JPH067588B2 - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH067588B2 JPH067588B2 JP60096209A JP9620985A JPH067588B2 JP H067588 B2 JPH067588 B2 JP H067588B2 JP 60096209 A JP60096209 A JP 60096209A JP 9620985 A JP9620985 A JP 9620985A JP H067588 B2 JPH067588 B2 JP H067588B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- photoelectric conversion
- electrode
- shielding film
- individual
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はファクシミリ，光学文字認識および複写機等の
光電変換デパイスとして用いられる密着形イメージセン
サに関するものである。
光電変換デパイスとして用いられる密着形イメージセン
サに関するものである。
（従来技術とその問題点） この密着形イメージセンサは、ＭＯＳ型ＩＣイメージセ
ンサやＣＣＤイメージセンサ等と比較して、レンズによ
る縮小光学系を用いないためファクシミリ装置等を小型
に実現でき経済性に優れている。この密着形イメージセ
ンサの光電変換素子材料としては、可視光領域で光感度
が高く、大面積形成が容易なアモルファスシリコン（以
下ａ−Ｓｉと記す）が、、最近よく使われている。
ンサやＣＣＤイメージセンサ等と比較して、レンズによ
る縮小光学系を用いないためファクシミリ装置等を小型
に実現でき経済性に優れている。この密着形イメージセ
ンサの光電変換素子材料としては、可視光領域で光感度
が高く、大面積形成が容易なアモルファスシリコン（以
下ａ−Ｓｉと記す）が、、最近よく使われている。
このａ−Siは、比抵抗が高く、ＣＣＤイメージセンサや
ＭＯＳ型ＩＣイメージセンサと同様に、電荷蓄積モード
動作に適している。この場合、通常その素子構造として
は、ａ−Siを上下電極でサンドイッチした構造が用いら
れるが、この様なサンドイッチ構造を採用することによ
り、素子の光応答速度も、０．１msec以下という高速性
が実現でき、高速読み取り装置に適するイメージセンサ
が得られる。
ＭＯＳ型ＩＣイメージセンサと同様に、電荷蓄積モード
動作に適している。この場合、通常その素子構造として
は、ａ−Siを上下電極でサンドイッチした構造が用いら
れるが、この様なサンドイッチ構造を採用することによ
り、素子の光応答速度も、０．１msec以下という高速性
が実現でき、高速読み取り装置に適するイメージセンサ
が得られる。
第３図は従来のサンドイッチ素子構造のイメージセンサ
の断面図を示したものである。例えば、ガラス等の絶縁
性基板１０上に形成された例えばＣｒ等からなる個別電
極１１上にａ−Si光電変換膜１２が、例えばプラズマＣ
ＶＤ等により形成されている。このａ−Si光電変換膜１
２の上に、例えばIndium Tin Oxide（以下ＩＴＯとい
う）の透明電極１３が、スパッタリング等により蒸着さ
れ、さらに光電変換素子開口部の副走査方向の寸法を決
定する例えばＣｒ，Ｔｉ等からなる直線状の開口部を持
つた遮光膜１６が、帯状に形成されている。この遮光膜
１６は、共通電極としてのＩＴＯ透明電極１３の抵抗値
を下げ、高速読み取りを実現する上でも、必要である。
の断面図を示したものである。例えば、ガラス等の絶縁
性基板１０上に形成された例えばＣｒ等からなる個別電
極１１上にａ−Si光電変換膜１２が、例えばプラズマＣ
ＶＤ等により形成されている。このａ−Si光電変換膜１
２の上に、例えばIndium Tin Oxide（以下ＩＴＯとい
う）の透明電極１３が、スパッタリング等により蒸着さ
れ、さらに光電変換素子開口部の副走査方向の寸法を決
定する例えばＣｒ，Ｔｉ等からなる直線状の開口部を持
つた遮光膜１６が、帯状に形成されている。この遮光膜
１６は、共通電極としてのＩＴＯ透明電極１３の抵抗値
を下げ、高速読み取りを実現する上でも、必要である。
このａ−Si光電変換素子１２で発生した光信号電荷を高
速で、効率よく高感度に読む取ることができる駆動回路
として、特願昭５９−143020「密着形センサとその駆動
方法」に示されるＣＣＤ駆動回路がある。この回路は第
４図により示される。この図を簡単に説明すると、ＣＣ
Ｄシフトレジスタ２１，トランスファーゲート列２２お
よびフローティングゲートアンプ２３から少なくとも構
成された駆動用ＣＣＤ２０の入力端子列２４とａ−Si光
電変換素子２５の個別電極端子列２６とがボンディング
ワイヤ４７で１対１に対応して接続されている。ａ−Si
光電変換素子２５で発生した光信号電荷が、トランスフ
ァーゲート２２を通してＣＣＤシフトレジスタ２１に送
られた後、転送用クロックφ１，φ２により順次時系列
に転送され、フローティングゲートアンプ２３を通して
出力される。
速で、効率よく高感度に読む取ることができる駆動回路
として、特願昭５９−143020「密着形センサとその駆動
方法」に示されるＣＣＤ駆動回路がある。この回路は第
４図により示される。この図を簡単に説明すると、ＣＣ
Ｄシフトレジスタ２１，トランスファーゲート列２２お
よびフローティングゲートアンプ２３から少なくとも構
成された駆動用ＣＣＤ２０の入力端子列２４とａ−Si光
電変換素子２５の個別電極端子列２６とがボンディング
ワイヤ４７で１対１に対応して接続されている。ａ−Si
光電変換素子２５で発生した光信号電荷が、トランスフ
ァーゲート２２を通してＣＣＤシフトレジスタ２１に送
られた後、転送用クロックφ１，φ２により順次時系列
に転送され、フローティングゲートアンプ２３を通して
出力される。
ところが、この様なＣＣＤ駆動系においてトランスファ
ーゲート２２から見ると、ａ−Si光電変換素子２５側の
対接地容量ＣＰはＩＣイメージセンサと比べて大きく、
その結果光信号電荷量Ｑsigを接地容量ＣＰで除した入
力信号電位 が小さくなるため、いわゆる不完全転送による残像が顕
著となる。特に、この様なハイブリッド型のセンサで
は、配線容量等も含まれるため通常のＩＣイメージセン
サと比較してこの残像が非常に大きくなる。
ーゲート２２から見ると、ａ−Si光電変換素子２５側の
対接地容量ＣＰはＩＣイメージセンサと比べて大きく、
その結果光信号電荷量Ｑsigを接地容量ＣＰで除した入
力信号電位 が小さくなるため、いわゆる不完全転送による残像が顕
著となる。特に、この様なハイブリッド型のセンサで
は、配線容量等も含まれるため通常のＩＣイメージセン
サと比較してこの残像が非常に大きくなる。
第５図は従来のサンドイッチ構造の光電変換素子部の平
面図を示す。ここで前述した対接地容量ＣＰは、個別電
極１１と透明電極１３との間の素子開口部容量ＣP1と個
別電極１１と遮光膜１６間の配線容量ＣP2の和でほぼ決
まる。素子開口部面積をＳ１，個別電極１１と遮光膜１
６の重なった部分の面積をＳ２，ａ−Si１２の膜厚を
ｄ，ａ−Si１２の比誘電率をεr，真空の誘電率をε0と
して、 と表わされる。
面図を示す。ここで前述した対接地容量ＣＰは、個別電
極１１と透明電極１３との間の素子開口部容量ＣP1と個
別電極１１と遮光膜１６間の配線容量ＣP2の和でほぼ決
まる。素子開口部面積をＳ１，個別電極１１と遮光膜１
６の重なった部分の面積をＳ２，ａ−Si１２の膜厚を
ｄ，ａ−Si１２の比誘電率をεr，真空の誘電率をε0と
して、 と表わされる。
この残像を抑圧する、つまり容量を小さくするためにａ
−Si１２の膜厚を厚くすると、光応答速度が劣化し、ａ
−Si１２の蒸着時間が増加し、工数増加，コストアップ
等の要因となる等の問題が発生し、効果的でない。
−Si１２の膜厚を厚くすると、光応答速度が劣化し、ａ
−Si１２の蒸着時間が増加し、工数増加，コストアップ
等の要因となる等の問題が発生し、効果的でない。
第５図に示した個別電極１１の構成として、交互リード
引出しは、１６本／ｍｍ程度以上の高解像度デバイスに
おいては、パターニングを非常に楽にし、工数削減，歩
留り向上に非常に有効な手段であり、現在種々のデバイ
スで採用されている。従って遮光膜１６は、従来同図の
様な直線状の開口部を有する帯状であった。配線部面積
Ｓ２を減らすためには、個別電極１６の幅を狭くするこ
とが考えられるが、これも限度があり、歩留り，再現性
等を考えると通常のフォトリソグラフィでは１０μｍ〜
１５μｍ程度までである。もう１つ遮光膜１６のストラ
イプの幅を狭くする方法が考えられる。しかしこの共通
電極としての遮光膜１６のストライプの幅を狭くすると
抵抗が増加して高速動作には適さなくなる。この抵抗を
増加させないために遮光膜１６の膜厚を厚くすることも
考えられるが、遮光膜１６の材料としてのCrやTi等を厚
くするとクラック等が生じ易く、またはく離等の問題が
生ずるため、せいぜい1000Å〜2000Å程度である。通
常、ＣｒやＴｉ等では、この程度の厚さでシート抵抗が
１０Ω〜５０Ωであるため、例えば遮光膜１６のストラ
イプの幅を５ｍｍとしてもＡ４判長約２２０ｍｍになれ
ば、４４０Ω〜2.2ＫΩにもなる。又この時、配線容量
ＣP2は、例えばａ−Si１２の膜厚を約１μｍ，個別電極
１１の幅を１０μｍとすると、約５ｐＦ以上となる。こ
の時１６素子／ｍｍでは素子開口部容量ＣP1は、配線容
量に比べ約0.3ｐＦと小さい。
引出しは、１６本／ｍｍ程度以上の高解像度デバイスに
おいては、パターニングを非常に楽にし、工数削減，歩
留り向上に非常に有効な手段であり、現在種々のデバイ
スで採用されている。従って遮光膜１６は、従来同図の
様な直線状の開口部を有する帯状であった。配線部面積
Ｓ２を減らすためには、個別電極１６の幅を狭くするこ
とが考えられるが、これも限度があり、歩留り，再現性
等を考えると通常のフォトリソグラフィでは１０μｍ〜
１５μｍ程度までである。もう１つ遮光膜１６のストラ
イプの幅を狭くする方法が考えられる。しかしこの共通
電極としての遮光膜１６のストライプの幅を狭くすると
抵抗が増加して高速動作には適さなくなる。この抵抗を
増加させないために遮光膜１６の膜厚を厚くすることも
考えられるが、遮光膜１６の材料としてのCrやTi等を厚
くするとクラック等が生じ易く、またはく離等の問題が
生ずるため、せいぜい1000Å〜2000Å程度である。通
常、ＣｒやＴｉ等では、この程度の厚さでシート抵抗が
１０Ω〜５０Ωであるため、例えば遮光膜１６のストラ
イプの幅を５ｍｍとしてもＡ４判長約２２０ｍｍになれ
ば、４４０Ω〜2.2ＫΩにもなる。又この時、配線容量
ＣP2は、例えばａ−Si１２の膜厚を約１μｍ，個別電極
１１の幅を１０μｍとすると、約５ｐＦ以上となる。こ
の時１６素子／ｍｍでは素子開口部容量ＣP1は、配線容
量に比べ約0.3ｐＦと小さい。
従来のＣＣＤイメージセンサの場合、この対接地容量は
0.01ｐＦ以上であるから、これと比較するとこの配線容
量ＣP2が非常に大きいことがわかり、ＣＣＤ駆動による
読み取りには大きな問題となる。
0.01ｐＦ以上であるから、これと比較するとこの配線容
量ＣP2が非常に大きいことがわかり、ＣＣＤ駆動による
読み取りには大きな問題となる。
（発明の目的） 本発明の目的は、このような欠点を取り除き、配線容量
を減少し、高速動作が可能で、残像の少ない密着形イメ
ージセンサを提供することにある。
を減少し、高速動作が可能で、残像の少ない密着形イメ
ージセンサを提供することにある。
（発明の構成） 本発明の構成は、絶縁性基板上に、複数の個別電極と、
これら各個別電極の一部を覆う様に設けられた光電変換
膜と、この光電変換膜の一部を覆い前記各個別電極と一
部が交差する様に帯状に設けられた透明電極と、この透
明電極の一部を覆い前記個別電極と前記透明電極との交
差した一部に開口部を有する帯状の不透明電極とを少な
くとも配設した密着形イメージセンサにおいて、前記不
透明電極の前記各個別電極に相対する部位の一部が取り
除かれたことを特徴とする。
これら各個別電極の一部を覆う様に設けられた光電変換
膜と、この光電変換膜の一部を覆い前記各個別電極と一
部が交差する様に帯状に設けられた透明電極と、この透
明電極の一部を覆い前記個別電極と前記透明電極との交
差した一部に開口部を有する帯状の不透明電極とを少な
くとも配設した密着形イメージセンサにおいて、前記不
透明電極の前記各個別電極に相対する部位の一部が取り
除かれたことを特徴とする。
（発明の作用，原理） 本発明の構成をとることにより、高速動作に適応でき、
残像を極力減少できる密着性イメージセンサが得られ
る。すなわち、本発明では、共通電極である遮光膜の抵
抗を増加させることなく個別電極と遮光膜間による配線
容量を極力小さくすることができるので、ＣＣＤシフト
レジスタによる駆動回路を用いた場合でも、入力信号電
位Ｖinを大きくとることができ、不完全転送による残像
を極力押えることができる。また、バイアス電荷等を印
加する残像抑圧方式と共に用いることにより、従来のＩ
Ｃイメージセンサあるいはそれ以上の高性能化が達成で
きる。
残像を極力減少できる密着性イメージセンサが得られ
る。すなわち、本発明では、共通電極である遮光膜の抵
抗を増加させることなく個別電極と遮光膜間による配線
容量を極力小さくすることができるので、ＣＣＤシフト
レジスタによる駆動回路を用いた場合でも、入力信号電
位Ｖinを大きくとることができ、不完全転送による残像
を極力押えることができる。また、バイアス電荷等を印
加する残像抑圧方式と共に用いることにより、従来のＩ
Ｃイメージセンサあるいはそれ以上の高性能化が達成で
きる。
（実施例） 以下本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の第一の実施例の平面図を示すものであ
る。例えば、ガラス基板１０状に形成した例えばＣｒ等
よりなる個別電極１１と、その上に順次ａ−Si光電変換
膜１２，ＩＴＯ透明電極13および例えばＣｒ，Ｔｉ等よ
りなる遮光膜１４とから少なくとも構成されている。こ
こで、遮光膜１４は、従来例で示した様に単なるストラ
イプではなく、個別電極１１の上部に当る部分の幅が狭
く、その他は広い、いわゆるくし形構造となっている。
従って前述した様に、個別電極１１と遮光膜１４間の配
線容量ＣP2は小さくでき、しかも遮光膜１４の抵抗を極
力押えることができる。
る。例えば、ガラス基板１０状に形成した例えばＣｒ等
よりなる個別電極１１と、その上に順次ａ−Si光電変換
膜１２，ＩＴＯ透明電極13および例えばＣｒ，Ｔｉ等よ
りなる遮光膜１４とから少なくとも構成されている。こ
こで、遮光膜１４は、従来例で示した様に単なるストラ
イプではなく、個別電極１１の上部に当る部分の幅が狭
く、その他は広い、いわゆるくし形構造となっている。
従って前述した様に、個別電極１１と遮光膜１４間の配
線容量ＣP2は小さくでき、しかも遮光膜１４の抵抗を極
力押えることができる。
例えば、Ａ４判，１６素子／ｍｍの場合を例にとってみ
る。ここでａ−Ｓｉ光電変換膜１２厚を１μｍ，個別電
極１１の幅を１０μｍ，遮光膜１４の幅を、それぞれ
０．５ｍｍ，５０ｍｍとすると、配線容量ＣP2は、従来
例で述べた場合の1/10となり、約０．５pFにできる。こ
の時遮光膜１４の抵抗は、シート抵抗を１０Ω〜５０Ω
として、幅の狭い部分抵抗 と幅の広い部分の抵抗 の和で表わされる。従って合成抵抗は約４００Ω〜２Ｋ
Ωであり対接地容量を1/10にしても、抵抗は、従来の幅
広パターンと同等程度にすることができ、高速動作に悪
影響を与えるものでもない。また、対接地容量が合計
０．８pFと小さくなり、この程度になればＣＣＤシフト
レジスタを用いた駆動方式とバイアス電荷注入による残
像抑圧により、Ａ４判，１６素子／ｍｍ密着イメージセ
ンサにおいて、０．５ｍsec／ライン以下の高速駆動
で、従来のＩＣイメージセンサと同等あるいはそれ以上
の高ＳＮ比が達成できる。また、この両側の遮光膜１４
は、Ａ４判幅のガラス基板１０上の両端で共通になって
いてもよい。
る。ここでａ−Ｓｉ光電変換膜１２厚を１μｍ，個別電
極１１の幅を１０μｍ，遮光膜１４の幅を、それぞれ
０．５ｍｍ，５０ｍｍとすると、配線容量ＣP2は、従来
例で述べた場合の1/10となり、約０．５pFにできる。こ
の時遮光膜１４の抵抗は、シート抵抗を１０Ω〜５０Ω
として、幅の狭い部分抵抗 と幅の広い部分の抵抗 の和で表わされる。従って合成抵抗は約４００Ω〜２Ｋ
Ωであり対接地容量を1/10にしても、抵抗は、従来の幅
広パターンと同等程度にすることができ、高速動作に悪
影響を与えるものでもない。また、対接地容量が合計
０．８pFと小さくなり、この程度になればＣＣＤシフト
レジスタを用いた駆動方式とバイアス電荷注入による残
像抑圧により、Ａ４判，１６素子／ｍｍ密着イメージセ
ンサにおいて、０．５ｍsec／ライン以下の高速駆動
で、従来のＩＣイメージセンサと同等あるいはそれ以上
の高ＳＮ比が達成できる。また、この両側の遮光膜１４
は、Ａ４判幅のガラス基板１０上の両端で共通になって
いてもよい。
第２図は本発明の他の実施例の平面図を示す。この実施
例は、第１の実施例と構成要素に変化がなく、遮光膜１
５の形状が、くし形から格子状になった例であるが、そ
の効果は、第１の実施例と同等である。
例は、第１の実施例と構成要素に変化がなく、遮光膜１
５の形状が、くし形から格子状になった例であるが、そ
の効果は、第１の実施例と同等である。
また、遮光膜のパターニングは、ストライブパターンに
するのと特に変りはなく、従来の同じ工程，工数で充分
可能である。また、本実施例の構成とは逆に、ａ−Si光
電変換膜に対し遮光膜側と個別電極とが入れ替わった構
成でもかまわない。
するのと特に変りはなく、従来の同じ工程，工数で充分
可能である。また、本実施例の構成とは逆に、ａ−Si光
電変換膜に対し遮光膜側と個別電極とが入れ替わった構
成でもかまわない。
（発明の効果） 以上詳述した様に、本発明によれば、ａ−Si光電変換素
子部の対接地容量を、共通電極である遮光膜の抵抗値を
増加させる事なく減少でき、高速動作に充分対応できる
密着形イメージセンサを形成できる。特に、ＣＣＤシフ
トレジスタを駆動回路として用いた高速，高性能密着形
イメージセンサを構成する上で大きな問題となっていた
残像を減少でき、バイアス電荷注入による残像抑圧方式
等と併用することにより、高速，高性能密着形イメージ
センサが実現され、ファクシミリだけでなく光学文字認
識や複写機等への応用，中間調やカラー装置への適用も
可能となる。
子部の対接地容量を、共通電極である遮光膜の抵抗値を
増加させる事なく減少でき、高速動作に充分対応できる
密着形イメージセンサを形成できる。特に、ＣＣＤシフ
トレジスタを駆動回路として用いた高速，高性能密着形
イメージセンサを構成する上で大きな問題となっていた
残像を減少でき、バイアス電荷注入による残像抑圧方式
等と併用することにより、高速，高性能密着形イメージ
センサが実現され、ファクシミリだけでなく光学文字認
識や複写機等への応用，中間調やカラー装置への適用も
可能となる。
第１図，第２図は本発明の第１および第２の実施例の平
面図、第３図、第５図は従来の密着形イメージセンサの
素子断面図および平面図、第４図は第３図の素子を駆動
する回路の一例の回路図である。図において １０……ガラス基板、１１……個別電極、１２……アモ
ルファスシリコン光電変換膜、１３……透明電極、１
４，１５，１６……遮光膜、２０……駆動用ＣＣＤチッ
プ、２１……ＣＣＤシフトレジスタ、２２……トランス
ファゲート、２３……フローティングゲートアンプ、２
４……パッド、２５……アモルファスシリコン光電変換
素子、26……個別電極端子、２７……ボンディングワイ
ヤー、 である。
面図、第３図、第５図は従来の密着形イメージセンサの
素子断面図および平面図、第４図は第３図の素子を駆動
する回路の一例の回路図である。図において １０……ガラス基板、１１……個別電極、１２……アモ
ルファスシリコン光電変換膜、１３……透明電極、１
４，１５，１６……遮光膜、２０……駆動用ＣＣＤチッ
プ、２１……ＣＣＤシフトレジスタ、２２……トランス
ファゲート、２３……フローティングゲートアンプ、２
４……パッド、２５……アモルファスシリコン光電変換
素子、26……個別電極端子、２７……ボンディングワイ
ヤー、 である。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上に、複数の個別電極と、これ
ら各個別電極の一部を覆う様に設けられた光電変換膜
と、この光電変換膜の一部を覆い前記各個別電極と一部
が交差する様に帯状に設けられた透明電極と、この透明
電極の一部を覆い前記各個別電極と前記透明電極との交
差した一部に開口部を有する帯状の不透明電極とを少く
とも配設した密着形イメージセンサにおいて、前記不透
明電極の前記各個別電極に相対する部位の一部が取り除
かれたことを特徴とする密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096209A JPH067588B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096209A JPH067588B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255059A JPS61255059A (ja) | 1986-11-12 |
| JPH067588B2 true JPH067588B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=14158863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096209A Expired - Lifetime JPH067588B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067588B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758764B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1995-06-21 | 株式会社東芝 | イメージセンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5441874B2 (ja) | 2010-12-06 | 2014-03-12 | 株式会社椿本チエイン | 植物栽培装置 |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP60096209A patent/JPH067588B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5441874B2 (ja) | 2010-12-06 | 2014-03-12 | 株式会社椿本チエイン | 植物栽培装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61255059A (ja) | 1986-11-12 |
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