JPH0675130A - 光導波路装置 - Google Patents
光導波路装置Info
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- JPH0675130A JPH0675130A JP22754092A JP22754092A JPH0675130A JP H0675130 A JPH0675130 A JP H0675130A JP 22754092 A JP22754092 A JP 22754092A JP 22754092 A JP22754092 A JP 22754092A JP H0675130 A JPH0675130 A JP H0675130A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板端面からの不要反射光の光源への戻り光
量を確実に低減化することができ、且つその製造が簡易
な構成の光導波路装置を提供する。 【構成】 基板１の一主面１Ｓ上にこの基板１に対して
高屈折率の光導波路２が形成されて成り、この光導波路
２の光入射側の端面２Ａを基板１の光入射側の端面１Ａ
に対して内側に設けて構成する。
量を確実に低減化することができ、且つその製造が簡易
な構成の光導波路装置を提供する。 【構成】 基板１の一主面１Ｓ上にこの基板１に対して
高屈折率の光導波路２が形成されて成り、この光導波路
２の光入射側の端面２Ａを基板１の光入射側の端面１Ａ
に対して内側に設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザから射出されたレーザ光を
基板上に形成された光導波路を介して伝搬し、移動体や
振動体等の被測定対象にレーザ光を導く光導波路装置と
して、例えば図５に示すように、ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬＮ）等より成る基板１の上にＴｉ拡散等
によって高屈折率の光導波路２が基板１の一方の端面１
Ａから、他方の端面１Ｂに向かって帯状に形成された光
導波路装置１０が用いられている。
基板上に形成された光導波路を介して伝搬し、移動体や
振動体等の被測定対象にレーザ光を導く光導波路装置と
して、例えば図５に示すように、ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬＮ）等より成る基板１の上にＴｉ拡散等
によって高屈折率の光導波路２が基板１の一方の端面１
Ａから、他方の端面１Ｂに向かって帯状に形成された光
導波路装置１０が用いられている。
【０００３】このような構成において、Ｈｅ−Ｎｅ等の
レーザ４からのレーザ光Ｌi0をレンズ等より成る集光系
５を介して光導波路２の入射側の端面２Ａに矢印Ｌi1で
示すように入射すると、光は光導波路２を介して射出側
の端面２Ｂに伝搬される。射出側の端面２Ｂから射出さ
れたレーザ光はレンズ等の集光系６を介して矢印ＬOで
示すように射出され、図示しないが例えば移動体や振動
体等の被測定対象に照射される。
レーザ４からのレーザ光Ｌi0をレンズ等より成る集光系
５を介して光導波路２の入射側の端面２Ａに矢印Ｌi1で
示すように入射すると、光は光導波路２を介して射出側
の端面２Ｂに伝搬される。射出側の端面２Ｂから射出さ
れたレーザ光はレンズ等の集光系６を介して矢印ＬOで
示すように射出され、図示しないが例えば移動体や振動
体等の被測定対象に照射される。
【０００４】この場合、光導波路２は空気と比較して屈
折率が非常に高く、光源からの光はこの屈折率の違いに
よって基板端面１Ａ即ち光導波路２の端面２Ａにおいて
一部が反射される。この反射光はレンズ等の集光系５を
介して光源即ちレーザ４に戻ることになる。この戻り光
は、例えば光源が半導体レーザの場合には発振の安定性
を損ねてモードホップ等引き起こし、ノイズの増大化を
招来するため取り除く必要がある。
折率が非常に高く、光源からの光はこの屈折率の違いに
よって基板端面１Ａ即ち光導波路２の端面２Ａにおいて
一部が反射される。この反射光はレンズ等の集光系５を
介して光源即ちレーザ４に戻ることになる。この戻り光
は、例えば光源が半導体レーザの場合には発振の安定性
を損ねてモードホップ等引き起こし、ノイズの増大化を
招来するため取り除く必要がある。
【０００５】このため光源と光導波路２との光学的結合
部即ち集光系５においては、このような不要な戻り光を
防ぐため、光アイソレータが用いられている。この光ア
イソレータを用いずに不要反射光の光源への戻りを低減
化する方法としては、例えば図６に示すように基板１の
光入射側端面１Ａに全面的に無反射コート層３を被着す
るとか、又は図７に示すように、端面１Ａを斜め研磨等
により傾斜させて且つ無反射コート層３を被着する等の
方法が採られており、特に光ファイバーと光源とのレン
ズ結合に広く用いられている。
部即ち集光系５においては、このような不要な戻り光を
防ぐため、光アイソレータが用いられている。この光ア
イソレータを用いずに不要反射光の光源への戻りを低減
化する方法としては、例えば図６に示すように基板１の
光入射側端面１Ａに全面的に無反射コート層３を被着す
るとか、又は図７に示すように、端面１Ａを斜め研磨等
により傾斜させて且つ無反射コート層３を被着する等の
方法が採られており、特に光ファイバーと光源とのレン
ズ結合に広く用いられている。
【０００６】しかしながら上述の図６に示す無反射コー
ト層３を設けるのみでは不要反射光の低減化が十分でな
く、図７に示す斜め研磨と無反射コート層３の被着とを
併用する場合は、研磨角度の適値の選定やその制御、ま
た光学的結合の際の光軸との位置合わせが難しく、また
この場合光源への不要反射光を大幅に低減することがで
きるが、更にこれを低減化して戻り光をより低減化する
ことが望まれている。
ト層３を設けるのみでは不要反射光の低減化が十分でな
く、図７に示す斜め研磨と無反射コート層３の被着とを
併用する場合は、研磨角度の適値の選定やその制御、ま
た光学的結合の際の光軸との位置合わせが難しく、また
この場合光源への不要反射光を大幅に低減することがで
きるが、更にこれを低減化して戻り光をより低減化する
ことが望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板端面か
らの不要反射光の光源への戻り光量を確実に低減化する
ことができ、且つその製造が簡易な構成の光導波路装置
を提供する。
らの不要反射光の光源への戻り光量を確実に低減化する
ことができ、且つその製造が簡易な構成の光導波路装置
を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明光導波路装置は、
その一例の略線的斜視図を図１に示すように、基板１の
一主面１Ｓ上にこの基板１に対して高屈折率の光導波路
２が形成されて成り、この光導波路２の光入射側の端面
２Ａを基板１の光入射側の端面１Ａに対して内側に設け
て構成する。
その一例の略線的斜視図を図１に示すように、基板１の
一主面１Ｓ上にこの基板１に対して高屈折率の光導波路
２が形成されて成り、この光導波路２の光入射側の端面
２Ａを基板１の光入射側の端面１Ａに対して内側に設け
て構成する。
【０００９】また本発明は、上述の光導波路装置におい
て、光導波路２の光入射側の端面２Ａと基板１の光入射
側の端面１Ａとの間隔を５０μｍ以上５００μｍ以下と
して構成する。
て、光導波路２の光入射側の端面２Ａと基板１の光入射
側の端面１Ａとの間隔を５０μｍ以上５００μｍ以下と
して構成する。
【００１０】更にまた本発明は、上述の光導波路装置に
おいて、図２にその略線的斜視図を示すように、基板１
の光入射側の端面１Ａに無反射コート層３を被着して構
成する。
おいて、図２にその略線的斜視図を示すように、基板１
の光入射側の端面１Ａに無反射コート層３を被着して構
成する。
【００１１】また本発明は、上述の光導波路装置におい
て、基板１の光入射側の端面１Ａを斜め研磨して構成す
る。
て、基板１の光入射側の端面１Ａを斜め研磨して構成す
る。
【００１２】また更に本発明は、上述の光導波路装置に
おいて、光導波路２の光出射側の端面２Ｂをも基板１の
光出射側の端面１Ｂに対して内側に設けて構成する。
おいて、光導波路２の光出射側の端面２Ｂをも基板１の
光出射側の端面１Ｂに対して内側に設けて構成する。
【００１３】
【作用】上述したように本発明においては、光導波路２
の光入射側の端面２Ａを基板１の端面１Ａより内側に形
成することによって、戻り光を格段に低減化することが
できる。即ちこのような構成において、レーザ等の光源
からの光を光導波路に結合させる場合、図３に示すよう
に、レンズ１６の焦点Ｐを基板１の端面１Ａではなく光
導波路２の端面２Ａに位置させ、光源１７からの光Ｌi
を光導波路２の端面２Ａに集束させる。従って、基板端
面１Ａからの反射光Ｌo はこの端面１Ａに関して焦点Ｐ
と対称な位置Ｐ1 で集束した後レンズ１６により光源１
７へ戻されることがなく発散してしまい、光源１７への
戻り光量を格段に低減化することができることとなる。
の光入射側の端面２Ａを基板１の端面１Ａより内側に形
成することによって、戻り光を格段に低減化することが
できる。即ちこのような構成において、レーザ等の光源
からの光を光導波路に結合させる場合、図３に示すよう
に、レンズ１６の焦点Ｐを基板１の端面１Ａではなく光
導波路２の端面２Ａに位置させ、光源１７からの光Ｌi
を光導波路２の端面２Ａに集束させる。従って、基板端
面１Ａからの反射光Ｌo はこの端面１Ａに関して焦点Ｐ
と対称な位置Ｐ1 で集束した後レンズ１６により光源１
７へ戻されることがなく発散してしまい、光源１７への
戻り光量を格段に低減化することができることとなる。
【００１４】またこの場合、光導波路２と基板１との屈
折率の差は１０-2〜１０-3％程度と光導波路２と外部
（空気）の屈折率差に比し極めて小さいことから、この
導波路２と基板１との界面である端面２Ａにおける反射
光量は殆ど無視できる。またこのような構成は、光導波
路２を通常の形成方法、例えばＴｉ拡散法、プロトン交
換法、イオン交換法等により形成する際に、フォトリソ
グラフィ等の適用によって簡単に形成し得るものであ
り、工程数の増加を招くことなく、確実に戻り光の低減
化をはかることができる。
折率の差は１０-2〜１０-3％程度と光導波路２と外部
（空気）の屈折率差に比し極めて小さいことから、この
導波路２と基板１との界面である端面２Ａにおける反射
光量は殆ど無視できる。またこのような構成は、光導波
路２を通常の形成方法、例えばＴｉ拡散法、プロトン交
換法、イオン交換法等により形成する際に、フォトリソ
グラフィ等の適用によって簡単に形成し得るものであ
り、工程数の増加を招くことなく、確実に戻り光の低減
化をはかることができる。
【００１５】これに対し従来の光導波路装置において
は、図８に示すように光導波路２の端面２Ａにおける屈
折率差が比較的大きく、その反射光量は格段に高く、ま
たこの端面２Ａが焦点位置Ｐであるため、レンズ１６を
介して直接的に光源１７に戻されることとなり、その戻
り光量は極めて大となることがわかる。
は、図８に示すように光導波路２の端面２Ａにおける屈
折率差が比較的大きく、その反射光量は格段に高く、ま
たこの端面２Ａが焦点位置Ｐであるため、レンズ１６を
介して直接的に光源１７に戻されることとなり、その戻
り光量は極めて大となることがわかる。
【００１６】また本発明は、上述の構成において光導波
路２の端面２Ａと基板１の端面１Ａとの間隔を５０〜５
００μｍとすることによって、確実に戻り光の低減化を
はかると共に、入射光が光導波路２へ到達するまでの光
量の低下を抑制して十分な出射光量を保持することがで
きる。
路２の端面２Ａと基板１の端面１Ａとの間隔を５０〜５
００μｍとすることによって、確実に戻り光の低減化を
はかると共に、入射光が光導波路２へ到達するまでの光
量の低下を抑制して十分な出射光量を保持することがで
きる。
【００１７】更にまた本発明は、上述の構成において基
板１の光入射側の端面１Ａに無反射コート層３を形成す
ることによって、より戻り光を低減化できる。
板１の光入射側の端面１Ａに無反射コート層３を形成す
ることによって、より戻り光を低減化できる。
【００１８】また、基板１の光入射側の端面１Ａを斜め
研磨して構成することによって、戻り光量を更に低減化
することができる。
研磨して構成することによって、戻り光量を更に低減化
することができる。
【００１９】また更に本発明は、上述の光導波路装置に
おいて、光導波路２の光出射側の端面２Ｂをも基板１の
光出射側の端面１Ｂに対して内側に設けて構成すること
により、この出射側の光導波路端面２Ｂにおける反射を
も抑制することができて、光源への戻り光量を更に低減
化することができる。
おいて、光導波路２の光出射側の端面２Ｂをも基板１の
光出射側の端面１Ｂに対して内側に設けて構成すること
により、この出射側の光導波路端面２Ｂにおける反射を
も抑制することができて、光源への戻り光量を更に低減
化することができる。
【００２０】
【実施例】以下本発明実施例を詳細に説明する。この例
においては、ＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）より成る基板１を用
いて、この上にＴｉ拡散法によってその主面１Ｓ上に光
導波路２を形成した場合を示す。
においては、ＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）より成る基板１を用
いて、この上にＴｉ拡散法によってその主面１Ｓ上に光
導波路２を形成した場合を示す。
【００２１】先ず図１に示すように、光導波路２の光入
射側の端面２Ａを基板１の光入射側の端面１Ａに対し間
隔ｄを５０〜５００μｍ、例えば１００μｍとして内側
に形成して光導波路装置を構成した。また基板１の端面
１Ａには無反射コート層３いわゆるＡＲコートを被着し
て、よりこの基板１の端面１Ａにおける反射光を低減化
して、戻り光を更に抑制するようにした。
射側の端面２Ａを基板１の光入射側の端面１Ａに対し間
隔ｄを５０〜５００μｍ、例えば１００μｍとして内側
に形成して光導波路装置を構成した。また基板１の端面
１Ａには無反射コート層３いわゆるＡＲコートを被着し
て、よりこの基板１の端面１Ａにおける反射光を低減化
して、戻り光を更に抑制するようにした。
【００２２】このような光導波路２の形成方法として
は、例えばＬＮ基板１の主面１Ｓ上に全面的にＴｉをス
パッタリング等により被着し、更にフォトレジストを塗
布した後パターン露光を行って現像し、このレジストパ
ターンをマスクとしてＴｉ層に対しＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）等の異方性エッチングを行ってパターニ
ング形成する。そしてこの後加熱処理によりＴｉを基板
１内に拡散して、光導波路２を形成することができる。
は、例えばＬＮ基板１の主面１Ｓ上に全面的にＴｉをス
パッタリング等により被着し、更にフォトレジストを塗
布した後パターン露光を行って現像し、このレジストパ
ターンをマスクとしてＴｉ層に対しＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）等の異方性エッチングを行ってパターニ
ング形成する。そしてこの後加熱処理によりＴｉを基板
１内に拡散して、光導波路２を形成することができる。
【００２３】次に、図２に示すように、光導波路２の端
面２Ａを基板１の端面１Ａに対し内側に形成すると共
に、この入射側の基板端面１Ａを斜め研磨等によって主
面１Ｓに対し傾けて形成し、更にこの端面１Ａに無反射
コート層３を被着形成した。また更に光射出側の端面１
Ｂにおいて、光導波路２の光射出側端面２Ｂを内側に形
成して光導波路装置を構成した。この場合、光入射側に
おける各端面１Ａ、２Ａの間隔ｄ1 を例えば１００μ
ｍ、光射出側における各端面１Ｂ、２Ｂの間隔ｄ2を例
えば３００μｍとして形成した。
面２Ａを基板１の端面１Ａに対し内側に形成すると共
に、この入射側の基板端面１Ａを斜め研磨等によって主
面１Ｓに対し傾けて形成し、更にこの端面１Ａに無反射
コート層３を被着形成した。また更に光射出側の端面１
Ｂにおいて、光導波路２の光射出側端面２Ｂを内側に形
成して光導波路装置を構成した。この場合、光入射側に
おける各端面１Ａ、２Ａの間隔ｄ1 を例えば１００μ
ｍ、光射出側における各端面１Ｂ、２Ｂの間隔ｄ2を例
えば３００μｍとして形成した。
【００２４】このようにして作製した光導波路装置を、
図５において説明した構成をもって光源のレーザ４とし
て波長７９０ｎｍの半導体レーザを用いて、その波長ス
ペクトルを測定して戻り光の影響を確認した。この結果
を図４に示す。一方、図５に示すように光導波路２の端
面２Ａ、２Ｂが共に基板１の端面１Ａ、１Ｂと同一面と
された場合の波長スペクトルを測定した結果を図９に示
す。
図５において説明した構成をもって光源のレーザ４とし
て波長７９０ｎｍの半導体レーザを用いて、その波長ス
ペクトルを測定して戻り光の影響を確認した。この結果
を図４に示す。一方、図５に示すように光導波路２の端
面２Ａ、２Ｂが共に基板１の端面１Ａ、１Ｂと同一面と
された場合の波長スペクトルを測定した結果を図９に示
す。
【００２５】図４からわかるように、本発明光導波路装
置においては、矢印ｐ0 で示す０．７９０μｍ即ち７９
０ｎｍの波長の光の強度は極めて大となり、矢印ｐ2 で
示すように隣接するピークは波長のずれが大きく且つそ
の強度は極めて小となった。これに対し、図９に示す従
来例においては、矢印ｐ0 及びｐ2 で示すように、基本
波と隣接するピークの波長とは非常に近接し、また強度
の差も殆どない。
置においては、矢印ｐ0 で示す０．７９０μｍ即ち７９
０ｎｍの波長の光の強度は極めて大となり、矢印ｐ2 で
示すように隣接するピークは波長のずれが大きく且つそ
の強度は極めて小となった。これに対し、図９に示す従
来例においては、矢印ｐ0 及びｐ2 で示すように、基本
波と隣接するピークの波長とは非常に近接し、また強度
の差も殆どない。
【００２６】即ちこの結果から、本発明構成によれば、
半導体レーザへの戻り光を格段に低減化できて、半導体
レーザの発振の安定化をはかり、モードホッピング等を
抑制してノイズの低減化、波長の単一化をはかることが
できる。
半導体レーザへの戻り光を格段に低減化できて、半導体
レーザの発振の安定化をはかり、モードホッピング等を
抑制してノイズの低減化、波長の単一化をはかることが
できる。
【００２７】尚、上述の例においてはＬＮ基板を用いて
Ｔｉ拡散法により埋込み型の導波路を形成した場合であ
るが、この他、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）、
ガラス、チタン酸リン酸カリウム（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等
の各種基板を用いることができ、光導波路の形成方法と
しても、Ｔｉ拡散法の他プロトン拡散法、イオン交換法
等の各種方法を用いることができることはいうまでもな
い。
Ｔｉ拡散法により埋込み型の導波路を形成した場合であ
るが、この他、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）、
ガラス、チタン酸リン酸カリウム（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等
の各種基板を用いることができ、光導波路の形成方法と
しても、Ｔｉ拡散法の他プロトン拡散法、イオン交換法
等の各種方法を用いることができることはいうまでもな
い。
【００２８】また、図１又は図２において説明したよう
な埋込み型の光導波路２を形成した後、その両側をエッ
チング等により除去して、光導波路２を基板１の表面か
らリッジ状に突出させるいわゆるリッジ型の光導波路装
置を形成することもできる。この場合においても、光導
波路の入射側又は射出側の端面２Ａを基板１の端面１Ａ
に対し内側に設け、例えば更に無反射コート層３を被着
すると共に斜め研磨を施し、また更に光射出側において
も同様に光導波路の端面２Ｂを基板端面に対し内側に設
けることによって、上述の各例と同様に端面２Ａでの反
射光を格段に低減化することができてレーザ等の光源へ
の戻り光を格段に抑制することができる。
な埋込み型の光導波路２を形成した後、その両側をエッ
チング等により除去して、光導波路２を基板１の表面か
らリッジ状に突出させるいわゆるリッジ型の光導波路装
置を形成することもできる。この場合においても、光導
波路の入射側又は射出側の端面２Ａを基板１の端面１Ａ
に対し内側に設け、例えば更に無反射コート層３を被着
すると共に斜め研磨を施し、また更に光射出側において
も同様に光導波路の端面２Ｂを基板端面に対し内側に設
けることによって、上述の各例と同様に端面２Ａでの反
射光を格段に低減化することができてレーザ等の光源へ
の戻り光を格段に抑制することができる。
【００２９】更に、光導波路を基板上に全面的に形成し
た後、ＳｉＯ2 等の誘電体層を導波領域上に設けると
か、Ａｌ等の金属層を導波領域以外にパターニング形成
して導波路装置を構成するいわゆる装荷型構成の光導波
路装置を形成する場合においても同様に本発明を適用す
ることができ、この場合においても光源への戻り光を格
段に抑制することができる。
た後、ＳｉＯ2 等の誘電体層を導波領域上に設けると
か、Ａｌ等の金属層を導波領域以外にパターニング形成
して導波路装置を構成するいわゆる装荷型構成の光導波
路装置を形成する場合においても同様に本発明を適用す
ることができ、この場合においても光源への戻り光を格
段に抑制することができる。
【００３０】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、光源か
らの入射光の光導波路端面２Ａにおける反射を格段に抑
制することができて、半導体レーザ等の光源への戻り光
を格段に低減化することができ、これによりレーザの発
振の安定化をはかってノイズの低減化をはかることがで
きる。
らの入射光の光導波路端面２Ａにおける反射を格段に抑
制することができて、半導体レーザ等の光源への戻り光
を格段に低減化することができ、これによりレーザの発
振の安定化をはかってノイズの低減化をはかることがで
きる。
【００３１】またこの端面２Ａと基板１の端面１Ａとの
間隔を５０μｍ〜５００μｍとすることによって、入射
光量の極端な低減化を招くことなく、十分ここにおける
反射光を低減化することができる。
間隔を５０μｍ〜５００μｍとすることによって、入射
光量の極端な低減化を招くことなく、十分ここにおける
反射光を低減化することができる。
【００３２】更にまた光入射端面に無反射コート層を形
成する場合、或いは端面１Ａを斜め研磨することによっ
て、更に戻り光の低減化をはかってレーザ光源の安定化
をはかることができる。
成する場合、或いは端面１Ａを斜め研磨することによっ
て、更に戻り光の低減化をはかってレーザ光源の安定化
をはかることができる。
【００３３】また、光導波路２の光出射側の端面２Ｂを
も基板１の光出射側の端面１Ｂに対して内側に設けて構
成することにより、この出射側の光導波路端面２Ｂにお
ける反射を抑制することができて、光源への戻り光量を
更に低減化することができる。
も基板１の光出射側の端面１Ｂに対して内側に設けて構
成することにより、この出射側の光導波路端面２Ｂにお
ける反射を抑制することができて、光源への戻り光量を
更に低減化することができる。
【図１】本発明光導波路装置の一例の略線的斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明光導波路装置の他の例の略線的斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明光導波路装置の説明図である。
【図４】本発明光導波路装置の特性を示す図である。
【図５】従来の光導波路装置の構成図である。
【図６】従来の光導波路装置の一例の略線的斜視図であ
る。
る。
【図７】従来の光導波路装置の他の例の略線的斜視図で
ある。
ある。
【図８】従来の光導波路装置の説明図である。
【図９】従来の光導波路装置の特性を示す図である。
１ 基板 １Ａ 端面 １Ｂ 端面 ２ 光導波路 ２Ａ 端面 ２Ｂ 端面 ３ 無反射コート層 ４ レーザ ５ 集光系 ６ 集光系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小松 康俊 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の一主面上に上記基板に対して高屈
折率の光導波路が形成されて成り、上記光導波路の光入
射側の端面が上記基板の光入射側の端面に対して内側に
設けられて成ることを特徴とする光導波路装置。 - 【請求項２】 上記光導波路の光入射側の端面と上記基
板の光入射側の端面との間隔が５０μｍ以上５００μｍ
以下とされて成ることを特徴とする上記請求項１に記載
の光導波路装置。 - 【請求項３】 上記基板の光入射側の端面に無反射コー
ト層が被着されて成ることを特徴とする上記請求項１に
記載の光導波路装置。 - 【請求項４】 上記基板の光入射側の端面が斜め研磨さ
れて成ることを特徴とする上記請求項１に記載の光導波
路装置。 - 【請求項５】 上記光導波路の光出射側の端面が上記基
板の光出射側の端面に対して内側に設けられて成ること
を特徴とする上記請求項１に記載の光導波路装置。
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|---|---|---|---|
| JP22754092A JP3200996B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 光導波路装置 |
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| JPH0675130A true JPH0675130A (ja) | 1994-03-18 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1992
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