JPH0676242A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0676242A JPH0676242A JP25215592A JP25215592A JPH0676242A JP H0676242 A JPH0676242 A JP H0676242A JP 25215592 A JP25215592 A JP 25215592A JP 25215592 A JP25215592 A JP 25215592A JP H0676242 A JPH0676242 A JP H0676242A
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- magnetoresistive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録トラックからシールドを通して誘導発生
していたクロストークノイズを大幅に低減できる構成か
らなるオフトラック特性にすぐれた薄膜磁気ヘッドの提
供。 【構成】 下部シールド層１２上に絶縁層１３を設け
て、磁気抵抗効果膜１４を成膜し、さらにトラック幅保
護層１５を設けたのち、これを挟むように磁気抵抗変化
検出用の電極層１６ａ，１６ｂを対向配置する際に、ト
ラック幅保護層１５上に電極層１６ａ，１６ｂを重ね合
わせた電極積層部２０を設ける。 【効果】 磁気抵抗効果膜１４と電極層１６ａ，１６ｂ
で囲まれる電極と磁束の錯交領域がなくなり、クロスト
ークノイズを大幅に低減できる。
していたクロストークノイズを大幅に低減できる構成か
らなるオフトラック特性にすぐれた薄膜磁気ヘッドの提
供。 【構成】 下部シールド層１２上に絶縁層１３を設け
て、磁気抵抗効果膜１４を成膜し、さらにトラック幅保
護層１５を設けたのち、これを挟むように磁気抵抗変化
検出用の電極層１６ａ，１６ｂを対向配置する際に、ト
ラック幅保護層１５上に電極層１６ａ，１６ｂを重ね合
わせた電極積層部２０を設ける。 【効果】 磁気抵抗効果膜１４と電極層１６ａ，１６ｂ
で囲まれる電極と磁束の錯交領域がなくなり、クロスト
ークノイズを大幅に低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗効果膜と該
磁気抵抗効果膜の抵抗変化検出用電極と前記磁気抵抗効
果膜を遮蔽するシールド層を備えてなる薄膜磁気ヘッド
の改良に係り、シールド層内部の磁気抵抗変化検出用の
電極層を絶縁層を介して重ね合わせた電極積層部を設け
ることにより、記録トラックからシールドを通して誘導
発生していたクロストークノイズを大幅に低減した薄膜
磁気ヘッドに関する。
磁気抵抗効果膜の抵抗変化検出用電極と前記磁気抵抗効
果膜を遮蔽するシールド層を備えてなる薄膜磁気ヘッド
の改良に係り、シールド層内部の磁気抵抗変化検出用の
電極層を絶縁層を介して重ね合わせた電極積層部を設け
ることにより、記録トラックからシールドを通して誘導
発生していたクロストークノイズを大幅に低減した薄膜
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、磁気ディスク装置などの高密度記
録を行う磁気記録においては、記録媒体の磁気特性、機
械特性及び信頼性の向上にともなう小型化、狭トラック
幅及び狭ギャップ幅を実現するための薄膜磁気ヘッド化
などが図られ、ますます小型大容量化が進み、高密度記
録に適した種々構成の薄膜磁気ヘッドが提案されてい
る。その中で、再生出力が磁気ディスクの周速に依存し
ない磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが注目されている。
例えば、高密度記録に対応するため、記録再生特性のそ
れぞれの最適化が可能な記録再生分離型の複合型薄膜磁
気ヘッドが提案されている。
録を行う磁気記録においては、記録媒体の磁気特性、機
械特性及び信頼性の向上にともなう小型化、狭トラック
幅及び狭ギャップ幅を実現するための薄膜磁気ヘッド化
などが図られ、ますます小型大容量化が進み、高密度記
録に適した種々構成の薄膜磁気ヘッドが提案されてい
る。その中で、再生出力が磁気ディスクの周速に依存し
ない磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが注目されている。
例えば、高密度記録に対応するため、記録再生特性のそ
れぞれの最適化が可能な記録再生分離型の複合型薄膜磁
気ヘッドが提案されている。
【０００３】図５に、再生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドと記録用誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合薄膜
磁気ヘッドの一例を示す。構成を説明すると、非磁性基
板１０上に再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１を
成膜積層形成し、さらにその上に記録用の誘導型薄膜磁
気ヘッド２を成膜積層形成している。さらに詳述する
と、例えば、所謂アルチック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）と呼
ばれる磁器組成物からなる非磁性基板１０上に、まずア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化珪素（ＳｉＯ2）等からなる
下部絶縁保護層１１を設け、さらにパーマロイ（Ｎｉ−
Ｆｅ）系合金、コバルト系合金等の軟磁性材料をめっき
もしくはスパッタ蒸着法等で単層または複数層に所望パ
ターンに成膜した下部シールド層１２を設けた後、絶縁
層１３を介して磁気抵抗効果膜１４などを成膜して磁気
抵抗効果膜を形成し、さらに上部シールド層１８、上部
絶縁保護層１９を設けることにより、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド１を成膜積層して形成してある。誘導型薄
膜磁気ヘッド２は、上記の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド１上に基板層、磁極層やコイル層などが所望パターン
で成膜されて積層形成される。
ッドと記録用誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合薄膜
磁気ヘッドの一例を示す。構成を説明すると、非磁性基
板１０上に再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１を
成膜積層形成し、さらにその上に記録用の誘導型薄膜磁
気ヘッド２を成膜積層形成している。さらに詳述する
と、例えば、所謂アルチック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）と呼
ばれる磁器組成物からなる非磁性基板１０上に、まずア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化珪素（ＳｉＯ2）等からなる
下部絶縁保護層１１を設け、さらにパーマロイ（Ｎｉ−
Ｆｅ）系合金、コバルト系合金等の軟磁性材料をめっき
もしくはスパッタ蒸着法等で単層または複数層に所望パ
ターンに成膜した下部シールド層１２を設けた後、絶縁
層１３を介して磁気抵抗効果膜１４などを成膜して磁気
抵抗効果膜を形成し、さらに上部シールド層１８、上部
絶縁保護層１９を設けることにより、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド１を成膜積層して形成してある。誘導型薄
膜磁気ヘッド２は、上記の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド１上に基板層、磁極層やコイル層などが所望パターン
で成膜されて積層形成される。
【０００４】図６は磁気抵抗効果素子部の詳細を示す平
面図であるが、下部シールド層１２上に図示しない絶縁
層を設けて、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）系合金を初めと
する磁気抵抗効果を有する薄膜の単層もしくは積層から
なる磁気抵抗効果膜１４を成膜し、さらにトラック幅保
護層１５を設けたのち、これを挟むように磁気抵抗変化
検出用の電極層１６ａ，１６ｂを対向配置し、図示しな
い絶縁層を設けて上部シールド層１８が成膜される。
面図であるが、下部シールド層１２上に図示しない絶縁
層を設けて、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）系合金を初めと
する磁気抵抗効果を有する薄膜の単層もしくは積層から
なる磁気抵抗効果膜１４を成膜し、さらにトラック幅保
護層１５を設けたのち、これを挟むように磁気抵抗変化
検出用の電極層１６ａ，１６ｂを対向配置し、図示しな
い絶縁層を設けて上部シールド層１８が成膜される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の構成からなる磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１において、軟磁性材料の
単層もしくは積層からなる下部シールド層１２、上部シ
ールド層１８は、磁気抵抗効果膜１４を隣接トラックお
よび隣接記録ビットからの漏洩磁界から遮蔽するために
設けてある。
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１において、軟磁性材料の
単層もしくは積層からなる下部シールド層１２、上部シ
ールド層１８は、磁気抵抗効果膜１４を隣接トラックお
よび隣接記録ビットからの漏洩磁界から遮蔽するために
設けてある。
【０００６】しかしながら、隣接トラックからの漏洩磁
界の影響で磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのオフトラッ
ク特性が悪くなるという問題があった。これは、日本応
用磁気学会学術講演概要集（１９９１）第２６頁に記載
の竹村祥子らのＭＲヘッドのオフトラック特性の報告に
示される如く、上部シールド層と下部シールド層内にわ
ずかに漏れてくる磁束で磁気抵抗効果膜１４と電極１６
ａ，１６ｂ層で囲まれる領域内と錯交する磁束により誘
導されるノイズが原因である。
界の影響で磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのオフトラッ
ク特性が悪くなるという問題があった。これは、日本応
用磁気学会学術講演概要集（１９９１）第２６頁に記載
の竹村祥子らのＭＲヘッドのオフトラック特性の報告に
示される如く、上部シールド層と下部シールド層内にわ
ずかに漏れてくる磁束で磁気抵抗効果膜１４と電極１６
ａ，１６ｂ層で囲まれる領域内と錯交する磁束により誘
導されるノイズが原因である。
【０００７】この発明は、上述の複合型薄膜磁気ヘッド
において、記録トラックからシールドを通して誘導発生
していたクロストークノイズを大幅に低減できる構成か
らなるオフトラック特性にすぐれた薄膜磁気ヘッドの提
供を目的としている。
において、記録トラックからシールドを通して誘導発生
していたクロストークノイズを大幅に低減できる構成か
らなるオフトラック特性にすぐれた薄膜磁気ヘッドの提
供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者は、複合型薄膜磁
気ヘッドにおいて、隣接トラックおよび隣接記録ビット
からの漏洩磁界を遮蔽できる構成を目的に、磁気抵抗効
果膜および電極層の配置、積層状態を種々検討した結
果、上部シールド層と下部シールド層内で電極層を絶縁
層を介して重ね合わせた電極積層部を設けることによ
り、電極と磁束の錯交領域がほとんどなくなり、錯交磁
束の影響を排除できることを知見し、この発明を完成し
た。すなわち、この発明は、磁気抵抗効果膜上のトラッ
ク幅保護層を挟み、磁気抵抗効果膜の抵抗変化検出用電
極の一対を対向させて配置し、これらを被覆するシール
ド層を備えてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁層を介
在させて該電極層が重なり合う電極積層部を設けたこと
を特徴とする。
気ヘッドにおいて、隣接トラックおよび隣接記録ビット
からの漏洩磁界を遮蔽できる構成を目的に、磁気抵抗効
果膜および電極層の配置、積層状態を種々検討した結
果、上部シールド層と下部シールド層内で電極層を絶縁
層を介して重ね合わせた電極積層部を設けることによ
り、電極と磁束の錯交領域がほとんどなくなり、錯交磁
束の影響を排除できることを知見し、この発明を完成し
た。すなわち、この発明は、磁気抵抗効果膜上のトラッ
ク幅保護層を挟み、磁気抵抗効果膜の抵抗変化検出用電
極の一対を対向させて配置し、これらを被覆するシール
ド層を備えてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁層を介
在させて該電極層が重なり合う電極積層部を設けたこと
を特徴とする。
【０００９】この発明において、絶縁層を介在させて電
極層を重ねた電極積層部の位置や形状は、磁気抵抗効果
膜および電極層とで漏洩磁束と錯交するコイル状の領域
を形成しないものであれば、実施例に示す構成のほか、
公知の薄膜磁気ヘッドの構成に応じていずれの積層状態
でも採用できる。
極層を重ねた電極積層部の位置や形状は、磁気抵抗効果
膜および電極層とで漏洩磁束と錯交するコイル状の領域
を形成しないものであれば、実施例に示す構成のほか、
公知の薄膜磁気ヘッドの構成に応じていずれの積層状態
でも採用できる。
【００１０】
【作用】この発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の作用を磁気抵抗効果膜や電極の詳細を示す図１に基づ
いて説明する。下部シールド層１２上に図示しない絶縁
層を設けて、磁気抵抗効果膜１４を成膜し、さらにトラ
ック幅保護層１５を設けたのち、これを挟むように磁気
抵抗変化検出用の電極層１６ａ，１６ｂを対向配置する
際に、トラック幅保護層１５上で絶縁層を介在させて該
電極層１６ａ，１６ｂが重なり合う電極積層部２０を設
けてある。トラック幅保護層１５上の電極積層部２０に
より、従来の図６に示す如き磁気抵抗効果膜１４と電極
層１６ａ，１６ｂで囲まれる領域、すなわち電極と磁束
の錯交領域がなくなり、上部シールド層と下部シールド
層内にわずかに漏れてくる磁束により誘導ノイズを発生
することがなくなる。
の作用を磁気抵抗効果膜や電極の詳細を示す図１に基づ
いて説明する。下部シールド層１２上に図示しない絶縁
層を設けて、磁気抵抗効果膜１４を成膜し、さらにトラ
ック幅保護層１５を設けたのち、これを挟むように磁気
抵抗変化検出用の電極層１６ａ，１６ｂを対向配置する
際に、トラック幅保護層１５上で絶縁層を介在させて該
電極層１６ａ，１６ｂが重なり合う電極積層部２０を設
けてある。トラック幅保護層１５上の電極積層部２０に
より、従来の図６に示す如き磁気抵抗効果膜１４と電極
層１６ａ，１６ｂで囲まれる領域、すなわち電極と磁束
の錯交領域がなくなり、上部シールド層と下部シールド
層内にわずかに漏れてくる磁束により誘導ノイズを発生
することがなくなる。
【００１１】また、図２に示す如く、磁気抵抗効果膜１
４の幅を除いて、電極層１６ａ，１６ｂを重ね合わせた
電極積層部２１となすことにより、磁気抵抗効果膜１４
上では電極層が重なっていないため、電極層が重なった
ことによる磁気ギャップ幅の余分な増加を防ぐことがで
きる。
４の幅を除いて、電極層１６ａ，１６ｂを重ね合わせた
電極積層部２１となすことにより、磁気抵抗効果膜１４
上では電極層が重なっていないため、電極層が重なった
ことによる磁気ギャップ幅の余分な増加を防ぐことがで
きる。
【００１２】
実施例１ 前述した図１に示す構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドを作成するに際し、下部シールド層１１、上部シール
ド層１８を、幅は１００μｍ、長さは１００μｍ、膜厚
１μｍのパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）めっき膜より構成し
た。主な諸元は磁気抵抗効果膜１４の幅が３μｍ、長さ
４０μｍであり、トラック幅は１０μｍ、電極層の幅は
２０μｍで、電極積層部２０の幅は５μｍであった。得
られた複合型薄膜磁気ヘッドのオフトラック特性を測定
した結果、電極積層部を設けない場合と比べて、１０ｄ
Ｂの改善が得られた。
ドを作成するに際し、下部シールド層１１、上部シール
ド層１８を、幅は１００μｍ、長さは１００μｍ、膜厚
１μｍのパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）めっき膜より構成し
た。主な諸元は磁気抵抗効果膜１４の幅が３μｍ、長さ
４０μｍであり、トラック幅は１０μｍ、電極層の幅は
２０μｍで、電極積層部２０の幅は５μｍであった。得
られた複合型薄膜磁気ヘッドのオフトラック特性を測定
した結果、電極積層部を設けない場合と比べて、１０ｄ
Ｂの改善が得られた。
【００１３】実施例２ 前述した図２に示す構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を図３、図４に基づいて説明する。図３は
図２のＦ−Ｆ線断面を示し、図４は図２のＣ−Ｃ線断面
を示す。まず図３のＡに示すごとく、アルチック（Ａｌ
2Ｏ3・ＴｉＣ）系磁器組成物からなる非磁性基板１０上
に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる下部絶縁保護層１１
を設け、さらにパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）合金をスパッ
タ蒸着法で１μｍ厚みに所望パターンに成膜した下部シ
ールド層１２を設けた後、図３のＢに示す如く、アルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる下部絶縁層１３を厚み０．２μ
ｍにて形成する。図３のＣに示す如く、パーマロイ（Ｎ
ｉ−Ｆｅ）系合金を初めとする磁気抵抗効果を有する薄
膜の単層もしくは積層からなる磁気抵抗効果膜１４を形
成する。次に図３のＤに示す如く、トラック幅保護層１
５をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）にて０．１μｍで形成する。
さらに、図３のＥに示す如く、銅（Ｃｕ）にて電極層１
６ａ，１６ｂを厚み０．２μｍで形成した後、図３のＦ
に示す如く、上部絶縁層１７をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）に
て０．２μｍで形成する。
ドの製造工程を図３、図４に基づいて説明する。図３は
図２のＦ−Ｆ線断面を示し、図４は図２のＣ−Ｃ線断面
を示す。まず図３のＡに示すごとく、アルチック（Ａｌ
2Ｏ3・ＴｉＣ）系磁器組成物からなる非磁性基板１０上
に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる下部絶縁保護層１１
を設け、さらにパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）合金をスパッ
タ蒸着法で１μｍ厚みに所望パターンに成膜した下部シ
ールド層１２を設けた後、図３のＢに示す如く、アルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる下部絶縁層１３を厚み０．２μ
ｍにて形成する。図３のＣに示す如く、パーマロイ（Ｎ
ｉ−Ｆｅ）系合金を初めとする磁気抵抗効果を有する薄
膜の単層もしくは積層からなる磁気抵抗効果膜１４を形
成する。次に図３のＤに示す如く、トラック幅保護層１
５をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）にて０．１μｍで形成する。
さらに、図３のＥに示す如く、銅（Ｃｕ）にて電極層１
６ａ，１６ｂを厚み０．２μｍで形成した後、図３のＦ
に示す如く、上部絶縁層１７をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）に
て０．２μｍで形成する。
【００１４】図２の電極積層部２１を形成するには、図
４のＡに示す如く、上述の上部絶縁層１７を形成した
後、図４のＢに示す如く、電極層１６ａ上の上部絶縁層
１７をパターニング除去し、さらに図４のＣに示す如
く、電極層１６ａに銅（Ｃｕ）にて厚み０．１μｍの電
極層１６ｃを接続積層し、電極層１６ｂの上に上部絶縁
層１７を介して電極層１６ｃを積層配置して、電極積層
部２１を形成する。その後、さらに上部シールド層１
８、上部絶縁保護層１９を設けることにより、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、また誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを成膜形成して複合型薄膜磁気ヘッドを組みたて
た。
４のＡに示す如く、上述の上部絶縁層１７を形成した
後、図４のＢに示す如く、電極層１６ａ上の上部絶縁層
１７をパターニング除去し、さらに図４のＣに示す如
く、電極層１６ａに銅（Ｃｕ）にて厚み０．１μｍの電
極層１６ｃを接続積層し、電極層１６ｂの上に上部絶縁
層１７を介して電極層１６ｃを積層配置して、電極積層
部２１を形成する。その後、さらに上部シールド層１
８、上部絶縁保護層１９を設けることにより、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、また誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを成膜形成して複合型薄膜磁気ヘッドを組みたて
た。
【００１５】このようにして形成された複合型薄膜磁気
ヘッドのオフトラック特性を測定した結果、電極積層部
を設けない場合に比べて、１０ｄＢの改善が得られた。
ヘッドのオフトラック特性を測定した結果、電極積層部
を設けない場合に比べて、１０ｄＢの改善が得られた。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、シールド層内部の磁気抵抗
変化検出用の電極層を絶縁層を介して重ね合わせた電極
積層部を設けることにより、記録トラックからシールド
を通して誘導発生していたクロストークノイズを大幅に
低減でき、オフトラック特性を改善して、Ｓ／Ｎ比の良
好な構成からなる薄膜磁気ヘッドの提供が可能となる。
変化検出用の電極層を絶縁層を介して重ね合わせた電極
積層部を設けることにより、記録トラックからシールド
を通して誘導発生していたクロストークノイズを大幅に
低減でき、オフトラック特性を改善して、Ｓ／Ｎ比の良
好な構成からなる薄膜磁気ヘッドの提供が可能となる。
【図１】この発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の構成を示す平面説明図である。
の構成を示す平面説明図である。
【図２】この発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の他の構成を示す平面説明図である。
の他の構成を示す平面説明図である。
【図３】ＡからＦは図２のＦ−Ｆ線における縦断面位置
の積層工程を示す説明図である。
の積層工程を示す説明図である。
【図４】ＡからＣは図２のＣ−Ｃ線における縦断面位置
の積層工程を示す説明図である。
の積層工程を示す説明図である。
【図５】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの実施例を示した
断面図である。
断面図である。
【図６】従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおける磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの構成を示す平面説明図である。
効果型薄膜磁気ヘッドの構成を示す平面説明図である。
１ 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド ２ 誘導型薄膜磁気ヘッド １０ 非磁性基板 １１ 下部絶縁保護層 １２ 下部シールド層 １３ 下部絶縁層 １４ 磁気抵抗効果膜 １５ トラック幅保護層 １６ａ，１６ｂ，１６ｃ 電極層 １７ 上部絶縁層 １８ 上部シールド層 １９ 上部絶縁保護層 ２０，２１ 電極積層部
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜上のトラック幅保護層を
挟み、磁気抵抗効果膜の抵抗変化検出用電極の一対を対
向させて配置し、これらを被覆するシールド層を備えて
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁層を介在させて該電
極層が重なり合う電極積層部を設けたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25215592A JPH0676242A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25215592A JPH0676242A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676242A true JPH0676242A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17233252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25215592A Pending JPH0676242A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676242A (ja) |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP25215592A patent/JPH0676242A/ja active Pending
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