JPH0675306B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPH0675306B2
JPH0675306B2 JP5368085A JP5368085A JPH0675306B2 JP H0675306 B2 JPH0675306 B2 JP H0675306B2 JP 5368085 A JP5368085 A JP 5368085A JP 5368085 A JP5368085 A JP 5368085A JP H0675306 B2 JPH0675306 B2 JP H0675306B2
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JP
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magneto
optical recording
recording medium
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optimum
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満哉 岡田
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、レーザー光を用いて情報の記録再生消去をお
こなう光磁気記録媒体に関する。
(従来技術とその問題点) 光デイスクメモリは高密度・大容量・高速アクセスが可
能であるということから、現在の磁気デイスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気デイスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
従来より知られている光磁気記録媒体の構成は、第7図
に示したように支持基板1としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板1上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層2を形成し
たものである。光磁気記録層としてはMnBi,MnCuBi,MnTi
Bi,MnAlGe,PtCoなどの結晶体磁性薄膜、あるいはGd,Tb,
Dy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなどの遷移金属との合金
として得られるアモルフアス磁性薄膜が知られている。
また、第8図に示したように、支持基板1に深さ600〜1
000Å周期1.6〜2.5μmの溝を同心円状もしくはうず巻
き状に形成し、前記支持基板1上に光磁気記録層2を形
成した媒体構成も知られている。ここで形成されている
溝11は、記録媒体への情報の記録、あるいは再生・消去
に用いるレーザ集光ビームのトラツキングアクセスに用
いられるものである。
従来より知られている第7図及び第8図に示された光磁
気記録媒体においては、支持基板1上の光磁気記録層2
の膜厚に関して特に工夫はされていない。通常、半径方
向の膜厚分布は一定となるように形成されている。光磁
気記録媒体を用いて情報再生消去をおこなう場合、等角
速度で媒体を回転すると半径位置によつて媒体の線速度
が変わる。半径方向に一様な膜厚分布を持つ従来の光磁
気記録媒体においては最適記録パワー、最適再生パワ
ー、最適消去パワー各パワーを半径位置に応じて変えな
ければならない(川久保ら、電子通信学会技術研究報告
MR84-39)という欠点があつた。
(発明の目的) 本発明の目的は、前記従来の光磁気記録媒体の欠点を解
決し、簡単な媒体構成により、線速に依存することなく
半径方向に対して一定の最適記録パワー、最適再生パワ
ー、最適消去パワーを有し、良好な記録再生消去性能を
持つ新規な光磁気記録媒体を提供することにある。
(発明の構成) 上記目的を達成するために、本発明は、レーザ光を用い
て情報の記録再生消去をおこなう光磁気記録媒体におい
て、円板状支持基板と前記円板状支持基板上に形成され
た光磁気記録層とを備え、前記光磁気記録層の膜厚が光
磁気記録媒体の外周ほど薄くなるようにしたものであ
る。
(構成の詳細な説明) 本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。以下、本発明の詳細について図面を用い
て説明する。第1図は本発明にかかる光磁気記録媒体の
一例を示す断面図である。支持基板1上に光磁気記録層
2が形成された構造である。支持基板1としてはポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、エポキシなど
の有機物樹脂材料あるいはガラスが使用され、第2図の
ようにレーザビームトラツキング用の溝11があらかじめ
形成されたタイプのものも使用される。
光磁気記録層2としてはGd,Tb,Dy,Hoなどの希土類金属
とFe,Co,Niなどの遷移金属との合金から成るアモルフア
ス磁性薄膜が用いられる。たとえば、GdCo,GdTbCo,GdTb
FeCo,TbFe,TbFeCo,TbDyFeCo,GdTbFe,GdTbDyFe,TbCo,TbD
yCo,TbFeNiなどである。光磁気記録層2は内周から外周
に向けて膜厚を変えて作成され、外周ほど膜厚が薄くな
つている。これが本発明にかかる光磁気記録媒体の特徴
である。光磁気記録層2は真空蒸着法、スパツタリング
法などの成膜方法により作成される。
光磁気記録層2の膜厚が外周に向けて薄くなるように成
膜するには、例えば第3図に示したように真空室5中に
デイスク3の回転中心に対して偏心した位置に蒸着源あ
るいはスパツタソース4を有する成膜装置を用いる。図
中8は排気系、9は導入ガスボンベである。デイスク3
をモータ10により回転させながら成膜することにより、
半径方向に所望の膜厚分布を持つ光磁気記録媒体が容易
に得られる。
第4図(a)(b)(c)は、それぞれ光磁気記録媒体
の最適記録パワー、最適再生パワー、最適消去パワーと
線速度との関係を示した図である。パラメータとして光
磁気記録層の膜厚をとつている。ここで言う最適記録パ
ワーとは、記録信号に最も忠実に記録ビツトが形成でき
る記録パワーである。
また最適再生パワーとは再生信号のC/N,すなわち再生信
号レベルと雑音レベルの比が最も大きくなる再生パワー
を言う。
さらに最適消去パワーとは最適記録されたビツトを完全
に消去できる消去パワーを言う。最適記録パワー、最適
再生パワー、最適消去パワーはいずれも線速が増すと高
パワー側にシフトする。また、光磁気記録層の膜厚が厚
くなると、同じ線速であつても最適となる各パワーは大
きくなる。光磁気記録媒体を等角速度で回転して用いる
場合、半径位置によつて線速度が大きく変わる。そこ
で、光磁気記録層の膜厚が半径方向に一定であると、第
4図(a)、(b)、(c)からわかるように最適な記
録パワー、再生パワー、消去パワーを半径位置に応じて
変化させなければならない。
この欠点を解決するために、本発明にかかる光磁気記録
媒体の光磁気記録層の膜厚は第5図に示したように半径
方向に変化し、外周部ほど膜厚が減少するように作成さ
れる。
(実施例−1) 深さ700Å、幅0.8μm、ピツチ2.5μmのうず巻き状の
溝を有するポリメチルメタクリレート基板(120mm直
径、厚さ1.2mm)上にGdTbFe膜をスパツタリングによつ
て成膜した。成膜には第3図に示した構成の成膜装置を
用いた。デイスクは毎分20回転で回転され、直径60mmの
スパツタソース(Gd,Tb,Feの複合型ターゲツト)はデイ
スク回転中心から30mm離れた位置に配置された。2×10
-7Torr以下に排気後、アルゴンガス圧を7×10-3Torrに
設定し、スパツタをおこなつた。5分間のスパツタによ
り、半径方向に膜厚が変化した光磁気記録媒体が作成で
きた。半径29mmでのGdTbFeの膜厚は2000Å、半径58mmで
の膜厚は1000Åであつた。
次に、作成した光磁気記録媒体を用いて情報の記録再生
消去をおこなつた。媒体を毎秒30回転で回転し、記録再
生消去をおこなつたところ、半径29mmから58mmにおい
て、最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーはそれ
ぞれ一定であり、良好な記録再生消去が可能であつた。
(実施例−2) 実施例−1で用いたものと同じ基板上に、まず保護膜兼
干渉層としてSi3N4膜を反応性スパツタリングにより成
膜した。
膜厚は内周から外周にかけて一様に1200Åとなるように
した。つづいて真空を破ることなく実施例−1と同様の
手法でGdTbFe膜を成膜した。膜厚は半径29mmでは2000
Å、半径58mmでは1000Åであつた。さらにGdTbFe膜上
に、保護膜として2000Å厚のSi3N4膜を反応性スパツタ
リングにより成膜した。本実施例にもとづく光磁気記録
媒体の断面図は第6図のようになつている。
次に、作成した光磁気記録媒体を毎秒30回転で回転さ
せ、情報の記録再生消去をおこなつた。半径29mmから58
mmにおいて、最適となる記録パワー、再生パワー、消去
パワーはそれぞれ一定であり、良好な記録再生消去特性
が得られた。
(発明の効果) 以上、説明したように本発明によれば従来例と比較して
次のような効果がある。
等角速度回転での使用において光磁気記録媒体の半
径方向に対して最適記録パワー、最適再生パワー、最適
消去パワーが一定となるように媒体設計されているの
で、従来例のように半径位置に応じて各パワーを変える
必要がなく、装置構成を簡略化できる。
蒸着源あるいはスパツタソースの位置に対してデイ
スクの回転中心を偏心させることにより、容易に半径方
向に所望の膜厚分布を持つ媒体が作成できる。
本発明は等角速度回転で用いる光磁気記録媒体すべ
てに適用できる。すなわち、本発明の実施例に限らず、
種々の光磁気記録材料を用いた種々の膜構成の光磁気記
録媒体に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の適用された光磁気記録媒体
の構成例を示す断面図、第3図は本発明にかかる光磁気
記録媒体の作成に用いる成膜装置の概略図、第4図
(a)、(b)、(c)は光磁気記録媒体の最適記録パ
ワー、最適再生パワー、最適消去パワーと線速度との関
係を示した図、第5図は本発明にかかる光磁気記録媒体
の光磁気記録層の半径方向の膜厚分布を示す図、第6図
は本発明の適用された一実施例の断面図である。第7
図、第8図は従来の光磁気記録媒体の構成を示す断面図
である。 図中1……支持基板、2……光磁気記録層、3……デイ
スク、4……蒸着源あるいはスパツタソース、5……真
空室、6……保護膜兼干渉層、7……保護膜、8……排
気系、9……導入ガスボンベ、10……モーター、11……
溝である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ光を用いて情報の記録再生消去をお
    こなう光磁気記録媒体において、円板状支持基板と前記
    円板状支持基板上に形成された光磁気記録層とを備え、
    前記光磁気記録層の膜厚が光磁気記録媒体の外周ほど薄
    くなっていることを特徴とする光磁気記録媒体。
JP5368085A 1985-03-18 1985-03-18 光磁気記録媒体 Expired - Lifetime JPH0675306B2 (ja)

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JP5368085A JPH0675306B2 (ja) 1985-03-18 1985-03-18 光磁気記録媒体

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JP5368085A JPH0675306B2 (ja) 1985-03-18 1985-03-18 光磁気記録媒体

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JPS61211854A JPS61211854A (ja) 1986-09-19
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JPH01253848A (ja) * 1988-03-31 1989-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録担体
JP2616058B2 (ja) * 1989-11-01 1997-06-04 日本電気株式会社 光磁気ディスク

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JPS61211854A (ja) 1986-09-19

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