JPH0672006B2 - クロマトグラフィー支持体 - Google Patents
クロマトグラフィー支持体Info
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- JPH0672006B2 JPH0672006B2 JP4275937A JP27593792A JPH0672006B2 JP H0672006 B2 JPH0672006 B2 JP H0672006B2 JP 4275937 A JP4275937 A JP 4275937A JP 27593792 A JP27593792 A JP 27593792A JP H0672006 B2 JPH0672006 B2 JP H0672006B2
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- JP
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- silica
- porosity
- column
- volume
- silica body
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
- B01J20/10—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising silica or silicate
- B01J20/103—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising silica or silicate comprising silica
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Description
【0001】[発明の背景]多孔性、非多孔性または表
面が多孔性であるシリカは、液体クロマトグラフィ―に
おける固定相を構成する固体支持体として使用される。
このシリカ体には、種々の製造方法がある。多孔体の製
造方法は、シリカを押しつぶしたり、等級付けし、ナト
リウムシリケ―ト溶液から沈澱させることを包含する。
多孔性微小球のその他の製造方法がハラツ(Halas
z)らの米国特許3,857,924 、ベルグナ(Bergn
a)らの米国特許4,131,542 、4,477,492 に述べられて
いる。
面が多孔性であるシリカは、液体クロマトグラフィ―に
おける固定相を構成する固体支持体として使用される。
このシリカ体には、種々の製造方法がある。多孔体の製
造方法は、シリカを押しつぶしたり、等級付けし、ナト
リウムシリケ―ト溶液から沈澱させることを包含する。
多孔性微小球のその他の製造方法がハラツ(Halas
z)らの米国特許3,857,924 、ベルグナ(Bergn
a)らの米国特許4,131,542 、4,477,492 に述べられて
いる。
【0002】クロマトグラフィ―に大いに望ましく用い
られる多孔性シリカのもう1つの製造方法が、米国特許
4,010,242 においてアイラ―(Iler)らによって述
べられている。記述されている方法は、シリカゾル粒子
と尿素−ホルムアルデヒドポリマ―型ミクロサイズ液体
粒子によるコアセルベ―ション法である。これらの液体
粒子は硬化するときに取入れられて、多孔性シリカ微小
球体に残っている有機結合剤を焼くために高温で火にか
けられる。この燃焼方法はまた、接触し合っているシリ
カゾル粒子を焼結させ、それによって粒子の凝縮体を作
り上げ、凝縮体を強固にするために役立つ。このような
方法で製造されたシリカ微小球体は、E.I.デュポン
・ド・ニモアス(E.I.du Pont de Ne
mours Wilmington,DE)社製、商品
名Zorbaxとして利用されている。
られる多孔性シリカのもう1つの製造方法が、米国特許
4,010,242 においてアイラ―(Iler)らによって述
べられている。記述されている方法は、シリカゾル粒子
と尿素−ホルムアルデヒドポリマ―型ミクロサイズ液体
粒子によるコアセルベ―ション法である。これらの液体
粒子は硬化するときに取入れられて、多孔性シリカ微小
球体に残っている有機結合剤を焼くために高温で火にか
けられる。この燃焼方法はまた、接触し合っているシリ
カゾル粒子を焼結させ、それによって粒子の凝縮体を作
り上げ、凝縮体を強固にするために役立つ。このような
方法で製造されたシリカ微小球体は、E.I.デュポン
・ド・ニモアス(E.I.du Pont de Ne
mours Wilmington,DE)社製、商品
名Zorbaxとして利用されている。
【0003】アイラ―らのシリカ微小球体は、機械的に
非常に強固であり、粒子の直径範囲が非常に狭く、気孔
の大きさの分布が狭く、そして気孔の分布が均一である
という好ましい特性を持つ。機械的強度は、カラムに詰
めるかもしくは使用している間の粉砕阻止に好ましい。
粒子の直径範囲、気孔及び気孔の大きさの分布が狭いこ
とは有効的なサイズ除外(size exclusio
n)クロマトグラフィ―によって好ましい特性である。
非常に強固であり、粒子の直径範囲が非常に狭く、気孔
の大きさの分布が狭く、そして気孔の分布が均一である
という好ましい特性を持つ。機械的強度は、カラムに詰
めるかもしくは使用している間の粉砕阻止に好ましい。
粒子の直径範囲、気孔及び気孔の大きさの分布が狭いこ
とは有効的なサイズ除外(size exclusio
n)クロマトグラフィ―によって好ましい特性である。
【0004】不運なことに、アイラ―らのシリカ微小粒
子は脱ヒドロキシル化された表面及び制限された気孔率
を有し、(J.Chromatog,296巻3頁(1
984))及び酸性表面を有する(エンゲルハルト(E
ngelhardt)らのJ.Chromatog,1
85巻9頁(1979))という好ましくない特性を持
っている。脱ヒドロキシル化とは、シロキサン基の形成
をともなう表面シアノ―ル基の脱離を意味する。この脱
ヒドロキシル化は有機ポリマ―を焼くための熱処理に起
因する。このことは作用を受けるシラン類のような結合
相を結合する基であるので、望ましくないことである。
制限された気孔率はまた、好ましい機械的強度を達成す
るために微小球を焼結することに役立つ熱処理に起因す
る。高温と長い処理時間が用いられるので、出来上がっ
た微小球の気孔率は減少する。これは気孔率が分析に直
接影響を及ぼすサイズ除外クロマトグラフィ―において
特に望ましくないことである。酸性表面はまた焼結の方
法に起因している。表面上の酸性部位の性質は知られて
いないが、カチオン性の不純物または表面上に残ってい
る熱分解された炭素によるものである。酸性表面は、塩
基性化合物のクロマトグラフィ―の間、非対称のピ―ク
形状を導くので好ましくない。(コ―レル(Kohle
r)らのJ.Chromatog,(1986)352
巻275頁)シリカ表面の浄化及び再ヒドロキシル化に
ついて種々の方法が知られている。ネストリック(Ne
strik)らはガスクロマトグラフィ―に用いるガラ
ス性の毛管のカラムの内側の表面の浄化と再ヒドロキシ
ル化のための熱酸抽出方法を開示している。(1983
年3月15日発行米国特許4,376,641 )この処理は浄化
の面で、好ましくないカチオン種を表面から取除くと述
べられている。この熱酸抽出方法は、次の表面エッチン
グ手順に従って用いると報じられている。表面エッチン
グはKHF2 またはNH4 HF2 (アンモニウムビフル
オリド)のメタノ―ル溶液を用いて行われる。
子は脱ヒドロキシル化された表面及び制限された気孔率
を有し、(J.Chromatog,296巻3頁(1
984))及び酸性表面を有する(エンゲルハルト(E
ngelhardt)らのJ.Chromatog,1
85巻9頁(1979))という好ましくない特性を持
っている。脱ヒドロキシル化とは、シロキサン基の形成
をともなう表面シアノ―ル基の脱離を意味する。この脱
ヒドロキシル化は有機ポリマ―を焼くための熱処理に起
因する。このことは作用を受けるシラン類のような結合
相を結合する基であるので、望ましくないことである。
制限された気孔率はまた、好ましい機械的強度を達成す
るために微小球を焼結することに役立つ熱処理に起因す
る。高温と長い処理時間が用いられるので、出来上がっ
た微小球の気孔率は減少する。これは気孔率が分析に直
接影響を及ぼすサイズ除外クロマトグラフィ―において
特に望ましくないことである。酸性表面はまた焼結の方
法に起因している。表面上の酸性部位の性質は知られて
いないが、カチオン性の不純物または表面上に残ってい
る熱分解された炭素によるものである。酸性表面は、塩
基性化合物のクロマトグラフィ―の間、非対称のピ―ク
形状を導くので好ましくない。(コ―レル(Kohle
r)らのJ.Chromatog,(1986)352
巻275頁)シリカ表面の浄化及び再ヒドロキシル化に
ついて種々の方法が知られている。ネストリック(Ne
strik)らはガスクロマトグラフィ―に用いるガラ
ス性の毛管のカラムの内側の表面の浄化と再ヒドロキシ
ル化のための熱酸抽出方法を開示している。(1983
年3月15日発行米国特許4,376,641 )この処理は浄化
の面で、好ましくないカチオン種を表面から取除くと述
べられている。この熱酸抽出方法は、次の表面エッチン
グ手順に従って用いると報じられている。表面エッチン
グはKHF2 またはNH4 HF2 (アンモニウムビフル
オリド)のメタノ―ル溶液を用いて行われる。
【0005】シリカ体の気孔の大きさを増大する種々の
方法が知られている。ベスパレック(Vespale
c)らは、シリカの比気孔容積がホスフェ―トイオンを
含む溶液を用いた処理によって増加され得ることを報じ
ている。(J.Chromatog,(1986)35
4巻129〜143頁)気孔率増加の調節については教
えられていない。
方法が知られている。ベスパレック(Vespale
c)らは、シリカの比気孔容積がホスフェ―トイオンを
含む溶液を用いた処理によって増加され得ることを報じ
ている。(J.Chromatog,(1986)35
4巻129〜143頁)気孔率増加の調節については教
えられていない。
【0006】チャップマン(Chapman)らは、高
温でアンモニアビフルオリドのようなアンモニアフルオ
リド及び鉱酸を用いる処理によって多孔性のガラスの気
孔の大きさを増大する方法を開示している。(1969
年12月23日発行米国特許3,485,687 )鉱酸処理は、
HFをその場で放出し、それによってガラスを溶解し、
気孔の大きさを増大させる。アンモニウムビフルオリド
はそれだけを用いても役に立たないと報じられている。
温でアンモニアビフルオリドのようなアンモニアフルオ
リド及び鉱酸を用いる処理によって多孔性のガラスの気
孔の大きさを増大する方法を開示している。(1969
年12月23日発行米国特許3,485,687 )鉱酸処理は、
HFをその場で放出し、それによってガラスを溶解し、
気孔の大きさを増大させる。アンモニウムビフルオリド
はそれだけを用いても役に立たないと報じられている。
【0007】フィルバ―ト(Filbert)らは、ガ
スクロマトグラフィ―において溶媒を有効に結合させる
ために利用できる表面を増加するために気孔のないアル
カリシリケ―トビ―ズを表面に抽出するためにHFまた
はアンモニウムビフルオリド水溶液を利用することを述
べている。抽出はビ―ズの表面を粗くし、溝を堀ると示
唆されている。抽出操作の制御は特定の試薬、抽出溶液
の強さ、溶液の温度及び処理時間の長さを選択すること
によってなされると、彼等は報告している。
スクロマトグラフィ―において溶媒を有効に結合させる
ために利用できる表面を増加するために気孔のないアル
カリシリケ―トビ―ズを表面に抽出するためにHFまた
はアンモニウムビフルオリド水溶液を利用することを述
べている。抽出はビ―ズの表面を粗くし、溝を堀ると示
唆されている。抽出操作の制御は特定の試薬、抽出溶液
の強さ、溶液の温度及び処理時間の長さを選択すること
によってなされると、彼等は報告している。
【0008】ストラウス(Strauss)らは、半導
体デバイスに使用する二酸化シリコンをエッチングする
ために、HFとアンモニウムフルオリドの混合液の利用
を述べている(1972年3月21日発行米国特許3,65
0,960 )。カ―クランド(Kirkland)は、19
85年11月1日に提出された出願番号798,333 の米国
特許出願において、シラノ―ル基の全濃度が5.5μmo
l /m2 であり、熱で強化され熱で脱ヒドロキシル化さ
れた多孔性シリカ微小球を、HFまたは第四アンモニウ
ムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシド及び有機ア
ミンからなる群から選択された少なくとも一つの塩基的
な活性剤の存在下、周囲温度約100℃で、所望濃度の
シラノ―ル基が得られるために十分な時間で接触させる
ことを包含する方法に従って、クロマトグラフィ―用の
微小球を製造している。
体デバイスに使用する二酸化シリコンをエッチングする
ために、HFとアンモニウムフルオリドの混合液の利用
を述べている(1972年3月21日発行米国特許3,65
0,960 )。カ―クランド(Kirkland)は、19
85年11月1日に提出された出願番号798,333 の米国
特許出願において、シラノ―ル基の全濃度が5.5μmo
l /m2 であり、熱で強化され熱で脱ヒドロキシル化さ
れた多孔性シリカ微小球を、HFまたは第四アンモニウ
ムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシド及び有機ア
ミンからなる群から選択された少なくとも一つの塩基的
な活性剤の存在下、周囲温度約100℃で、所望濃度の
シラノ―ル基が得られるために十分な時間で接触させる
ことを包含する方法に従って、クロマトグラフィ―用の
微小球を製造している。
【0009】上記事情にもかかわらず、シリカ体の気孔
率の制御された方法による増加方法の改良及び上記シリ
カ体表面の浄化方法の改良に対する要望が存在してい
る。
率の制御された方法による増加方法の改良及び上記シリ
カ体表面の浄化方法の改良に対する要望が存在してい
る。
【0010】[発明の概要]本発明は、アンモニウムビ
フルオリドで処理されたシリカ体を含むクロマトグラフ
ィ―支持体に関する。シリカ体は増加された気孔率を持
ち、その表面は浄化でヒドロキシル化されている。この
ことはゲル濾過法のHPLCにおける分解能を増大さ
せ、クロマトグラフィ―充填剤のための結合相のシリカ
体への結合を促進する。
フルオリドで処理されたシリカ体を含むクロマトグラフ
ィ―支持体に関する。シリカ体は増加された気孔率を持
ち、その表面は浄化でヒドロキシル化されている。この
ことはゲル濾過法のHPLCにおける分解能を増大さ
せ、クロマトグラフィ―充填剤のための結合相のシリカ
体への結合を促進する。
【0011】本発明のクロマトグラフィー支持体に用い
られるシリカ体は、シリカ体の効果量のアンモニウムビ
フルオリドと接触させることにより制御された方法で多
孔性シリカ体の気孔率すなわち表面積が増加され、かつ
シリカ体の表面が浄化されている。この方法はまたシリ
カ体表面の再ヒドロキシル化に効果的であり、迅速で比
較的安価である。
られるシリカ体は、シリカ体の効果量のアンモニウムビ
フルオリドと接触させることにより制御された方法で多
孔性シリカ体の気孔率すなわち表面積が増加され、かつ
シリカ体の表面が浄化されている。この方法はまたシリ
カ体表面の再ヒドロキシル化に効果的であり、迅速で比
較的安価である。
【0012】[好ましい態様の説明]驚くべきことに、
アンモニウムビフルオリド((NH4 )HF2 )の水溶
液は、制御された特定の度合いまでシリカ体の気孔率を
迅速に増加させ及び上記シリカ体の表面を浄化する上で
有効であることが見出された。2つのことは、上記シリ
カ体の表面からシリカを除去することによって為遂げら
れると信じられている。この除去はアンモニウムビフル
オリドとシリカの間の定量的反応の結果である。この反
応の定量性は、下記に示すように多孔性シリカ体の気孔
率についての増加の正確な制御を与える。本発明のクロ
マトグラフィーにおける表面浄化は、下記に詳述するよ
うに、酸性部位と疎水性部位の両方を除去するように思
われる。
アンモニウムビフルオリド((NH4 )HF2 )の水溶
液は、制御された特定の度合いまでシリカ体の気孔率を
迅速に増加させ及び上記シリカ体の表面を浄化する上で
有効であることが見出された。2つのことは、上記シリ
カ体の表面からシリカを除去することによって為遂げら
れると信じられている。この除去はアンモニウムビフル
オリドとシリカの間の定量的反応の結果である。この反
応の定量性は、下記に示すように多孔性シリカ体の気孔
率についての増加の正確な制御を与える。本発明のクロ
マトグラフィーにおける表面浄化は、下記に詳述するよ
うに、酸性部位と疎水性部位の両方を除去するように思
われる。
【0013】本発明のクロマトグラフィー支持体にはど
のようなシリカ体でも利用することができる。しかしな
がら、多孔性球形シリカ体が好ましく、アイラ―らに従
って製造されたシリカ体(米国特許4,010,242 )が最も
好ましい。アイラ―らのシリカ体はさらにスタウトに従
って処理されてもよく(米国特許4,600,646 )、その結
果のシリカ体もまた大いに好ましい。そのようにしてク
ロマトグラフィ―用に調製されたシリカ体は、最も有利
には、約0.5〜35μmの平均直径を持つ多孔性シリ
カ微小球である。実質的に全ての微小球は平均直径の約
0.5〜1.5倍の範囲の直径を持つ。微小球は相互に
連結した三次元格子に配列された、シリカ表面を持つ実
質的に均一の大きさの複数のコロイド粒子から本質的に
なる。コロイド粒子は微小球の約50容量%以下を占め
ている。残りの容量は、気孔の大きさの分布が実質的に
均一な相互に連結した気孔によって占められている。本
発明の方法は、有意に脱ヒドロキシル化にされたシリカ
体に対して最も有用であると期待される。しかしなが
ら、本発明のクロマトグラフィーにおける気孔率の改良
及び表面の浄化は、十分にヒドロキシル化したシリカ体
に対しても有利に用いることができる。
のようなシリカ体でも利用することができる。しかしな
がら、多孔性球形シリカ体が好ましく、アイラ―らに従
って製造されたシリカ体(米国特許4,010,242 )が最も
好ましい。アイラ―らのシリカ体はさらにスタウトに従
って処理されてもよく(米国特許4,600,646 )、その結
果のシリカ体もまた大いに好ましい。そのようにしてク
ロマトグラフィ―用に調製されたシリカ体は、最も有利
には、約0.5〜35μmの平均直径を持つ多孔性シリ
カ微小球である。実質的に全ての微小球は平均直径の約
0.5〜1.5倍の範囲の直径を持つ。微小球は相互に
連結した三次元格子に配列された、シリカ表面を持つ実
質的に均一の大きさの複数のコロイド粒子から本質的に
なる。コロイド粒子は微小球の約50容量%以下を占め
ている。残りの容量は、気孔の大きさの分布が実質的に
均一な相互に連結した気孔によって占められている。本
発明の方法は、有意に脱ヒドロキシル化にされたシリカ
体に対して最も有用であると期待される。しかしなが
ら、本発明のクロマトグラフィーにおける気孔率の改良
及び表面の浄化は、十分にヒドロキシル化したシリカ体
に対しても有利に用いることができる。
【0014】(NH4 )HF2 の溶液の濃度は水に対し
約1(重量/体積)%から35(重量/体積)%までに
わたることができる。しかしながら、この水溶液の濃度
は臨界ではない。シリカに対する(NH4 )HF2 の重
量比(β)は、より重要な考慮事項である。というのは
たとえ長時間の処理を用いても所定量の(NH4 )HF
2 は迅速に所定量のシリカ体と反応しこれを除去すると
いうことが見出されたからである。そのようにして、用
いる(NH4 )HF2 の量の選択は、シリカ除去量を決
定する。処理されたシリカの気孔率と比βとの間には一
次の関係が存在することが経験的に決定されている。
約1(重量/体積)%から35(重量/体積)%までに
わたることができる。しかしながら、この水溶液の濃度
は臨界ではない。シリカに対する(NH4 )HF2 の重
量比(β)は、より重要な考慮事項である。というのは
たとえ長時間の処理を用いても所定量の(NH4 )HF
2 は迅速に所定量のシリカ体と反応しこれを除去すると
いうことが見出されたからである。そのようにして、用
いる(NH4 )HF2 の量の選択は、シリカ除去量を決
定する。処理されたシリカの気孔率と比βとの間には一
次の関係が存在することが経験的に決定されている。
【0015】これは数学的に次のように表現できる。
【0016】Φ=Φ°+m(β) このようにして、シリカ体の初期気孔率(Φ°)と傾き
mを知れば、与えられた気孔率(Φ)を得るために要求
されるシリカ体の量を決定し得る。傾きは限定された範
囲βにおける実験によって容易に決定される。好ましい
球形のシリカ微粒子のためのmは、約0.10〜0.1
4の範囲であることが見出された。明らかに、この関係
は、シリカ体を形成している全てのシリカが除去される
極限まで延長することはできない。一般的に比率βは、
約0.01〜2.0の範囲にわたる。2.0を越える比
率は、結果的にシリカ体を脆くするシリカの過度の除去
を導く。許容できる比率βの範囲は幾分、気孔の大き
さ、焼結度及び用いられるシリカ体の性質に依存してい
ると考えられる。
mを知れば、与えられた気孔率(Φ)を得るために要求
されるシリカ体の量を決定し得る。傾きは限定された範
囲βにおける実験によって容易に決定される。好ましい
球形のシリカ微粒子のためのmは、約0.10〜0.1
4の範囲であることが見出された。明らかに、この関係
は、シリカ体を形成している全てのシリカが除去される
極限まで延長することはできない。一般的に比率βは、
約0.01〜2.0の範囲にわたる。2.0を越える比
率は、結果的にシリカ体を脆くするシリカの過度の除去
を導く。許容できる比率βの範囲は幾分、気孔の大き
さ、焼結度及び用いられるシリカ体の性質に依存してい
ると考えられる。
【0017】シリカ体の処理は種々の方法で行われる。
水中で処理するためにシリカを懸濁させ、次いでシリカ
の懸濁液に(NH4 )HF2 の溶液を加えることが一般
的に好ましい。処理時間は約10分間〜72時間の範囲
になり得、好ましくは15分間が良い。シリカの再沈澱
が確認される時、シリカの除去量は、72時間を越える
除去時間を用いても大きく変わらない。この反応に必要
な時間は、用いられるシリカの大きさ、形、性質に依存
しているが、好ましい球形のシリカ微粒子に対しては、
反応は一般的に15分間で完了される。
水中で処理するためにシリカを懸濁させ、次いでシリカ
の懸濁液に(NH4 )HF2 の溶液を加えることが一般
的に好ましい。処理時間は約10分間〜72時間の範囲
になり得、好ましくは15分間が良い。シリカの再沈澱
が確認される時、シリカの除去量は、72時間を越える
除去時間を用いても大きく変わらない。この反応に必要
な時間は、用いられるシリカの大きさ、形、性質に依存
しているが、好ましい球形のシリカ微粒子に対しては、
反応は一般的に15分間で完了される。
【0018】処理の後、処理されたシリカは濾過され、
典型的に水、メタノ―ル、フレオン(商品名)のフルオ
ロカ―ボン溶剤によって洗浄され、それから空気中で乾
燥されて最後に真空乾燥される。この工程が終了した
後、充填材は標準的なスラリ―技術を用いてクロマトグ
ラフィ―のカラムの中に詰められる。これらの材料はサ
イズ除外クロマトグラフィ―に非常に好適である。再ヒ
ドロキシル化されたシリカ体を、典型的にはオルガノシ
ランのような試薬を用いて取扱うために時には好まし
い。結合相をシリカ体に結合させる方法はよく知られて
おり、通常本発明の方法によって製造される再ヒドロキ
シル化されたシリカ体に適用できる。
典型的に水、メタノ―ル、フレオン(商品名)のフルオ
ロカ―ボン溶剤によって洗浄され、それから空気中で乾
燥されて最後に真空乾燥される。この工程が終了した
後、充填材は標準的なスラリ―技術を用いてクロマトグ
ラフィ―のカラムの中に詰められる。これらの材料はサ
イズ除外クロマトグラフィ―に非常に好適である。再ヒ
ドロキシル化されたシリカ体を、典型的にはオルガノシ
ランのような試薬を用いて取扱うために時には好まし
い。結合相をシリカ体に結合させる方法はよく知られて
おり、通常本発明の方法によって製造される再ヒドロキ
シル化されたシリカ体に適用できる。
【0019】多孔性シリカを(NH4 )HF2 を用いて
処理することによって得られた増加された気孔率は、多
くの方法で特徴づけられる。気孔率は標準的な窒素脱着
法(BET分析)によって測定され得る。この方法を用
いると、比表面積、比気孔容積及び気孔の大きさの平均
を決定することができる。表面積、比気孔容積及び気孔
の大きさの平均は全てβ比の増加に伴い一次的に増加す
る。
処理することによって得られた増加された気孔率は、多
くの方法で特徴づけられる。気孔率は標準的な窒素脱着
法(BET分析)によって測定され得る。この方法を用
いると、比表面積、比気孔容積及び気孔の大きさの平均
を決定することができる。表面積、比気孔容積及び気孔
の大きさの平均は全てβ比の増加に伴い一次的に増加す
る。
【0020】気孔率はまたクロマトグラフィ―試験から
決定することができる。処理されたシリカはカラムに詰
められ、種々のクロマトグラフィ―のパラメ―タはポリ
スチレン分子量の標準列の溶離のプロフィルから計算さ
れる。気孔率(Φ)は次式に従って計算することができ
る。
決定することができる。処理されたシリカはカラムに詰
められ、種々のクロマトグラフィ―のパラメ―タはポリ
スチレン分子量の標準列の溶離のプロフィルから計算さ
れる。気孔率(Φ)は次式に従って計算することができ
る。
【0021】Φ=(Vm −Vo )/(Vc −Vo ) 上記式中Vo =空間の容量;Vm =全浸透量;及びVc
=空のクロマトグラフィ―の容量である。比気孔容積
(σ)はまた下記式に従って同じ実験から計算される。
=空のクロマトグラフィ―の容量である。比気孔容積
(σ)はまた下記式に従って同じ実験から計算される。
【0022】σ=(Vm −Vo )/δ(Vc −Vm ) 上記式中Vm 、Vo 及びVc は上記と同様の意味であ
り、δはシリカの密度(2.2g/cm3 )である。この
方法はまたσもしくはIとβ比の間の一次関係を示す。
この一次関係によってこの方法を制御することができ
る。この関係の傾きを知ることによって、所望の気孔率
を得るために用いられる(NH4 )HF2の量を計算す
ることができる。処理時間と温度は本質的には気孔率の
増加に影響はないので、(NH4 )HF2 の適量の選択
が所望の結果を得るために要求される全てである。この
ように工程は非常に簡単で確かである。
り、δはシリカの密度(2.2g/cm3 )である。この
方法はまたσもしくはIとβ比の間の一次関係を示す。
この一次関係によってこの方法を制御することができ
る。この関係の傾きを知ることによって、所望の気孔率
を得るために用いられる(NH4 )HF2の量を計算す
ることができる。処理時間と温度は本質的には気孔率の
増加に影響はないので、(NH4 )HF2 の適量の選択
が所望の結果を得るために要求される全てである。この
ように工程は非常に簡単で確かである。
【0023】シリカ体表面上の酸性部位の存在はイオン
交換クロマトグラフィ―実験を用いて検査することがて
きる。実験は簡単で、塩基性化合物のクロマトグラフィ
―保持率は可動相の緩衝濃度の関数として検査すること
ができる。酸性部位の除去は、イオン交換実験において
塩基性化合物の減少された保持として観察される。実施
例2ないし4はこの形式の実験結果を報告している。こ
のイオン交換法を用いることによって、本発明のシリカ
支持体は未処理の支持体もしくは熱硝酸で処理された支
持体よりも表面酸性度が低いというとが見出された。処
理されたシリカの表面酸性度は、シリカ表面層を除去す
るために十分な(NH4 )HFが用いられるならば、β
比と独立していることがまた見出された。これは一般的
に約0.2より大きいβ比について達成される。
交換クロマトグラフィ―実験を用いて検査することがて
きる。実験は簡単で、塩基性化合物のクロマトグラフィ
―保持率は可動相の緩衝濃度の関数として検査すること
ができる。酸性部位の除去は、イオン交換実験において
塩基性化合物の減少された保持として観察される。実施
例2ないし4はこの形式の実験結果を報告している。こ
のイオン交換法を用いることによって、本発明のシリカ
支持体は未処理の支持体もしくは熱硝酸で処理された支
持体よりも表面酸性度が低いというとが見出された。処
理されたシリカの表面酸性度は、シリカ表面層を除去す
るために十分な(NH4 )HFが用いられるならば、β
比と独立していることがまた見出された。これは一般的
に約0.2より大きいβ比について達成される。
【0024】表面層の除去はまた疎水部位を除去し、更
に十分にヒドロキシル化された表面を露出する結果とな
るものと思われる。更に十分にヒドロキシル化した表面
は、以前にはシリカ体の内部にあったものが露出するこ
とに起因している。粒子の内部は焼結中に一層少ない脱
ヒドロキシル化を受けるので、この新たに露出された表
面は除去された表面層よりも大量のシラノ―ル基を含有
している。酸性部位を検査する為のイオン交換実験に類
似した逆層クロマトグラフィ―実験は、疎水部位を検査
する為に用いられる。この実験において、トルエンの容
量ファクタ―は可動相のメタノ―ル含有量の関数として
検査される。低い容量ファクタ―は、少ない疎水部位を
示す。そのような疎水部位は一般的にシロキサンによる
と考えられており、実施例5はそのような実験を報告し
ている。
に十分にヒドロキシル化された表面を露出する結果とな
るものと思われる。更に十分にヒドロキシル化した表面
は、以前にはシリカ体の内部にあったものが露出するこ
とに起因している。粒子の内部は焼結中に一層少ない脱
ヒドロキシル化を受けるので、この新たに露出された表
面は除去された表面層よりも大量のシラノ―ル基を含有
している。酸性部位を検査する為のイオン交換実験に類
似した逆層クロマトグラフィ―実験は、疎水部位を検査
する為に用いられる。この実験において、トルエンの容
量ファクタ―は可動相のメタノ―ル含有量の関数として
検査される。低い容量ファクタ―は、少ない疎水部位を
示す。そのような疎水部位は一般的にシロキサンによる
と考えられており、実施例5はそのような実験を報告し
ている。
【0025】水性(NH4 )HF2 処理から得られたシ
リカ体は、次のような好ましい特性を持っている。気孔
が増加されており、表面はシリカの外層を除去すること
によって浄化されており、露出した表面はさらに十分に
ヒドロキシル化されている。増加された気孔率は、比表
面積の増加及び比気孔容積量における増加として証明さ
れる。
リカ体は、次のような好ましい特性を持っている。気孔
が増加されており、表面はシリカの外層を除去すること
によって浄化されており、露出した表面はさらに十分に
ヒドロキシル化されている。増加された気孔率は、比表
面積の増加及び比気孔容積量における増加として証明さ
れる。
【0026】下記に本発明の実施例を示す。
【0027】実施例1 多孔性シリカの気孔率の制御 ゾルバクス(Zorbax、商品名)、PSM500に
おける気孔率制御 PSM500多孔性シリカ微小球(E.I.デュポン.
ド.ニモアス社製)10.0±0.02gの試料を25
0mlのプラスチックビ―カ―に入れた。各々の試料に5
0mlの脱イオン水を加えた。分別のビ―カ―に(N
H4 )HF2 を計量し、この塩を溶解するために50ml
の脱イオン水を加えた。対応するビ―カ―のセットを磁
気スタ―ラ―とテフロン(Teflon、商品名)被覆
撹拌棒を用いて撹拌した。用いたアンモニウムビフルオ
リドの量を第1表に示す。
おける気孔率制御 PSM500多孔性シリカ微小球(E.I.デュポン.
ド.ニモアス社製)10.0±0.02gの試料を25
0mlのプラスチックビ―カ―に入れた。各々の試料に5
0mlの脱イオン水を加えた。分別のビ―カ―に(N
H4 )HF2 を計量し、この塩を溶解するために50ml
の脱イオン水を加えた。対応するビ―カ―のセットを磁
気スタ―ラ―とテフロン(Teflon、商品名)被覆
撹拌棒を用いて撹拌した。用いたアンモニウムビフルオ
リドの量を第1表に示す。
【0028】素早くシリカスラリ―を撹拌しながら、対
応する塩の溶液を素早く加えた。反応を室温で15分間
進行させた。15分後、スラリ―を600mlの焼結され
たガラス製ろうとに注ぎ、濾過した。湿ったケ―キを1
00mlの脱イオン水で3回、それから100mlのメタノ
―ル(ベイカ―ケミカル社製、高性能液体クロマトグラ
フィ―級)で3回、最後に100mlのフレオン(Fre
on、商品名)TP(E.I.デュポン.ド.ニモアス
社製)で2回洗浄した。ケ―キをフィルタ―中で簡単に
空気乾燥し、それから30分間ドラフトチャンバ―中に
入れた。幾分乾いたケ―キは、30分間、110℃、5
91.6mmHgで真空オ―ブンに入れた。全ての試料を
このようにして処理した。反応条件を第1表に示す。
応する塩の溶液を素早く加えた。反応を室温で15分間
進行させた。15分後、スラリ―を600mlの焼結され
たガラス製ろうとに注ぎ、濾過した。湿ったケ―キを1
00mlの脱イオン水で3回、それから100mlのメタノ
―ル(ベイカ―ケミカル社製、高性能液体クロマトグラ
フィ―級)で3回、最後に100mlのフレオン(Fre
on、商品名)TP(E.I.デュポン.ド.ニモアス
社製)で2回洗浄した。ケ―キをフィルタ―中で簡単に
空気乾燥し、それから30分間ドラフトチャンバ―中に
入れた。幾分乾いたケ―キは、30分間、110℃、5
91.6mmHgで真空オ―ブンに入れた。全ての試料を
このようにして処理した。反応条件を第1表に示す。
【0029】 第1表 PSM500のアンモニウムビフルオリド処理 反応番号 シリカの重量 (NH4 )HF2 (NH4 )HF2 の重量 の重量 (g) (g) シリカの重量 (β) 1 10.00 0.00 0.0000 2 10.00912 1.00489 0.1004 3 10.00714 1.20056 0.1199 4 10.01396 1.40523 0.1403 5 10.01225 1.61113 0.1609 6 10.01450 1.81252 0.1810 7 10.00990 2.01400 0.2012 8 10.00726 4.00574 0.4003 9 10.00820 6.00535 0.6000 10 10.00158 8.00755 0.8006 11 10.01022 12.00725 1.1994 12 10.02210 14.00520 1.3974 各々のシリカ(反応番号1〜10)のうち5〜8gの試
料を80mlの純メタノール(ベイカーケミカル社製、高
性能液体クロマトグラフィー)でスラリーにし、L.
R.シュナイダ―(L.R.Snyder)らによって
述べられたもの(L.R.シュナイダ―、J.J.カ―
クランド(J.J.Kirkland)、Introd
uction to Modern Liquid C
hromatography第2版、1979、ニュ―
ヨ―ク、Wiley&Sons社出版、211頁、図
5.13)と同様のカラム充填機中に置いた。反応1〜
4の結果としてカラムは、421.84Kg/cm2 の一定
の入口圧力で、反応5〜12では210.92Kg/cm2
の一定の入口圧力で詰込まれた。両方ともカラムに対し
240mlの純メタノ―ルを用いた。カラムの空間は、内
径6.2mm、長さ250mmであった。入口と出口の付属
品は、わずか2μmの気孔率の焼結されたステンレスス
チ―ルフリットを含む。過度の背圧が、反応番号5のシ
リカを421.84Kg/cm2 で詰めた試験カラムで認め
られた。シリカに対し1.4を越える(NH4 )HF2
重量比で作られた試料は、過度の背圧によりこれらの条
件下、210.92Kg/cm2 で、首尾良く充填すること
はできない。
料を80mlの純メタノール(ベイカーケミカル社製、高
性能液体クロマトグラフィー)でスラリーにし、L.
R.シュナイダ―(L.R.Snyder)らによって
述べられたもの(L.R.シュナイダ―、J.J.カ―
クランド(J.J.Kirkland)、Introd
uction to Modern Liquid C
hromatography第2版、1979、ニュ―
ヨ―ク、Wiley&Sons社出版、211頁、図
5.13)と同様のカラム充填機中に置いた。反応1〜
4の結果としてカラムは、421.84Kg/cm2 の一定
の入口圧力で、反応5〜12では210.92Kg/cm2
の一定の入口圧力で詰込まれた。両方ともカラムに対し
240mlの純メタノ―ルを用いた。カラムの空間は、内
径6.2mm、長さ250mmであった。入口と出口の付属
品は、わずか2μmの気孔率の焼結されたステンレスス
チ―ルフリットを含む。過度の背圧が、反応番号5のシ
リカを421.84Kg/cm2 で詰めた試験カラムで認め
られた。シリカに対し1.4を越える(NH4 )HF2
重量比で作られた試料は、過度の背圧によりこれらの条
件下、210.92Kg/cm2 で、首尾良く充填すること
はできない。
【0030】標準SEC実験は、ヨウ(Yau)らによ
って述べられている方法(Modern Size−E
xclusion Liquid Chromatog
raphy、Wiley−Interscience,
NY(1979))に従った試料シリカを満し、充填さ
れたカラム上で行った。用いた機械は、254nmで作
用する固定波長を備えたDu Pont Model
8800HPLCであった。可動相は、純テトラハイド
ロフラン(THF,Baker Chemical H
PLC グレ―ド)であった。流れの速度は1.0cm3
/min で、実験は環境温度で行われた。試料は分子量1,
800,000 の標準ポリスチレン(Pressure Ch
mical)と約1mg/mlの濃度のトルエンのTHF溶
液からなっていた。試料を流動する可動相へ試料注入機
(Rheodyne Model7125)を用いて注
入した。注入量は20.0μlであった。アナログ形態
のクロマトグラフィ―の溶出プロフィルは、model
760Nerson Interface装置によって
デジタル化した。この装置ではデ―タはHewltt
Packar Model 9000シリ―ズ220コ
ンピュ―タ―上で検索され記録された。
って述べられている方法(Modern Size−E
xclusion Liquid Chromatog
raphy、Wiley−Interscience,
NY(1979))に従った試料シリカを満し、充填さ
れたカラム上で行った。用いた機械は、254nmで作
用する固定波長を備えたDu Pont Model
8800HPLCであった。可動相は、純テトラハイド
ロフラン(THF,Baker Chemical H
PLC グレ―ド)であった。流れの速度は1.0cm3
/min で、実験は環境温度で行われた。試料は分子量1,
800,000 の標準ポリスチレン(Pressure Ch
mical)と約1mg/mlの濃度のトルエンのTHF溶
液からなっていた。試料を流動する可動相へ試料注入機
(Rheodyne Model7125)を用いて注
入した。注入量は20.0μlであった。アナログ形態
のクロマトグラフィ―の溶出プロフィルは、model
760Nerson Interface装置によって
デジタル化した。この装置ではデ―タはHewltt
Packar Model 9000シリ―ズ220コ
ンピュ―タ―上で検索され記録された。
【0031】全除外に相当する容積(Vo )を分子量1,
800,000 のポリスチレン標準の溶出容積によって計測し
た。全透過量に相当する容積(Vm )は、シリカによっ
て占められていないカラムの全容積を検査するものと仮
定されたトルエンの溶出容積によって測定された。これ
らの寸法のカラムの空間は、空の容積(Vc )が7.5
5cm3 である。管内の全量を下記のように表示すること
ができる。
800,000 のポリスチレン標準の溶出容積によって計測し
た。全透過量に相当する容積(Vm )は、シリカによっ
て占められていないカラムの全容積を検査するものと仮
定されたトルエンの溶出容積によって測定された。これ
らの寸法のカラムの空間は、空の容積(Vc )が7.5
5cm3 である。管内の全量を下記のように表示すること
ができる。
【0032】Vc =Vo +Vp +Vs 上式において、 Vc =cm3 で表わされる空のカラムの内側の容積 Vo =cm3 で表わされる分子量1,800,000 のポリスチレ
ン標準によって測定される全除外容積 Vp =cm3 /gで表わされるシリカの気孔容積 Vs =cm3 で表わされ、気孔容積を除いたシリカによっ
て占められる容積 また、 Vm =Vo +Vp Vs =Vc −Vm Vp =Vm −Vo シリカの容積に対する気孔容積の比に等しい多孔性フラ
クションを次のように表示することができる。
ン標準によって測定される全除外容積 Vp =cm3 /gで表わされるシリカの気孔容積 Vs =cm3 で表わされ、気孔容積を除いたシリカによっ
て占められる容積 また、 Vm =Vo +Vp Vs =Vc −Vm Vp =Vm −Vo シリカの容積に対する気孔容積の比に等しい多孔性フラ
クションを次のように表示することができる。
【0033】Vm −Vo Vc −Vo cm3 /gで表わされる特定の比気孔容積は、次式から計
算することができる。
算することができる。
【0034】Φ=Vm −Vo /δ(Vc −Vm ) 上記式中で、 δ=2.20g/cm3 に等しいシリカの密度 クロマトグラフィ―のパラメ―タを各々のカラムで測定
し、Φとσを計算した。その結果を第2表に示す。
し、Φとσを計算した。その結果を第2表に示す。
【0035】 第2表 PSM500におけるクロマトグラフィ―測定 反応番号 Vo Vm Vp Vs β Φ σ (cm3 ) (cm3 ) (cm3 ) (cm3 ) (cm3 /g) 1 3.34 5.43 2.09 2.12 0.00 0.496 0.448 2 3.31 5.51 2.20 2.04 0.10 0.531 0.490 3 3.33 5.56 2.23 1.99 0.12 0.528 0.509 4 3.31 5.57 2.26 1.98 0.14 0.533 0.519 5 3.29 5.55 2.26 2.00 0.16 0.531 0.513 6 3.25 5.54 2.29 2.01 0.18 0.533 0.518 7 3.28 5.54 2.26 2.01 0.20 0.529 0.511 8 3.30 5.62 2.32 1.93 0.40 0.546 0.546 9 3.38 5.80 2.42 1.75 0.60 0.580 0.629 10 3.19 5.85 2.66 1.70 0.80 0.610 0.711 11 3.10 6.05 2.95 1.50 1.20 0.663 0.893 12 3.14 6.25 3.11 1.30 1.40 0.705 1.087 B.Zorbax PSM300における気孔率制御 (NH4 )HF2 を用いてZorbaxPSM300多
孔性シリカ微小球を処理し、実施例1.Aに述べたもの
と同じ方法を用いてクロマトグラフィ―測定値を得た。
孔性シリカ微小球を処理し、実施例1.Aに述べたもの
と同じ方法を用いてクロマトグラフィ―測定値を得た。
【0036】 第3表 PSM300によるアンモニウムビフルオリド処理 反応番号 シリカの重量 (NH4 )HF2 (NH4 )HF2 の重量 の重量 (g) (g) シリカの重量 (β) 1 10.00 0.007 0.0000 2 10.03516 2.01273 0.2006 3 10.02327 4.02129 0.4012 4 10.02513 6.06700 0.6052 5 10.04826 8.04184 0.8003 6 10.02781 12.00767 1.1974 第4表 Zorbax PSM300によるクロマトグラフィ―測定 反応番号 Vo Vm Vp Vs β Φ σ (cm3 ) (cm3 ) (cm3 ) (cm3 ) (cm3 /g) 1 3.50 5.76 2.26 1.78 0.00 0.558 0.573 2 3.50 5.77 2.27 1.78 0.20 0.560 0.580 3 3.39 5.94 2.55 1.61 0.40 0.613 0.720 4 3.28 5.99 2.71 1.56 0.60 0.635 0.790 5 3.31 6.13 2.82 1.42 0.80 0.665 0.902 6 3.25 6.33 3.08 1.22 1.20 0.716 1.148 C.Zorbax PSM1000の気孔率制御 全ての試料に対しカラム充填圧が210.92Kg/cm2
であり、分子量が9,000,000 の標準ポリスチレンをVo
の測定に使用したことを除いて、実施例1.Aで述べた
と同じ方法を(NH4 )HF2 を用いたZorbaxP
SM1000の多孔性シリカ超微粒子の処理に適用し、
クロマトグラフィ―測定値を得た。処理条件と結果を第
5表と第6表に示す。
であり、分子量が9,000,000 の標準ポリスチレンをVo
の測定に使用したことを除いて、実施例1.Aで述べた
と同じ方法を(NH4 )HF2 を用いたZorbaxP
SM1000の多孔性シリカ超微粒子の処理に適用し、
クロマトグラフィ―測定値を得た。処理条件と結果を第
5表と第6表に示す。
【0037】 第5表 PSM1000に対するアンモニウムビフルオリド処理 反応番号 シリカの重量 (NH4 )HF2 (NH4 )HF2 の重量 の重量 (g) (g) シリカの重量 (β) 1 10.00 0.00 0.0000 2 9.99873 2.00025 0.2001 3 10.00226 4.00055 0.3999 4 10.00099 5.99950 0.5999 5 9.99831 8.00054 0.8002 6 9.99789 9.99297 0.9995 第6表 PSM100に対するクロマトグラフィ―測定 反応番号 V V V V β Φ σ (cm3 ) (cm3 ) (cm3 ) (cm3 ) 1 3.43 5.23 1.80 2.32 0.00 0.437 0.353 2 3.32 5.38 2.06 2.17 0.20 0.487 0.432 3 3.34 5.40 2.06 2.15 0.40 0.489 0.436 4 3.40 5.56 2.16 1.99 0.60 0.520 0.493 5 3.33 5.49 2.16 2.06 0.80 0.511 0.477 6 3.34 5.78 2.44 1.77 1.00 0.580 0.626 各々のシリカに対し、初期気孔率Φ°を知れば所望のΦ
を推算することができる一般式は次のとおりである。
を推算することができる一般式は次のとおりである。
【0038】I=Φ°+mβ 第7表は、第2、4、6表に表示したデ―タの一次回帰
線統計量を要約する。
線統計量を要約する。
【0039】 第7表 直線デ―タの最小二乗法による回帰曲線 シリカ 初期気孔率 傾き 相関係数 Φ m PSM 300 0.550 0.1404 0.98796 PSM 500 0.506 0.1347 0.99134 PSM 1000 0.456 0.1169 0.92856 上記結果は、制御されたかつ予期できる態様で、多孔性
シリカ超微粒子の気孔率が増加され得ることを論証して
いる。
シリカ超微粒子の気孔率が増加され得ることを論証して
いる。
【0040】実施例2 ZorbaxPSM500試料の表面酸性測定 メタノ―ル15%と0.2Mナトリウム2水素ホスフェ
―ト(pH4.6)85%からなる可動相を室温で流れ
の速さを3.6ml/min にして200ml汲み上げること
によって、実施例1.Aのカラムを平衡させた。チアミ
ンの容量ファクタ―(capacity facto
r)上記条件下で決められた。メタノ―ル15%と0.
02Mナトリウム2水素ホスフェ―ト(pH4.6)8
5%からなる可動相を室温で流れの速さを3.6ml/mi
n にして200ml汲み上げることによって、カラムを再
び平衡させた。チアミンの容量ファクタ―をこれらのよ
り低いナトリウム濃度の条件下で再び決定した。
―ト(pH4.6)85%からなる可動相を室温で流れ
の速さを3.6ml/min にして200ml汲み上げること
によって、実施例1.Aのカラムを平衡させた。チアミ
ンの容量ファクタ―(capacity facto
r)上記条件下で決められた。メタノ―ル15%と0.
02Mナトリウム2水素ホスフェ―ト(pH4.6)8
5%からなる可動相を室温で流れの速さを3.6ml/mi
n にして200ml汲み上げることによって、カラムを再
び平衡させた。チアミンの容量ファクタ―をこれらのよ
り低いナトリウム濃度の条件下で再び決定した。
【0041】デ―タは下式中のパラメ―タを計算するた
めに用いられた。
めに用いられた。
【0042】k′=(m/ナトリウム濃度)+C 上記式はナトリウム濃度の逆数に対する容量ファクタ―
(k′)のプロットの傾き(m)と切片(C)に相応す
る。その結果を第8表に示す。許容ファクタ―は、有意
に表面酸性度が有意に減少する全ての場合において有意
に減少する。傾きと切片は本質的には用いられたアンモ
ニウムビフルオリドの割合と独立している。
(k′)のプロットの傾き(m)と切片(C)に相応す
る。その結果を第8表に示す。許容ファクタ―は、有意
に表面酸性度が有意に減少する全ての場合において有意
に減少する。傾きと切片は本質的には用いられたアンモ
ニウムビフルオリドの割合と独立している。
【0043】 第8表 Zorbax PSM300試料による表面酸性の測定 カラム k′ k′ m c β (反応番号) (0.2M) (0.02M) 1 0.67 0.84 0.0032 0.651 0.0000 2 * * 0.1004 3 0.24 0.25 0.0001 0.242 0.1199 4 0.21 0.22 0.0001 0.218 0.1403 5 0.23 0.22 -0.0002 0.231 0.1609 6 + + 0.1810 7 0.19 0.21 0.0003 0.191 0.2012 8 0.22 0.31 0.0018 0.207 0.4003 9 0.19 0.22 0.0005 0.190 0.6000 10 * * 0.8006 11 + + 1.1994 12 + + 1.3974 *…つぶされた吸着床を充填され、高い作用圧力を与え
るカラム +…試験せず 実施例3 Zorbax PSM300試料の表面酸性度の測定 実施例2の方法論は、実施例1.Bで充填されたカラム
に適用された。その結果を第9表に示す。シリカ表面層
の除去のために十分なアンモニウムビフルオリドを反応
に加えると、チアミンの吸着中に再びアンモニウムビフ
ルオリドの量の増加チアミンの保持に対してほとんど影
響を与えなかった。
るカラム +…試験せず 実施例3 Zorbax PSM300試料の表面酸性度の測定 実施例2の方法論は、実施例1.Bで充填されたカラム
に適用された。その結果を第9表に示す。シリカ表面層
の除去のために十分なアンモニウムビフルオリドを反応
に加えると、チアミンの吸着中に再びアンモニウムビフ
ルオリドの量の増加チアミンの保持に対してほとんど影
響を与えなかった。
【0044】 第9表 カラム k′ k′ m c β (反応番号) (0.2M) (0.02M) 1 0.86 1.35 0.0091 0.814 0.0000 2 0.25 0.42 0.0033 0.227 0.2006 3 0.26 0.35 0.0017 0.247 0.4012 4 0.27 0.37 0.0020 0.256 0.6052 5 0.25 0.36 0.0020 0.244 0.8003 6 0.25 0.34 0.0017 0.240 1.1974 実施例4 シリカ超微粒子の表面酸性度の減少 A.アンモニウムビフルオリド処理 シリカ(ZorbaxPSM150、20g)を水中で
懸濁させ、アンモニウムビフルオリド(4g)の水(2
5ml)溶液を加えた。この混合物を48時間撹拌した。
生成物を濾過し、水(200ml)で洗浄し、水(1l)
中に懸濁させ3回濾過した。フィルタ―のケ―キはメタ
ノ―ル(2×200ml)とフレオン(2×200ml)で
洗浄し、110℃の真空オ―ブンで乾燥した。
懸濁させ、アンモニウムビフルオリド(4g)の水(2
5ml)溶液を加えた。この混合物を48時間撹拌した。
生成物を濾過し、水(200ml)で洗浄し、水(1l)
中に懸濁させ3回濾過した。フィルタ―のケ―キはメタ
ノ―ル(2×200ml)とフレオン(2×200ml)で
洗浄し、110℃の真空オ―ブンで乾燥した。
【0045】B.硝酸処理 シリカ(ZorbaxPSM150、20g)を4N硝
酸(500ml)中で懸濁し、16時間撹拌しながら加熱
還流した。生成物は、Aでアンモニウムビフルオリド処
理されたシリカについて説明したように濾過し、洗浄
し、乾燥した。
酸(500ml)中で懸濁し、16時間撹拌しながら加熱
還流した。生成物は、Aでアンモニウムビフルオリド処
理されたシリカについて説明したように濾過し、洗浄
し、乾燥した。
【0046】C.相対酸性度の測定 上記(a)及び(b)からの2つのシリカ試料を実施例
1のスラリ―技術によってカラム(15cm×4.6mm)
に充填した。カラムをメタノ―ルと0.2Mナトリウム
2水素ホスフェ―ト(pH4.6)(15:85)の混
合物からなる可動相でこれを2ml/min の流れ速度で5
0ml通じることによって平衡させる。チアミンの容量フ
ァクタ―は、両方のカラムについて決定した。カラムを
メタノ―ルと0.2Mナトリウム2水素ホスフェ―ト
(pH4.6)(15:85)の混合物からなる可動相
を用いて2ml/min の流れ速度で再び平衡させ、容量フ
ァクタ―はもう一度決められた。
1のスラリ―技術によってカラム(15cm×4.6mm)
に充填した。カラムをメタノ―ルと0.2Mナトリウム
2水素ホスフェ―ト(pH4.6)(15:85)の混
合物からなる可動相でこれを2ml/min の流れ速度で5
0ml通じることによって平衡させる。チアミンの容量フ
ァクタ―は、両方のカラムについて決定した。カラムを
メタノ―ルと0.2Mナトリウム2水素ホスフェ―ト
(pH4.6)(15:85)の混合物からなる可動相
を用いて2ml/min の流れ速度で再び平衡させ、容量フ
ァクタ―はもう一度決められた。
【0047】可動相におけるナトリウムイオン濃度の逆
数に対してグラフにプロットされているチアミンの容量
ファクタ―の傾きと切片は、各々のカラム毎に計算され
た。表面酸性部位の強さと濃度と関連がある値を表わす
プロットの傾きは、硝酸で処理されたシリカと比べてア
ンモニウムビフルオリドで処理されたシリカは1/4に
減少した。(0.137に対して0.034)非イオン
相互作用(例えば疎水性相互作用)と関連づけられてい
る切片はファクタ―1.94分の1に減少した。そのデ
―タを第10表に示す。
数に対してグラフにプロットされているチアミンの容量
ファクタ―の傾きと切片は、各々のカラム毎に計算され
た。表面酸性部位の強さと濃度と関連がある値を表わす
プロットの傾きは、硝酸で処理されたシリカと比べてア
ンモニウムビフルオリドで処理されたシリカは1/4に
減少した。(0.137に対して0.034)非イオン
相互作用(例えば疎水性相互作用)と関連づけられてい
る切片はファクタ―1.94分の1に減少した。そのデ
―タを第10表に示す。
【0048】 第10表 シリカ処理 k′ k′ m β HNO3 2.93 10.20 0.137 2.12 (NH4 )HF2 1.29 3.10 0..34 1.09 上記結果は(NH4 )HF2 処理がHNO3 処理よりも
表面酸性度の減少に効果的であるということを示してい
る。
表面酸性度の減少に効果的であるということを示してい
る。
【0049】実施例5 アンモニウムビフルオリド処理によるシリカ表面の疎水
性の減少 シリカの試料(ZorbaxPSM60多孔性シリカ超
微粒子)を実施例4で述べたようにアンモニウムビフル
オリドと4N硝酸で処理した。各々の材料を実施例1で
述べたようにカラム(15cm×4.6mm)の中へ充填し
た。
性の減少 シリカの試料(ZorbaxPSM60多孔性シリカ超
微粒子)を実施例4で述べたようにアンモニウムビフル
オリドと4N硝酸で処理した。各々の材料を実施例1で
述べたようにカラム(15cm×4.6mm)の中へ充填し
た。
【0050】各々のカラムを、メタノ―ルと0.05M
のナトリウム二水素ホスフェ―ト(リン酸でpH2.1
に調整されている)の混合物からなる可動相で平衡さ
せ、10、20、30及び50%のメタノ―ル濃度でト
ルエンの容量ファクタ―を測定した。
のナトリウム二水素ホスフェ―ト(リン酸でpH2.1
に調整されている)の混合物からなる可動相で平衡さ
せ、10、20、30及び50%のメタノ―ル濃度でト
ルエンの容量ファクタ―を測定した。
【0051】(同様のメタノ―ル組成を用いてpH2.
1と7.0で緩衝された可動相を用いた単一のシリカカ
ラムを使用する分別の実験を行ない、緩衝pHがトルエ
ンの容量ファクタ―に少しだけしか影響を持たないこと
を論証した。このことはトルエンがシリカ表面上にシロ
キサンブリッジのような非イオン基によって保持される
ことを示した。第11表参照) 第11表 トルエン保持に対するpHの効果 メタノ―ル k′ k′ (%) (pH2.1) (pH7.0) 10 0.88 0.83 20 0.54 0.42 30 0.35 0.30 50 0.17 0.15 ビフルオリド処理されたシリカに対するトルエンの容量
ファクタ―は、硝酸処理されたシリカに対する容量ファ
クタ―の半分であり、ビフルオリド処理された表面が硝
酸処理されたシリカより疎水性が低いことを示してい
た。上記はシリカが硝酸よりもビフルオリドによって完
全に再ヒドロキシル化されることを示している。硝酸処
理はトルエンの高い保持を起こし得る表面から被酸化性
の物質(例えば残留有機物)を取り除くと思われる。
1と7.0で緩衝された可動相を用いた単一のシリカカ
ラムを使用する分別の実験を行ない、緩衝pHがトルエ
ンの容量ファクタ―に少しだけしか影響を持たないこと
を論証した。このことはトルエンがシリカ表面上にシロ
キサンブリッジのような非イオン基によって保持される
ことを示した。第11表参照) 第11表 トルエン保持に対するpHの効果 メタノ―ル k′ k′ (%) (pH2.1) (pH7.0) 10 0.88 0.83 20 0.54 0.42 30 0.35 0.30 50 0.17 0.15 ビフルオリド処理されたシリカに対するトルエンの容量
ファクタ―は、硝酸処理されたシリカに対する容量ファ
クタ―の半分であり、ビフルオリド処理された表面が硝
酸処理されたシリカより疎水性が低いことを示してい
た。上記はシリカが硝酸よりもビフルオリドによって完
全に再ヒドロキシル化されることを示している。硝酸処
理はトルエンの高い保持を起こし得る表面から被酸化性
の物質(例えば残留有機物)を取り除くと思われる。
【0052】%メタノ―ルに対する容量ファクタ―の対
数のプロットを作成し、グラフの傾きを求めた。ビフル
オリド処理のグラフの傾きは硝酸処理のグラフの傾きの
半分であった。本実施例のデ―タを第12表に示す。
数のプロットを作成し、グラフの傾きを求めた。ビフル
オリド処理のグラフの傾きは硝酸処理のグラフの傾きの
半分であった。本実施例のデ―タを第12表に示す。
【0053】 第12表 異なったメタノ―ル濃度におけるシリカ上のトルエンの保持 k′ k′ k′ k′ log k′付 シリカ処理 10% 20% 30% 50% %MeOH MeOH MeOH MeOH MeOH の傾き NH4 ・HF2 0.27 0.19 0.15 0.13 -0.0076 HNO2 0.66 0.41 0.28 0.15 -0.0158
Claims (2)
- 【請求項1】 シリカ体の重量に関連している若干のア
ンモニウムビフルオリド(NH4 )HF2 の存在下でシ
リカ体を水で処理してスラリ―を形成し、該スラリーを
濾過してシリカ体を回収し、該シリカ体を洗浄し、乾燥
する工程によって気孔率を増加され、表面を浄化された
シリカ体からなるクロマトグラフィー支持体。 - 【請求項2】 前記(NH4 )HF2 の量が、下記の一
次関係に従って所望の気孔率を得るために選択される請
求項1に記載のクロマトグラフィー支持体。 Φ=Φ°+m(β) (但し、上記式中βはシリカ体の重量に対する(N
H4 )HF2 の重量比であり、mはシリカ体の初期気孔
率Φ°と所望の気孔率Φの間の関係を定義する曲線の傾
きである。)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US94579286A | 1986-12-23 | 1986-12-23 | |
| US945792 | 1986-12-23 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324204A Division JPS63170211A (ja) | 1986-12-23 | 1987-12-23 | シリカ体の再ヒドロキシル化及び気孔率の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246709A JPH05246709A (ja) | 1993-09-24 |
| JPH0672006B2 true JPH0672006B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=25483562
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324204A Granted JPS63170211A (ja) | 1986-12-23 | 1987-12-23 | シリカ体の再ヒドロキシル化及び気孔率の制御方法 |
| JP4275937A Expired - Lifetime JPH0672006B2 (ja) | 1986-12-23 | 1992-10-14 | クロマトグラフィー支持体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324204A Granted JPS63170211A (ja) | 1986-12-23 | 1987-12-23 | シリカ体の再ヒドロキシル化及び気孔率の制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0272904B1 (ja) |
| JP (2) | JPS63170211A (ja) |
| CA (1) | CA1331337C (ja) |
| DE (1) | DE3777579D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE506919C2 (sv) * | 1991-11-08 | 1998-03-02 | Munters Ab Carl | Förfarande för behandling av en kontaktkropp för utbyte av värme, fukt eller liknande |
| DE10239144A1 (de) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Degussa Ag | Dispersion |
| EP3737495A4 (en) | 2018-01-12 | 2021-10-20 | Restek Corporation | Surface porous particles and a process for the production of surface porous particles |
| EP4121203A1 (en) | 2020-03-20 | 2023-01-25 | Restek Corporation | Spike particles, superficially porous spike particles, chromatographic separation devices, and processes for forming spike particles |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3485687A (en) * | 1966-07-15 | 1969-12-23 | Corning Glass Works | Porous high silica glass |
| US3453806A (en) * | 1966-10-26 | 1969-07-08 | Corning Glass Works | Chromatography method and apparatus |
| US3650960A (en) * | 1969-05-06 | 1972-03-21 | Allied Chem | Etching solutions |
| US3881944A (en) * | 1972-12-11 | 1975-05-06 | Corning Glass Works | Porous glass-ceramic bodies for catalyst supports |
| US4376641A (en) * | 1981-12-14 | 1983-03-15 | The Dow Chemical Company | Coated capillary chromatographic column |
-
1987
- 1987-12-21 EP EP19870311253 patent/EP0272904B1/en not_active Expired
- 1987-12-21 DE DE8787311253T patent/DE3777579D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-22 CA CA 555094 patent/CA1331337C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-23 JP JP62324204A patent/JPS63170211A/ja active Granted
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4275937A patent/JPH0672006B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0272904A2 (en) | 1988-06-29 |
| JPH05246709A (ja) | 1993-09-24 |
| JPS63170211A (ja) | 1988-07-14 |
| EP0272904B1 (en) | 1992-03-18 |
| DE3777579D1 (de) | 1992-04-23 |
| JPH0524083B2 (ja) | 1993-04-06 |
| CA1331337C (en) | 1994-08-09 |
| EP0272904A3 (en) | 1988-11-09 |
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