JPH0673388B2 - 単一軸モード半導体レーザ - Google Patents
単一軸モード半導体レーザInfo
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- JPH0673388B2 JPH0673388B2 JP58207038A JP20703883A JPH0673388B2 JP H0673388 B2 JPH0673388 B2 JP H0673388B2 JP 58207038 A JP58207038 A JP 58207038A JP 20703883 A JP20703883 A JP 20703883A JP H0673388 B2 JPH0673388 B2 JP H0673388B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は製作が容易な単一軸モード半導体レーザに関す
る。
る。
光ファイバの低損失化に伴い100Kmを越える長距離かつ
大容量の光ファイバ通信の実験検討が行なわれている。
この様な伝送システムでは光ファイバの波長分散が問題
となってくるため光源としての半導体レーザには高速変
調時においても単一軸モード動作が要求される。分布帰
還形（DFB）レーザ、分布ブラッグ反射形（DBR）レーザ
など内部に波長選択機構を有する半導体レーザの研究・
開発が進められている。特にDFBレーザは構造が単純で
かつ、共振器長も従来のファブリー・ペロー（Fabry-Pe
rot）形半導体レーザと同等の長さを有し生産性に優れ
るため特に重点的に検討が進められている。DFBレーザ
では、内部の回折格子によるDFBモードの発振動作を安
定に行うために、両端面によるファブリー・ペロー（Fa
bry-Perot）共振器での発振動作を極力抑制する必要が
ある。従って従来、昭和58年９月に行われた電子通信学
会半導体・材料部門全国大会のS55で、北村等によって
発表された様に、共振器の片端面を斜めに形成し、反射
率を１％以下にまで低くした構造や、昭和57年８月に行
われた電子通信学会光・電波部門全国大会の278で宇高
らによって報告された活性層の片側を途切らせて結晶中
に埋め込む構造が検討されて来た。しかしこれらの構造
は、作製が難しい、またレーザ発振動作を行っている時
のモニタ光が取りづらい等の欠点を有していた。
大容量の光ファイバ通信の実験検討が行なわれている。
この様な伝送システムでは光ファイバの波長分散が問題
となってくるため光源としての半導体レーザには高速変
調時においても単一軸モード動作が要求される。分布帰
還形（DFB）レーザ、分布ブラッグ反射形（DBR）レーザ
など内部に波長選択機構を有する半導体レーザの研究・
開発が進められている。特にDFBレーザは構造が単純で
かつ、共振器長も従来のファブリー・ペロー（Fabry-Pe
rot）形半導体レーザと同等の長さを有し生産性に優れ
るため特に重点的に検討が進められている。DFBレーザ
では、内部の回折格子によるDFBモードの発振動作を安
定に行うために、両端面によるファブリー・ペロー（Fa
bry-Perot）共振器での発振動作を極力抑制する必要が
ある。従って従来、昭和58年９月に行われた電子通信学
会半導体・材料部門全国大会のS55で、北村等によって
発表された様に、共振器の片端面を斜めに形成し、反射
率を１％以下にまで低くした構造や、昭和57年８月に行
われた電子通信学会光・電波部門全国大会の278で宇高
らによって報告された活性層の片側を途切らせて結晶中
に埋め込む構造が検討されて来た。しかしこれらの構造
は、作製が難しい、またレーザ発振動作を行っている時
のモニタ光が取りづらい等の欠点を有していた。
本発明は、DFBレーザの上記の様なファブリー・ペロー
（Fabry-Perot）抑制構造を改善し、モニタ光を取り出
すことが可能でかつまた、微分量子効率の増大、光出力
の増大を図ることができる構造の単一軸モード半導体レ
ーザを提供するものである。
（Fabry-Perot）抑制構造を改善し、モニタ光を取り出
すことが可能でかつまた、微分量子効率の増大、光出力
の増大を図ることができる構造の単一軸モード半導体レ
ーザを提供するものである。
本発明によれば活性層近傍に周期的凹凸より成る回折格
子が形成された分布帰還形半導体レーザにおいて両方の
端面が劈開で形成され、かつどちらか一方の端面のみ
に、反射防止膜が、前記反射防止膜内での発振波長の 、（ｍは正の整数）の厚さで形成されていることを特徴
とする単一軸モード半導体レーザが得られる。
子が形成された分布帰還形半導体レーザにおいて両方の
端面が劈開で形成され、かつどちらか一方の端面のみ
に、反射防止膜が、前記反射防止膜内での発振波長の 、（ｍは正の整数）の厚さで形成されていることを特徴
とする単一軸モード半導体レーザが得られる。
実施例を説明する前に本発明の基本概念を簡単に説明す
る。第１図は従来例の片端面を斜めに形成したDFBレー
ザの断面の模式図である。（001）面のｎ形InP基板１上
に回折格子100その上にｎ形InGaAsP光ガイド層２（発光
波長にして1.10μｍ組成）、ノンドープInGaAsP活性層
３（発光波長にして1.30μｍ組成）、Ｐ形InPクラッド
層４が積層されている。紙面左側の端面は劈開で形成さ
れ、紙面右側の端面はエッチングにより〈111〉Ａ面が
出ている約54°の斜めに形成されている。この構造で
は、紙面右側に進行した光は端面が斜めであるため端面
でｎ形InP基板１の方へと反射される。従って両端面の
共振器によるファブリー・ペロー（Fabry-Perot）モー
ドは抑制されるため、内部に形成された回折格子100に
よって反射された光によるDFBモードでの発振が起き
る。この時、右側の端面での反射率は実質的に小さくな
っているため、注入電流−光出力の特性は、第２図に示
す様になる。光導波路に対する反射率は斜めの右側の端
面よりも、垂直な左側の端面の方が大きいために、左側
の端面からの微分量子効率は右側の端面のそれよりも小
さくなる。ところが右側の端面からの光はｎ形InP基板
１の方に反射されるため、信号光やモニタ光として取り
出すことが難しく、信号光としては左側から出射する微
分量子効率の低い光を利用していた。従って片方の端面
での反射率を小さく抑制できかつこの端面からの光を信
号光として取り出すことができれば実効的にDFBレーザ
の特性を向上させることができる。第３図は本発明の基
本構造を示す断面模式図である。第１図の従来例と異な
る点は、紙面右側の端面が劈開面でありかつ反射防止膜
200が、膜内での発振波長の1/4（又は m;正の整数）倍の厚さで形成されている点である。
る。第１図は従来例の片端面を斜めに形成したDFBレー
ザの断面の模式図である。（001）面のｎ形InP基板１上
に回折格子100その上にｎ形InGaAsP光ガイド層２（発光
波長にして1.10μｍ組成）、ノンドープInGaAsP活性層
３（発光波長にして1.30μｍ組成）、Ｐ形InPクラッド
層４が積層されている。紙面左側の端面は劈開で形成さ
れ、紙面右側の端面はエッチングにより〈111〉Ａ面が
出ている約54°の斜めに形成されている。この構造で
は、紙面右側に進行した光は端面が斜めであるため端面
でｎ形InP基板１の方へと反射される。従って両端面の
共振器によるファブリー・ペロー（Fabry-Perot）モー
ドは抑制されるため、内部に形成された回折格子100に
よって反射された光によるDFBモードでの発振が起き
る。この時、右側の端面での反射率は実質的に小さくな
っているため、注入電流−光出力の特性は、第２図に示
す様になる。光導波路に対する反射率は斜めの右側の端
面よりも、垂直な左側の端面の方が大きいために、左側
の端面からの微分量子効率は右側の端面のそれよりも小
さくなる。ところが右側の端面からの光はｎ形InP基板
１の方に反射されるため、信号光やモニタ光として取り
出すことが難しく、信号光としては左側から出射する微
分量子効率の低い光を利用していた。従って片方の端面
での反射率を小さく抑制できかつこの端面からの光を信
号光として取り出すことができれば実効的にDFBレーザ
の特性を向上させることができる。第３図は本発明の基
本構造を示す断面模式図である。第１図の従来例と異な
る点は、紙面右側の端面が劈開面でありかつ反射防止膜
200が、膜内での発振波長の1/4（又は m;正の整数）倍の厚さで形成されている点である。
反射防止膜200の膜厚ｔが、膜内の波長（λ＝λ０/n;λ
０は空気中の光の波長、ｎは反射防止膜の屈折率）の の時、反射防止膜200と半導体の界面及び反射防止膜200
と空気との界面で反射される光の位相は互いに逆位相と
なるため、２つの反射光は互いに相殺され、結果的に非
常に低反射率な端面が形成される。膜の屈折率ｎは、半
導体の屈折率n0とした時、１＜ｎ＜n0を満たす必要があ
り、光の反射をより効果的に抑制するためには、ｎは の値に等しいことが理想とされるが、これに近い値であ
ればよい。この様にすると、ファブリー・ペロー（Fabr
y-Perot）モードは抑制されかつ、右側の反射率の小さ
な端面からの高い微分量子効率の光を信号光として取り
出すことができる。従来半導体レーザの端面に反射防止
膜を施す方法は一般に知られていたが、その内部には回
折格子など端面での反射に代わる反射手段を有していな
かった。従って、単に反射防止膜を施すのみでは発振閾
値を増大させるという特性を悪くする結果になった。し
かしDFBレーザでは内部に回折格子を有するため端面に
反射防止膜を施しても発振閾値を増大させることはな
い。即ち半導体レーザの内部に端面での反射に代わる反
射手段を有する場合において、端面反射防止膜は素子特
性の向上に有効に作用する。
０は空気中の光の波長、ｎは反射防止膜の屈折率）の の時、反射防止膜200と半導体の界面及び反射防止膜200
と空気との界面で反射される光の位相は互いに逆位相と
なるため、２つの反射光は互いに相殺され、結果的に非
常に低反射率な端面が形成される。膜の屈折率ｎは、半
導体の屈折率n0とした時、１＜ｎ＜n0を満たす必要があ
り、光の反射をより効果的に抑制するためには、ｎは の値に等しいことが理想とされるが、これに近い値であ
ればよい。この様にすると、ファブリー・ペロー（Fabr
y-Perot）モードは抑制されかつ、右側の反射率の小さ
な端面からの高い微分量子効率の光を信号光として取り
出すことができる。従来半導体レーザの端面に反射防止
膜を施す方法は一般に知られていたが、その内部には回
折格子など端面での反射に代わる反射手段を有していな
かった。従って、単に反射防止膜を施すのみでは発振閾
値を増大させるという特性を悪くする結果になった。し
かしDFBレーザでは内部に回折格子を有するため端面に
反射防止膜を施しても発振閾値を増大させることはな
い。即ち半導体レーザの内部に端面での反射に代わる反
射手段を有する場合において、端面反射防止膜は素子特
性の向上に有効に作用する。
次に本発明の実施例を第４図の斜視図で示す。
まず作製法を示すと、（001）面のｎ型InP基板１の上に
〈110〉方向に、周期4000Åで繰り返す深さ1500Åの回
折格子100を全面に形成する。これはHe−Cdレーザの425
0Åの発振光を用いた２光束干渉露光法で作製した。こ
の基板の上に、成長温度590℃の液相成長により、回折
格子100の山の上からの厚さで0.1μｍのｎ型InGaAsP光
ガイド層２（Snドープ、キャリア濃度１×1018cm-3、発
光波長にして1.10μｍ組成）、厚さ0.1μｍのノンドー
プInGaAsP活性層３（発光波長にして1.30μｍ組成）、
厚さ１μｍのＰ形InPクラッド層４（Znドープ、キャリ
ア濃度１×1018cm-3）を連続して積層する。次に、通常
のフォトリングラフィとBr−メタノールを用いたメサエ
ッチングにより〈110〉方向に２本の幅10μｍ、深さ３
μｍの溝51,52を形成する。これに挟まれて、内部に幅
1.5μｍの幅の活性層３を有するメサストライプ50が形
成される。次に２回目の液相成長工程で最初にＰ形InP
電流ブロック層５（Znドープ、キャリア濃度２×1018cm
-3、平坦部での厚さ0.5μｍ）ｎ形InP電流閉じ込め層６
（Teドープ、キャリア濃度５×1018cm-3、平坦部での厚
さ0.5μｍ）をメサストライプ50の上部には積層させな
い様に成長し、次にＰ形InP埋め込み層７（Znドープ、
キャリア濃度１×1018cm-3、平坦部での厚さ1.5μ
ｍ）、Ｐ形InGaAsPキャップ層８（Znドープ、キャリア
濃度、１×1019cm-3）を全面に亘って積層する。SiO2膜
60を5000Åの厚さでCVDで形成した後、メサストライプ5
0の上部を幅10μｍのストライプ30の形状で抜きその上
にTi/Pt/Au膜を連続して蒸着しＰ側電極20とする。全体
を約100μｍの厚さにした後、ｎ形InP基板１側にAu/Ge/
Ni膜を蒸着しｎ側電極21とする。ウェハを劈開して素子
が20個程形成されている棒をつくり、この片端面301に
プラズマCVDにより2000Åの厚さのSi3N4の反射防止膜20
0を形成する。2000Åの膜厚は1.30μｍの光の反射防止
膜200内での1/4波長に相当するため蒸着された端面の反
射率は、２％程度以下と、Si3N4膜を形成しない場合の
約30％に比べ非常に小さくすることができた。この棒か
ら素子を切り出し、ダイアモンドヒートシンクにＰ側を
下側にして融着した。
〈110〉方向に、周期4000Åで繰り返す深さ1500Åの回
折格子100を全面に形成する。これはHe−Cdレーザの425
0Åの発振光を用いた２光束干渉露光法で作製した。こ
の基板の上に、成長温度590℃の液相成長により、回折
格子100の山の上からの厚さで0.1μｍのｎ型InGaAsP光
ガイド層２（Snドープ、キャリア濃度１×1018cm-3、発
光波長にして1.10μｍ組成）、厚さ0.1μｍのノンドー
プInGaAsP活性層３（発光波長にして1.30μｍ組成）、
厚さ１μｍのＰ形InPクラッド層４（Znドープ、キャリ
ア濃度１×1018cm-3）を連続して積層する。次に、通常
のフォトリングラフィとBr−メタノールを用いたメサエ
ッチングにより〈110〉方向に２本の幅10μｍ、深さ３
μｍの溝51,52を形成する。これに挟まれて、内部に幅
1.5μｍの幅の活性層３を有するメサストライプ50が形
成される。次に２回目の液相成長工程で最初にＰ形InP
電流ブロック層５（Znドープ、キャリア濃度２×1018cm
-3、平坦部での厚さ0.5μｍ）ｎ形InP電流閉じ込め層６
（Teドープ、キャリア濃度５×1018cm-3、平坦部での厚
さ0.5μｍ）をメサストライプ50の上部には積層させな
い様に成長し、次にＰ形InP埋め込み層７（Znドープ、
キャリア濃度１×1018cm-3、平坦部での厚さ1.5μ
ｍ）、Ｐ形InGaAsPキャップ層８（Znドープ、キャリア
濃度、１×1019cm-3）を全面に亘って積層する。SiO2膜
60を5000Åの厚さでCVDで形成した後、メサストライプ5
0の上部を幅10μｍのストライプ30の形状で抜きその上
にTi/Pt/Au膜を連続して蒸着しＰ側電極20とする。全体
を約100μｍの厚さにした後、ｎ形InP基板１側にAu/Ge/
Ni膜を蒸着しｎ側電極21とする。ウェハを劈開して素子
が20個程形成されている棒をつくり、この片端面301に
プラズマCVDにより2000Åの厚さのSi3N4の反射防止膜20
0を形成する。2000Åの膜厚は1.30μｍの光の反射防止
膜200内での1/4波長に相当するため蒸着された端面の反
射率は、２％程度以下と、Si3N4膜を形成しない場合の
約30％に比べ非常に小さくすることができた。この棒か
ら素子を切り出し、ダイアモンドヒートシンクにＰ側を
下側にして融着した。
次に素子特性を述べる。発振閾値は30mA、微分量子効率
は、反射防止膜200が形成された面301から出射する光で
は35％、他の面300では15％であった。従来のDFBレーザ
からの出射光の微分量子効率の最大値が28％程度である
からこれを大幅に上回る特性を得た。また最大光出力は
50mWを越える値が得られ、０℃から70℃までの動作温度
の全域で単一軸モード発振であった。また反射防止膜20
0を形成していない端面300からの出射光はモニタ光とし
て使用することができた。
は、反射防止膜200が形成された面301から出射する光で
は35％、他の面300では15％であった。従来のDFBレーザ
からの出射光の微分量子効率の最大値が28％程度である
からこれを大幅に上回る特性を得た。また最大光出力は
50mWを越える値が得られ、０℃から70℃までの動作温度
の全域で単一軸モード発振であった。また反射防止膜20
0を形成していない端面300からの出射光はモニタ光とし
て使用することができた。
以上の様に、反射防止膜200を形成し反射率を低くした
面301からの光出力を信号光として取り出すことで実効
的にDFBレーザの特性を向上させることができることが
わかる。また片端面に反射防止膜200を形成せず両端面
を劈開のままで素子特性を評価してみるて、25℃では25
mW程度の光出力の時にファブリー・ペロー（Fabry-Pero
t）モードが発振し、また50℃程度の温度にすると、5mW
程度の光出力時にファブリー・ペロー（Fabry-Perot）
モードが発振した。従って、反射防止膜200がない場合
にはファブリー・ペロー（Fabry-Perot）モードが十分
に抑制されていないことがわかった。
面301からの光出力を信号光として取り出すことで実効
的にDFBレーザの特性を向上させることができることが
わかる。また片端面に反射防止膜200を形成せず両端面
を劈開のままで素子特性を評価してみるて、25℃では25
mW程度の光出力の時にファブリー・ペロー（Fabry-Pero
t）モードが発振し、また50℃程度の温度にすると、5mW
程度の光出力時にファブリー・ペロー（Fabry-Perot）
モードが発振した。従って、反射防止膜200がない場合
にはファブリー・ペロー（Fabry-Perot）モードが十分
に抑制されていないことがわかった。
上記実施例では、回折格子100をｎ形InP基板１の上に形
成したが、最初に平坦なｎ形InP基板の上に活性層３及
びＰ形のInGaAsP光ガイド層２を形成し、この光ガイド
層２の上に回折格子100を形成する構造であっても良
い。この場合の素子特性は本発明の実施例とほぼ同じで
あった。また、上記実施例では、InPに格子整合したInG
aAsP系の材料を用いたが、InPを基板とするAlGaInAs
や、GaAsを基板とするAlGaAsやInGaAsPの材料を用いる
こともできる。埋め込み構造であったが、他の構造、例
えば、プレーナ構造等に適用できる。すなわち本発明は
ストライプ構造には左右されない。
成したが、最初に平坦なｎ形InP基板の上に活性層３及
びＰ形のInGaAsP光ガイド層２を形成し、この光ガイド
層２の上に回折格子100を形成する構造であっても良
い。この場合の素子特性は本発明の実施例とほぼ同じで
あった。また、上記実施例では、InPに格子整合したInG
aAsP系の材料を用いたが、InPを基板とするAlGaInAs
や、GaAsを基板とするAlGaAsやInGaAsPの材料を用いる
こともできる。埋め込み構造であったが、他の構造、例
えば、プレーナ構造等に適用できる。すなわち本発明は
ストライプ構造には左右されない。
最後に本発明の特徴をまとめると、DFBレーザの片側の
端面を、反射防止膜を施した劈開面とすることにより、
高い微分量子効率、及び高い光出力が得られること、ま
た従来のファブリー・ペロー（Fabry-Perot）形半導体
レーザと同様に劈開で端面を形成できるから作製が容易
であること等である。
端面を、反射防止膜を施した劈開面とすることにより、
高い微分量子効率、及び高い光出力が得られること、ま
た従来のファブリー・ペロー（Fabry-Perot）形半導体
レーザと同様に劈開で端面を形成できるから作製が容易
であること等である。
第１図は従来例の構造の断面模式図、第２図は従来例構
造の素子の注入電流−光出力特性を示す図、第３図は本
発明の構造の断面模式図、第４図は本発明の実施例を示
す斜視図である。 図中、１はｎ形InP基板、２はｎ形InGaAsP光ガイド層、
３はノンドープInGaAsP活性層、４はＰ形InPクラッド
層、６はＰ形InP電流ブロック層、７はｎ形InP電流閉じ
込め層、８はＰ形InP埋め込み層、９はＰ形InGaAsPキャ
ップ層、20はＰ側電極、21はｎ側電極、30はSiO2膜60が
剥離されたストライプ領域、50はメサストライプ、51,5
2は平行な２本の溝、100は回折格子、200は反射防止
膜、300、301は劈開端面である。
造の素子の注入電流−光出力特性を示す図、第３図は本
発明の構造の断面模式図、第４図は本発明の実施例を示
す斜視図である。 図中、１はｎ形InP基板、２はｎ形InGaAsP光ガイド層、
３はノンドープInGaAsP活性層、４はＰ形InPクラッド
層、６はＰ形InP電流ブロック層、７はｎ形InP電流閉じ
込め層、８はＰ形InP埋め込み層、９はＰ形InGaAsPキャ
ップ層、20はＰ側電極、21はｎ側電極、30はSiO2膜60が
剥離されたストライプ領域、50はメサストライプ、51,5
2は平行な２本の溝、100は回折格子、200は反射防止
膜、300、301は劈開端面である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−50593（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−44785（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−100488（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】活性層近傍に周期的凹凸より成る回折格子
が形成された分布帰還形半導体レーザにおいて、両方の
端面が劈開で形成され、かつどちらか一方の端面のみ
に、反射防止膜が、前記反射防止膜内での発振波長の （ｍは正の整数）の厚さで形成されていることを特徴と
する単一軸モード半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207038A JPH0673388B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 単一軸モード半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207038A JPH0673388B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 単一軸モード半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098693A JPS6098693A (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0673388B2 true JPH0673388B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16533173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58207038A Expired - Lifetime JPH0673388B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 単一軸モード半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673388B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189979A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型レーザ装置 |
| NL8801667A (nl) * | 1988-07-01 | 1990-02-01 | Philips Nv | Fi - coating voor dfb/dbr laserdiodes. |
| JP2845997B2 (ja) * | 1989-10-31 | 1999-01-13 | キヤノン株式会社 | 外部共振器型レーザ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022838B2 (ja) * | 1979-10-02 | 1985-06-04 | 三菱電機株式会社 | レ−ザダイオ−ド |
| JPS5844785A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58207038A patent/JPH0673388B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6098693A (ja) | 1985-06-01 |
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