JPH10170742A - 光導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
光導波路素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10170742A JPH10170742A JP35273196A JP35273196A JPH10170742A JP H10170742 A JPH10170742 A JP H10170742A JP 35273196 A JP35273196 A JP 35273196A JP 35273196 A JP35273196 A JP 35273196A JP H10170742 A JPH10170742 A JP H10170742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- face
- coupling end
- optical
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路素子の光結合端面の研磨量を確認す
る際に、ワークを研磨台から外すことなく確認すること
ができるようにする。 【解決手段】 基板1表面に光導波路2と光結合端面研
磨量確認パターンAとが形成されている光導波路素子に
おいて、光結合端面研磨確認パターンAを、光導波路素
子10の光結合端面10aの研磨量に応じてその形状又
は数が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導
波路素子10の光結合端面10aを観察することにより
確認できるように設ける。
る際に、ワークを研磨台から外すことなく確認すること
ができるようにする。 【解決手段】 基板1表面に光導波路2と光結合端面研
磨量確認パターンAとが形成されている光導波路素子に
おいて、光結合端面研磨確認パターンAを、光導波路素
子10の光結合端面10aの研磨量に応じてその形状又
は数が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導
波路素子10の光結合端面10aを観察することにより
確認できるように設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光変調装置やレー
ザードップラー振動計等に用いられる光導波路素子に関
する。より詳しくは、レンズ、光ファイバ、半導体レー
ザーなどにより導かれた光を、端面結合法により素子の
一端面で素子内に導入し、対向する他端面から導出する
光導波路素子に関する。
ザードップラー振動計等に用いられる光導波路素子に関
する。より詳しくは、レンズ、光ファイバ、半導体レー
ザーなどにより導かれた光を、端面結合法により素子の
一端面で素子内に導入し、対向する他端面から導出する
光導波路素子に関する。
【0002】
【従来の技術】光導波路素子は、光集積回路の一種であ
る導波型光変調素子等として利用されている。
る導波型光変調素子等として利用されている。
【0003】このような光導波路素子100の構造は、図
6に示すように、ニオブ酸リチウムの単結晶基板101上
に、基板101よりも屈折率の高い材料(例えばTi等)
からなる光導波路102と、必要に応じて電圧が印加でき
るように電極103が設けられている構造となっている。
6に示すように、ニオブ酸リチウムの単結晶基板101上
に、基板101よりも屈折率の高い材料(例えばTi等)
からなる光導波路102と、必要に応じて電圧が印加でき
るように電極103が設けられている構造となっている。
【0004】このような光導波路素子100に光を結合さ
せる方法としては、一般に端面結合法が採用されてい
る。端面結合法は、基板101上の光導波路102に、光導波
路素子100の端面(光結合端面)100a側から光を結合させ
る方法であり、例えば図7(a)に示すようにレンズ10
4で光導波路102に光(図中、矢印)を集光させたり、図
7(b)に示すように光ファイバ105からの光を光導波
路102に導入したり、図7(c)に示すように半導体レ
ーザ106からの光を光導波路102に導入したりする方法で
ある。
せる方法としては、一般に端面結合法が採用されてい
る。端面結合法は、基板101上の光導波路102に、光導波
路素子100の端面(光結合端面)100a側から光を結合させ
る方法であり、例えば図7(a)に示すようにレンズ10
4で光導波路102に光(図中、矢印)を集光させたり、図
7(b)に示すように光ファイバ105からの光を光導波
路102に導入したり、図7(c)に示すように半導体レ
ーザ106からの光を光導波路102に導入したりする方法で
ある。
【0005】ところで、このような光導波路素子100に
おいて端面結合法を可能とするためには、光導波路素子
100の光結合端面100aを垂直に研磨する必要がある。ま
た、その際に、光導波路素子100自体のサイズを制御す
ることのみならず、光結合端面100aでの反射光の影響を
小さくするため、図6に示すように光導波路102の端部1
02aと光結合端面100aとの間に所定の距離Lをおく場合
がある。このため、光結合端面の研磨量を正確にコント
ロールする必要がある。
おいて端面結合法を可能とするためには、光導波路素子
100の光結合端面100aを垂直に研磨する必要がある。ま
た、その際に、光導波路素子100自体のサイズを制御す
ることのみならず、光結合端面100aでの反射光の影響を
小さくするため、図6に示すように光導波路102の端部1
02aと光結合端面100aとの間に所定の距離Lをおく場合
がある。このため、光結合端面の研磨量を正確にコント
ロールする必要がある。
【0006】従来、光導波路素子100の光結合端面100a
を正確に垂直に研磨するために、図8に示すように、光
導波路素子100を研磨治具107にワックス等で接着してワ
ーク108を構成し、図9に示すように複数のワーク108を
研磨試料台109にネジ110で止め、研磨試料台109全体を
研磨装置(図示せず)に装着して光導波路素子100の光
結合端面100aを研磨している。
を正確に垂直に研磨するために、図8に示すように、光
導波路素子100を研磨治具107にワックス等で接着してワ
ーク108を構成し、図9に示すように複数のワーク108を
研磨試料台109にネジ110で止め、研磨試料台109全体を
研磨装置(図示せず)に装着して光導波路素子100の光
結合端面100aを研磨している。
【0007】ここで、光結合端面100aの研磨量を正確に
コントロールするために、図6に示すように、光結合端
面100aに平行な目盛りパターン111を、電極103の形成の
際に基板101の光導波路102の形成面上に同時に形成して
おき、研磨量を確認できるようにしている。
コントロールするために、図6に示すように、光結合端
面100aに平行な目盛りパターン111を、電極103の形成の
際に基板101の光導波路102の形成面上に同時に形成して
おき、研磨量を確認できるようにしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、研磨量
を確認するために目盛りパターン111を観察する場合、
基板101の光導波路形成面は治具に覆われているため
に、それぞれのワーク108を研磨試料台109から取り外さ
なければならず、ワーク108を研磨試料台109に装着した
まま研磨量を確認することができないという問題があ
る。このため、観察した結果、更に研磨が必要な場合に
は、ワーク108を研磨試料台109に再度ネジ止めする必要
が生ずるが、再度ネジ止めすると複数のワーク108の研
磨面の水平レベルに狂いが生じ、研磨面に凹凸や傾斜が
生じ、正確に研磨することができないという問題があ
る。従って、光導波路素子の光結合端面の研磨量を確認
する際に、ワークを研磨台から外すことなく確認するこ
とができるようにすることが求められている。
を確認するために目盛りパターン111を観察する場合、
基板101の光導波路形成面は治具に覆われているため
に、それぞれのワーク108を研磨試料台109から取り外さ
なければならず、ワーク108を研磨試料台109に装着した
まま研磨量を確認することができないという問題があ
る。このため、観察した結果、更に研磨が必要な場合に
は、ワーク108を研磨試料台109に再度ネジ止めする必要
が生ずるが、再度ネジ止めすると複数のワーク108の研
磨面の水平レベルに狂いが生じ、研磨面に凹凸や傾斜が
生じ、正確に研磨することができないという問題があ
る。従って、光導波路素子の光結合端面の研磨量を確認
する際に、ワークを研磨台から外すことなく確認するこ
とができるようにすることが求められている。
【0009】本発明は、以上の従来の技術の課題を解決
しようとするものであり、光導波路素子の光結合端面の
研磨量を確認する際に、ワークを研磨試料台から外すこ
となく確認できるような構造の光導波路素子を提供する
ことを目的とする。
しようとするものであり、光導波路素子の光結合端面の
研磨量を確認する際に、ワークを研磨試料台から外すこ
となく確認できるような構造の光導波路素子を提供する
ことを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、光結合端面
研磨確認パターンを、光導波路素子の光結合端面の研磨
量に応じてその形状又は数が連続的に又は不連続的に変
化し且つその変化が光導波路素子の光結合端面を観察す
ることにより確認できるように形成することにより上述
の目的が達成できることを見出し、本発明を完成させる
に至った。
研磨確認パターンを、光導波路素子の光結合端面の研磨
量に応じてその形状又は数が連続的に又は不連続的に変
化し且つその変化が光導波路素子の光結合端面を観察す
ることにより確認できるように形成することにより上述
の目的が達成できることを見出し、本発明を完成させる
に至った。
【0011】即ち、本発明は、基板表面に光導波路と光
結合端面研磨量確認パターンとが形成されている光導波
路素子において、光結合端面研磨量確認パターンが、光
導波路素子の光結合端面の研磨量に応じてその形状又は
数が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導波
路素子の光結合端面を観察することにより確認できるよ
うに設けられていることを特徴とする光導波路素子を提
供する。
結合端面研磨量確認パターンとが形成されている光導波
路素子において、光結合端面研磨量確認パターンが、光
導波路素子の光結合端面の研磨量に応じてその形状又は
数が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導波
路素子の光結合端面を観察することにより確認できるよ
うに設けられていることを特徴とする光導波路素子を提
供する。
【0012】また、本発明は、基板表面に光導波路と光
結合端面研磨量確認パターンとが形成されている光導波
路素子の製造方法において、(a)基板上に光導波路を
形成する工程、(b)基板上に光結合端面研磨量確認量
パターンを、光導波路素子の光結合端面の研磨量に応じ
てその形状又は数が連続的に又は不連続的に変化し、そ
の変化が光導波路素子の光結合端面を観察することによ
り確認できるように形成する工程、及び(c)光導波路
素子の光結合端面を研磨する工程を含んでなることを特
徴とする製造方法を提供する。
結合端面研磨量確認パターンとが形成されている光導波
路素子の製造方法において、(a)基板上に光導波路を
形成する工程、(b)基板上に光結合端面研磨量確認量
パターンを、光導波路素子の光結合端面の研磨量に応じ
てその形状又は数が連続的に又は不連続的に変化し、そ
の変化が光導波路素子の光結合端面を観察することによ
り確認できるように形成する工程、及び(c)光導波路
素子の光結合端面を研磨する工程を含んでなることを特
徴とする製造方法を提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照しなが
らより詳細に説明する。
らより詳細に説明する。
【0014】本発明の光導波路素子においては、基板表
面に光導波路と光結合端面研磨量確認パターンとが形成
されており、その光結合端面研磨確認パターンが、光導
波路素子の光結合端面の研磨量に応じてその形状又は数
が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導波路
素子の光結合端面を観察することにより確認できるよう
に設けられている。このため、光導波路素子の光結合端
面を研磨した場合、ワークを研磨試料台から外さずに光
結合端面を光学顕微鏡等で観察することにより研磨量を
確認することができる。
面に光導波路と光結合端面研磨量確認パターンとが形成
されており、その光結合端面研磨確認パターンが、光導
波路素子の光結合端面の研磨量に応じてその形状又は数
が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導波路
素子の光結合端面を観察することにより確認できるよう
に設けられている。このため、光導波路素子の光結合端
面を研磨した場合、ワークを研磨試料台から外さずに光
結合端面を光学顕微鏡等で観察することにより研磨量を
確認することができる。
【0015】図1(a)に、本発明の光導波路素子10
の一態様の斜視図を示し、同図(b)にその側面図を示
す。この光導波路素子10は、基板1上に光導波路2が
形成されており、その出射側が2つの光導波路2a、2
bに分岐しており、その一方の光導波路2aを挟むよう
に一対の電極3が設けられている。そして、この光導波
路素子10は、更に、光導波路素子10の光結合端面研
磨量確認パターンとして、基板上1に光結合端面10a
及び10b側をそれぞれ底辺とする三角形パターンA
(底辺長=x,高さ=h)及びB(底辺長=y,高さ=
H)を有する。
の一態様の斜視図を示し、同図(b)にその側面図を示
す。この光導波路素子10は、基板1上に光導波路2が
形成されており、その出射側が2つの光導波路2a、2
bに分岐しており、その一方の光導波路2aを挟むよう
に一対の電極3が設けられている。そして、この光導波
路素子10は、更に、光導波路素子10の光結合端面研
磨量確認パターンとして、基板上1に光結合端面10a
及び10b側をそれぞれ底辺とする三角形パターンA
(底辺長=x,高さ=h)及びB(底辺長=y,高さ=
H)を有する。
【0016】この三角形パターンAを、光結合端面10
aから顕微鏡等で観察すると、図1(b)示すように三
角形パターンAの幅x確認することができる。従って、
研磨前の三角形パターンAの幅を比較することにより光
結合端面10aの研磨量を正確に知ることができる。即
ち、図2に示すように本発明の光導波路素子10の三角
形パターンAの幅がxであって高さがhであり、且つ光
結合端面の研磨前の三角形パターンAの幅が(x+α)
であって高さが(h+β)である場合、研磨前に(x+
α)と(h+β)との数値は予め計測しておくことがで
き、また研磨中においてはxの数値を計測することがで
きる。従ってこのβは以下の式に従って容易に求めるこ
とができる。即ち、研磨前後の三角形パターンは相似形
であるから以下の式(1)が成立する。
aから顕微鏡等で観察すると、図1(b)示すように三
角形パターンAの幅x確認することができる。従って、
研磨前の三角形パターンAの幅を比較することにより光
結合端面10aの研磨量を正確に知ることができる。即
ち、図2に示すように本発明の光導波路素子10の三角
形パターンAの幅がxであって高さがhであり、且つ光
結合端面の研磨前の三角形パターンAの幅が(x+α)
であって高さが(h+β)である場合、研磨前に(x+
α)と(h+β)との数値は予め計測しておくことがで
き、また研磨中においてはxの数値を計測することがで
きる。従ってこのβは以下の式に従って容易に求めるこ
とができる。即ち、研磨前後の三角形パターンは相似形
であるから以下の式(1)が成立する。
【0017】
【数1】 h/x=(h+β)/(x+α) (1) この式から以下の式(2)が得られる。このことは、ワ
ーク108から光導波路素子を外さずとも、三角形パタ
ーンAの幅xを知ることにより、三角形パターンAの高
さhを求めることができることを意味する。
ーク108から光導波路素子を外さずとも、三角形パタ
ーンAの幅xを知ることにより、三角形パターンAの高
さhを求めることができることを意味する。
【0018】
【数2】 h=x(h+β)/(x+α) (2) 従って、研磨量βは、xの観察値から得られるhの数値
を既知の(h+β)の数値から引くことにより求めるこ
とができる。三角形パターンBについての研磨量につい
ても同様に求めることができる。
を既知の(h+β)の数値から引くことにより求めるこ
とができる。三角形パターンBについての研磨量につい
ても同様に求めることができる。
【0019】図1及び図2の態様においては、光結合端
面研磨量確認パターンとして三角形パターンを利用した
が、三角形パターンに限定されることなく、台形、円、
楕円なども利用することができる。単純な計算で研磨量
を算出できない場合には、作図により研磨量を求めるこ
ともできる。
面研磨量確認パターンとして三角形パターンを利用した
が、三角形パターンに限定されることなく、台形、円、
楕円なども利用することができる。単純な計算で研磨量
を算出できない場合には、作図により研磨量を求めるこ
ともできる。
【0020】また、図3(a)に本発明の光導波路素子
10の別の態様の平面図を示す。この光導波路素子10
は、基板1上に光導波路2が形成されており、その出射
側が2つの光導波路2a、2bに分岐しており、その一
方の光導波路2aを挟むように一対の電極3が設けられ
ている。そして、この光導波路素子10は、更に、光導
波路素子10の光結合端面研磨量確認パターンとして、
互いに異なる長さ(D1・・・Dn)を有し且つ隣接す
るパターン同士が間隙を持って設けられている複数のラ
イン状パターンC1・・・Cnを有する。
10の別の態様の平面図を示す。この光導波路素子10
は、基板1上に光導波路2が形成されており、その出射
側が2つの光導波路2a、2bに分岐しており、その一
方の光導波路2aを挟むように一対の電極3が設けられ
ている。そして、この光導波路素子10は、更に、光導
波路素子10の光結合端面研磨量確認パターンとして、
互いに異なる長さ(D1・・・Dn)を有し且つ隣接す
るパターン同士が間隙を持って設けられている複数のラ
イン状パターンC1・・・Cnを有する。
【0021】このライン状の状パターンC1・・・Cn
は、光結合端面の研磨量に従って、短い方のライン状パ
ターンから除去される。従って、ライン状パターンの数
をカウントし、除去されたライン状パターンの中で最も
長いライン状パターンの長さと、残っているライン状パ
ターンの中で最も短いライン状パターンの長さとの間の
範囲が研磨量となる。
は、光結合端面の研磨量に従って、短い方のライン状パ
ターンから除去される。従って、ライン状パターンの数
をカウントし、除去されたライン状パターンの中で最も
長いライン状パターンの長さと、残っているライン状パ
ターンの中で最も短いライン状パターンの長さとの間の
範囲が研磨量となる。
【0022】即ち、ライン状パターンC1・・・Cn
を、図3(b)示すように光結合端面10aから顕微鏡
等で観察すると、パターンの数に対応する数のライン状
のパターンC1・・・Cnの断面パターンを観察するこ
とができる。従って、研磨前後の断面パターン数を互い
に比較することにより光結合端面10aの研磨量を正確
に知ることができる。例えば、図4(a)に示すように
本発明の光導波路素子10が、それぞれD1、D2、D
3の長さを有するライン状パターンC1、C2、C3を
有し、一方、図4(b)に示すように研磨前の光導波路
素子10がそれぞれ長さD1´〜D5´のライン状パタ
ーンC1〜C5を有する場合、ライン状パターンC1〜
C5の長さ(D1´〜D5´)は予め計測しておくこと
ができる。また、研磨中に観察できるのは残存している
ライン状パターンの数である。従って、残存しているラ
イン状パターンの数をカウントすると、除去されたライ
ン状パターンの中で最も長いライン状パターンがC4
(長さD4´)であること、そして残っているライン状
パターンの中で最も短いライン状パターンがC3(長さ
D3´)であることを特定できる。従って、研磨量γ
は、D4´<γ<D3´となることがわかる。
を、図3(b)示すように光結合端面10aから顕微鏡
等で観察すると、パターンの数に対応する数のライン状
のパターンC1・・・Cnの断面パターンを観察するこ
とができる。従って、研磨前後の断面パターン数を互い
に比較することにより光結合端面10aの研磨量を正確
に知ることができる。例えば、図4(a)に示すように
本発明の光導波路素子10が、それぞれD1、D2、D
3の長さを有するライン状パターンC1、C2、C3を
有し、一方、図4(b)に示すように研磨前の光導波路
素子10がそれぞれ長さD1´〜D5´のライン状パタ
ーンC1〜C5を有する場合、ライン状パターンC1〜
C5の長さ(D1´〜D5´)は予め計測しておくこと
ができる。また、研磨中に観察できるのは残存している
ライン状パターンの数である。従って、残存しているラ
イン状パターンの数をカウントすると、除去されたライ
ン状パターンの中で最も長いライン状パターンがC4
(長さD4´)であること、そして残っているライン状
パターンの中で最も短いライン状パターンがC3(長さ
D3´)であることを特定できる。従って、研磨量γ
は、D4´<γ<D3´となることがわかる。
【0023】このように図3及び図4の態様の場合に
は、断面パターン数のカウントはパターン幅の測定に比
べてより簡便に行うことができるので、図1及び図2の
態様の場合もより容易に研磨量を確認できる。
は、断面パターン数のカウントはパターン幅の測定に比
べてより簡便に行うことができるので、図1及び図2の
態様の場合もより容易に研磨量を確認できる。
【0024】次に、本発明の光導波路素子の製造方法に
ついて、光結合端面研磨量確認パターンとして図1に示
すような三角形パターンを有する光導波路素子を例に挙
げ、基板材料として単結晶ニオブ酸リチウム、光導波路
材料としてニオブ酸リチウムよりも屈折率の高いTiを
使用した場合を例に挙げ説明する。
ついて、光結合端面研磨量確認パターンとして図1に示
すような三角形パターンを有する光導波路素子を例に挙
げ、基板材料として単結晶ニオブ酸リチウム、光導波路
材料としてニオブ酸リチウムよりも屈折率の高いTiを
使用した場合を例に挙げ説明する。
【0025】工程(a) まず、基板1上に光導波路2を形成する(図5
(a))。
(a))。
【0026】例えば、単結晶ニオブ酸リチウム基板1上
に、光導波路となるべき領域以外にリフトオフ層をフォ
トリソグラフィ技術を利用して形成する。次に、基板1
の全面に光導波路材料であるTiを公知の蒸着法やスパ
ッタ法などにより成膜する。次に、リフトオフ法により
リフトオフ層をその上のTi層と一緒に除去する。次
に、1000℃程度に加熱して、Tiを基板1に拡散さ
せることにより光導波路2が形成される。
に、光導波路となるべき領域以外にリフトオフ層をフォ
トリソグラフィ技術を利用して形成する。次に、基板1
の全面に光導波路材料であるTiを公知の蒸着法やスパ
ッタ法などにより成膜する。次に、リフトオフ法により
リフトオフ層をその上のTi層と一緒に除去する。次
に、1000℃程度に加熱して、Tiを基板1に拡散さ
せることにより光導波路2が形成される。
【0027】工程(b) 次に、基板1上に電極3を形成するが、その際に光結合
端面研磨量確認パターンとして、電極材料と同じ材料か
らなる三角形パターンA、Bを、光導波路素子の光結合
端面(もしくは基板の光結合端面)の研磨量に応じてそ
の形状又は数が連続的に又は不連続的に変化し、その変
化が光導波路素子の光結合端面を観察することにより確
認できるように形成する(図5(b))。
端面研磨量確認パターンとして、電極材料と同じ材料か
らなる三角形パターンA、Bを、光導波路素子の光結合
端面(もしくは基板の光結合端面)の研磨量に応じてそ
の形状又は数が連続的に又は不連続的に変化し、その変
化が光導波路素子の光結合端面を観察することにより確
認できるように形成する(図5(b))。
【0028】具体的な形成方法の例としては、以下に説
明するものを挙げることができる。
明するものを挙げることができる。
【0029】まず、光導波路2が形成された基板1上
に、電極と光結合端面研磨量確認パターンとなるべき領
域以外にリフトオフ層を、フォトリソグラフィ技術を利
用して形成する。次に、基板1の全面に電極材料である
AuやAlなどを公知の蒸着法やスパッタ法などにより
成膜する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ層をそ
の上の電極材料と一緒に除去する。これにより、電極3
と共に光結合端面研磨量確認パターンとして三角形パタ
ーンAを形成し、光導波路素子10を構成する。
に、電極と光結合端面研磨量確認パターンとなるべき領
域以外にリフトオフ層を、フォトリソグラフィ技術を利
用して形成する。次に、基板1の全面に電極材料である
AuやAlなどを公知の蒸着法やスパッタ法などにより
成膜する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ層をそ
の上の電極材料と一緒に除去する。これにより、電極3
と共に光結合端面研磨量確認パターンとして三角形パタ
ーンAを形成し、光導波路素子10を構成する。
【0030】以上述べた方法の他に、基板1全面に蒸
着、スパッタ法等によりAuやAlを成膜し、フォトリ
ソグラフィー技術を利用して電極パターンを形成し、そ
の際にドライエッチングやウェットエッチングにより電
極材料の不要部分を除去し、次ぎにレジストを除去する
という方法によっても形成することができる。
着、スパッタ法等によりAuやAlを成膜し、フォトリ
ソグラフィー技術を利用して電極パターンを形成し、そ
の際にドライエッチングやウェットエッチングにより電
極材料の不要部分を除去し、次ぎにレジストを除去する
という方法によっても形成することができる。
【0031】工程(c) 次に、光導波路素子10の光結合端面10aを研磨する
(図5(c))。
(図5(c))。
【0032】端面の研磨は、図8及び図9において説明
したように研磨することができ、これにより、本発明の
光導波路素子が得られる。この場合、研磨量は、ワーク
から光導波路素子を外すことなく光結合端面を観察する
ことにより確認することができるので、研磨量のコント
ロールが容易となる。しかも、光導波路素子の端面研磨
の際に研磨量を確認する場合に、ワークを研磨試料台か
らリセットする操作を省略することができる。従って、
更に研磨を続行する場合でも、ワークの傾きによる研磨
不良の発生を防止することができる。
したように研磨することができ、これにより、本発明の
光導波路素子が得られる。この場合、研磨量は、ワーク
から光導波路素子を外すことなく光結合端面を観察する
ことにより確認することができるので、研磨量のコント
ロールが容易となる。しかも、光導波路素子の端面研磨
の際に研磨量を確認する場合に、ワークを研磨試料台か
らリセットする操作を省略することができる。従って、
更に研磨を続行する場合でも、ワークの傾きによる研磨
不良の発生を防止することができる。
【0033】なお、工程(b)の後、工程(c)の前
に、基板1上にSiO2などの保護膜を形成することが
好ましい。具体的には、スパッタ法等により基板1の全
面にSiO2膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により
SiO2パターンを形成する。そしてドライエッチング
法やウェットエッチング法により不要なSiO2パター
ンを除去することにより保護膜を形成することができ
る。
に、基板1上にSiO2などの保護膜を形成することが
好ましい。具体的には、スパッタ法等により基板1の全
面にSiO2膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により
SiO2パターンを形成する。そしてドライエッチング
法やウェットエッチング法により不要なSiO2パター
ンを除去することにより保護膜を形成することができ
る。
【0034】以上説明した本発明の光導波路素子は、光
強度変調装置や光位相変調装置などに好ましく適用する
ことができる。
強度変調装置や光位相変調装置などに好ましく適用する
ことができる。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、光導波路素子の光結合
端面の研磨量を確認する際に、ワークを研磨台から外す
ことなく確認することができる。
端面の研磨量を確認する際に、ワークを研磨台から外す
ことなく確認することができる。
【図1】本発明の光導波路素子の一つの態様の斜視図
(同図(a))とその光結合端面の側面図(同図
(b))である。
(同図(a))とその光結合端面の側面図(同図
(b))である。
【図2】 光結合端面研磨量確認パターンとしての三角
パターンの説明図である。
パターンの説明図である。
【図3】本発明の光導波路素子の別の態様の斜視図(同
図(a))とその光結合端面の側面図である(同図
(b))である。
図(a))とその光結合端面の側面図である(同図
(b))である。
【図4】図3の光導波路素子の研磨後の上面図(同図
(a))とその研磨前の上面図である(同図(b))で
ある。
(a))とその研磨前の上面図である(同図(b))で
ある。
【図5】本発明の光導波路素子の製造工程図(同図
(a)〜(c))である。
(a)〜(c))である。
【図6】従来の光導波路素子の斜視図である。
【図7】光導波路素子における端面結合法の説明図(同
図(a)〜(c))である。
図(a)〜(c))である。
【図8】光導波路素子の光端面研磨の際に使用するワー
クの上面図(a)と正面図(b)である。
クの上面図(a)と正面図(b)である。
【図9】光導波路素子の光端面研磨の際に使用する研磨
試料台の説明図である。
試料台の説明図である。
1 基板、2 光導波路、3 電極、10 光導波路素
子
子
Claims (5)
- 【請求項1】 基板表面に光導波路と光結合端面研磨量
確認パターンとが形成されている光導波路素子におい
て、光結合端面研磨確認パターンが、光導波路素子の光
結合端面の研磨量に応じてその形状又は数が連続的に又
は不連続的に変化し、その変化が光導波路素子の光結合
端面を観察することにより確認できるように設けられて
いることを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項2】 光結合端面研磨量確認パターンが、光結
合端面側を底辺とする三角形パターンである請求項1記
載の光導波路素子。 - 【請求項3】 光結合端面研磨量確認パターンが、互い
に異なる長さを有し且つ隣接するパターン同士が間隙を
持って設けられている複数のライン状パターンである請
求項1記載の光導波路素子。 - 【請求項4】 基板表面に光導波路と光結合端面研磨量
確認パターンとが形成されている光導波路素子の製造方
法において、 (a)基板上に光導波路を形成する工程、 (b)基板上に光結合端面研磨量確認パターンを、光導
波路素子の光結合端面の研磨量に応じてその形状又は数
が連続的に又は不連続的に変化し、その変化が光導波路
素子の光結合端面を観察することにより確認できるよう
に形成する工程、及び (c)光導波路素子の光結合端面を研磨する工程を含ん
でなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項5】 工程(b)の後、工程(c)との前に、
基板上に保護膜を形成する工程を更に有する請求項4記
載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35273196A JPH10170742A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 光導波路素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35273196A JPH10170742A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 光導波路素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10170742A true JPH10170742A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18426055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35273196A Pending JPH10170742A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 光導波路素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10170742A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004334057A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Omron Corp | 光導波路およびその製造方法 |
| JP2011186171A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光素子 |
| JP2022158670A (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-17 | 住友電気工業株式会社 | フェルール、光コネクタ及び光コネクタの製造方法 |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP35273196A patent/JPH10170742A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004334057A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Omron Corp | 光導波路およびその製造方法 |
| JP2011186171A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光素子 |
| JP2022158670A (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-17 | 住友電気工業株式会社 | フェルール、光コネクタ及び光コネクタの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110632702B (zh) | 一种lnoi基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法 | |
| JPH10133055A (ja) | 光結合器及びその製造方法 | |
| US7295742B2 (en) | Optical element and method for producing the same | |
| JPWO2005019913A1 (ja) | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 | |
| US6913705B2 (en) | Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure | |
| JP2002107580A (ja) | 光学装置 | |
| EP0851244B1 (en) | Optical waveguide device and method of manufacturing same | |
| US6862387B2 (en) | Low-loss compact reflective turns in optical waveguides | |
| US5576149A (en) | Method for producing a tapered waveguide | |
| JP3875385B2 (ja) | 光導波路素子及び光導波路素子の製造方法 | |
| US4482207A (en) | Optical grating and method of manufacture | |
| US20230234310A1 (en) | Method for Manufacturing an Electro-Optical Component and Electro-Optical Component | |
| JPH11352350A (ja) | 光導波路素子の製造方法 | |
| US7061023B2 (en) | Integrated optical devices and methods of making such devices | |
| JP3857707B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
| JP2003107545A (ja) | リッジ型光導波路素子の製造方法 | |
| JP2004334057A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JPH10170741A (ja) | 光導波路素子及びその製造方法 | |
| JPH10229061A (ja) | 研磨量測定装置 | |
| JPH0212110A (ja) | 光集積回路製造法 | |
| JPH0756036A (ja) | 光導波路デバイス及びその製造方法 | |
| Ahmed | Integrated optical devices in lithium niobate | |
| JPH10319264A (ja) | 光導波路素子の製造方法 | |
| JPH10268160A (ja) | 光導波路の入力装置 | |
| JP2000081527A (ja) | プロトン交換された導波路の製造方法 |