面には樹脂封止体10の一部が形成される。下型
15には凹部18、外部リード３の挿入用溝19、ランナ（樹
脂流通路）20、ゲート（樹脂注入用口）21が設けられて
いる。上型14と下型15を閉じることで、凹部16と凹部18
により金型11内に樹脂封止体10に対応した成形空所22が
形成される。
るために、リードフレーム組立体９を第１図に示すよう
に金型11に配置する。金型11は上型14と下型15の他に、
第１及び第２のスライド型12、13を有している。スライ
ド型12、13は上型14に対して相対的に上下可動可能とな
つている。上型14には凹部16と円柱状の凸部17が形成さ
れており、凸部17は支持板２の孔６に挿入されている。
但し、凸部17は孔６の内周面とは離間しているため、孔
６の内周面には樹脂封止体10の一部が形成される。下型
15には凹部18、外部リード３の挿入用溝19、ランナ（樹
脂流通路）20、ゲート（樹脂注入用口）21が設けられて
いる。上型14と下型15を閉じることで、凹部16と凹部18
により金型11内に樹脂封止体10に対応した成形空所22が
形成される。
リードフレーム組立体９の配置の際、外部リード３は溝
19に嵌合されて上型14と下型15で挾持される。このた
め、支持板２の下面が成形空所16の底面から0.5mm程度
の薄い間隔L1で浮いた状態で位置決めされる。次に、ス
ライド型12が下降し、その底面が成形空所16の底面から
上記の薄い間隔L1と支持板２の肉厚部の厚さを加えた間
隔だけ離れて位置するように配置される。従つて、支持
板２の外部リード３の連結された側と反対側の端部が浮
き上つた支持板２であつても、上記の反対側の端部がス
ライド型12により押されて、支持板２の下面と成形空所
22の底面との間隔は安定に薄い間隔L1を保つ。本実施例
ではリードフレーム組立体９を配置し、上型14と下型15
を閉じた後にスライド型12、13を上型14に対し進入させ
第１図に示す位置に配置した。しかし、上型14と下型15
を閉じる前に予めスライド型12、13を上型14から成形空
所22内に突出させておいてもよい。
19に嵌合されて上型14と下型15で挾持される。このた
め、支持板２の下面が成形空所16の底面から0.5mm程度
の薄い間隔L1で浮いた状態で位置決めされる。次に、ス
ライド型12が下降し、その底面が成形空所16の底面から
上記の薄い間隔L1と支持板２の肉厚部の厚さを加えた間
隔だけ離れて位置するように配置される。従つて、支持
板２の外部リード３の連結された側と反対側の端部が浮
き上つた支持板２であつても、上記の反対側の端部がス
ライド型12により押されて、支持板２の下面と成形空所
22の底面との間隔は安定に薄い間隔L1を保つ。本実施例
ではリードフレーム組立体９を配置し、上型14と下型15
を閉じた後にスライド型12、13を上型14に対し進入させ
第１図に示す位置に配置した。しかし、上型14と下型15
を閉じる前に予めスライド型12、13を上型14から成形空
所22内に突出させておいてもよい。
次に、第８図に示すように第１の封止樹脂23と第２の封
止樹脂24とが円柱状に一体化された樹脂ブロック25を第
１図のポット（樹脂投入口）26に投入する。樹脂ブロッ
ク25の下側の第１の封止樹脂23は、結晶シリカ等の含有
量が多く熱伝導性に優れた樹脂であり、第２の封止樹脂
24は第１の封止樹脂23に比べて結晶シリカ等の硬質物質
の含有量が少なく熱伝導性が低い樹脂である。なお、樹
脂ブロック25は超音波加熱等によつて軟化させてから、
第１の封止樹脂23が下側になるようにしてポット26に投
入する。ポット26及び金型11を160℃程度に予め加熱し
ておくことにより、ポット26に投入された樹脂ブロック
25は溶融し、流動化する。
止樹脂24とが円柱状に一体化された樹脂ブロック25を第
１図のポット（樹脂投入口）26に投入する。樹脂ブロッ
ク25の下側の第１の封止樹脂23は、結晶シリカ等の含有
量が多く熱伝導性に優れた樹脂であり、第２の封止樹脂
24は第１の封止樹脂23に比べて結晶シリカ等の硬質物質
の含有量が少なく熱伝導性が低い樹脂である。なお、樹
脂ブロック25は超音波加熱等によつて軟化させてから、
第１の封止樹脂23が下側になるようにしてポット26に投
入する。ポット26及び金型11を160℃程度に予め加熱し
ておくことにより、ポット26に投入された樹脂ブロック
25は溶融し、流動化する。
次に、ポット26内に移動自在に配置されているプランジ
ヤ（押し型）27によつて樹脂ブロック25を押圧し、流動
化している第１及び第２の封止樹脂23、24をランナ20に
順次に送り込む。なお、ポット26の径と樹脂ブロック25
の径とはほぼ同一になつているため、第１及び第２の封
止樹脂23、24が大きく混ざり合うことはなく、分離され
た状態で順に供給される。この実施例ではポット26がこ
れを中心に対称に配置された２つの成形空所22（１つは
図示せず）につながつているので、樹脂ブロック25も２
つの樹脂封止型トランジスタの樹脂封止体10を得ること
ができる大きさに形成されている。
ヤ（押し型）27によつて樹脂ブロック25を押圧し、流動
化している第１及び第２の封止樹脂23、24をランナ20に
順次に送り込む。なお、ポット26の径と樹脂ブロック25
の径とはほぼ同一になつているため、第１及び第２の封
止樹脂23、24が大きく混ざり合うことはなく、分離され
た状態で順に供給される。この実施例ではポット26がこ
れを中心に対称に配置された２つの成形空所22（１つは
図示せず）につながつているので、樹脂ブロック25も２
つの樹脂封止型トランジスタの樹脂封止体10を得ること
ができる大きさに形成されている。
第１の封止樹脂23を支持板２の下側に注入するために、
第１図に示す如く第１及び第２のスライド型12、13を支
持板２の上面に接するように下げておく。第１のスライ
ド型12は第９図に示すように切欠部12a及び一対の脚部1
2b、12cを有する。一方、第２のスライド型13は第10図
に示すように切欠部を有さない。第１及び第２のスライ
ド型12、13にはそれぞれの駆動装置28、29が結合され、
それぞれが独立に上下動可能である。
第１図に示す如く第１及び第２のスライド型12、13を支
持板２の上面に接するように下げておく。第１のスライ
ド型12は第９図に示すように切欠部12a及び一対の脚部1
2b、12cを有する。一方、第２のスライド型13は第10図
に示すように切欠部を有さない。第１及び第２のスライ
ド型12、13にはそれぞれの駆動装置28、29が結合され、
それぞれが独立に上下動可能である。
第１のスライド型12の切欠部12aには、第１図から明ら
かなように上型14に設けられた突出部14aが挿入されて
いる。この突出部14aの下面は支持板２の上面に対して
樹脂封止体10の厚さ相当の間隙を有する。従つて、突出
部14aは第１のスライド型12の切欠部12aの一部のみを埋
める。
かなように上型14に設けられた突出部14aが挿入されて
いる。この突出部14aの下面は支持板２の上面に対して
樹脂封止体10の厚さ相当の間隙を有する。従つて、突出
部14aは第１のスライド型12の切欠部12aの一部のみを埋
める。
この実施例ではゲート21が支持板２の上面以下に配置さ
れている。従つて、第１及び第２のスライド型12、13の
下端が支持板２に接している第１図の状態において、ゲ
ート21は支持板２の下側にはつながつているが、上側に
はつながつていない。第１図の状態でプランジヤ27を押
圧すると、第１の封止樹脂23がランナ20とゲート21とを
通って成形空所22の下側即ち支持板２の下側に注入され
る。第１の封止樹脂23を支持体２の下側に加圧注入する
と、支持板２にこれを浮き上げる方向の力が作用する
が、第１及び第２のスライド型12、13によつて阻止され
ているので支持板２の移動は生じない。なお、支持板２
の側面と成形空所22の壁面との間隔は0.8mm程度である
ので、支持板２の下側から側面を通つての上側への樹脂
の流動は制限され、第１の封止樹脂は主として支持板２
の下側に注入される。また、第１図に示されていない
が、ポット26の右側のランナ20、ゲート21、成形空所22
と同一形状のものがポット26を中心にして左側にも設け
られている。２つの成形空所22に至るランナ20の長さ同
一であるので、樹脂は同一の割合で注入される。
れている。従つて、第１及び第２のスライド型12、13の
下端が支持板２に接している第１図の状態において、ゲ
ート21は支持板２の下側にはつながつているが、上側に
はつながつていない。第１図の状態でプランジヤ27を押
圧すると、第１の封止樹脂23がランナ20とゲート21とを
通って成形空所22の下側即ち支持板２の下側に注入され
る。第１の封止樹脂23を支持体２の下側に加圧注入する
と、支持板２にこれを浮き上げる方向の力が作用する
が、第１及び第２のスライド型12、13によつて阻止され
ているので支持板２の移動は生じない。なお、支持板２
の側面と成形空所22の壁面との間隔は0.8mm程度である
ので、支持板２の下側から側面を通つての上側への樹脂
の流動は制限され、第１の封止樹脂は主として支持板２
の下側に注入される。また、第１図に示されていない
が、ポット26の右側のランナ20、ゲート21、成形空所22
と同一形状のものがポット26を中心にして左側にも設け
られている。２つの成形空所22に至るランナ20の長さ同
一であるので、樹脂は同一の割合で注入される。
プランジヤ27の位置等から支持板２の下側が第１の封止
樹脂23で充填されたことが判つたら、第２のスライド型
13を第２図及び第５図に示すように上方に移動させる。
第１のスライド型12は移動させないので、支持板２の上
方への移動は阻止されている。ゲート21から注入された
樹脂は上型14の突出部14aの下及び第２のスライド型13
の下を通つて支持板２の上側に流入する。なお、支持板
２の上側には第２の封止樹脂24又は第１の封止樹脂23の
残りと第２の封止樹脂24が流入する。
樹脂23で充填されたことが判つたら、第２のスライド型
13を第２図及び第５図に示すように上方に移動させる。
第１のスライド型12は移動させないので、支持板２の上
方への移動は阻止されている。ゲート21から注入された
樹脂は上型14の突出部14aの下及び第２のスライド型13
の下を通つて支持板２の上側に流入する。なお、支持板
２の上側には第２の封止樹脂24又は第１の封止樹脂23の
残りと第２の封止樹脂24が流入する。
支持板２の上側の半分以上が第２の封止樹脂24で充填さ
れた時点で第１のスライド型12を第３図及び第６図に示
すように上方へ移動する。これにより、第１のスライド
型12の脚部12b、12cが空所となり、ここにも第２の封止
樹脂24が充填される。第３図及び第６図の状態では支持
板２が第１及び第２のスライド型12、13で位置決めされ
ていないが、支持板２の下側に先に第１の封止樹脂23が
充填され、支持板２の上側の大部分にも第２の封止樹脂
24が充填されているので、支持板２の上下動は殆んど生
じない。注入樹脂が固化した後に金型11からリードフレ
ーム組立体９を取り出し、タイバー４及び連結細条５を
除去することによつて第７図に示すように第１及び第２
の封止樹脂層23a、24aから成る樹脂封止体10によつて外
部リード３以外の全部を被覆した樹脂封止型トランジス
タが得られる。なお、支持板２の下面側の封止樹脂層23
aは、主として第１の封止樹脂23から成る熱伝導性に優
れた樹脂層であり、支持板２の上面側の封止樹脂層24a
は第１の封止樹脂層23aよりも熱伝導性が劣る主として
第２の封止樹脂24から成る樹脂層である。第１及び第２
の封止樹脂層23a、24aは共にエポキシ系樹脂であるので
互いに強固に密着している。
れた時点で第１のスライド型12を第３図及び第６図に示
すように上方へ移動する。これにより、第１のスライド
型12の脚部12b、12cが空所となり、ここにも第２の封止
樹脂24が充填される。第３図及び第６図の状態では支持
板２が第１及び第２のスライド型12、13で位置決めされ
ていないが、支持板２の下側に先に第１の封止樹脂23が
充填され、支持板２の上側の大部分にも第２の封止樹脂
24が充填されているので、支持板２の上下動は殆んど生
じない。注入樹脂が固化した後に金型11からリードフレ
ーム組立体９を取り出し、タイバー４及び連結細条５を
除去することによつて第７図に示すように第１及び第２
の封止樹脂層23a、24aから成る樹脂封止体10によつて外
部リード３以外の全部を被覆した樹脂封止型トランジス
タが得られる。なお、支持板２の下面側の封止樹脂層23
aは、主として第１の封止樹脂23から成る熱伝導性に優
れた樹脂層であり、支持板２の上面側の封止樹脂層24a
は第１の封止樹脂層23aよりも熱伝導性が劣る主として
第２の封止樹脂24から成る樹脂層である。第１及び第２
の封止樹脂層23a、24aは共にエポキシ系樹脂であるので
互いに強固に密着している。
本実施例は次の効果を有する。
(1)支持板２の下面側と上面側とに異なる封止樹脂層23
a、24aを容易に形成することができる。
a、24aを容易に形成することができる。
(2)支持板２の下面側に熱伝導性に優れた樹脂層23aを形
成できる。このため、放熱性に優れた樹脂封止型半導体
装置を提供できる。
成できる。このため、放熱性に優れた樹脂封止型半導体
装置を提供できる。
(3)支持板２の上面側の樹脂層24aは半導体チップ７の発
熱の放熱にさほど関与しないので、一般に低コストの熱
伝導性に劣る樹脂を使用できる。従つて、低コストの樹
脂封止型半導体装置を提供できる。
熱の放熱にさほど関与しないので、一般に低コストの熱
伝導性に劣る樹脂を使用できる。従つて、低コストの樹
脂封止型半導体装置を提供できる。
(4)金型11を摩耗させるシリカ等を多く含む第１の封止
樹脂23は樹脂封止体10の一部を形成するのみであるの
で、この使用量が少なくなり、金型11のゲート21等の摩
耗を低減し、耐用期間を増大することができる。
樹脂23は樹脂封止体10の一部を形成するのみであるの
で、この使用量が少なくなり、金型11のゲート21等の摩
耗を低減し、耐用期間を増大することができる。
(5)複数の成形空所22に共通のポット26から延びるラン
ナ20の長さが等しくなつている。従つて、それぞれの成
形空所22に注入される第１の封止樹脂23の量が略等しく
なる。また、第２の封止樹脂24についても同様である。
このため、放熱特性等にバラツキを生じることがない。
ナ20の長さが等しくなつている。従つて、それぞれの成
形空所22に注入される第１の封止樹脂23の量が略等しく
なる。また、第２の封止樹脂24についても同様である。
このため、放熱特性等にバラツキを生じることがない。
(6)ポット26から延びるランナ20の長さが等しくなつて
いる。従つて、成形空所22内に注入される封止樹脂の量
はプランジヤ27の高さに依存する。このため、スライド
型12、13の引抜き時点がプランジヤ27の高さ位置に基づ
いて制御でき、スライド型12、13の移動制御が容易であ
る。
いる。従つて、成形空所22内に注入される封止樹脂の量
はプランジヤ27の高さに依存する。このため、スライド
型12、13の引抜き時点がプランジヤ27の高さ位置に基づ
いて制御でき、スライド型12、13の移動制御が容易であ
る。
(7)第１及び第２のスライド型12、13を使用するので、
支持板２の高さ位置を一定に保ちながら支持板２の下側
と上側に区別して樹脂を注入することが可能になる。
支持板２の高さ位置を一定に保ちながら支持板２の下側
と上側に区別して樹脂を注入することが可能になる。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
(1)第12図に示すように、ゲート21の一部が支持板２の
上面よりも上側に位置し、残部が上面よりも下側に位置
するようにしてもよい。この場合、第１のスライド型12
の脚部12b、12cの位置する箇所がゲート21に直接に通じ
ているので、スライド型12の引抜きが遅くなつても、ス
ライド型12の脚部12b、12cの位置した箇所に確実に樹脂
を注入することができる。
上面よりも上側に位置し、残部が上面よりも下側に位置
するようにしてもよい。この場合、第１のスライド型12
の脚部12b、12cの位置する箇所がゲート21に直接に通じ
ているので、スライド型12の引抜きが遅くなつても、ス
ライド型12の脚部12b、12cの位置した箇所に確実に樹脂
を注入することができる。
(2)第１の封止樹脂23と第２の封止樹脂24とを樹脂ブロ
ック25とせずに、分離してもよい。この場合、初めに第
１の封止樹脂23を注入し、次に第１の封止樹脂24を注入
する。
ック25とせずに、分離してもよい。この場合、初めに第
１の封止樹脂23を注入し、次に第１の封止樹脂24を注入
する。
(3)ゲート21につながるランナ20が２本に分れ、一方の
ランナにつながるポットに第１の封止樹脂23を投入し、
他方のランナにつながるポットに第２の封止樹脂24を投
入してもよい。
ランナにつながるポットに第１の封止樹脂23を投入し、
他方のランナにつながるポットに第２の封止樹脂24を投
入してもよい。
(4)第13図に示すように第１の封止樹脂23用のゲート21a
及びランナ20aと第２の封止樹脂24用のゲート21b及びラ
ンナ20bとを分離して設けてもよい。この場合、熱伝導
性に優れた第１の封止樹脂23用のゲート21aを支持板２
の上面よりも下方に設け、第２の封止樹脂24用のゲート
21bを支持板２の上面よりも上方に設けるのが良い。第
１の封止樹脂23の注入の際は第２の封止樹脂24用のゲー
ト21bを第２のスライド型13にて閉塞しておく。このと
き、２つのランナ20a、20bは同一のポットにつながつて
いてもよいし、別々のポットにつながつていてもよい。
及びランナ20aと第２の封止樹脂24用のゲート21b及びラ
ンナ20bとを分離して設けてもよい。この場合、熱伝導
性に優れた第１の封止樹脂23用のゲート21aを支持板２
の上面よりも下方に設け、第２の封止樹脂24用のゲート
21bを支持板２の上面よりも上方に設けるのが良い。第
１の封止樹脂23の注入の際は第２の封止樹脂24用のゲー
ト21bを第２のスライド型13にて閉塞しておく。このと
き、２つのランナ20a、20bは同一のポットにつながつて
いてもよいし、別々のポットにつながつていてもよい。
(5)第２のスライド型13のみであつてもよい。この場
合、支持板２の固定を確実とするため、上型14及び下型
15に支持板２の固定用ピンが設けられた金型を使用する
か、支持板２の外部リードの連結された側と反対側の端
部から位置決め用のリードが導出されたリードフレーム
を使用するのが望ましい。
合、支持板２の固定を確実とするため、上型14及び下型
15に支持板２の固定用ピンが設けられた金型を使用する
か、支持板２の外部リードの連結された側と反対側の端
部から位置決め用のリードが導出されたリードフレーム
を使用するのが望ましい。
(6)支持板２の外部リード３の連結された側と反対側の
端部から位置決め用のリードを延ばし、支持板２を金型
11で両持ち支持するタイプのリードフレームも使用でき
る。
端部から位置決め用のリードを延ばし、支持板２を金型
11で両持ち支持するタイプのリードフレームも使用でき
る。
(7)エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に限ることな
く、熱可塑性樹脂を使用する場合にも適用可能である。
く、熱可塑性樹脂を使用する場合にも適用可能である。
(8)トランジスタに限ることなく、ダイオード装置、複
合半導体素子、IC等の電子装置にも適用可能である。
合半導体素子、IC等の電子装置にも適用可能である。
第１図は本発明の実施例に係わる樹脂封止型トランジス
タの製造に使用する金型とチップ・リードフレーム組立
体との関係を第11図のI-I線に対応する部分で示す断面
図、 第２図は第１図の金型の第２のスライド型を上方に移動
した状態を示す断面図、 第３図は第１図の金型の第１及び第２のスライド型を上
方に移動した状態を示す断面図、 第４図は第１図のIV-IV線に対応する部分の断面図、 第５図は第２図のV-V線に対応する部分の断面図、 第６図は第３図のVI-VI線に対応する部分の断面図、 第７図は完成した樹脂封止型トランジスタを示す一部切
欠断面図、 第８図は第１図のポットに投入する樹脂ブロックを示す
斜視図、 第９図は第１のスライド型を示す斜視図、 第10図は第２のスライド型を示す斜視図、 第11図は第１図のリードフレーム組立体を示す平面図、 第12図は金型の変形例を示す第１図に対応する部分の断
面図、 第13図は金型の別の変形例を示す第１図に対応する部分
の断面図である。 １……リードフレーム、２……支持板、７……チップ、
９……リードフレーム組立体、10……樹脂封止体、11…
…金型、12、第１のスライド型、13……第２のスライド
型、14……上型、15……下型、22……成形空所、23……
第１の封止樹脂、24……第２の封止樹脂。
タの製造に使用する金型とチップ・リードフレーム組立
体との関係を第11図のI-I線に対応する部分で示す断面
図、 第２図は第１図の金型の第２のスライド型を上方に移動
した状態を示す断面図、 第３図は第１図の金型の第１及び第２のスライド型を上
方に移動した状態を示す断面図、 第４図は第１図のIV-IV線に対応する部分の断面図、 第５図は第２図のV-V線に対応する部分の断面図、 第６図は第３図のVI-VI線に対応する部分の断面図、 第７図は完成した樹脂封止型トランジスタを示す一部切
欠断面図、 第８図は第１図のポットに投入する樹脂ブロックを示す
斜視図、 第９図は第１のスライド型を示す斜視図、 第10図は第２のスライド型を示す斜視図、 第11図は第１図のリードフレーム組立体を示す平面図、 第12図は金型の変形例を示す第１図に対応する部分の断
面図、 第13図は金型の別の変形例を示す第１図に対応する部分
の断面図である。 １……リードフレーム、２……支持板、７……チップ、
９……リードフレーム組立体、10……樹脂封止体、11…
…金型、12、第１のスライド型、13……第２のスライド
型、14……上型、15……下型、22……成形空所、23……
第１の封止樹脂、24……第２の封止樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−111768（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−219642（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−205431（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームの支持板の一方の主面に電
子素子及び／又は回路基板が固着されているリードフレ
ーム組立体を用意する工程と、 前記支持板の一方の主面側と他方の主面側との両方を樹
脂封止することができるように形成された成形空所を有
し、前記支持板の一方の主面側への樹脂の流入を選択的
に抑制するためのスライド型を備えている成形用型を用
意する工程と、 前記支持板の他方の面とこれに対向する前記成形空所の
壁面との間隔が前記支持板の一方の主面とこれに対向す
る前記成形空所の壁面との間隔よりも小さくなるように
前記リードフレーム組立体を前記成形用型に配置する工
程と、 前記スライド型によって前記支持板の一方の主面側への
樹脂の流入を抑制した状態で前記成形用型の前記成形空
所における前記支持板の他方の主面側の全部又は大部分
に熱伝導性に優れた第１の封止樹脂の流体を押圧注入す
る工程と、 前記スライド型を移動することによって前記支持板の一
方の主面側への樹脂の流入の抑制状態を解除して前記成
形空所における前記第１の封止樹脂が充填されていない
領域に前記第１の封止樹脂より熱伝導性の低い第２の封
止樹脂の流体を押圧注入する工程と を有する樹脂封止型電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033586A JPH0671021B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033586A JPH0671021B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208839A JPH01208839A (ja) | 1989-08-22 |
| JPH0671021B2 true JPH0671021B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=12390620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63033586A Expired - Fee Related JPH0671021B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671021B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111768A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device of resin sealing type |
| JPS62219642A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | レジンパツケ−ジ型電子部品 |
| JPH0671020B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1994-09-07 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63033586A patent/JPH0671021B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01208839A (ja) | 1989-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |