JPH0237108B2 - - Google Patents
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- JPH0237108B2 JPH0237108B2 JP55042212A JP4221280A JPH0237108B2 JP H0237108 B2 JPH0237108 B2 JP H0237108B2 JP 55042212 A JP55042212 A JP 55042212A JP 4221280 A JP4221280 A JP 4221280A JP H0237108 B2 JPH0237108 B2 JP H0237108B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- transistor
- section
- thin film
- conversion element
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1938—Details of the electrical scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光電変換装置、殊にフアクシミリ、
デジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報入力
部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等
の読取装置等々に適用される固体化された光電変
換装置に関する。
デジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報入力
部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等
の読取装置等々に適用される固体化された光電変
換装置に関する。
最近、装置全体の小型指向から、フアクシミリ
やデジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報入
力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や像
を読取る装置に適用される光電変換装置として再
生される原画像のサイズに相等しいか若しくはそ
れに近いサイズの受光面を有し、且つ解像性に優
れ、原画像を忠実に読取り得、然もコンパクトな
所謂長尺化された受光面を有する光電変換装置の
開発の進展が著しい。
やデジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報入
力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や像
を読取る装置に適用される光電変換装置として再
生される原画像のサイズに相等しいか若しくはそ
れに近いサイズの受光面を有し、且つ解像性に優
れ、原画像を忠実に読取り得、然もコンパクトな
所謂長尺化された受光面を有する光電変換装置の
開発の進展が著しい。
而乍ら、上記の様な長尺化された受光面を有す
る光電変換装置は、具備される光電変換部に附随
する信号処理回路部に大きな問題がある。
る光電変換装置は、具備される光電変換部に附随
する信号処理回路部に大きな問題がある。
即ち、前記信号処理回路部が光電変換部に較べ
て非常に大きなスペースを占め、光電変換部を長
尺化することで光路長を非常に短かくすることが
出来ることにより生じた小型化の利点を生かし切
れないという点である。
て非常に大きなスペースを占め、光電変換部を長
尺化することで光路長を非常に短かくすることが
出来ることにより生じた小型化の利点を生かし切
れないという点である。
通常この問題点を解決するための一手段として
光電変換部の画素（光電変換要素）群を複数個に
ブロツク化して各ブロツクをマトリクス配線し、
１ブロツク毎にこの信号処理回路部を動作させる
方式が取られる。
光電変換部の画素（光電変換要素）群を複数個に
ブロツク化して各ブロツクをマトリクス配線し、
１ブロツク毎にこの信号処理回路部を動作させる
方式が取られる。
ここで、このマトリクス配線において問題とな
るのは光電変換要素と信号処理部を接続し外部に
信号を取り出すために、ボンデイング工程が必要
であるが、光電変換要素と信号処理部を一体化し
なければ、このボンデイング工程が極端に多くな
ることである。
るのは光電変換要素と信号処理部を接続し外部に
信号を取り出すために、ボンデイング工程が必要
であるが、光電変換要素と信号処理部を一体化し
なければ、このボンデイング工程が極端に多くな
ることである。
通常この問題点を解決するために、結晶Si基板
上に信号処理部を設け、その上に、光電変換部を
作製し、一体化を計つている。
上に信号処理部を設け、その上に、光電変換部を
作製し、一体化を計つている。
しかしながら、長尺化された受光面をもたせる
ため長尺な光電変換部に隣接した信号処理部を設
ける必要がありこの要求に対して結晶基板を用い
ることは充分答えるものではない。
ため長尺な光電変換部に隣接した信号処理部を設
ける必要がありこの要求に対して結晶基板を用い
ることは充分答えるものではない。
本発明は上記の点に鑑みて成されたものであつ
て、従来の光電変換装置の改良を計ることを目的
とし、又無欠陥で長尺な充電変換装置を提供する
ことを目的とする。
て、従来の光電変換装置の改良を計ることを目的
とし、又無欠陥で長尺な充電変換装置を提供する
ことを目的とする。
本発明の光電変換装置は受光面を有する光電変
換要素のＮ個が配されている光電変換部：前記光
電変換要素により光電変換された信号を蓄積する
蓄積手段；クロストーク防止用ダイオード；トラ
ンジスター；により構成される信号処理回路部：
が同一基板上に具備され、前記光電変換要素、前
記クロストーク防止用ダイオード及び前記トラン
ジスターの各半導体部が半導体薄膜で構成される
とともに前記蓄積手段と前記トランジスターとの
共有されている絶縁層を有することを特徴とす
る。
換要素のＮ個が配されている光電変換部：前記光
電変換要素により光電変換された信号を蓄積する
蓄積手段；クロストーク防止用ダイオード；トラ
ンジスター；により構成される信号処理回路部：
が同一基板上に具備され、前記光電変換要素、前
記クロストーク防止用ダイオード及び前記トラン
ジスターの各半導体部が半導体薄膜で構成される
とともに前記蓄積手段と前記トランジスターとの
共有されている絶縁層を有することを特徴とす
る。
以下、本発明を図面に従つて説明する。
第１図には、本発明の光電変換装置の等価回路
が示される。この光電変換装置はＮ個の光電変換
要素PE１，PE２，…，PEN、各光電変換要素
PEの出力信号を蓄積する蓄積手段としてのコン
デンサーCE１，CE２，…，CEN、クロストーク
防止用ダイオードＤ１，Ｄ２，…，DN、及び蓄
積コンデンサーに貯えられた電荷を出力端子
OUTに順次転送するための転送用トランジスタ
ーSW１，SW２，…，SWNにより構成される。
が示される。この光電変換装置はＮ個の光電変換
要素PE１，PE２，…，PEN、各光電変換要素
PEの出力信号を蓄積する蓄積手段としてのコン
デンサーCE１，CE２，…，CEN、クロストーク
防止用ダイオードＤ１，Ｄ２，…，DN、及び蓄
積コンデンサーに貯えられた電荷を出力端子
OUTに順次転送するための転送用トランジスタ
ーSW１，SW２，…，SWNにより構成される。
Ｎ個の光電変換要素の一方の電極は、それぞれ
蓄積コンデンサーと、クロストーク防止用ダイオ
ードのアノード電極に接続される。蓄積コンデン
サーの対極はすべて接地され、クロストーク防止
用ダイオードのカソード電極は、それぞれ転送用
トランジスターのドレイン電極に接地される。
蓄積コンデンサーと、クロストーク防止用ダイオ
ードのアノード電極に接続される。蓄積コンデン
サーの対極はすべて接地され、クロストーク防止
用ダイオードのカソード電極は、それぞれ転送用
トランジスターのドレイン電極に接地される。
光電変換要素のもう一方の電極はＭ個おきに接
続され、Ｍ本の信号線にまとめられる。この信号
線をブロツク選択線と呼ぶ。
続され、Ｍ本の信号線にまとめられる。この信号
線をブロツク選択線と呼ぶ。
転送用トランジスターSWのソース電極はすべ
て出力端子OUTに接続される。転送用トランジ
スターSWのゲート電極はそれぞれＭ個のゲート
電極に共通に接続されたＬ本の信号線にまとめら
れる。この信号線をゲート選択線と呼ぶ。
て出力端子OUTに接続される。転送用トランジ
スターSWのゲート電極はそれぞれＭ個のゲート
電極に共通に接続されたＬ本の信号線にまとめら
れる。この信号線をゲート選択線と呼ぶ。
光電変換部に入射された光情報は、ブロツク選
択線により駆動される光電変換要素の出力がゲー
ト選択線により選択された転送用トランジスター
SWを通つて出力端子OUTに出力される。
択線により駆動される光電変換要素の出力がゲー
ト選択線により選択された転送用トランジスター
SWを通つて出力端子OUTに出力される。
第２図には第１図に示す本発明の光電変換装置
の駆動のタイミングチヤートが示される。
の駆動のタイミングチヤートが示される。
ブロツク選択信号Ｄ１，Ｄ２，…，DM、の駆
動周波数はゲート選択信号Ｇ１，Ｇ２，…，GL、
の駆動周波数に対し、通常Ｍ倍とされる。
動周波数はゲート選択信号Ｇ１，Ｇ２，…，GL、
の駆動周波数に対し、通常Ｍ倍とされる。
光電変換部に入射した光情報は光電変換要素の
抵抗を変化させ、ブロツク選択信号Ｄのクロツク
によりそれぞれの蓄積コンデンサーCEに充電さ
れる。蓄積コンデンサーCEに貯えられた電荷は
ゲート選択信号Ｇにより導通状態となつた転送用
トランジスターにより選択信号クロツクに従つて
順次出力される。
抵抗を変化させ、ブロツク選択信号Ｄのクロツク
によりそれぞれの蓄積コンデンサーCEに充電さ
れる。蓄積コンデンサーCEに貯えられた電荷は
ゲート選択信号Ｇにより導通状態となつた転送用
トランジスターにより選択信号クロツクに従つて
順次出力される。
この光電変換装置における、光電変換要素、転
送用トランジスター、及びクロストーク防止用ダ
イオードはすべて半導体薄膜により同一基板上に
構成される。
送用トランジスター、及びクロストーク防止用ダ
イオードはすべて半導体薄膜により同一基板上に
構成される。
光電変換装置PEを構成する光受容体層は、例
えば、アモルフアス水素化シリコン（ａ−Si：Ｈ
と以後略記する）、PbO、CdSe、Sb2S3、Se、Se
−Te、Se−Te−As、Se−Bi、ZnCdTe、CdS、
Cu2Sアモルフアス水素化ゲルマニウム、アモル
フアス水素化GexSi（１−ｘ）、等の高感度の光導
電材料で構成される。
えば、アモルフアス水素化シリコン（ａ−Si：Ｈ
と以後略記する）、PbO、CdSe、Sb2S3、Se、Se
−Te、Se−Te−As、Se−Bi、ZnCdTe、CdS、
Cu2Sアモルフアス水素化ゲルマニウム、アモル
フアス水素化GexSi（１−ｘ）、等の高感度の光導
電材料で構成される。
薄膜トランジスターSW，Ｓを構成する半導体
薄膜は、例えばCdSe、ａ−Si：Ｈ（アモルフアス
水素化シリコン）、ａ−Ge：Ｈ（アモルフアス水
素化ゲルマニウム）、アモルフアス水素化GexSi
（１−ｘ）、多結晶、或いは結晶シリコン等で構成
される。
薄膜は、例えばCdSe、ａ−Si：Ｈ（アモルフアス
水素化シリコン）、ａ−Ge：Ｈ（アモルフアス水
素化ゲルマニウム）、アモルフアス水素化GexSi
（１−ｘ）、多結晶、或いは結晶シリコン等で構成
される。
本発明においては、Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等の
周期律表第族の元素或いは、Ｂ、Al、Ga、In、
Tl等の周期律表第族Ａの元素を不純物として
ドーピングする事によつてｎ型あるいはｐ型にす
ることが出来ることの利点から、光受容体積及び
薄膜トランジスターをａ−Si：Ｈで形成するのが
好適とされる。
周期律表第族の元素或いは、Ｂ、Al、Ga、In、
Tl等の周期律表第族Ａの元素を不純物として
ドーピングする事によつてｎ型あるいはｐ型にす
ることが出来ることの利点から、光受容体積及び
薄膜トランジスターをａ−Si：Ｈで形成するのが
好適とされる。
本発明においては、光受容体積の層厚は、光情
報の入射によつて生ずるホトキヤリアの拡散の度
合により決定されるが通常4000Å〜2μｍ、好適
には6000Å〜1.5μｍとされるのが望ましい。又、
薄膜トランジスターの半導体層の層厚は、絶縁層
を介して設けられるゲート電極に印加される電圧
により生じる空乏層領域の層厚よりも薄いことが
望ましく、通常1000Å〜1μｍが好適とされる。
報の入射によつて生ずるホトキヤリアの拡散の度
合により決定されるが通常4000Å〜2μｍ、好適
には6000Å〜1.5μｍとされるのが望ましい。又、
薄膜トランジスターの半導体層の層厚は、絶縁層
を介して設けられるゲート電極に印加される電圧
により生じる空乏層領域の層厚よりも薄いことが
望ましく、通常1000Å〜1μｍが好適とされる。
光電変換要素、及び薄膜トランジスターが形成
される基板は、例えば基板側より光電変換素子の
受光面に光情報が入射される場合には、透光性の
材質のものが採用されるが、基板とは反対面上に
形成された光電変換要素側よりその受光面に光情
報が入射される場合には、このような制限は除く
ことが出来る。
される基板は、例えば基板側より光電変換素子の
受光面に光情報が入射される場合には、透光性の
材質のものが採用されるが、基板とは反対面上に
形成された光電変換要素側よりその受光面に光情
報が入射される場合には、このような制限は除く
ことが出来る。
本発明において基板として使用される好適な材
料としては、平面性、表面平滑性、耐熱性、製造
時の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば
通常市販されている或いは入手し得るものの多く
が挙げられる。その様な基板形成材料としては、
具体的に例えば、ガラス、7059番ガラス（ダウコ
ーニング社製）、マグネシア、ベリリア、スピネ
ル、酸化イツトリユウム等の透光性材料、アルミ
ニウムモリブテン、特殊ステンレス鋼（JIS規格
SuS）、タンタル等の非透光性金属材料が挙げら
れる。
料としては、平面性、表面平滑性、耐熱性、製造
時の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば
通常市販されている或いは入手し得るものの多く
が挙げられる。その様な基板形成材料としては、
具体的に例えば、ガラス、7059番ガラス（ダウコ
ーニング社製）、マグネシア、ベリリア、スピネ
ル、酸化イツトリユウム等の透光性材料、アルミ
ニウムモリブテン、特殊ステンレス鋼（JIS規格
SuS）、タンタル等の非透光性金属材料が挙げら
れる。
第３図には、光電変換要素の構造を説明する模
式的斜視図が示される。この実施例では基板材料
としてガラスを用い受光面は基板の光電変換要素
が作られている側に対し、反対側とする。このた
め基板側受光面電極３０２はＮ個の光受容体層に
対し、共通に接続され透光性の材質のものが採用
される。例えばSnO2、ITO（インジウム錫酸化
物）、In2O3等の透光性導電膜が使用される。
式的斜視図が示される。この実施例では基板材料
としてガラスを用い受光面は基板の光電変換要素
が作られている側に対し、反対側とする。このた
め基板側受光面電極３０２はＮ個の光受容体層に
対し、共通に接続され透光性の材質のものが採用
される。例えばSnO2、ITO（インジウム錫酸化
物）、In2O3等の透光性導電膜が使用される。
光受容体層３０３はnon dope、ｎ型或いはｉ
型のａ−Si：Ｈで形成され、受光面側電極３０
２、及び上部画素電極３０５の接合面３０４にお
いてn+型にdopeされる。このn+層３０４は受光
面、及び上部画素電極と光受光体層との間にオー
ミツクな接合をとるために設けられる。
型のａ−Si：Ｈで形成され、受光面側電極３０
２、及び上部画素電極３０５の接合面３０４にお
いてn+型にdopeされる。このn+層３０４は受光
面、及び上部画素電極と光受光体層との間にオー
ミツクな接合をとるために設けられる。
上部上画素電極はAl等の材料が用いられ、蓄
積コンデンサーCE、転送用トランジスターSWに
接続される。
積コンデンサーCE、転送用トランジスターSWに
接続される。
蓄積コンデンサーCEは絶縁層３０６の対極す
る電極３０７，３０８により作製される。絶縁層
３０６の材料としては、例えばグロー放電法によ
るSi3N4、スパツター法によるSiO2、CVD法によ
るSiO2等が挙げられ、本発明では半導体膜のａ
−Si：Ｈがグロー放電法で作製しうることからグ
ロー放電法によるSi3N4が好適とされる。
る電極３０７，３０８により作製される。絶縁層
３０６の材料としては、例えばグロー放電法によ
るSi3N4、スパツター法によるSiO2、CVD法によ
るSiO2等が挙げられ、本発明では半導体膜のａ
−Si：Ｈがグロー放電法で作製しうることからグ
ロー放電法によるSi3N4が好適とされる。
第４図には薄膜トランジスターの構造を説明す
る為の模式的斜視図が示される。
る為の模式的斜視図が示される。
non−dope型、或いはｉ型ａ−Si：Ｈから成る
半導体薄膜層４０４に対し、絶縁層４０２をはさ
んでゲート電極４０３を形成し、半導体薄膜層４
０４の上部にはn+型層４０５をはさんでソース
電極４０６が形成される。ドレイン電極４０７と
半導体層４０４の接合層４０８はクロストーク防
止用ダイオード形成のため半導体層４０４とその
接合面においてシヨツトキー接合となる材料が用
いられる。半導体層がａ−Si：Ｈの場合シヨツト
キー接合を形成する材料としては、Au、Ir、Pt、
Rh、Pb等が挙げられ、本発明ではPtが好適とさ
れる。ドレイン電極４０７はAlが好適とされる。
半導体薄膜層４０４に対し、絶縁層４０２をはさ
んでゲート電極４０３を形成し、半導体薄膜層４
０４の上部にはn+型層４０５をはさんでソース
電極４０６が形成される。ドレイン電極４０７と
半導体層４０４の接合層４０８はクロストーク防
止用ダイオード形成のため半導体層４０４とその
接合面においてシヨツトキー接合となる材料が用
いられる。半導体層がａ−Si：Ｈの場合シヨツト
キー接合を形成する材料としては、Au、Ir、Pt、
Rh、Pb等が挙げられ、本発明ではPtが好適とさ
れる。ドレイン電極４０７はAlが好適とされる。
本発明の光電変換装置は、第５図に示されるよ
うに、長尺な基板５０４の上に横一列に並んだＮ
個の光電変換要素５０１、Ｎ個の蓄積コンデンサ
ー５０２、Ｎ個のクロストーク防止用ダイオード
を含む構造を持つ薄膜トランジスター５０３、光
電変換要素側の配線部５０５及びトランジスタ側
配線部５０６により構成される。
うに、長尺な基板５０４の上に横一列に並んだＮ
個の光電変換要素５０１、Ｎ個の蓄積コンデンサ
ー５０２、Ｎ個のクロストーク防止用ダイオード
を含む構造を持つ薄膜トランジスター５０３、光
電変換要素側の配線部５０５及びトランジスタ側
配線部５０６により構成される。
第６図には、本発明の装置の構造を説明する為
の模式的斜視図が示される。光電変換要素６０２
の上部電極より、蓄積コンデンサー６０３、及び
蓄積トランジスター６０４のドレイン電極に接続
される。この薄膜トランジスター６０４のドレイ
ン電極にてクロストーク防止用のシヨツトキー・
ダイオードが形成される。薄膜トランジスター６
０４のゲート電極６０５、及びソース電極６０６
は絶縁層６０７を介した２層構成によりマトリク
ス配線される。
の模式的斜視図が示される。光電変換要素６０２
の上部電極より、蓄積コンデンサー６０３、及び
蓄積トランジスター６０４のドレイン電極に接続
される。この薄膜トランジスター６０４のドレイ
ン電極にてクロストーク防止用のシヨツトキー・
ダイオードが形成される。薄膜トランジスター６
０４のゲート電極６０５、及びソース電極６０６
は絶縁層６０７を介した２層構成によりマトリク
ス配線される。
光電変換要素の受光面側電極６０８はITOで形
成され、薄膜トランジスター６０４とは光電変換
要素６０２について反対側の基板上で配像され
る。
成され、薄膜トランジスター６０４とは光電変換
要素６０２について反対側の基板上で配像され
る。
基板６０１にはガラスが用いられ基板裏面より
光情報が入射される。
光情報が入射される。
第１図は本発明の光電変換装置の等価回路を示
す回路図、第２図は本発明の光電変換装置の動作
のタイミングチヤート図、第３図は本発明におけ
る光電変換要素の構造を示す模式的斜視図、第４
図は本発明においては薄膜トランジスターの構造
を示す模式的斜視図、第５図は本発明の装置の構
成を示す概略図、第６図は本発明に係わる配線パ
ターンの一例を示す模式的斜視図である。
す回路図、第２図は本発明の光電変換装置の動作
のタイミングチヤート図、第３図は本発明におけ
る光電変換要素の構造を示す模式的斜視図、第４
図は本発明においては薄膜トランジスターの構造
を示す模式的斜視図、第５図は本発明の装置の構
成を示す概略図、第６図は本発明に係わる配線パ
ターンの一例を示す模式的斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 受光面を有する光電変換要素のＮ個が配され
ている光電変換部： 前記光電変換要素により光電変換された信号を
蓄積する蓄積手段；クロストーク防止用ダイオー
ド；トランジスター；により構成される信号処理
回路部： が同一基板上に具備され、 前記光電変換要素、前記クロストーク防止用ダ
イオード及び前記トランジスターの各半導体部が
半導体薄膜で構成されるとともに前記蓄積手段と
前記トランジスターとに共有されている絶縁層を
有することを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221280A JPS56138968A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
| DE19813112907 DE3112907A1 (de) | 1980-03-31 | 1981-03-31 | "fotoelektrischer festkoerper-umsetzer" |
| US06/558,573 US4461956A (en) | 1980-03-31 | 1983-12-06 | Solid-state photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221280A JPS56138968A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343680A Division JPH0612812B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56138968A JPS56138968A (en) | 1981-10-29 |
| JPH0237108B2 true JPH0237108B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12629715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4221280A Granted JPS56138968A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56138968A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064467A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Seiko Epson Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS6139571A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS6139572A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS6129170A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | Canon Inc | フオトセンサ及びその製造法 |
| JPS6139570A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Canon Inc | 長尺イメ−ジセンサユニツト |
| JPS6140055A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-02-26 | Canon Inc | カラ−フオトセンサ |
| JPS6189659A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Canon Inc | カラ−フオトセンサ |
| JPS6190458A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Canon Inc | 長尺イメ−ジセンサユニツト |
| JPS6185859A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Canon Inc | 光電変換素子 |
| JPS6188559A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPS6187365A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JP2501199B2 (ja) * | 1986-06-23 | 1996-05-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH0734463B2 (ja) * | 1986-06-07 | 1995-04-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH0732244B2 (ja) * | 1986-01-24 | 1995-04-10 | キヤノン株式会社 | フオトセンサ |
| JPH0732245B2 (ja) * | 1986-01-24 | 1995-04-10 | キヤノン株式会社 | フオトセンサの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756264B2 (ja) * | 1973-04-24 | 1982-11-29 | ||
| JPS605107B2 (ja) * | 1976-11-26 | 1985-02-08 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
| JPS54139342A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4221280A patent/JPS56138968A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56138968A (en) | 1981-10-29 |
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