JPH0671141B2 - 多層セラミック構造体に導電性ピンを形成する方法および装置 - Google Patents

多層セラミック構造体に導電性ピンを形成する方法および装置

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JPH0671141B2
JPH0671141B2 JP1101858A JP10185889A JPH0671141B2 JP H0671141 B2 JPH0671141 B2 JP H0671141B2 JP 1101858 A JP1101858 A JP 1101858A JP 10185889 A JP10185889 A JP 10185889A JP H0671141 B2 JPH0671141 B2 JP H0671141B2
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Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は一般に集積回路パッケージに関し、具体的に
は、周囲のセラミック材料を研磨して除去することによ
り金属バイアの端末部分が露出するようにパッケージの
表面を研磨ブラストすることにより、セラミックス構造
体上に直立する金属相互接続体を形成する方法と、その
ように形成された多層セラミック構造体に関する。
B.従来技術 特に効果的な集積回路パッケージは、多層セラミック
（MLC）技術によって実現される。一般に、このパッケ
ージは、積層し、次いで焼成して各層を単一セラミック
〔レンガ」の形に焼結させた、複数のセラミック材料層
から構成される。そのレンガの頂面に、１つまたは複数
の集積回路ダイを装着する。レンガの反対の面には、パ
ッケージをたとえば電子回路ボードに接続するための、
複数の突出する電気端末を設ける。
通常、各層は最初「グリーンシート」の形、すなわち、
望ましい量の粉砕したガラス材料をその中に分散させた
未焼成の重合バインダとして供給される。通常は打抜き
により、各層中に孔を設ける。各孔は導電性バイアの望
ましい位置を限定する。その後、モリブデンなどの導電
性金属粒子を含むペーストで孔を充填する。希望する場
合、周知のスクリーン・プリント法によって望ましい構
成の金属ペーストを塗布することにより、いくつかのバ
イアの間に導電性経路を形成することもできる。その
後、複数のグリーンシートを積層して、多層構造体を形
成する。通常、隣接するグリーンシート層のバイアの一
部を互いに一致するように形成して、その構造体の一方
の表面から反対の表面へと延びる連続バイアを作成す
る。
上記の方法で多層構造体を形成した後、その構造体を通
常は２ステップで焼成する。第１のステップでは、その
構造体を第１の温度で焼成して、構造体内の有機物質を
焼却する。その後、その構造体を第２のより高い温度で
焼成して、積層グリーンシート層を多層セラミック・レ
ンガに焼結する。この焼成処理中に、金属ペーストが硬
化して、バイア・ホール中及び選択されたバイア間に固
体金属相互接続が形成される。次いで、通常は１つまた
は複数の集積回路ダイをレンガの上面に接着する。その
後レンガの反対側の底面に、得られたセラミック・パッ
ケージまたはモジュールを後でプリント回路板などのキ
ャリアに接続するための、突出した電気導体、すなわち
導電性ピンを設ける。
突出した電気導体を設ける従来の方法は、導電性のピン
またはスタッドを、端部がモジュールの表面まで延びる
バイアに電気的に接続されたパッドにろう付けするとい
う、ろう付けを含むものである。このろう付け法は、コ
ストが高くつくことが判明している。さらに、ピンをバ
イア端面に物理的に接合する必要があるため、こうした
ピンろう付け法は機械的信頼性の点で問題が起こること
がある。
C.発明が解決しようとする問題点 したがって、本発明の１目的は、セラミック体の表面よ
り上に直立して突出する電気導体すなわち導電性のピン
と一体な導体が内部に配置された、多層セラミック体を
提供することにある。
本発明の他の目的は、セラミックス構造体の表面に金属
製のピンまたはスタッドを形成する方法を提供すること
にある。
本発明の他の目的は、金属バイアの露出端部にピンまた
はスタッドをろう付けする従来の方法が不要な、多層セ
ラミック構造体すなわちセラミック集積回路モジュール
の底面に金属製のピンまたはスタッドを形成する方法を
提供することにある。
本発明の他の目的は、金属製バイアの端部が、底面上に
突出し直立するように露出されたままとなるように、底
面を選択的に研磨することにより、多層セラミック構造
体の底面に金属製のピンまたはスタッドを形成する方法
を提供することにある。
本発明の他の方法は、金属製バイアの端部が多層セラミ
ック構造体の表面上に突出して露出したままとなり、そ
の表面がそれに向かって送られる研磨粒子の流れによっ
て研磨されるように、その表面を選択的に研磨すること
により、セラミック構造体の表面に金属製のピンまたは
スタッドを形成する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、表面の上方を直線的に平行移動す
る研磨ブラスト・ノズルの下で表面を回転させて、金属
製バイアの端部が多層セラミック構造体の表面上に突出
して露出したままとなり、その表面がそれに向かって送
られる研磨粒子の流れによって研磨されるように、その
表面を選択的に研磨することにより、セラミック構造体
の表面上の金属製のピンまたはスタッドを形成する方法
を提供することにある。
D.問題点を解決するための手段 セラミック構造体の表面上に直立する導電性端子を形成
する本発明の方法により、上記の問題が克服され、本発
明の目的が達成される。この方法は、その端部がセラミ
ック構造体の表面近くに配置された少なくとも１つの金
属部材を構造体内部に含むセラミック構造体を設け、こ
のセラミック構造体の表面に研磨（削磨）粒子の流れを
向け、金属部材が研磨（削磨）表面から突出したままと
なるようにセラミック構造体の表面を研磨粒子の流れで
研磨するという各ステップを含む。
本発明の別の方法によると、多層セラミック構造体の表
面に複数の直立した導電性のピンを形成する方法が開示
される。この第２の方法は、それぞれセラミック構造体
の表面にほぼ垂直に向いた複数の細長い金属導体が内部
に配置された、多層セラミック構造体を設け、そのセラ
ミック構造体の表面に向かって研磨材の流れを送り、金
属導体の端部がセラミック構造体の研磨表面に対して直
立して露出されるようにセラミック構造体の表面を選択
的に研磨して除去するという各ステップを含むことが開
示される。そのセラミック構造体の表面上を直線的に平
行移動するノズルから向けられる研磨材の流れの下で、
セラミック構造体を回転させることができる。
さらに、本発明は、複数のセラミック材料層から成る本
体、本体内に埋め込まれた少なくとも１つの導体、及び
その少なくとも１つの延長部分が本体の外部表面上に突
出した少なくとも１つの埋込み導体を含み、その突出し
た延長部分が本体内に埋め込まれた導体部分と一体化さ
れている、セラミック構造体を含む。
E.実施例 第１図を参照すると、第１層12と第２層14をもつ多層セ
ラミック構造体、すなわち多層セラミック・モジュール
例10（以下、単にモジュールまたは多層モジュールとい
う）が示されている。層12と14は、前述のようにセラミ
ック材料から構成される。たとえば、層12と14は、約15
00℃の温度で焼結されたアルミナ（（Al2O3）から構成
される。複数の金属導体20と22が、モジュール10の第１
表面16から第２表面18へと延びている。モジュール10中
を部分的にだけ延びる他の複数の金属導体24と26を設け
ることも可能である。図示のように、導体24と26は層12
中のみを貫通して延び、層12の表面30上に設けられた金
属経路またはトレース28によって導電的に結合されてい
る。導体20から26及びトレース28は前述のようにして製
造でき、モリブデン、銀、金、銅、ニッケルまたは他の
任意の適切な導電材料を含む。モジュール10の第１表面
16上に複数の集積回路ダイ32と34が配置されている。ダ
イ32と34は通常、入出力端子（図示せず）を含み、それ
らの端子は、はんだ付けなどによって導体20から26のう
ちの選択されたものに電気的に接続される。すなわ、ダ
イ32と34は、バイア20と22によりモジュール10を介して
第２表面18に電気的に接続され、またバイア24と26によ
りトレース28を介して互いに電気的に結合される。
第１図に示した多層モジュール10は実寸に比例しれ描か
れておらず、また総厚みが１センチ以下であることを了
解されたい。すなわち、第１図の図は例示に過ぎない。
さらに、モジュール10は、２層よりずっと多くの層及び
２個よりずっと多くの集積回路ダイを含むことができ
る。また、たとえば、ディジタル・コンピュータ・シス
テムの構成要素を形成するために、多数の集積回路ダイ
を高密度かつ高集積度で導電的に結合できることを了解
されたい。その後、複数のこうしたモジュール10を、通
常のガラス・エポキシ材料または多層セラミックス材料
で構成された基板から構成されたプリント回路板などの
共通基板によって一緒に結合することができる。「セラ
ミック」または「ガラス・セラミック」の語は当分野で
はしばしば互用されているので、本明細書でも「セラミ
ック」の語は「ガラス・セラミック」を含むものと理解
されたい。
多層モジュール10を基板に結合するため、従来は導体20
と22の端部36と38のそれぞれをさらに導電性のピンまた
はスタッドを露出端部にろう付けされるように処理して
いた。こうしたろう付けに伴う上記の問題点の１つは、
コストが高くなり複雑になることである。
第２図を参照すると、本発明による、表面18の選択的研
磨によって突出した導電性のピンを形成するプロセスが
示されている。図示のように、研磨プラスト装置40が、
表面18に隣接して、表面18に向かって研磨粒子42の流れ
を向けるように配置されている。粒子42は金属導体20と
22の両方に当たり、さらに層14のセラミック材料にも衝
突する。セラミックス材料は、延性のある金属導体に比
べて比較的堅くもろいので、研磨粒子42は、導体20と22
の延性金属材料より速い速度でセラミック層14を研磨し
て除去する、導体による「シャドー」効果により、セラ
ミック材料の小さなカラー48が導体の基部付近に形成さ
れることが判明している。研磨粒子42は、酸化アルミニ
ウム（Al2O3）、炭化ケイ素（SiC）、炭化タングステン
（WC）など任意の適切な研磨材から構成される。
本発明の方法は、粗いセラミック面44から外側に突出す
る直立した金属導体を生成する。モジュールの表面に層
14など１つまたは複数の犠牲グリーンシート層を設ける
と、直立する金属導体の形成が容易になることが判明し
ている。
例を挙げると、完全に焼成したアルミナMLCモジュール
を、50psiで20ないし200秒間稼働する小型ブラスト装置
からの＃240粒子状の炭化ケイ素（SiC）で研磨ブラスト
した。ブラスト装置は、表面から約7.5cmのところに配
置した。高さが12.8ないし128ミクロンの直立するモリ
ブデン導体が得られた。その後、光学顕微鏡及び走査型
電子顕微鏡で表面を検査したところ、モリブデン導体の
過度な劣化なしにセラミック材料の選択的な除去が行な
われたことが判明した。その結果得られた導体は、従来
のろう付け法で形成された端子とほぼ同程度に、モジュ
ールを基板に結合するのに適していた。
焼成中に金属ペーストが収縮する可能性があるので、導
体（20、22）の端部（36、38）を表面18より低く陥没さ
せることができる。必要なら、表面18を研削して、表面
を研磨する前に導体の長さをほぼ等しくすることができ
る 当然のことながら、モジュールの粗い表面44は、底面メ
タライズ技術を行なってモジュールをさらに処理した
り、誘電材料の層（層46として部分断面を示す）で表面
を埋め戻すのが望ましいときにも好都合である。１つの
適切な誘電材料は、ポリイミドから構成された層であ
る。
次に第3a図及び第3b図を参照すると、本発明の別の方法
を実施するのに役立つ装置の側面切取り図及び上面図が
示してある。第3a図及び第3b図の装置は、広い面積のセ
ラミック基板の上にほぼ均一の高さと形状の直立した導
体スタッドを作成することができる。
具体的には、この装置は、研磨ブラスト装置の横方向に
移動するノズル54の下でセラミック基板52を回転させる
協働装置50を含み、ノズル54は、研磨材粒子58をノズル
に供給するためのホース56または他の適切な導管に結合
されている。
たとえばアルミニウムを含む取付け具60が、基板52をし
っかりと保持する。取付け具60は、その頂面に基板52の
形状に対応する形の陥没部を設けることができる。ま
た、基板52の側部をしっかり係合させるための複数のグ
ラフねじ62を取付け具60の両側部を貫通して設けること
もできる。
さらに、取付け具60と、基板52が回転軸68の周りを回転
するように取付け具を回転チャック66または他の回転装
置に結合するための、ボス64などの結合器を取付け具60
に設けることができる。ボス64をしっかり係合させるた
めの止めネジ70を設けることができる。
ノズル54を取り付けるための横向きアーム72は、好まし
くは、ノズル54が基板52の表面の上を回転軸68に沿って
矢印Ａで示す方向に直線的に並行移動するように、取付
け具60の上方に配置されている。アーム72は、ノズル54
の直線速度がその平行移動中に変化できるように、線形
アクチュエータ（図示せず）やＸ−Ｙ移動装置などのそ
の他の装置によって駆動される。ノズル54が回転軸68に
近づくにつれてノズル54の線形速度を減少させ、ノズル
54が軸68から後退するにつれて増加させることが好まし
い。すなわち、軸68からの距離に応じて基板52の表面上
の点の角速度が増加するため、可変回転速度を保証する
ためにノズル54の線速度が絶えず調節され、その結果、
基板表面上の点に対するノズル54の相対速度がほぼ一定
になる。この一定した相対速度の結果、基板52の表面の
研磨速度が望ましい一定速度となり、ほぼ均一な高さと
形状をもつ突出した導体74がもたらされる。
基板の回転速度が約50ないし約300rpmの範囲内の場合、
アーム72とそれに接続されたノズル54の可変線形速度が
毎分15cmないし13.5mの範囲内となり、基板52の表面が
ほぼ均一に研磨されることが判明した。基板52は図示の
ようにほぼ矩形に形成され、各辺の長さが約15cmであ
る。ノズル54の先端と基板表面との間の作動距離は、た
とえば、約2.5ないし約10cmの範囲内にある。ノズル54
は、基板表面に対してほぼ90度の方向に維持することが
好ましいが、突出する導体の望ましい幾何形状を実現す
るために角方向を他の角度に設定してもよい。
希望するなら、アーム72とノズル54の線形速度を固定
し、基板52の回転速度を、回転軸68に対するノズルの相
対位置に応じて変化させることができる。たとえば、基
板52をステッパ・モータで回転させる場合、モータに印
加されるステップ・パスルの数を、ノズルが回転軸68に
近づくにつれて基板52のrpmが増加するように継続的に
変化させることができる。
また、希望するなら、２つの以上のサイズの研磨粒子が
利用できる。まず、直径がたとえば60ないし70ミクロン
の比較的粗い粒子を使って端子がほぼ所期の高さになる
まで表面を研磨する。次に直径が12ないし20ミクロンの
より細かい粒子を使って、表面を仕上げる。この第２の
より細かい粒子による研磨で、表面の微小せん断特性を
向上させて、後で付着される材料の接着力を高めること
ができる。
本発明の方法は、従来の底面メタライズ法及びピンろう
付け法を不要にすることにより、制御された迅速な方式
で様々な高さの直立ピンを作成する１ステップの選択的
工程を提供する。表面を研磨ブラストした後でその表面
に付着される層は、基板表面が粗くなっているために接
着力が増大する。本発明の方法によって可能になるもう
１つの重要な利点は、その後の集積回路ダイ相互接続処
理ステップの前に、直立ピンを用いてMLCモジュールが
電気的に検査でき、したがって歩留りが増加し、各モジ
ュールに関連するコストが減少することである。
本発明はさらに、多層セラミック・モジュールを製造す
る方法を提供する。その方法は、複数のグリーンシート
材料層を用意し、グリーンシート材料の各シートにそれ
ぞれ当該の各層を通過する導電性バイアの所期の位置を
画定する複数の開口を設け、導電性材料で開口部を充填
しグリーンシートの隣接するシートの開口部が互いに位
置合わせされて複数の層を通って延びる導電性バイアを
画定するようにグリーンシート材料のシートを積層して
多層構造を形成し、少なくともそのいつくかが多層構造
の外表面に延びる多層構造を焼成して、グリーンシート
層を多層化セラミック・モジュールに焼結しかついくつ
かの開口内の導電性材料を複数のモジュール層を通過し
少なくともそのいくつかがモジュールの外表面に延びる
連続した導体に変換し、さらに、モジュールの外表面の
少なくとも一部を研磨して除去して導体の端子部分を研
磨表面の上に直立して突出させるという各ステップから
構成される。
F.発明の効果 上述のように本発明によれば、ろう付けを不要にして機
械的信頼性に優れ、かつ低コストに製造できる多層セラ
ミック体及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、底面を選択的に研磨する前の、多層セラミッ
ク集積回路モジュール例の断面図である。 第２図は、本発明の方法による、金属ビアの端部が底表
面より上に突出したままになうように研磨粒子の流れに
よって研磨された底面を示す、第１図のセラミック・パ
ッケージの断面図である。 第3a図は、直線的に平行移動するグリット・ブラスト・
ノズルの下の回転ジグによって保持されたセラミック・
モジュールの、必ずしも実寸に比例していない側面切取
り図である。 第3b図は、第3a図のモジュール、治具及びノズルの上面
図である。 12……第１層、14……第２層、20、22……ビア、32、34
……ダイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・リイーベス・シヨー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ポキプシ イ、パイン・リツヂ・ロード５番地 (72)発明者 ジヨージ・フレドリツク・ワーカー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ニユーヨー ク、アパートメント11ケー、ニユーヨー ク・アヴエニユー1540番地

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】多層セラミック構造体の表面から直立する
    導電性ピンを形成する方法であって、 表面付近に端部が位置する金属導体を内部に有する多層
    セラミック構造体を用意し、 前記構造体の表面に研磨粒子の流れを当てて削磨し、前
    記金属導体が削磨した表面に直立して残されるようにす
    る、 導電性ピンの形成方法。
  2. 【請求項２】多層セラミック構造体の形成方法であっ
    て、 複数のグリーン・シートを用意し、 前記グリーン・シートの所望の位置に開口を設け、該開
    口に導体を充填し、隣接する前記グリーン・シートの開
    口が互いに接続されて少なくともその一部が外部表面ま
    で延びる連続導体となるように、前記グリーン・シート
    を積層して多層構造とし、 前記多層構造のグリーン・シートを加熱し、焼結させ、 前記外部表面の少なくとも一部を研磨ブラストにより削
    磨して直立する導電性ピンを前記外部表面に残す、 ことからなる多層セラミック構造体の形成方法。
  3. 【請求項３】焼結された複数のセラミック層からなる多
    層セラミック構造体と、 前記構造体の複数のセラミック層を貫いて前記構造体の
    削磨された外部表面から直立するピン部を有する前記構
    造体に埋め込まれた金属導体と、 を有する多層セラミック構造体。
  4. 【請求項４】多層セラミック構造体の表面から直立する
    導電性ピンを形成する方法であって、 主表面付近まで垂直に延びる内部導体を有する多層セラ
    ミック構造体を用意し、 前記構造体を前記主表面に直角な回転軸の周りに回転さ
    せながら、前記主表面に平行な方向に沿ってノズルを移
    動し、該ノズルから前記主表面に向けて研磨材の流れを
    当てて該主表面を削磨し、前記導体の一部を露呈させ
    る、 ことかり、前記露呈された導体を前記導電性ピンとす
    る、導電性ピンの形成方法。
  5. 【請求項５】表面に達する導体を内部に有するセラミッ
    ク構造体の表面に直立する導電性ピンを形成する装置で
    あって、 前記セラミック構造体を支持する手段と、 前記セラミック構造体から所定の距離に研磨ブラスト用
    のノズルを配置する手段と、 前記表面に直交する方向の回転軸の周りに前記セラミッ
    ク構造体を回転させる手段と、 研磨ブラスト処理中に前記ノズルを線形的に移動させ
    て、前記導体の一部が表面に直立して残るように前記表
    面を削磨する手段と、 を有する、セラミック構造体の表面に導電性ピンを形成
    する装置。
  6. 【請求項６】多層セラミック構造体の表面に直立する複
    数の導電性ピンを形成する方法であって、 少なくとも一部が多層セラミック構造体の表面に直交す
    る導体が内部に設けられている多層セラミック構造体を
    用意し、 第１の直径の研磨粒子の流れを前記構造体の表面に当て
    て、前記導体の一部が前記構造体の表面上に露出して残
    るように前記構造体の表面を削磨し、 前記第１の直径よりも小さな第２の直径の研磨粒子の流
    れを前記構造体の表面に当てて仕上げる、 ことからなる導電性ピンの形成方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2773366B2 (ja) * 1990-03-19 1998-07-09 富士通株式会社 多層配線基板の形成方法
JP2881963B2 (ja) * 1990-05-25 1999-04-12 ソニー株式会社 配線基板及びその製造方法
US5132613A (en) * 1990-11-30 1992-07-21 International Business Machines Corporation Low inductance side mount decoupling test structure
JPH05253841A (ja) * 1992-03-05 1993-10-05 Hitachi Ltd ファイングレインミリング加工装置及びその方法
US5478420A (en) * 1994-07-28 1995-12-26 International Business Machines Corporation Process for forming open-centered multilayer ceramic substrates
JP3330836B2 (ja) 1997-01-22 2002-09-30 太陽誘電株式会社 積層電子部品の製造方法
ID24350A (id) * 1998-04-24 2000-07-13 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Metoda untuk memproduksi suatu substrat keramik berlapis banyak
WO2009031588A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 回路基板、回路モジュール及び回路基板の製造方法
WO2009031586A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 回路基板及び回路基板の製造方法
EP2774722A4 (en) * 2011-11-04 2015-07-08 Univ Kyoto MATERIAL WITH PORES ON THE SURFACE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2861911A (en) * 1954-12-20 1958-11-25 Molded Fiber Glass Body Compan Electrically conductive body and method of making same
DE1151158B (de) * 1956-07-02 1963-07-04 Guenther Koech Verfahren zur Erzeugung von feinrauhen Arbeitsflaechen an metallischen Werkstuecken durch elektrolytisches und/oder chemisches AEtzen
US2984597A (en) * 1958-08-15 1961-05-16 Leighton R Johnson Jr Method of making electrical conductors on insulating supports
US3225495A (en) * 1962-08-16 1965-12-28 Prismo Safety Corp Process of peening metals with coated glass beads
US3509624A (en) * 1967-09-11 1970-05-05 Sanders Associates Inc Method of making multilayer printed circuits
US3888054A (en) * 1973-11-16 1975-06-10 Western Electric Co Method for abrasive cutting in a liquid
DE2522346C3 (de) * 1975-05-20 1978-10-26 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
US4020535A (en) * 1975-08-01 1977-05-03 Metropolitan Circuits, Inc. Method of making an electro-discharge electrode
US4109377A (en) * 1976-02-03 1978-08-29 International Business Machines Corporation Method for preparing a multilayer ceramic
US4091125A (en) * 1976-11-08 1978-05-23 Delgadillo Joseph A Circuit board and method for producing same
US4159222A (en) * 1977-01-11 1979-06-26 Pactel Corporation Method of manufacturing high density fine line printed circuitry
DK184078A (da) * 1977-10-12 1979-04-13 Bing & Grondahl Porcelainfab Fremgangsmaade til fremstilling af en keramisk genstand med et gennembrudt moenster
EP0002166A3 (fr) * 1977-11-18 1979-08-08 International Business Machines Corporation Support pour microplaquettes de circuits intégrés, et son procédé de fabrication
US4232059A (en) * 1979-06-06 1980-11-04 E-Systems, Inc. Process of defining film patterns on microelectronic substrates by air abrading
US4389771A (en) * 1981-01-05 1983-06-28 Western Electric Company, Incorporated Treatment of a substrate surface to reduce solder sticking
JPS5969265A (ja) * 1982-10-15 1984-04-19 Fuji Seiki Seizosho:Kk 精密湿式ブラスト用投射材及びその製法
US4612737A (en) * 1985-07-05 1986-09-23 Rohr Industries, Inc. Grit blast drilling of advanced composite perforated sheet
US4733503A (en) * 1986-05-01 1988-03-29 Airsonics License Partnership Abrasive jet machining
DE3713987A1 (de) * 1987-04-27 1988-11-10 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer strukturierten keramikfolie bzw. eines aus solchen folien aufgebauten keramikkoerpers

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