JPH067263U - チップled - Google Patents

チップled

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JPH067263U
JPH067263U JP050183U JP5018392U JPH067263U JP H067263 U JPH067263 U JP H067263U JP 050183 U JP050183 U JP 050183U JP 5018392 U JP5018392 U JP 5018392U JP H067263 U JPH067263 U JP H067263U
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led
substrate layer
recess
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JP050183U
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秀雄 中西
正樹 谷本
敏晴 美川
直史 野村
多計夫 伊藤
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Stanley Electric Co Ltd
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Stanley Electric Co Ltd
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 LEDチップを載置すべき基板上の凹陥部を
簡単に且つ短時間で、しかも深さに関して高精度で形成
し得るようにした、チップLEDを提供する。 【構成】 基板11と、該基板の中央に設けられた凹陥
部12内に載置したLEDチップ13と、基板上でLE
Dチップを覆うように透明樹脂により成形した樹脂モー
ルド部14とを含んでいる表面実装型チップLED10
において、基板11が、孔なしの第一の基板層11a
と、第一の基板層の上に重ねて貼り合わされた凹陥部の
形状の貫通孔を有する第二の基板層11bとから構成さ
れるように、チップLED10を構成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、基板上にLEDチップを載置した、薄型の表面実装型チップLE Dに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような表面実装型チップLEDは、例えば図4に示すように構成さ れている。図4において、チップLED1は、ガラスエポキシ樹脂等から成る基 板2の表面にLEDチップ3を載置して、ダイボンディング等により固定すると 共に、該LEDチップ3の上面とこの基板2の表面の隣接した領域に備えられた ボンディングパッドとの間を、ボンディングワイヤ4にて接続した後、基板2の 上からLEDチップ3を覆うように、透明樹脂により樹脂モールド部5を成形す ることにより構成されている。しかしながら、このように構成されたチップLE D1においては、基板2の上方にLEDチップ3及びボンディングワイヤ4が突 出していることから、チップLED1の全体が比較的厚くなるので、実装スペー スが大きくなってしまうという問題があった。
【0003】 このため、図5に示すような薄型の構成のチップLED1’も知られている。 即ち、図5において、チップLED1’は、ガラスエポキシ樹脂等から成る基板 2の表面の中央領域に凹陥部2aを設けておき、この凹陥部2a内にLEDチッ プ3を載置して、ダイボンディング等により固定すると共に、該LEDチップ3 の上面とその基板2の表面の隣接した領域に備えられたボンディングパッドとの 間をボンディングワイヤ4により接続した後、該基板2の上からLEDチップ3 を覆うように、透明樹脂により樹脂モールド部5を成形することにより構成され ている。
【0004】 このように構成されたチップLED1’によれば、LEDチップ3は基板2上 に設けられた凹陥部2a内に載置されていることから、このLEDチップ3の上 面は基板2の表面に対する段差が減少せしめられ、或いはほぼ同じ高さになる。 従って、LEDチップ3の上面と基板2の表面の隣接した領域に備えられたボン ディングパッドとの間をワイヤボンディングによって接続した場合に、このボン ディングワイヤは、基板2の表面からあまり上方には突出しない。かくして、チ ップLED1’全体が比較的薄型に構成され得ることになると共に、LEDチッ プ3が基板2上の凹陥部2a内に位置していることから、該LEDチップ3から 出射する光は凹陥部2aの側壁で反射せしめられることにより上方へ進むことに なり、発光効率も向上せしめられる。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、このような構成のチップLED1’においては、基板2の表面の中 央領域に凹陥部2aを設ける場合、基板2の表面の中央領域に対してドリル等を 用いて基板2の途中まで孔あけを行なうことにより、所謂ザグリ加工にて凹陥部 2aを形成するようにしている。
【0006】 しかしながら、基板2は薄型化によって通常約0.5mm程度の厚さであるた め、ドリル加工による座ぐりによっては凹陥部2aの深さを高精度に加工するこ とが不可能であった。さらに、複雑な形状の凹陥部2aを設けることは一層困難 であった。
【0007】 この考案は、以上の点に鑑み、LEDチップを載置すべき基板上の凹陥部が簡 単に且つ短時間で、しかも深さに関して高精度で形成されることにより、低コス トで製造されるようにした、チップLEDを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本考案によるチップLEDは、基板と、この基板の 中央に設けられた凹陥部内に載置されたLEDチップと、基板上でLEDチップ を覆うように透明樹脂により成形された樹脂モールド部とを含んでおり、上記基 板が、孔なしの第一の基板層とこの第一の基板層の上に重ねて貼り合わされた凹 陥部の形状の貫通孔を有する第二の基板層とから構成されていることを特徴とし ている。
【0009】
【作用】
上記構成によれば、基板の表面の中央に設けられる凹陥部が、第一の基板層と 第二の基板層とを貼り合わせることにより、該第二の基板層に設けられた貫通孔 によって画成されることになるので、凹陥部の深さはその第二の基板層の厚さに よって決まることから、高精度に形成され得ると共に、凹陥部の加工は第二の基 板層に対して加工深さを調整する必要なく、貫通孔を開けるだけの作業でよいこ とから、簡単に且つ短時間で作業が完了することとなる。したがって、複雑な形 状の凹陥部を加工する場合にも、容易に加工を行うことができる。
【0010】
【実施例】
以下、図面に示した実施例に基づいて、この考案を詳細に説明する。 図1は本考案によるチップLEDの一実施例を示しており、チップLED10 は、ガラスエポキシ等から成る基板11と、この基板11の中央に設けられた凹 陥部12内に載置され且つダイボンディング等により固定されると共に、その上 面がその基板11の表面の隣接した領域に備えられたボンディングパッド等との 間にボンディングワイヤにより接続されたLEDチップ13と、上記基板11上 でLEDチップ13を覆うように透明樹脂により成形された樹脂モールド部14 とから構成されており、基板11の両側には、それぞれこの基板11上に形成し た導電パターン等により構成された取出し電極としてのアノード15及びカソー ド16が設けられている。
【0011】 以上の構成は、図5に示した従来のチップLED1’と同様の構成であるが、 この考案によるチップLED10においては、上記基板11は、下側の第一の基 板層11aと、この第一の基板層11aの上に重ねて貼り合わされた第二の基板 層11bとから成る二層構造として構成されている。 上記第一の基板層11aは孔なしに形成されており、また第二の基板層11b は凹陥部12の形状の貫通孔を有するように形成されている。従って、第一の基 板層11a及び第二の基板層11bを貼り合わせたとき、基板11の表面の中央 付近に画成される凹陥部12は、第二の基板層11bの厚さに等しい深さを有す ることになる。例えば、第一の基板層11aに厚さ0.2mmの基板を使用し、 また第二の基板層11bに厚さ0.3mmの基板を使用した場合には、凹陥部1 2の深さは、正確にこの第2の基板層11bの厚さと同じ深さ、即ち0.3mm になる。
【0012】 尚、第一の基板層11aと第二の基板層11bは、例えばこれらの間に接着剤 を塗布して、貼り合わせるようになっている。
【0013】 本考案による表面実装型LED10は以上のように構成されており、LEDチ ップ13が基板11の凹陥部12内に載置されていることから、このLEDチッ プ13の上面は基板11の表面に対する段差が減少せしめられ、あるいはほぼ同 じ高さになる。このため、LEDチップ13の上面と基板11の表面の隣接した 領域に備えられたボンディングパッドとの間を、ワイヤボンディングによって接 続した場合に、このボンディングワイヤは基板11の表面からあまり上方には突 出しない。従って、チップLED10全体が比較的薄型に構成され得ることにな り、しかも該凹陥部12の深さが高精度で画成されることになる。
【0014】 かくして、LEDチップ13から上方に向かって出射した光は、直接に樹脂モ ールド部14から外部に出射すると共に、該LEDチップ13から側方へ出射し た光は、基板11の凹陥部12の側壁、即ち第二の基板層11bの側壁に当たっ て反射せしめられ、その後上方に向かって進むことにより、樹脂モールド部14 から外部へ出射する。
【0015】 図3はこの考案によるチップLEDの他の実施例を示しており、チップLED 20は、例えばライン状光源などに使用されるLEDアレイ等を構成するチップ LEDであって、基板21上に一方向に沿って長く延びた凹陥部22を設けてお き、凹陥部22内にて、LEDチップ23を一列に並んで載置するようになって いる。ここで、基板21は同様にして、下側の孔なしの第一の基板層21aと、 上側の凹陥部22に対応する貫通孔を備えた第二の基板層21bとから構成され ている。従って、この凹陥部22は、第二の基板層21bに対して貫通孔を加工 することにより得られることから、図示のように長く延びた形状であっても容易 に加工され得ることになる。
【0016】
【考案の効果】
以上述べたように、本考案によれば、基板の表面の中央に設けられる凹陥部を 第一の基板層と第二の基板層とを貼り合わせ、該第二の基板層に設けた貫通孔に よって画成したので、凹陥部の深さはこの第二の基板層の厚さによって決まるこ とから、高精度に形成される。また、凹陥部の加工は、第二の基板層に対して加 工深さを調整する必要なく貫通孔を開けるだけの作業でよいことから、簡単に且 つ短時間で作業が完了することとなり、複雑な形状の凹陥部を加工する場合にも 容易に加工を行え、低コストで製造することができる。 かくして、本考案によれば、LEDチップを載置すべき基板上の凹陥部が簡単 に且つ短時間で、しかも深さに関して高精度で形成され得ることにより、低コス トで製造され得る極めて優れたチップLEDが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案によるチップLEDの一実施例を示す概
略斜視図である。
【図2】図1のチップLEDの概略断面図である。
【図3】本考案によるチップLEDの他の実施例を示す
要部の斜視図である。
【図4】従来のチップLEDの一例を示す概略断面図で
ある。
【図5】従来のチップLEDの他の例を示す概略断面図
である。
【符号の説明】
10 チップLED 11 基板 11a 第一の基板層 11b 第二の基板層 12 凹陥部 13 LEDチップ 14 樹脂モールド部 20 チップLED 21 基板 21a 第一の基板層 21b 第二の基板層 22 凹陥部 23 LEDチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 美川 敏晴 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)考案者 野村 直史 神奈川県横浜市緑区東方町1149 (72)考案者 伊藤 多計夫 神奈川県横浜市緑区鉄町1034−1

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板の中央に設けられた凹陥
    部内に載置されたLEDチップと、基板上でLEDチッ
    プを覆うように透明樹脂により成形された樹脂モールド
    部とを含んでいる表面実装型チップLEDにおいて、 上記基板が、孔なしの第一の基板層と、該第一の基板層
    の上に重ねて貼り合わされた凹陥部の形状の貫通孔を有
    する第二の基板層とから構成されていることを特徴とす
    る、チップLED。
JP1992050183U 1992-06-25 1992-06-25 チップled Expired - Lifetime JP2579936Y2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193579A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Toshiba Corp 光半導体装置
JPS6436878U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06

Patent Citations (2)

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