JPH0672191B2 - ポリオレフインの改質方法 - Google Patents
ポリオレフインの改質方法Info
- Publication number
- JPH0672191B2 JPH0672191B2 JP335587A JP335587A JPH0672191B2 JP H0672191 B2 JPH0672191 B2 JP H0672191B2 JP 335587 A JP335587 A JP 335587A JP 335587 A JP335587 A JP 335587A JP H0672191 B2 JPH0672191 B2 JP H0672191B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyolefin
- electron beam
- present
- organic polysilane
- polysilane
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はポリオレフィンの改質方法に関する。詳しく
は、特定の化合物の存在下に電子線照射してポリオレフ
ィンを改質する方法に関する。
は、特定の化合物の存在下に電子線照射してポリオレフ
ィンを改質する方法に関する。
ポリオレフィンに架橋反応して物性を改良することは良
く行われており、例えば耐ストレスクラッキング性、耐
熱性等を改良する例（特公昭48−1711号公報、特開昭59
−115351号公報）、結晶化度を向上させ剛性を改良する
例（特開昭61−16944号公報）などが知られている。
く行われており、例えば耐ストレスクラッキング性、耐
熱性等を改良する例（特公昭48−1711号公報、特開昭59
−115351号公報）、結晶化度を向上させ剛性を改良する
例（特開昭61−16944号公報）などが知られている。
また、ポリオレフィンに架橋反応を生じさせる方法とし
て、水素引き抜き反応を起こすパーオキサイド類と共に
加熱処理する方法や架橋反応を起こす官能基を重合反応
の際に予めポリマー鎖中に導入しておき後で熱、光或い
は水で処理することによって架橋反応を起こさせる方法
が知られている（例えば、Polymer Bulletin,vol.10,1
96（1983）、特公昭48−1711号公報）。
て、水素引き抜き反応を起こすパーオキサイド類と共に
加熱処理する方法や架橋反応を起こす官能基を重合反応
の際に予めポリマー鎖中に導入しておき後で熱、光或い
は水で処理することによって架橋反応を起こさせる方法
が知られている（例えば、Polymer Bulletin,vol.10,1
96（1983）、特公昭48−1711号公報）。
しかしながら、後者の方法は比較的効率良く所望の架橋
程度とすることが可能であるが、予め架橋反応を起こす
官能基をポリマー鎖中に導入するのが困難であり、特別
な組合せと反応が必要であると言う問題がある。前者は
危険なパーキサイド類を多量に必要とする上にパーオキ
サイド類の分解生成物の臭気が問題である。
程度とすることが可能であるが、予め架橋反応を起こす
官能基をポリマー鎖中に導入するのが困難であり、特別
な組合せと反応が必要であると言う問題がある。前者は
危険なパーキサイド類を多量に必要とする上にパーオキ
サイド類の分解生成物の臭気が問題である。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは上記問題を解決して簡単に架橋反応を起こ
してポリオレフィンの物性を改良する方法について鋭意
検討し、本発明を完成した。
してポリオレフィンの物性を改良する方法について鋭意
検討し、本発明を完成した。
即ち、本発明は有機ポリシランを含有するポリオレフィ
ンに電子線照射することを特徴とするポリオレフィンの
改質方法である。
ンに電子線照射することを特徴とするポリオレフィンの
改質方法である。
本発明においてポリオレフィンとしては、エチレン、プ
ロピレン、ブテン−１、ヘキセン−１などのαオレフィ
ンの重合体、これらのランダム共重合体或いはブロック
共重合体が例示され、これらのポリオレフィンはその単
量体単位としてさらにジエン等を含み二重結合をそのポ
リマー鎖中に含有するものであっても良い。
ロピレン、ブテン−１、ヘキセン−１などのαオレフィ
ンの重合体、これらのランダム共重合体或いはブロック
共重合体が例示され、これらのポリオレフィンはその単
量体単位としてさらにジエン等を含み二重結合をそのポ
リマー鎖中に含有するものであっても良い。
本発明を特に高立体規則性にかかわらず成形品の結晶化
度が低いポリプロピレン、ポリブテン−１等に適用する
と、理由は明確ではないがその結晶化度が大幅に向上し
物性も改良される。
度が低いポリプロピレン、ポリブテン−１等に適用する
と、理由は明確ではないがその結晶化度が大幅に向上し
物性も改良される。
本発明において、有機ポリシランとしては少なくとも珪
素１原子当たり１個以上の炭化水素残基を含有するポリ
シランであり、その炭化水素残基の炭素数としては１〜
20が適当である。炭化水素基としては飽和或いは不飽
和、鎖状或いは環状の何れであってもよい。特に、珪素
１原子当たり２個の比較的炭素数の多い炭化水素残基を
有するポリシランが比較的融点が低く、また有機溶剤に
可溶であり好ましく使用できる。ここで用いる有機ポリ
シランはジクロルシラン或いはジクロルジシランをナト
リウムなどの金属で縮合して得られる（例えば、R.C.We
st,Comprehensive Organic Cahemistry,vol.2,chapte
r9.5,p365〜387（1982）、edited by G.Wilkinson e
t al.,Pergamon Press,New York）。
素１原子当たり１個以上の炭化水素残基を含有するポリ
シランであり、その炭化水素残基の炭素数としては１〜
20が適当である。炭化水素基としては飽和或いは不飽
和、鎖状或いは環状の何れであってもよい。特に、珪素
１原子当たり２個の比較的炭素数の多い炭化水素残基を
有するポリシランが比較的融点が低く、また有機溶剤に
可溶であり好ましく使用できる。ここで用いる有機ポリ
シランはジクロルシラン或いはジクロルジシランをナト
リウムなどの金属で縮合して得られる（例えば、R.C.We
st,Comprehensive Organic Cahemistry,vol.2,chapte
r9.5,p365〜387（1982）、edited by G.Wilkinson e
t al.,Pergamon Press,New York）。
具体的には、ポリフェニルメチルシラン、ポリプロピル
メチルシラン、ポリブチルメチルシラン、ポリヘキシル
メチルシラン、ポリシクロヘキシルメチルシラン、ポリ
ジヘキシルシラン、ポリドデシルメチルシラン、ポリジ
プロピルシラン、ポリジブチルシラン、ポリジペンチル
シラン、ポリフェネチルメチルシラン等が例示できる。
メチルシラン、ポリブチルメチルシラン、ポリヘキシル
メチルシラン、ポリシクロヘキシルメチルシラン、ポリ
ジヘキシルシラン、ポリドデシルメチルシラン、ポリジ
プロピルシラン、ポリジブチルシラン、ポリジペンチル
シラン、ポリフェネチルメチルシラン等が例示できる。
本発明においては、まず上記ポリオレフィンに有機ポリ
シランが混合される混合の方法については特に制限はな
く、ポリオレフィンと有機ポリシランを溶融混合する方
法、ポリオレフィンのパウダーと有機ポリシランの溶液
を混合した後溶媒を蒸発除去する方法、ポリオレフィン
のパウダーと有機ポリシランのパウダーを単に混合する
方法などが例示でき、これらの混合物は後述の電子線照
射に先立つて成形物とすること、或いは電子線照射した
後、溶融成形することもできる。又は、予めポリオレフ
ィンの成形物を作り、次いで有機ポリシランの溶液と接
触することで有機ポリシランを含有するポリオレフィン
とすることもできる。ここで有機ポリシランとポリオレ
フィンの比率としては特に制限は無いが、ポリオレフィ
ン100部に対して0.0001〜10部程度とするのが一般的で
ある。
シランが混合される混合の方法については特に制限はな
く、ポリオレフィンと有機ポリシランを溶融混合する方
法、ポリオレフィンのパウダーと有機ポリシランの溶液
を混合した後溶媒を蒸発除去する方法、ポリオレフィン
のパウダーと有機ポリシランのパウダーを単に混合する
方法などが例示でき、これらの混合物は後述の電子線照
射に先立つて成形物とすること、或いは電子線照射した
後、溶融成形することもできる。又は、予めポリオレフ
ィンの成形物を作り、次いで有機ポリシランの溶液と接
触することで有機ポリシランを含有するポリオレフィン
とすることもできる。ここで有機ポリシランとポリオレ
フィンの比率としては特に制限は無いが、ポリオレフィ
ン100部に対して0.0001〜10部程度とするのが一般的で
ある。
本発明においては次いで上述の有機ポリシランを含有す
るポリオレフィンに電子線を照射することによってポリ
オレフィンを改質する。ここで、電子線照射の際の温度
については特に制限は無いが、通常、ポリマーの融点以
下、例えば、150℃以下が適当である。電子線照射の程
度としては、照射の際のポリオレフィンの形状等によっ
て異なり特定できないが、通常、数百eV〜数MeVの電子
線を用い、数百red〜数Mrad照射するのが一般的であ
る。
るポリオレフィンに電子線を照射することによってポリ
オレフィンを改質する。ここで、電子線照射の際の温度
については特に制限は無いが、通常、ポリマーの融点以
下、例えば、150℃以下が適当である。電子線照射の程
度としては、照射の際のポリオレフィンの形状等によっ
て異なり特定できないが、通常、数百eV〜数MeVの電子
線を用い、数百red〜数Mrad照射するのが一般的であ
る。
以下、実施例を挙げ本発明をさらに説明する。
実施例１ ３のオートクレーブにn-ヘプタン１、丸紅ソルベー
社製三塩化チタン触媒（TGY−24）300mgおよびジエチル
アルミニウムクロライド1mlを加え、プロピレンガスを
挿入して5kg/cm2とし、水素0.4Nlを加えたのち加熱して
内温を70℃とし、プロピレンを挿入しながら圧力を5kg/
cm2で３時間重合した。メタノールで触媒を失活し水洗
して触媒残分を除去し、濾過乾燥してパウダーを得た。
得られたパウダーは850gであり、このものの極限粘度は
1.78（135℃テトラリン溶液で測定）、沸騰n-ヘプタン
抽出残率は98.2％（熊川式抽出器を用いて６時間抽出）
であった。
社製三塩化チタン触媒（TGY−24）300mgおよびジエチル
アルミニウムクロライド1mlを加え、プロピレンガスを
挿入して5kg/cm2とし、水素0.4Nlを加えたのち加熱して
内温を70℃とし、プロピレンを挿入しながら圧力を5kg/
cm2で３時間重合した。メタノールで触媒を失活し水洗
して触媒残分を除去し、濾過乾燥してパウダーを得た。
得られたパウダーは850gであり、このものの極限粘度は
1.78（135℃テトラリン溶液で測定）、沸騰n-ヘプタン
抽出残率は98.2％（熊川式抽出器を用いて６時間抽出）
であった。
メチルフェニルジクロルシランとジメチルジクロルシラ
ンをトルエン中でナトリウムと反応して（上述の文献の
方法に準じて合成。）ポリシラスチレンを合成した。
ンをトルエン中でナトリウムと反応して（上述の文献の
方法に準じて合成。）ポリシラスチレンを合成した。
上記ポリプロピレン100重量部に対してポリシラスチレ
ン0.05重量部を混合し、溶融プレスをしてシート作っ
た。このシートに室温で3MeVの電子線を12Mrad照射した
のち、物性を測定した。
ン0.05重量部を混合し、溶融プレスをしてシート作っ
た。このシートに室温で3MeVの電子線を12Mrad照射した
のち、物性を測定した。
引張り降伏強さは（ASTM D638−64T）366kg/cm2、曲げ
弾性率は（ASTM D790−63）20800kg/cm2、結晶化温度
は（DSCを用い、10℃/min降温で測定）121.4℃であっ
た。
弾性率は（ASTM D790−63）20800kg/cm2、結晶化温度
は（DSCを用い、10℃/min降温で測定）121.4℃であっ
た。
比較例１ ポリシラスチレンを用いることなく成型して実施例１と
同様に電子線を照射したのち物性を測定した。引張り降
伏強さは340kg/cm2、曲げ弾性率は18500kg/cm2であった
が、結晶化温度は114.3℃と低かった。
同様に電子線を照射したのち物性を測定した。引張り降
伏強さは340kg/cm2、曲げ弾性率は18500kg/cm2であった
が、結晶化温度は114.3℃と低かった。
実施例２、３ ポリシラスチレンに代えて、ポリジヘキシルシラン（実
施例２）またはポリメチルブチルシラン（実施例３）を
0.3重量部用いた他は実施例１と同様にした。得られた
シートの引張り降伏強さはそれぞれ365kg/cm2、355kg/c
m2であり、また曲げ弾性率はそれぞれ21000kg/cm2、206
00kg/cm2であった。さらに、結晶化温度はそれぞれ122.
2℃、123.5℃であった。
施例２）またはポリメチルブチルシラン（実施例３）を
0.3重量部用いた他は実施例１と同様にした。得られた
シートの引張り降伏強さはそれぞれ365kg/cm2、355kg/c
m2であり、また曲げ弾性率はそれぞれ21000kg/cm2、206
00kg/cm2であった。さらに、結晶化温度はそれぞれ122.
2℃、123.5℃であった。
本発明の方法を実施することにより比較的簡単にポリオ
フィンを改質することができ、工業的に価値がある。
フィンを改質することができ、工業的に価値がある。
また、本発明の方法で得られた組成物は物性に優れ工業
的に極めて価値がある。
的に極めて価値がある。
Claims (1)
- 【請求項１】有機ポリシランを含有するポリオレフィン
に電子線照射することを特徴とするポリオレフィンの改
質方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP335587A JPH0672191B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | ポリオレフインの改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP335587A JPH0672191B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | ポリオレフインの改質方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63172739A JPS63172739A (ja) | 1988-07-16 |
| JPH0672191B2 true JPH0672191B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=11555040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP335587A Expired - Lifetime JPH0672191B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | ポリオレフインの改質方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672191B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006198104A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Aisin Seiki Co Ltd | オットマン装置 |
-
1987
- 1987-01-12 JP JP335587A patent/JPH0672191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63172739A (ja) | 1988-07-16 |
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