JPS6022838B2 - レ−ザダイオ−ド - Google Patents

レ−ザダイオ−ド

Info

Publication number
JPS6022838B2
JPS6022838B2 JP54127636A JP12763679A JPS6022838B2 JP S6022838 B2 JPS6022838 B2 JP S6022838B2 JP 54127636 A JP54127636 A JP 54127636A JP 12763679 A JP12763679 A JP 12763679A JP S6022838 B2 JPS6022838 B2 JP S6022838B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
layer
laser
distributed feedback
waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54127636A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5650593A (en
Inventor
三郎 高宮
博文 浪崎
渉 須崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP54127636A priority Critical patent/JPS6022838B2/ja
Publication of JPS5650593A publication Critical patent/JPS5650593A/ja
Publication of JPS6022838B2 publication Critical patent/JPS6022838B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207—Substrates having a special shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はしーザダィオ一日こ関し、特にし−ザ光の波
長をダイオードの構造によって制御するようにしたレー
ザダィオードに係わるものであるｑ従来のこの種の技術
としては、分布帰還形および表面弾性波による分布帰還
形レーザが知られている。
こ）で分布帰還形レーザは、レーザの導波機内に光の伝
播方向に沿って屈折率が周期的に変化するようにし、こ
れによって光の帰還を行ない、共振器と等価な効果を実
現しているものであり、前記屈折率の周期的変化を形成
させる従来の方法には２通りある。
そのうちの１つは、導波路内に２種の屈折率の異なる材
料を層状に配置させ、かつ各々の層の厚さが光の伝播方
向に沿って周期的に変化するように成形することで、導
波路の屈折率を光の伝播方向に沿い周期的に変化させる
ようにしたもので、通常は単に分布帰還形レーザと呼ば
れている。また他の１つは、光弾性現象を利用し、結晶
が機械的応力によって歪むときにその屈折率も変化する
のを利用したもの、すなわち光導波路内に結晶の周期的
歪みを形成するように弾性波を印加して、この弾性波の
波長に応じ光導波路内の屈折率が周期的に変化するよう
にしたもので、これは一般に弾性波による分布帰還形レ
ーザと呼ばれている。しかし乍らこのような分布帰還形
レーザのうち、前者の場合には、屈折率の異なる２種以
上の材料で、導波路内の屈折率を直接的に変えるわけで
あるが、レーザダィオードの導波路の断面寸法は、例え
ば０．５〃ｍ×２仏ｍというように極めて微４・である
ために、実際の製作につき、極めて精細な技術を必要と
し製造上に問題があり、また後者の場合には、弾性波を
形成するための電極を備える構造にしなければならない
ほか、弾性波励振のための電源が必要であるなどの実用
上の難点がある。
この発明はこのような従来の分布帰還形レーザの欠点を
改善しようとするもので、作り付けの応力を光の伝播方
向に沿い周期的に形成させることにより、製造が容易で
しかも実用上も難点のない分布帰還形レーザを提供する
ものである。
以下、この発明に係わる分布帰還形レーザの実施例につ
き、添付図面を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示し、この第１図におい
て、１，２および３は各々活性層、クラッド層およびコ
ンタクト層であり、また４はろう付け部５によってコン
タクト層３に結合されたヒートシンク、６は努開端面、
７はコンタクト層３のろう付け部５側に定間隔で形成さ
れた各々溝である。
この構造において、今、コンタクト層３とヒ−トシンク
４との熱岬彰張係数が異なると、ろう付け時の高温によ
り両者の間には、低温、例えば室温にあって、収縮率の
相違に基ずく応力が残ることになる。
こ）で図のように各溝７をあらかじめ一定の間隔で設け
ておくと、前記応力は溝７の間隔を一周期として空間的
に周期的な応力場が形成されることになり、かっこの応
力場に対応して結晶に歪みを生じ、結果的には応力場と
同一周期をもつ歪み場が形成されることになる。そして
その歪みの範囲は、各溝７を中心として図に点線で示し
たとおりに、活性層１にも及ぶために、この活性層１を
導波路としても用いる一般のレーザダィオードであれば
、導波路内に光の伝播方向に沿った周期的な屈折率分布
が形成されるのである。すなわち、この実施例において
は構造的に、レーザ光の伝播方向に沿って周期的な作り
付けの応力場が形成されるのである。また第２図はこの
ように作り付けの応力場を形成したレーザダィオードの
発振スペクトルの例を示し、ＧａＡ〆Ａｓを材料として
、前記第１図に示した構造で、努開端面間隔８００ムｍ
、溝間隔２００山ｍとした場合である。
この第２図において、破線は長さ２００舷ｍの等価的共
振器のモードに対応するスペクトルを、また実線は８０
０ｒｍの共振器に対応するスペクトルを各々に示してお
り、８００山ｍの共振器の共振スペクトルのうち、２０
０山ｍの等価的共振器による共振モードと一致する波長
だけが強く励振されているのがわかる。またこの図から
明らかなように、男開端面を共振面とするモードと、溝
間隔を等価的な共振面とするモードとで同時に発振を起
しているが、男関端面に反射防止膜をつけるなどして、
この男関端面が共振面として働かないようにすれば、溝
間隔を等価的共振面とするモードのみで発振することは
述べるまでもない。このようにして第２図にスペクトル
を示したレーザダィオードの場合、長さ８００Ａｍの導
波路の中間に３ヶ所の溝を入れた）、けで、特に製造上
何らの微細な加工技術を要することなし分布帰還による
効果が得られるのである。以上詳述したようにこの発明
によるときは、レーザダィオード‘こ必ずしも微細な加
工技術を必要とせず、また表面弾性波を発生させるよう
な余分の機構を付加することもないこ、安定した新規形
式の分布帰還形レーザダィオードを提供し得るものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係わるレーザダィオードの各別の実
施例による構成の概要を示す各々断面図、第２図はこの
発明の効果を説明するためのスペクトル図である。 １１・・・活性層、２・・・・クラッド層、３・・・・
コンタクト層、４・・・・ヒートシンク、５・・・・ろ
う付け部、６・・・・男開端面、７・・・・溝。 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 活性層をクラツド層で挟み、さらにこのクラツド層
    をコンタクト層で挟んだ構造を含むレーザダイオードに
    おいて、前記コンタクト層のうちの外部基台にろう付け
    される側の面に、レーザ光伝播方向に垂直な方向に延び
    る溝をレーザ光伝播方向に一定の間隔で設けたことを特
    徴とするレーザダイオード。
JP54127636A 1979-10-02 1979-10-02 レ−ザダイオ−ド Expired JPS6022838B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54127636A JPS6022838B2 (ja) 1979-10-02 1979-10-02 レ−ザダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54127636A JPS6022838B2 (ja) 1979-10-02 1979-10-02 レ−ザダイオ−ド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5650593A JPS5650593A (en) 1981-05-07
JPS6022838B2 true JPS6022838B2 (ja) 1985-06-04

Family

ID=14964990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP54127636A Expired JPS6022838B2 (ja) 1979-10-02 1979-10-02 レ−ザダイオ−ド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6022838B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0673388B2 (ja) * 1983-11-04 1994-09-14 日本電気株式会社 単一軸モード半導体レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5650593A (en) 1981-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03185772A (ja) ミニアチュア光源およびその構成方法
CN115189212A (zh) 一种相干阵光纤激光器结构
JP2008060445A (ja) 発光素子
EP0562173A1 (en) Semiconductor optical device
CN106233175A (zh) 光栅元件及外部谐振器型发光装置
JP2005057043A (ja) 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
US5497387A (en) Solid-state laser using wedge-shaped optical member, and method for manufacturing the same
JP3053273B2 (ja) 半導体励起固体レーザ
JP2012074445A (ja) 波長可変レーザ
JPH01291480A (ja) 外部共振器付半導体レーザ
JPH0431195B2 (ja)
JPH04138427A (ja) 光波長フィルタ装置
JPS61290787A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPH0147031B2 (ja)
JPH11298068A (ja) 固体レーザ装置の実装基板
JPS6123383A (ja) 半導体レ−ザ
KR100360474B1 (ko) 제2고조파발생장치
JP4582289B2 (ja) 半導体レーザー
JPH0414024A (ja) ２次高調波発生デバイス
JPH0266985A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JPS6295886A (ja) 分布帰還構造半導体レ−ザ
JP2665024B2 (ja) 半導体レーザ
JPS63211784A (ja) 量子井戸型半導体レ−ザ
JPH01161886A (ja) 半導体レーザ
JPH07307507A (ja) 固体レーザ