JPH0676381A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0676381A JPH0676381A JP25401692A JP25401692A JPH0676381A JP H0676381 A JPH0676381 A JP H0676381A JP 25401692 A JP25401692 A JP 25401692A JP 25401692 A JP25401692 A JP 25401692A JP H0676381 A JPH0676381 A JP H0676381A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 貴金属／遷移金属の交互積層膜を用いた光磁
気記録媒体に於いて、浮遊磁界を低減させることによ
り、磁界変調法での記録感度を向上させる。 【構成】 遷移金属を含む層12と貴金属を含む層11を交
互に積層して成る交互積層膜1 と、希土類及び遷移金属
を含む合金層2 とを、相互に接するように成膜して成る
記録層を基板3 上に有し、上記合金層2 に於ける上記希
土類の組成比が少なくとも３０ａｔ％である光磁気記録
媒体。
気記録媒体に於いて、浮遊磁界を低減させることによ
り、磁界変調法での記録感度を向上させる。 【構成】 遷移金属を含む層12と貴金属を含む層11を交
互に積層して成る交互積層膜1 と、希土類及び遷移金属
を含む合金層2 とを、相互に接するように成膜して成る
記録層を基板3 上に有し、上記合金層2 に於ける上記希
土類の組成比が少なくとも３０ａｔ％である光磁気記録
媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、貴金属と遷移金属との
交互積層膜を基板上に成膜して成る書換え可能な光磁気
ディスク（光磁気記録媒体）に関し、詳しくは、磁界変
調法に於ける記録特性の改良に関する。
交互積層膜を基板上に成膜して成る書換え可能な光磁気
ディスク（光磁気記録媒体）に関し、詳しくは、磁界変
調法に於ける記録特性の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２のように、繰り返して記録／再生の
可能な光磁気ディスク（光磁気記録媒体）用の記録層
（垂直磁化膜）として、ＰｔとＣｏとを、各々数Åづつ
交互に積層して成る交互積層膜1 が提案されている。こ
の交互積層膜1 は、総膜厚が数１００Å以下の超薄膜領
域で垂直磁化膜になり、積層周期或いは膜厚等の条件を
変えることにより、保磁力やカ−回転角の特性を変える
ことができる。なお、前記交互積層膜1 と基板3 の間
に、保磁力やカ−効果を改善する目的で、ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ，或いはＺｎＯ等の誘電体膜を、下地層として挟み込
む場合もある（Appl.Phys. Lett. 58(2)191, (1991))
。
可能な光磁気ディスク（光磁気記録媒体）用の記録層
（垂直磁化膜）として、ＰｔとＣｏとを、各々数Åづつ
交互に積層して成る交互積層膜1 が提案されている。こ
の交互積層膜1 は、総膜厚が数１００Å以下の超薄膜領
域で垂直磁化膜になり、積層周期或いは膜厚等の条件を
変えることにより、保磁力やカ−回転角の特性を変える
ことができる。なお、前記交互積層膜1 と基板3 の間
に、保磁力やカ−効果を改善する目的で、ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ，或いはＺｎＯ等の誘電体膜を、下地層として挟み込
む場合もある（Appl.Phys. Lett. 58(2)191, (1991))
。
【０００３】上記の光磁気記録媒体に重ね書き（オ−バ
−ライト）を行う場合の一つの方法として、磁界変調法
が挙げられる。この方法は、光磁気記録媒体の被記録位
置に連続光を照射してキュリ−温度付近まで加熱しつ
つ、書き込むべき情報に応じて外部磁界の極性を反転さ
せることにより、情報を記録するものである。
−ライト）を行う場合の一つの方法として、磁界変調法
が挙げられる。この方法は、光磁気記録媒体の被記録位
置に連続光を照射してキュリ−温度付近まで加熱しつ
つ、書き込むべき情報に応じて外部磁界の極性を反転さ
せることにより、情報を記録するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁界変調法による記録
では、外部磁界を高速で反転させる必要がある。このた
め、十分に大きな外部磁界を印加することが困難であ
る。しかるに、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜1 を用いた前記図
２の光磁気記録媒体は磁化が大きい。このため、浮遊磁
界が大きくなる（図３（ａ））。この結果、磁界変調法
による記録（低磁界での記録）を行うと、記録特性が悪
くなるという問題が生ずる。
では、外部磁界を高速で反転させる必要がある。このた
め、十分に大きな外部磁界を印加することが困難であ
る。しかるに、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜1 を用いた前記図
２の光磁気記録媒体は磁化が大きい。このため、浮遊磁
界が大きくなる（図３（ａ））。この結果、磁界変調法
による記録（低磁界での記録）を行うと、記録特性が悪
くなるという問題が生ずる。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑みたものであ
り、貴金属／遷移金属の交互積層膜を用いた光磁気記録
媒体に於いて、見掛け上の磁化を減じて浮遊磁界を低減
させることにより、磁界変調法での記録特性を改善する
ことを目的とする。
り、貴金属／遷移金属の交互積層膜を用いた光磁気記録
媒体に於いて、見掛け上の磁化を減じて浮遊磁界を低減
させることにより、磁界変調法での記録特性を改善する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、遷移金属を含
む層と貴金属を含む層を交互に積層して成る交互積層膜
と、希土類及び遷移金属を含む合金層とを、相互に接す
るように成膜して成る記録層を基板上に有し、上記合金
層に於ける上記希土類の組成比が、少なくとも３０ａｔ
％である光磁気記録媒体である。
む層と貴金属を含む層を交互に積層して成る交互積層膜
と、希土類及び遷移金属を含む合金層とを、相互に接す
るように成膜して成る記録層を基板上に有し、上記合金
層に於ける上記希土類の組成比が、少なくとも３０ａｔ
％である光磁気記録媒体である。
【０００７】
【作用】希土類の組成比が３０ａｔ％以上である希土類
−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金では、図４の（ａ）の長
破線（Ｔｂ：３２ａｔ％）の特性に示すように、温度上
昇にかかわらず見掛け上の磁化は反転せず、キュリ−点
ＴC2に至る。これは、希土類の磁化の方が遷移金属の磁
化よりも大きいためである。なお、同図中の短破線は、
Ｔｂ：２８ａｔ％の場合の磁化曲線を示しており、この
場合、補償点Ｔcompで見掛け上の磁化が反転している。
−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金では、図４の（ａ）の長
破線（Ｔｂ：３２ａｔ％）の特性に示すように、温度上
昇にかかわらず見掛け上の磁化は反転せず、キュリ−点
ＴC2に至る。これは、希土類の磁化の方が遷移金属の磁
化よりも大きいためである。なお、同図中の短破線は、
Ｔｂ：２８ａｔ％の場合の磁化曲線を示しており、この
場合、補償点Ｔcompで見掛け上の磁化が反転している。
【０００８】また、希土類の組成比が３０ａｔ％以上で
あるＲＥ−ＴＭ合金の見掛け上の磁化の向きは、図３の
（ｂ）に合金層2 として示すように、同図中のＰｔ／Ｃ
ｏ交互積層膜1 の磁化の向きとは逆である。このため、
記録層全体の磁化は、両者が打ち消し合って小さくな
り、被記録位置での浮遊磁界も低減されている。このた
め、磁界変調法による低磁界での記録特性が改善され
る。なお、図４の（ｂ）に２点鎖線で示す磁化曲線は、
上記合金層2 の磁化（長破線）と、上記交互積層膜1 の
磁化（１点鎖線）とが打ち消し合って、小さくなる様子
を示している。
あるＲＥ−ＴＭ合金の見掛け上の磁化の向きは、図３の
（ｂ）に合金層2 として示すように、同図中のＰｔ／Ｃ
ｏ交互積層膜1 の磁化の向きとは逆である。このため、
記録層全体の磁化は、両者が打ち消し合って小さくな
り、被記録位置での浮遊磁界も低減されている。このた
め、磁界変調法による低磁界での記録特性が改善され
る。なお、図４の（ｂ）に２点鎖線で示す磁化曲線は、
上記合金層2 の磁化（長破線）と、上記交互積層膜1 の
磁化（１点鎖線）とが打ち消し合って、小さくなる様子
を示している。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
では、貴金属／遷移金属の交互積層膜としてＰｔ／Ｃｏ
を用い、希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金としてＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏを用いている。
では、貴金属／遷移金属の交互積層膜としてＰｔ／Ｃｏ
を用い、希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）合金としてＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏを用いている。
【００１０】図１は、実施例の光磁気記録媒体の断面を
模式的に示す。図示のように、本光磁気記録媒体では、
基板3 の上に、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜1 が成膜され、そ
の上に、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの合金層2 が成膜されてい
る。Ｐｔ層11の一層当たりの膜厚は５〜２０Å程度、Ｃ
ｏ層12一層当たりの膜厚は１０Å以下、交互積層膜1 の
総膜厚は５０〜４００Å程度である。また、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金層2 の膜厚は２００〜３０００Å程度であり、こ
の合金層2 に於けるＴｂの組成比は、３０ａｔ％以上で
ある。
模式的に示す。図示のように、本光磁気記録媒体では、
基板3 の上に、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜1 が成膜され、そ
の上に、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの合金層2 が成膜されてい
る。Ｐｔ層11の一層当たりの膜厚は５〜２０Å程度、Ｃ
ｏ層12一層当たりの膜厚は１０Å以下、交互積層膜1 の
総膜厚は５０〜４００Å程度である。また、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金層2 の膜厚は２００〜３０００Å程度であり、こ
の合金層2 に於けるＴｂの組成比は、３０ａｔ％以上で
ある。
【００１１】このように構成される光磁気記録媒体の磁
化を、図３の（ｂ）に示す。図示のように、磁化は、上
記合金層2 と上記交互積層膜1 とで逆向きになってお
り、両者が打ち消し合う結果、被記録位置（図の中央位
置）での浮遊磁界は、従来（図３の（ａ），記録層がＰ
ｔ／Ｃｏ交互積層膜1 のみで構成される場合）よりも低
減されている。このため、外部磁界の小さな磁界変調法
での記録特性も改善される。なお、６は外部磁界印加用
のバイアス磁石を示し、７はレ−ザ光を示す。
化を、図３の（ｂ）に示す。図示のように、磁化は、上
記合金層2 と上記交互積層膜1 とで逆向きになってお
り、両者が打ち消し合う結果、被記録位置（図の中央位
置）での浮遊磁界は、従来（図３の（ａ），記録層がＰ
ｔ／Ｃｏ交互積層膜1 のみで構成される場合）よりも低
減されている。このため、外部磁界の小さな磁界変調法
での記録特性も改善される。なお、６は外部磁界印加用
のバイアス磁石を示し、７はレ−ザ光を示す。
【００１２】上記実施例では、ＲＥ−ＴＭ合金としてＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏを用いた場合を述べているが、他の合
金、例えば、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｃｏ等についても、ＲＥ−ＴＭ合金中での希
土類の組成比を３０ａｔ％以上とすることにより、同様
の効果を得る。
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏを用いた場合を述べているが、他の合
金、例えば、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｃｏ等についても、ＲＥ−ＴＭ合金中での希
土類の組成比を３０ａｔ％以上とすることにより、同様
の効果を得る。
【００１３】また、上記実施例では、貴金属／遷移金属
の交互積層膜としてＰｔ／Ｃｏを用いた場合を述べてい
るが、他の交互積層膜、例えば、Ｐｄ／Ｃｏ，ＰｔＰｄ
／Ｃｏ，Ｐｔ／ＦｅＣｏ，Ｐｄ／ＦｅＣｏ，Ｐｔ／Ｆ
ｅ，等を用いた場合にも、同様の効果を得る。
の交互積層膜としてＰｔ／Ｃｏを用いた場合を述べてい
るが、他の交互積層膜、例えば、Ｐｄ／Ｃｏ，ＰｔＰｄ
／Ｃｏ，Ｐｔ／ＦｅＣｏ，Ｐｄ／ＦｅＣｏ，Ｐｔ／Ｆ
ｅ，等を用いた場合にも、同様の効果を得る。
【００１４】また、上記実施例では、基板3 の上に交互
積層膜1 が成膜され、その上に、ＲＥ−ＴＭ合金層2 が
形成されているが、交互積層膜1 とＲＥ−ＴＭ合金層2
とを逆に設けてもよい。さらに、磁性層（記録層）1,2
と基板3 との間に公知の下地層を設けた構造、或いは、
磁性層1,2 が基板3 と接しない側の面に公知の誘電体
膜, 紫外線硬化樹脂膜, 反射膜を設けた構造でも、同様
の効果を得る。
積層膜1 が成膜され、その上に、ＲＥ−ＴＭ合金層2 が
形成されているが、交互積層膜1 とＲＥ−ＴＭ合金層2
とを逆に設けてもよい。さらに、磁性層（記録層）1,2
と基板3 との間に公知の下地層を設けた構造、或いは、
磁性層1,2 が基板3 と接しない側の面に公知の誘電体
膜, 紫外線硬化樹脂膜, 反射膜を設けた構造でも、同様
の効果を得る。
【００１５】以上、本発明では、貴金属／遷移金属の交
互積層膜と希土類−遷移金属の合金層が接するように成
膜され、且つ、合金層中の希土類の組成比が３０ａｔ％
以上にされる結果、交互積層膜の磁化と合金層の磁化が
逆向きとなり、全体として打ち消し合う。このため、浮
遊磁界が小さくなり、印加磁界の小さな磁界変調法での
記録を、良好な特性で行うことができる。
互積層膜と希土類−遷移金属の合金層が接するように成
膜され、且つ、合金層中の希土類の組成比が３０ａｔ％
以上にされる結果、交互積層膜の磁化と合金層の磁化が
逆向きとなり、全体として打ち消し合う。このため、浮
遊磁界が小さくなり、印加磁界の小さな磁界変調法での
記録を、良好な特性で行うことができる。
【図１】実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図である。
図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式図
である。
である。
【図３】磁界変調法での記録時の磁化と浮遊磁界を示す
説明図であり、（ａ）は従来を示し、（ｂ）は実施例を
示す。
説明図であり、（ａ）は従来を示し、（ｂ）は実施例を
示す。
【図４】磁化曲線を示す特性図であり、（ａ）はＴｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ中のＴｂの組成比が３２ａｔ％の場合（長破
線）と２８ａｔ％の場合（短破線）を示す。（ｂ）はＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ中のＴｂの組成比が３２ａｔ％の場合
（長破線）とＰｔ／Ｃｏ交互積層膜の場合（１点鎖線）
と両者の合成された場合（２点鎖線）を示す。
Ｆｅ−Ｃｏ中のＴｂの組成比が３２ａｔ％の場合（長破
線）と２８ａｔ％の場合（短破線）を示す。（ｂ）はＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ中のＴｂの組成比が３２ａｔ％の場合
（長破線）とＰｔ／Ｃｏ交互積層膜の場合（１点鎖線）
と両者の合成された場合（２点鎖線）を示す。
１ Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜 ２ Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの合金層 ３ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 遷移金属を含む層と貴金属を含む層を交
互に積層して成る交互積層膜と、希土類及び遷移金属を
含む合金層とを、相互に接するように成膜して成る記録
層を基板上に有し、上記合金層に於ける上記希土類の組
成比が、少なくとも３０ａｔ％である光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25401692A JPH0676381A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25401692A JPH0676381A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676381A true JPH0676381A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17259083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25401692A Pending JPH0676381A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676381A (ja) |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP25401692A patent/JPH0676381A/ja active Pending
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