JPH0675129A - 光導波路装置及びその製造方法 - Google Patents
光導波路装置及びその製造方法Info
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- JPH0675129A JPH0675129A JP22748392A JP22748392A JPH0675129A JP H0675129 A JPH0675129 A JP H0675129A JP 22748392 A JP22748392 A JP 22748392A JP 22748392 A JP22748392 A JP 22748392A JP H0675129 A JPH0675129 A JP H0675129A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導波路２の光射出側の端面２Ｂを基板１の
端面１Ｂより内側に設けて不要な戻り光を低減化する場
合に、その端面１Ｂ、２Ｂ間の間隔をより簡単に精度良
く制御できるようにして、再現性及び生産性の向上をは
かる。 【構成】 基板１の一主面１Ｓ上にこの基板１に対して
高屈折率の光導波路２を形成して、この光導波路２の光
射出側の端面２Ｂを基板１の光射出側の端面１Ｂに対し
て内側に設け、光導波路２の端面２Ｂから射出されたレ
ーザ光を基板１内に発散させ、基板１の端面１Ｂから射
出光として射出させる光導波路装置において、基板１の
主面１Ｓ上に目盛り３を形成して構成する。
端面１Ｂより内側に設けて不要な戻り光を低減化する場
合に、その端面１Ｂ、２Ｂ間の間隔をより簡単に精度良
く制御できるようにして、再現性及び生産性の向上をは
かる。 【構成】 基板１の一主面１Ｓ上にこの基板１に対して
高屈折率の光導波路２を形成して、この光導波路２の光
射出側の端面２Ｂを基板１の光射出側の端面１Ｂに対し
て内側に設け、光導波路２の端面２Ｂから射出されたレ
ーザ光を基板１内に発散させ、基板１の端面１Ｂから射
出光として射出させる光導波路装置において、基板１の
主面１Ｓ上に目盛り３を形成して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路装置及びその製
造方法に係わる。
造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザから射出されたレーザ光を
基板上に形成された光導波路を介して伝搬し、移動体や
振動体等の被測定対象にレーザ光を導く光導波路装置と
して、例えば本出願人の出願に係る特開平面表示装置４
─１１０９０５号公開公報に、図７に示す構成のものが
用いられている。
基板上に形成された光導波路を介して伝搬し、移動体や
振動体等の被測定対象にレーザ光を導く光導波路装置と
して、例えば本出願人の出願に係る特開平面表示装置４
─１１０９０５号公開公報に、図７に示す構成のものが
用いられている。
【０００３】図７において１は例えばニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3 、ＬＮ）等より成る基板で、この上にＴ
ｉ拡散等によって高屈折率の光導波路２が基板１の一方
の端面１Ａから、他方の端面１Ｂに向かって帯状に形成
される。この場合光導波路２の光入射側の端面２Ａと基
板１の端面１Ａとは同一面とされるが、光導波路２の光
射出側端面２Ｂは基板１の光射出側の端面１Ｂより内側
に埋め込まれるようにパターニング形成される。
（ＬｉＮｂＯ3 、ＬＮ）等より成る基板で、この上にＴ
ｉ拡散等によって高屈折率の光導波路２が基板１の一方
の端面１Ａから、他方の端面１Ｂに向かって帯状に形成
される。この場合光導波路２の光入射側の端面２Ａと基
板１の端面１Ａとは同一面とされるが、光導波路２の光
射出側端面２Ｂは基板１の光射出側の端面１Ｂより内側
に埋め込まれるようにパターニング形成される。
【０００４】そしてＨｅ−Ｎｅ等のレーザ４からのレー
ザ光Ｌi0をレンズ等より成る集光系５を介して光導波路
２の入射側端面２Ａに矢印Ｌi1で示すように入射する
と、光は導波路２を介して射出側の端面２Ｂに伝搬され
る。
ザ光Ｌi0をレンズ等より成る集光系５を介して光導波路
２の入射側端面２Ａに矢印Ｌi1で示すように入射する
と、光は導波路２を介して射出側の端面２Ｂに伝搬され
る。
【０００５】射出側端面２Ｂから射出されたレーザ光は
基板１中に発散しながら基板１の射出側の端面１Ｂから
レンズ等の集光系６を介して矢印ＬO で示すように射出
され、図示しないが例えば被測定対象に照射される。
基板１中に発散しながら基板１の射出側の端面１Ｂから
レンズ等の集光系６を介して矢印ＬO で示すように射出
され、図示しないが例えば被測定対象に照射される。
【０００６】このとき、光導波路２の射出側の端面２Ｂ
から射出されたレーザ光Ｌ1 の一部は基板１の射出側端
面１Ｂにおいて内部に反射されるが、これによる反射光
Ｌ3は、レーザ光Ｌ1 の入射角と等しい反射角をもって
反射されるため基板１内に拡散されて光導波路２への戻
り光を低減化することができる。
から射出されたレーザ光Ｌ1 の一部は基板１の射出側端
面１Ｂにおいて内部に反射されるが、これによる反射光
Ｌ3は、レーザ光Ｌ1 の入射角と等しい反射角をもって
反射されるため基板１内に拡散されて光導波路２への戻
り光を低減化することができる。
【０００７】更に、このような構成とする場合、光導波
路２と基板１との屈折率の差は１０ -2〜１０-3％程度と
光導波路２と外部（空気）の屈折率差に比し極めて小さ
いことから、この導波路２と基板１との界面２Ｂにおけ
る導波路２側への反射量は格段に低減化され、従前の導
波路構成、即ちこれら端面２Ｂ、１Ｂを同一面とする場
合に比して格段に不要な戻り光を抑制し得る。従って、
この場合戻り光によるレーザ４の発振状態の不安定化を
格段に抑えることができるという利点を有している。
路２と基板１との屈折率の差は１０ -2〜１０-3％程度と
光導波路２と外部（空気）の屈折率差に比し極めて小さ
いことから、この導波路２と基板１との界面２Ｂにおけ
る導波路２側への反射量は格段に低減化され、従前の導
波路構成、即ちこれら端面２Ｂ、１Ｂを同一面とする場
合に比して格段に不要な戻り光を抑制し得る。従って、
この場合戻り光によるレーザ４の発振状態の不安定化を
格段に抑えることができるという利点を有している。
【０００８】ところで、このような基板１の射出側の端
面１Ｂでの反射光による不要な戻り光を効果的に抑制す
るためには、光導波路端面２Ｂと基板１の端面１Ｂとの
距離を数百μｍ程度とし、その誤差を±数十μｍ程度に
抑えて精度良く形成する必要がある。このため現状では
例えばこの端面１Ｂを鏡面研磨する際に研磨時間を制御
する等の方法を採っているが、最終的には端面１Ｂ、２
Ｂ間を顕微鏡等によって測定する必要があり、製造作業
が煩雑となって再現性に劣る場合があり、生産性の低下
を招来するという不都合がある。
面１Ｂでの反射光による不要な戻り光を効果的に抑制す
るためには、光導波路端面２Ｂと基板１の端面１Ｂとの
距離を数百μｍ程度とし、その誤差を±数十μｍ程度に
抑えて精度良く形成する必要がある。このため現状では
例えばこの端面１Ｂを鏡面研磨する際に研磨時間を制御
する等の方法を採っているが、最終的には端面１Ｂ、２
Ｂ間を顕微鏡等によって測定する必要があり、製造作業
が煩雑となって再現性に劣る場合があり、生産性の低下
を招来するという不都合がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うに光導波路２の光射出側の端面２Ｂを基板１の端面１
Ｂより内側に設けて不要な戻り光を低減化する場合に、
その端面１Ｂ、２Ｂ間の間隔をより簡単に制御できるよ
うにして、生産性の向上をはかる。
うに光導波路２の光射出側の端面２Ｂを基板１の端面１
Ｂより内側に設けて不要な戻り光を低減化する場合に、
その端面１Ｂ、２Ｂ間の間隔をより簡単に制御できるよ
うにして、生産性の向上をはかる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、その一例の略
線的斜視図を図１に示すように、基板１の一主面１Ｓ上
にこの基板１に対して高屈折率の光導波路２を形成し
て、この光導波路２の光射出側の端面２Ｂを基板１の光
射出側の端面１Ｂに対して内側に設け、光導波路２の端
面２Ｂから射出されたレーザ光Ｌ1 を基板１内に発散さ
せ、基板１の端面１Ｂから射出光として射出させる光導
波路装置において、基板１の主面１Ｓ上に目盛り３を形
成して構成する。
線的斜視図を図１に示すように、基板１の一主面１Ｓ上
にこの基板１に対して高屈折率の光導波路２を形成し
て、この光導波路２の光射出側の端面２Ｂを基板１の光
射出側の端面１Ｂに対して内側に設け、光導波路２の端
面２Ｂから射出されたレーザ光Ｌ1 を基板１内に発散さ
せ、基板１の端面１Ｂから射出光として射出させる光導
波路装置において、基板１の主面１Ｓ上に目盛り３を形
成して構成する。
【００１１】また本発明は、図２にその一例の略線的斜
視図を示すように、上述の光導波路装置において、少な
くとも基板１の光射出側の端面１Ｂに設けられる補強体
７を光透過性として構成するか、又はこの基板１の裏面
１Ｒを鏡面加工して構成する。
視図を示すように、上述の光導波路装置において、少な
くとも基板１の光射出側の端面１Ｂに設けられる補強体
７を光透過性として構成するか、又はこの基板１の裏面
１Ｒを鏡面加工して構成する。
【００１２】更にまた本発明は、上述の光導波路装置に
おいて、光導波路２を基板１に埋め込む構成とする。
おいて、光導波路２を基板１に埋め込む構成とする。
【００１３】また本発明は、基板１を、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、ガラス又はチタン酸リン酸カ
リウムのうち一種より構成する。
ム、タンタル酸リチウム、ガラス又はチタン酸リン酸カ
リウムのうち一種より構成する。
【００１４】また本発明光導波路装置の製造方法は、そ
の一例の工程図を図３Ａ〜Ｃに示すように、基板１上に
この基板１に対して高屈折率の光導波路２を形成するに
あたって、光導波路２の端面２Ｂを基板１の端面１Ｂに
対して内側に設けて形成すると共に、同時に基板１上
の、光導波路２を形成する面と同一面１Ｓ上に目盛り３
を形成する。
の一例の工程図を図３Ａ〜Ｃに示すように、基板１上に
この基板１に対して高屈折率の光導波路２を形成するに
あたって、光導波路２の端面２Ｂを基板１の端面１Ｂに
対して内側に設けて形成すると共に、同時に基板１上
の、光導波路２を形成する面と同一面１Ｓ上に目盛り３
を形成する。
【００１５】
【作用】上述したように本発明によれば、基板１に目盛
り３を設けて光導波路装置を構成することから、この目
盛り３を研磨量の目安とすることができて、光導波路２
の光射出側の端面２Ｂから基板１の光射出側の端面１Ｂ
までの間隔Ｌを簡単に精度良く測定することができる。
従って、このような光導波路装置の製造の簡易化をはか
って再現性良く導波路を形成することを可能にして、生
産性の向上をはかることができる。
り３を設けて光導波路装置を構成することから、この目
盛り３を研磨量の目安とすることができて、光導波路２
の光射出側の端面２Ｂから基板１の光射出側の端面１Ｂ
までの間隔Ｌを簡単に精度良く測定することができる。
従って、このような光導波路装置の製造の簡易化をはか
って再現性良く導波路を形成することを可能にして、生
産性の向上をはかることができる。
【００１６】またこのような本発明構成において、その
端面の研磨加工の際にはこの研磨による結晶の角部いわ
ゆるエッジの欠けやだれを回避するために、例えば基板
１と同一の材料で端面１Ｂに補強体７が設けられる。特
に本発明においては、少なくともこの補強体７を光透過
性即ち透明で且つその両面を鏡面加工して構成するか、
或いは基板１の裏面１Ｒを鏡面加工することによって、
上述の補強体７を通して、或いは基板１の裏面１Ｒ側か
ら目盛り３を測定することができる。
端面の研磨加工の際にはこの研磨による結晶の角部いわ
ゆるエッジの欠けやだれを回避するために、例えば基板
１と同一の材料で端面１Ｂに補強体７が設けられる。特
に本発明においては、少なくともこの補強体７を光透過
性即ち透明で且つその両面を鏡面加工して構成するか、
或いは基板１の裏面１Ｒを鏡面加工することによって、
上述の補強体７を通して、或いは基板１の裏面１Ｒ側か
ら目盛り３を測定することができる。
【００１７】更にまた本発明は、上述の光導波路装置に
おいて、光導波路２を基板１に埋め込むいわゆる埋め込
み型構成とすることによって、上述したような導波路端
面２Ｂを基板１Ｂの内側に設ける構成をフォトリソグラ
フィ等の適用によって簡単に形成することができる。
おいて、光導波路２を基板１に埋め込むいわゆる埋め込
み型構成とすることによって、上述したような導波路端
面２Ｂを基板１Ｂの内側に設ける構成をフォトリソグラ
フィ等の適用によって簡単に形成することができる。
【００１８】また本発明は、上述の光導波路装置におい
て基板１を、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、
ガラス又はチタン酸リン酸カリウムのうち一種より構成
することにより、プロトン交換法、Ｔｉ拡散法、イオン
交換法等により簡単に導波路２及び目盛り３のパターニ
ングを行うことができる。
て基板１を、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、
ガラス又はチタン酸リン酸カリウムのうち一種より構成
することにより、プロトン交換法、Ｔｉ拡散法、イオン
交換法等により簡単に導波路２及び目盛り３のパターニ
ングを行うことができる。
【００１９】また、上述したように本発明製造方法にお
いては、光導波路２と目盛り３を同時工程で形成するこ
とにより、製造の簡易化をはかって生産性の向上をはか
ることができる。
いては、光導波路２と目盛り３を同時工程で形成するこ
とにより、製造の簡易化をはかって生産性の向上をはか
ることができる。
【００２０】
【実施例】以下本発明実施例を詳細に説明する。この例
においては、基板１の材料としてニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬＮ）結晶基板を用いて、光導波路２をＴ
ｉ拡散法によって、その光射出側の端面２Ｂを基板１の
光射出側の端面１Ｂに対して内側に設け、光導波路２の
端面２Ｂから射出されたレーザ光Ｌ1 を基板１内に発散
させ、基板１の端面１Ｂから射出光として射出させる構
成とすると共に、基板１の主面１Ｓ上に目盛り３を形成
して構成する。この製造方法を図３Ａ〜Ｃを参照して詳
細に説明する。
においては、基板１の材料としてニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬＮ）結晶基板を用いて、光導波路２をＴ
ｉ拡散法によって、その光射出側の端面２Ｂを基板１の
光射出側の端面１Ｂに対して内側に設け、光導波路２の
端面２Ｂから射出されたレーザ光Ｌ1 を基板１内に発散
させ、基板１の端面１Ｂから射出光として射出させる構
成とすると共に、基板１の主面１Ｓ上に目盛り３を形成
して構成する。この製造方法を図３Ａ〜Ｃを参照して詳
細に説明する。
【００２１】先ず図３Ａに示すように、ＬＮより成る基
板１の主面１Ｓ上にフォトレジスト１１を全面的に塗布
する。そして図３Ｂに示すように、例えば導波路パター
ン１２Ａと目盛りパターン１２Ｂとが形成されたマスク
１２を用いて、矢印Ａで示すようにパターン露光を行っ
てレジスト１１のパターニングを行う。その後、例えば
Ｔｉ層を全面的に蒸着、スパッタリング等により被着し
た後リフトオフを行い、図３Ｃに示すように、Ｔｉ等よ
り成る導波路パターン１３Ａ、目盛りパターン１３Ｂを
基板１の主面１Ｓ上に形成する。そしてこれらＴｉ層を
熱拡散して、図１に示すように、例えば幅Ｗが３μｍ程
度の光導波路２と、この導波路２の光射出側の端面２Ｂ
の延長する位置からこの光導波路２の延長する方向に沿
って延長する目盛り３とを基板１の主面１Ｓ上に形成す
ることができる。
板１の主面１Ｓ上にフォトレジスト１１を全面的に塗布
する。そして図３Ｂに示すように、例えば導波路パター
ン１２Ａと目盛りパターン１２Ｂとが形成されたマスク
１２を用いて、矢印Ａで示すようにパターン露光を行っ
てレジスト１１のパターニングを行う。その後、例えば
Ｔｉ層を全面的に蒸着、スパッタリング等により被着し
た後リフトオフを行い、図３Ｃに示すように、Ｔｉ等よ
り成る導波路パターン１３Ａ、目盛りパターン１３Ｂを
基板１の主面１Ｓ上に形成する。そしてこれらＴｉ層を
熱拡散して、図１に示すように、例えば幅Ｗが３μｍ程
度の光導波路２と、この導波路２の光射出側の端面２Ｂ
の延長する位置からこの光導波路２の延長する方向に沿
って延長する目盛り３とを基板１の主面１Ｓ上に形成す
ることができる。
【００２２】また、Ｔｉ層のパターニングは上述のリフ
トオフの他、通常のフォトリソグラフィを利用して形成
することもできる。また、導波路２のパターニングと目
盛り３のパターニングとを別体のマスクを用いて行うな
ど、種々の変更が可能である。
トオフの他、通常のフォトリソグラフィを利用して形成
することもできる。また、導波路２のパターニングと目
盛り３のパターニングとを別体のマスクを用いて行うな
ど、種々の変更が可能である。
【００２３】このように光導波路２と目盛り３とを同一
面上に同時工程で形成することによって、工程数の低減
化をはかり、生産性の向上をはかることができる。
面上に同時工程で形成することによって、工程数の低減
化をはかり、生産性の向上をはかることができる。
【００２４】そして次に、基板１の主面１Ｓ上に、補強
体７をそれぞれその端面が光入射側及び射出側端面に臨
むようにそれぞれ設けて、各端面１Ａ及び１Ｂの研磨を
面出し研磨、粗削り研磨、仕上げ研磨の順に行う。この
場合、補強体７を光透過性とし、例えば基板材料と同一
のＬＮより構成し、その上面と下面を鏡面加工して、目
盛り３をこの補強体７を通して確認できるようにする。
また、光導波路２からの光を散乱させるために通常基板
１の裏面１Ｒは粗面化処理を施されて成るものである
が、この場合この裏面１Ｒを鏡面加工することによっ
て、裏面１Ｒ側から目盛り３を確認できるようにしても
良い。
体７をそれぞれその端面が光入射側及び射出側端面に臨
むようにそれぞれ設けて、各端面１Ａ及び１Ｂの研磨を
面出し研磨、粗削り研磨、仕上げ研磨の順に行う。この
場合、補強体７を光透過性とし、例えば基板材料と同一
のＬＮより構成し、その上面と下面を鏡面加工して、目
盛り３をこの補強体７を通して確認できるようにする。
また、光導波路２からの光を散乱させるために通常基板
１の裏面１Ｒは粗面化処理を施されて成るものである
が、この場合この裏面１Ｒを鏡面加工することによっ
て、裏面１Ｒ側から目盛り３を確認できるようにしても
良い。
【００２５】そして、この仕上げ研磨の際に目盛り３を
測定しながら行って光導波路２の光射出側の端面２Ｂと
基板１の端面１Ｂとの距離Ｌを数百μｍ例えば３００μ
ｍとして形成した。この場合、目盛り３を設けて研磨加
工を行うことから、精密な制御が可能となり、±数十μ
ｍ程度の誤差をもって簡単に精度良く又再生性良く形成
することができた。尚、光導波路２に例えば変調制御の
ための電極を設ける場合は、この端面研磨工程の前に所
要位置に電極を作製する。
測定しながら行って光導波路２の光射出側の端面２Ｂと
基板１の端面１Ｂとの距離Ｌを数百μｍ例えば３００μ
ｍとして形成した。この場合、目盛り３を設けて研磨加
工を行うことから、精密な制御が可能となり、±数十μ
ｍ程度の誤差をもって簡単に精度良く又再生性良く形成
することができた。尚、光導波路２に例えば変調制御の
ための電極を設ける場合は、この端面研磨工程の前に所
要位置に電極を作製する。
【００２６】このように光導波路２を埋込み型構成とす
る場合は、基板材料としてＬＮの他タンタル酸リチウム
（ＬｉＴａＯ3 、ＬＴ）やガラス、チタン酸リン酸カリ
ウム（ＫＴｉＯＰＯ4 、ＫＴＰ）を用いることによっ
て、上述のＴｉ拡散法の他、プロトン交換法、イオン交
換法等により通常のパターニングを利用して目盛り３を
同時に基板１の主面上に形成することができ、研磨作業
及び製造工程の簡易化をはかって生産性の向上をはかる
ことができる。
る場合は、基板材料としてＬＮの他タンタル酸リチウム
（ＬｉＴａＯ3 、ＬＴ）やガラス、チタン酸リン酸カリ
ウム（ＫＴｉＯＰＯ4 、ＫＴＰ）を用いることによっ
て、上述のＴｉ拡散法の他、プロトン交換法、イオン交
換法等により通常のパターニングを利用して目盛り３を
同時に基板１の主面上に形成することができ、研磨作業
及び製造工程の簡易化をはかって生産性の向上をはかる
ことができる。
【００２７】尚、埋込み型光導波路２を、基板１の端面
１Ｂから内側にパターニング形成した後、その両側をエ
ッチング等により除去して、図４に示すように、光導波
路２が基板１から突出するようにリッジ８が設けられた
いわゆるリッジ型の光導波路装置を形成することもでき
る。図４において、図１に対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略する。この場合においても、目盛
りを設けることによって研磨工程の制御性の向上及び製
造の簡易化をはかることができる。
１Ｂから内側にパターニング形成した後、その両側をエ
ッチング等により除去して、図４に示すように、光導波
路２が基板１から突出するようにリッジ８が設けられた
いわゆるリッジ型の光導波路装置を形成することもでき
る。図４において、図１に対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略する。この場合においても、目盛
りを設けることによって研磨工程の制御性の向上及び製
造の簡易化をはかることができる。
【００２８】更に、図５及び図６に示すように、それぞ
れ基板１上にＴｉ拡散法等によって全面的に光導波層２
Ｓを形成した後、ＳｉＯ2 等の誘電体層９又はＡｌ等の
金属層１４を設けて光導波領域を帯状に規制して光導波
路２を構成するいわゆる装荷型構成の光導波路装置を形
成する場合に本発明を適用することもできる。
れ基板１上にＴｉ拡散法等によって全面的に光導波層２
Ｓを形成した後、ＳｉＯ2 等の誘電体層９又はＡｌ等の
金属層１４を設けて光導波領域を帯状に規制して光導波
路２を構成するいわゆる装荷型構成の光導波路装置を形
成する場合に本発明を適用することもできる。
【００２９】図５に示すように、誘電体層９を設ける場
合はその下部の光導波層２Ｓ内に光導波路２が形成され
るが、このとき誘電体層９の端部を基板１の端面からの
距離Ｌが３００μｍ程度となるように内側にパターニン
グ形成し、同時に目盛り３をパターニングすることによ
って、上述の例と同様に研磨工程の制御性の向上及び製
造の簡易化をはかることができる。
合はその下部の光導波層２Ｓ内に光導波路２が形成され
るが、このとき誘電体層９の端部を基板１の端面からの
距離Ｌが３００μｍ程度となるように内側にパターニン
グ形成し、同時に目盛り３をパターニングすることによ
って、上述の例と同様に研磨工程の制御性の向上及び製
造の簡易化をはかることができる。
【００３０】また、金属層１４を設ける場合は、図６に
示すように、この金属層１４が設けられない領域の光導
波層２Ｓ内が光導波路２となるが、この場合においても
光導波路２の両側の金属層１４の端面を、基板１の端面
からの距離Ｌを３００μｍ程度として内側に設ける、同
時に目盛り３をパターニング形成することによって研磨
工程の制御性の向上及び製造の簡易化をはかることがで
きる。
示すように、この金属層１４が設けられない領域の光導
波層２Ｓ内が光導波路２となるが、この場合においても
光導波路２の両側の金属層１４の端面を、基板１の端面
からの距離Ｌを３００μｍ程度として内側に設ける、同
時に目盛り３をパターニング形成することによって研磨
工程の制御性の向上及び製造の簡易化をはかることがで
きる。
【００３１】そしてこのようにして形成した光導波路
を、例えば図７において説明したようにレーザからの入
射光を光導波路２の入射端面２Ａから導入し、射出側端
面２Ｂから基板１を介して射出させ、集光系等を介して
被照射体に照射するようにして、この基板１の射出側端
面１Ｂから光導波路２内への戻り光が低減化された光導
波路装置を得ることができる。
を、例えば図７において説明したようにレーザからの入
射光を光導波路２の入射端面２Ａから導入し、射出側端
面２Ｂから基板１を介して射出させ、集光系等を介して
被照射体に照射するようにして、この基板１の射出側端
面１Ｂから光導波路２内への戻り光が低減化された光導
波路装置を得ることができる。
【００３２】尚、本発明は上述の各例に限定されること
なくその他種々の変形変更をなし得ることはいうまでも
ない。
なくその他種々の変形変更をなし得ることはいうまでも
ない。
【００３３】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば光導波
路端を基板の光射出端面より内側に構成することから、
基板端面における反射光を抑制して戻り光を低減化し、
光源の不安定化を回避すると共に、その製造に当たって
上述したように基板上に目盛りを設けることによって精
密な制御を簡単に行えるようにし、再現性良く光導波路
装置を形成できるようにして生産性の向上をはかること
ができる。
路端を基板の光射出端面より内側に構成することから、
基板端面における反射光を抑制して戻り光を低減化し、
光源の不安定化を回避すると共に、その製造に当たって
上述したように基板上に目盛りを設けることによって精
密な制御を簡単に行えるようにし、再現性良く光導波路
装置を形成できるようにして生産性の向上をはかること
ができる。
【００３４】また端面研磨の際に補強体を光透過性とす
るか、或いは基板１の裏面を鏡面加工とすることによっ
て、目盛りを見やすくし、製造工程の簡易化をはかって
生産性の向上をはかることができる。
るか、或いは基板１の裏面を鏡面加工とすることによっ
て、目盛りを見やすくし、製造工程の簡易化をはかって
生産性の向上をはかることができる。
【００３５】更に、基板材料としてＬＮ、ＬＴ、ガラス
及びＫＴＰを用いて、光導波路２を埋込み型構成とする
ことによって、簡単に光導波路２及び目盛り３をパター
ニング形成できるようにし、製造の簡易化をはかること
ができる。
及びＫＴＰを用いて、光導波路２を埋込み型構成とする
ことによって、簡単に光導波路２及び目盛り３をパター
ニング形成できるようにし、製造の簡易化をはかること
ができる。
【００３６】また更に、光導波路２及び目盛り３を同時
に形成することによって、製造の簡易化をはかり、生産
性の向上をはかることができる。
に形成することによって、製造の簡易化をはかり、生産
性の向上をはかることができる。
【図１】光導波路装置の一例の略線的斜視図である。
【図２】光導波路装置の他の例の略線的斜視図である。
【図３】光導波路装置の製造方法の一例の工程図であ
る。
る。
【図４】光導波路装置の他の例の略線的斜視図である。
【図５】光導波路装置の他の例の略線的斜視図である。
【図６】光導波路装置の他の例の略線的斜視図である。
【図７】従来の光導波路装置の一例の構成図である。
１ 基板 １Ｓ 主面 １Ｒ 裏面 ２ 光導波路 ３ 目盛り ４ レーザ ５ 集光系 ６ 集光系 ７ 補強体 １１ レジスト １２ マスク
フロントページの続き (72)発明者 小松 康俊 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の一主面上に上記基板に対して高屈
折率の光導波路が形成されて成り、上記光導波路の端面
が上記基板の端面に対して内側に設けられ、上記光導波
路の上記端面から射出されたレーザ光を上記基板に発散
させ、上記基板の端面から射出光として射出させる光導
波路装置において、 上記基板の上記主面上に目盛りが形成されて成ることを
特徴とする光導波路装置。 - 【請求項２】 少なくとも上記基板の光射出側の端面に
設けられる補強体が光透過性とされるか、又は上記基板
の裏面が鏡面加工されて成ることを特徴とする上記請求
項１に記載の光導波路装置。 - 【請求項３】 上記光導波路が、上記基板に埋め込まれ
て構成されることを特徴とする上記請求項１に記載の光
導波路装置。 - 【請求項４】 上記基板が、ニオブ酸リチウム、タンタ
ル酸リチウム、ガラス又はチタン酸リン酸カリウムのう
ち一種より成ることを特徴とする上記請求項１に記載の
光導波路装置。 - 【請求項５】 基板上に上記基板に対して高屈折率の光
導波路を形成するにあたって、上記光導波路の端面を上
記基板の端面に対して内側に設けて形成すると共に、同
時に上記基板上の上記光導波路を形成する面と同一面上
に目盛りを形成することを特徴とする光導波路装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22748392A JPH0675129A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光導波路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22748392A JPH0675129A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光導波路装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675129A true JPH0675129A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16861595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22748392A Pending JPH0675129A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光導波路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675129A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101332785B1 (ko) * | 2009-10-13 | 2013-11-25 | 한국전자통신연구원 | 광 도파로 및 그의 형성방법 |
| WO2017047076A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 日本電気株式会社 | 光導波路素子 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22748392A patent/JPH0675129A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101332785B1 (ko) * | 2009-10-13 | 2013-11-25 | 한국전자통신연구원 | 광 도파로 및 그의 형성방법 |
| WO2017047076A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 日本電気株式会社 | 光導波路素子 |
| JPWO2017047076A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2018-07-12 | 日本電気株式会社 | 光導波路素子 |
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