JPH0676390A - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および光磁気記録方法Info
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- JPH0676390A JPH0676390A JP16937293A JP16937293A JPH0676390A JP H0676390 A JPH0676390 A JP H0676390A JP 16937293 A JP16937293 A JP 16937293A JP 16937293 A JP16937293 A JP 16937293A JP H0676390 A JPH0676390 A JP H0676390A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 重ね書きが可能で、しかも実用上必要なＲ／
Ｗ条件を十分に満足するばかりでなく、３値の書き込み
及びその読み出しを容易にかつ精度良く行えるようにす
る。 【構成】 第１記録層１１及び第２記録層１２とを初期
状態において磁化方向を同じとし、その磁化方向を反転
させるに必要な最小の磁界である記録磁界の閾値に関
し、第１記録膜の記録磁界の閾値は第２記録膜の記録磁
界の閾値よりも低くそれらの間に所定以上の差を設け
る。印加する磁界の強弱と印加方向の正負とを選択する
ことにより、各ピット毎に、第１記録膜及び第２記録膜
の磁化方向が同じ初期状態と、第１記録膜のみ磁化方向
を初期状態とは反転させた第１の記録状態と、第１記録
膜と第２記録膜の両方の磁化方向を反転させた第２の記
録状態との３値記録が実現できる。
Ｗ条件を十分に満足するばかりでなく、３値の書き込み
及びその読み出しを容易にかつ精度良く行えるようにす
る。 【構成】 第１記録層１１及び第２記録層１２とを初期
状態において磁化方向を同じとし、その磁化方向を反転
させるに必要な最小の磁界である記録磁界の閾値に関
し、第１記録膜の記録磁界の閾値は第２記録膜の記録磁
界の閾値よりも低くそれらの間に所定以上の差を設け
る。印加する磁界の強弱と印加方向の正負とを選択する
ことにより、各ピット毎に、第１記録膜及び第２記録膜
の磁化方向が同じ初期状態と、第１記録膜のみ磁化方向
を初期状態とは反転させた第１の記録状態と、第１記録
膜と第２記録膜の両方の磁化方向を反転させた第２の記
録状態との３値記録が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に１つの記録ピット
に３値の情報を記録することが可能な光磁気記録媒体
と、それに３値の情報を記録する光磁気記録方法に関す
る。
に３値の情報を記録することが可能な光磁気記録媒体
と、それに３値の情報を記録する光磁気記録方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録ディスクは、大容量でかつラ
ンダムアクセス可能な可搬の記録媒体として既に製品化
されているが、既製の光磁気記録ディスクは、記録膜が
単層で、その単一の記録膜中において磁化方向を第１の
向きとするかそれと反対の第２の向きとするかにより２
値の記録を行うだけであった。２層の記録膜を形成した
ものも一部にあるが、それは感度を向上させたり、ある
いはオーバライトを可能とするために交換結合したもの
で、３値以上の多値記録を行えるものではなかった。
ンダムアクセス可能な可搬の記録媒体として既に製品化
されているが、既製の光磁気記録ディスクは、記録膜が
単層で、その単一の記録膜中において磁化方向を第１の
向きとするかそれと反対の第２の向きとするかにより２
値の記録を行うだけであった。２層の記録膜を形成した
ものも一部にあるが、それは感度を向上させたり、ある
いはオーバライトを可能とするために交換結合したもの
で、３値以上の多値記録を行えるものではなかった。
【０００３】従来、多値記録を行う技術としては、３層
のＴｂＦｅ層の保磁力の差によって多値記録が可能との
報告（第１３回日本応用磁気学会技術講演概要集、１９
８９年、第６３頁）がされている。しかし、これは、保
磁力の差によって多値記録が可能であることを単に原理
的に示しているに過ぎず、光磁気記録ディスクとしての
Ｒ／Ｗ（リード／ライト）条件、特に読み出しの可能性
については検討されていなかった。たとえ読み出しが可
能としても、記録を行うためには、磁性体自体が持つ保
磁力に打ち勝つ十分な磁界を印加しなければならず、こ
のような大きな磁界を高速で切り替えることは技術的困
難を伴い、また磁界を切り替え易くするためにその切り
替え速度を遅くすると、記録密度が低下するため、多値
記録を行っても記録密度の向上は望めない。
のＴｂＦｅ層の保磁力の差によって多値記録が可能との
報告（第１３回日本応用磁気学会技術講演概要集、１９
８９年、第６３頁）がされている。しかし、これは、保
磁力の差によって多値記録が可能であることを単に原理
的に示しているに過ぎず、光磁気記録ディスクとしての
Ｒ／Ｗ（リード／ライト）条件、特に読み出しの可能性
については検討されていなかった。たとえ読み出しが可
能としても、記録を行うためには、磁性体自体が持つ保
磁力に打ち勝つ十分な磁界を印加しなければならず、こ
のような大きな磁界を高速で切り替えることは技術的困
難を伴い、また磁界を切り替え易くするためにその切り
替え速度を遅くすると、記録密度が低下するため、多値
記録を行っても記録密度の向上は望めない。
【０００４】また、記録可能なレーザ照射パワーの閾値
が異なる第１と第２の記録膜を積層形成し、照射するレ
ーザ照射パワーの強度を変調して３値記録を行う方式が
特開平４−１０２５６号公報において提案されている
が、これによると重ね書きができないため、情報の書き
込み時間が長くなる欠点がある。
が異なる第１と第２の記録膜を積層形成し、照射するレ
ーザ照射パワーの強度を変調して３値記録を行う方式が
特開平４−１０２５６号公報において提案されている
が、これによると重ね書きができないため、情報の書き
込み時間が長くなる欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、重ね
書きが可能で、しかも実用上必要なＲ／Ｗ条件を十分に
満足するばかりでなく、３値の書き込み及びその読み出
しを容易にかつ精度良く行える光磁気記録媒体及び光磁
気記録方法を提供することにある。
書きが可能で、しかも実用上必要なＲ／Ｗ条件を十分に
満足するばかりでなく、３値の書き込み及びその読み出
しを容易にかつ精度良く行える光磁気記録媒体及び光磁
気記録方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による光磁気記録
媒体は、図１に示すように、垂直磁化層である第１記録
層１１及び第２記録層１２を、それらの間に透明誘電体
膜１３を介在させて基板上に積層形成したものであっ
て、第１記録膜１１と第２記録膜１２とは、図１に矢印
で示すように初期状態において磁化方向を同じにされ、
しかもその磁化方向を反転させるに必要な最小の磁界で
ある記録磁界の閾値に関し、第１記録膜１１の記録磁界
の閾値ＳＨ1 は第２記録膜１２の記録磁界の閾値ＳＨ2
よりも低くそれらの間に所定以上の差が設けられ、これ
ら２つの記録膜は、同じパワーの光照射条件下におい
て、次のような３つの記録状態にできるようになってい
る。 初期磁化方向と同じ方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界Ｈｂ0 が与えられたときは、図１に示すように、第１
記録膜１１及び第２記録膜１２の両方ともに磁化方向が
初期磁化方向と同じになる。 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ1 以上、前
記閾値ＳＨ2 未満の磁界Ｈｂ1 が与えられたときは、図
２に示すように、第１記録層１１のみ磁化方向が初期磁
化方向から反対方向に反転する。 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界Ｈｂ2 が与えられたときは、図３に示すように、第１
記録膜１１及び第２記録膜１２の両方の磁化方向が初期
磁化方向から反対方向に反転する。
媒体は、図１に示すように、垂直磁化層である第１記録
層１１及び第２記録層１２を、それらの間に透明誘電体
膜１３を介在させて基板上に積層形成したものであっ
て、第１記録膜１１と第２記録膜１２とは、図１に矢印
で示すように初期状態において磁化方向を同じにされ、
しかもその磁化方向を反転させるに必要な最小の磁界で
ある記録磁界の閾値に関し、第１記録膜１１の記録磁界
の閾値ＳＨ1 は第２記録膜１２の記録磁界の閾値ＳＨ2
よりも低くそれらの間に所定以上の差が設けられ、これ
ら２つの記録膜は、同じパワーの光照射条件下におい
て、次のような３つの記録状態にできるようになってい
る。 初期磁化方向と同じ方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界Ｈｂ0 が与えられたときは、図１に示すように、第１
記録膜１１及び第２記録膜１２の両方ともに磁化方向が
初期磁化方向と同じになる。 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ1 以上、前
記閾値ＳＨ2 未満の磁界Ｈｂ1 が与えられたときは、図
２に示すように、第１記録層１１のみ磁化方向が初期磁
化方向から反対方向に反転する。 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界Ｈｂ2 が与えられたときは、図３に示すように、第１
記録膜１１及び第２記録膜１２の両方の磁化方向が初期
磁化方向から反対方向に反転する。
【０００７】閾値ＳＨ1 と閾値ＳＨ2 の差は、３値の書
き込み及び読み出しの確実性を考慮し、１００（Ｏｅ）
以上とする。また、次に説明する理由から、第１記録膜
１１及び第２記録膜１２の厚さはそれぞれ５０オングス
トローム以上４００オングストローム以下、透明誘電体
膜１３の厚さは５０オングストローム以上５００オング
ストローム以下とるのが良い。
き込み及び読み出しの確実性を考慮し、１００（Ｏｅ）
以上とする。また、次に説明する理由から、第１記録膜
１１及び第２記録膜１２の厚さはそれぞれ５０オングス
トローム以上４００オングストローム以下、透明誘電体
膜１３の厚さは５０オングストローム以上５００オング
ストローム以下とるのが良い。
【０００８】記録された情報の読み出しは、偏光させた
レーザ光を光磁気記録媒体の基板側から照射し、その反
射光について偏光面の傾きの変化、つまり磁気カー効果
を利用する。その際、２つの記録膜にレーザ光が当たら
なければならないので、２つの記録膜のうち基板に近い
方を第１記録膜とすると、第１記録膜はレーザ光を透過
する必要があり、その膜厚の最大値はおよそ４００オン
グストロームとなる。また、読み出し信号を大きくする
には、カー回転角を大きくする必要がある。そのために
は、記録膜を透過した光を反射膜で反射させて光の多重
干渉を起こさせるのが効果的であり、それには第２記録
膜の膜厚も薄くする必要がある。この限界もおよそ４０
０オングストロームとなる。一方、２つの記録膜は垂直
磁化膜である必要がある。ところが、膜厚が薄くなるに
従い垂直磁化膜から面内磁化膜へと変化してしまう。そ
の限界の膜厚がおよそ５０オングストロームである。
レーザ光を光磁気記録媒体の基板側から照射し、その反
射光について偏光面の傾きの変化、つまり磁気カー効果
を利用する。その際、２つの記録膜にレーザ光が当たら
なければならないので、２つの記録膜のうち基板に近い
方を第１記録膜とすると、第１記録膜はレーザ光を透過
する必要があり、その膜厚の最大値はおよそ４００オン
グストロームとなる。また、読み出し信号を大きくする
には、カー回転角を大きくする必要がある。そのために
は、記録膜を透過した光を反射膜で反射させて光の多重
干渉を起こさせるのが効果的であり、それには第２記録
膜の膜厚も薄くする必要がある。この限界もおよそ４０
０オングストロームとなる。一方、２つの記録膜は垂直
磁化膜である必要がある。ところが、膜厚が薄くなるに
従い垂直磁化膜から面内磁化膜へと変化してしまう。そ
の限界の膜厚がおよそ５０オングストロームである。
【０００９】次に、透明誘電体膜の厚さについて説明す
る。第１記録膜と第２記録膜との間に誘電体膜を介さな
いと、両記録膜が磁気的に結合して磁気特性が大きく変
化し、３値記録が困難となる。そして、この誘電体膜は
光を透過させる必要があるため、光パワーを減衰させず
に第１記録膜と第２記録膜とを磁気的に分離する厚さの
透明膜にする必要がある。また、読み出し信号を大きく
するためには、上記のように光の多重干渉が効果的であ
るが、それには適切な条件がある。このような条件を満
足する透明誘電体膜の厚さは５０オングストローム以上
５００オングストローム以下となる。
る。第１記録膜と第２記録膜との間に誘電体膜を介さな
いと、両記録膜が磁気的に結合して磁気特性が大きく変
化し、３値記録が困難となる。そして、この誘電体膜は
光を透過させる必要があるため、光パワーを減衰させず
に第１記録膜と第２記録膜とを磁気的に分離する厚さの
透明膜にする必要がある。また、読み出し信号を大きく
するためには、上記のように光の多重干渉が効果的であ
るが、それには適切な条件がある。このような条件を満
足する透明誘電体膜の厚さは５０オングストローム以上
５００オングストローム以下となる。
【００１０】第１記録膜はＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素を
主成分として構成し、第２記録膜は、これら３元素に更
にＧｄを加えた４元素を主成分として構成することがで
きる。Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素だけでは、記録磁界の
閾値（磁化方向を反転させるに必要な最小の磁界）を高
くすることは難しいが、Ｇｄを添加することにより簡単
に記録磁界の閾値を高められる。
主成分として構成し、第２記録膜は、これら３元素に更
にＧｄを加えた４元素を主成分として構成することがで
きる。Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素だけでは、記録磁界の
閾値（磁化方向を反転させるに必要な最小の磁界）を高
くすることは難しいが、Ｇｄを添加することにより簡単
に記録磁界の閾値を高められる。
【００１１】第１記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ1 に対し
て第２記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ2 をできるだけ高く
するには、第２記録膜は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素、
又はこれらに更にＴｂを加えた４元素を主成分とする５
０オングストローム以上２００オングストローム以下の
厚さの第１の層と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素を主成分
とする１００オングストローム以上３５０オングストロ
ーム以下の厚さの第２の層とによる２層構造にすること
が好ましい。
て第２記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ2 をできるだけ高く
するには、第２記録膜は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素、
又はこれらに更にＴｂを加えた４元素を主成分とする５
０オングストローム以上２００オングストローム以下の
厚さの第１の層と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素を主成分
とする１００オングストローム以上３５０オングストロ
ーム以下の厚さの第２の層とによる２層構造にすること
が好ましい。
【００１２】また、本発明による光磁気記録方法は、上
記のような構成の光磁気記録媒体を用い、それに所定の
パワーの光を照射しながら、 初期磁化方向と同じ方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界を与えて、第１記録膜及び第２記録膜の両方共に磁化
方向を初期磁化方向と同じにする初期状態と、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ1 以上、前
記閾値ＳＨ2 未満の磁界を与えて、第１記録層のみ磁化
方向を初期磁化方向とは反対方向に反転させる第１の記
録状態と、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界を与えて、第１記録膜及び第２記録膜の両方の磁化方
向を初期磁化方向とは反対方向に反転させる第２の記録
状態とを選択することによって３値の記録を行う。
記のような構成の光磁気記録媒体を用い、それに所定の
パワーの光を照射しながら、 初期磁化方向と同じ方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界を与えて、第１記録膜及び第２記録膜の両方共に磁化
方向を初期磁化方向と同じにする初期状態と、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ1 以上、前
記閾値ＳＨ2 未満の磁界を与えて、第１記録層のみ磁化
方向を初期磁化方向とは反対方向に反転させる第１の記
録状態と、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界を与えて、第１記録膜及び第２記録膜の両方の磁化方
向を初期磁化方向とは反対方向に反転させる第２の記録
状態とを選択することによって３値の記録を行う。
【００１３】
【作用】本発明によれば、第１記録膜側から光を照射し
ながら、初期磁化方向と反対方向に（以下、この方向を
印加磁界の正方向とする）、第１記録膜の記録磁界の閾
値ＳＨ1 より大きく、第２記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ
2 より小さい磁界を印加することにより、第１記録膜の
みの磁化を反転させた第１の記録状態にできる。また、
同様に光を照射しながら、初期磁化方向と反対方向に、
第２記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ2 より大きい磁界を印
加することにより、第１記録膜及び第２記録膜の両方の
磁化を反転させた第２の記録状態にできる。更に、同様
に光を照射しながら、初期磁化方向と同じ方向に（以
下、この方向を印加磁界の負方向とする）、第２記録膜
の記録磁界の閾値ＳＨ2 より大きい磁界を印加すること
により、初期状態に戻すことができる。
ながら、初期磁化方向と反対方向に（以下、この方向を
印加磁界の正方向とする）、第１記録膜の記録磁界の閾
値ＳＨ1 より大きく、第２記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ
2 より小さい磁界を印加することにより、第１記録膜の
みの磁化を反転させた第１の記録状態にできる。また、
同様に光を照射しながら、初期磁化方向と反対方向に、
第２記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ2 より大きい磁界を印
加することにより、第１記録膜及び第２記録膜の両方の
磁化を反転させた第２の記録状態にできる。更に、同様
に光を照射しながら、初期磁化方向と同じ方向に（以
下、この方向を印加磁界の負方向とする）、第２記録膜
の記録磁界の閾値ＳＨ2 より大きい磁界を印加すること
により、初期状態に戻すことができる。
【００１４】すなわち、印加する磁界の強弱と印加方向
の正負とを選択することにより、図４に示すように、各
ピット毎に、第１記録膜１１及び第２記録膜１２の磁化
方向が同じ初期状態Ｗ0 と、第１記録膜１１のみ磁化方
向を初期状態とは反転させた第１の記録状態Ｗ1 と、第
１記録膜１１と第２記録膜１２の両方の磁化方向を反転
させた第２の記録状態Ｗ2 との３値記録が実現できる。
しかも、このような３つの状態を、印加する磁界を単に
強とするか弱とするか、その方向を正負いずれとするか
で確実に切り替えることができるので、新しく書き込む
情報はその前の状態によらずに書き込めることになり、
重ね書きが可能となる。
の正負とを選択することにより、図４に示すように、各
ピット毎に、第１記録膜１１及び第２記録膜１２の磁化
方向が同じ初期状態Ｗ0 と、第１記録膜１１のみ磁化方
向を初期状態とは反転させた第１の記録状態Ｗ1 と、第
１記録膜１１と第２記録膜１２の両方の磁化方向を反転
させた第２の記録状態Ｗ2 との３値記録が実現できる。
しかも、このような３つの状態を、印加する磁界を単に
強とするか弱とするか、その方向を正負いずれとするか
で確実に切り替えることができるので、新しく書き込む
情報はその前の状態によらずに書き込めることになり、
重ね書きが可能となる。
【００１５】上述のように記録された情報の読み出し
は、磁気カー効果を利用して行える。すなわち、磁化方
向及び磁化の大きさによってカー回転角の大きさが変わ
るので、上記のような初期状態、第１の記録状態、第２
の記録状態におけるカー回転角の大きさは各々異なり、
読み出しレベルにそれぞれのカー回転角の大きさに対応
したスライスレベルを設定することにより、初期状態、
第１の記録状態、第２の記録状態を３値の情報として分
離して読み出すことができる。
は、磁気カー効果を利用して行える。すなわち、磁化方
向及び磁化の大きさによってカー回転角の大きさが変わ
るので、上記のような初期状態、第１の記録状態、第２
の記録状態におけるカー回転角の大きさは各々異なり、
読み出しレベルにそれぞれのカー回転角の大きさに対応
したスライスレベルを設定することにより、初期状態、
第１の記録状態、第２の記録状態を３値の情報として分
離して読み出すことができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面と表を参照して
説明する。
説明する。
【００１７】＜第１実施例＞図５は本発明の第１実施例
の光磁気記録ディスクの断面を示す。この光磁気記録デ
ィスクは、光を透過するポリカーボネート基板１上に、
透明誘電体膜２、第１記録膜３、透明誘電体膜４、第２
記録膜５、透明誘電体膜６及び金属反射膜７を順次積層
形成したものである。３つの透明誘電体膜２・４・６の
材質はいずれもＳｉ3 Ｎ4 であり、反応性ＲＦスパッタ
法で作製した。第１記録膜３はＴｂ23 （Ｆｅ9 0 Ｃｏ
1 0 ）7 7 非晶質膜、また第２記録膜５はＧｄ2 0 Ｔｂ
1 0 （Ｆｅ8 0 Ｃｏ2 0 ）7 0 非晶質膜であり、それぞ
れＤＣマグネトロン・スパッタ法で作製した。金属反射
膜７はＡｌであり、ＤＣスパッタ法で作製した。表１に
実施例の各膜の材質と膜厚を示す。
の光磁気記録ディスクの断面を示す。この光磁気記録デ
ィスクは、光を透過するポリカーボネート基板１上に、
透明誘電体膜２、第１記録膜３、透明誘電体膜４、第２
記録膜５、透明誘電体膜６及び金属反射膜７を順次積層
形成したものである。３つの透明誘電体膜２・４・６の
材質はいずれもＳｉ3 Ｎ4 であり、反応性ＲＦスパッタ
法で作製した。第１記録膜３はＴｂ23 （Ｆｅ9 0 Ｃｏ
1 0 ）7 7 非晶質膜、また第２記録膜５はＧｄ2 0 Ｔｂ
1 0 （Ｆｅ8 0 Ｃｏ2 0 ）7 0 非晶質膜であり、それぞ
れＤＣマグネトロン・スパッタ法で作製した。金属反射
膜７はＡｌであり、ＤＣスパッタ法で作製した。表１に
実施例の各膜の材質と膜厚を示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】第１実施例の光磁気記録ディスクのＲ／Ｗ
特性を測定した。ディスクの回転数３０００ｒｐｍ、線
速１１ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ、記録パワー６
ｍＷの条件で測定したキャリアレベルの記録磁界依存性
を図６に示す。読み出しパワーは１ｍＷである。同図に
おいて、キャリアレベルは記録磁界１００〜２００（Ｏ
ｅ）の範囲と記録磁界２００（Ｏｅ）以上で飽和してい
る。この場合、記録磁界１００〜２００（Ｏｅ）の範囲
のキャリアレベルと記録磁界３００（Ｏｅ）以上でのキ
ャリアレベルには約６ｄＢの差があり、記録磁界３００
（Ｏｅ）以上の方がキャリアレベルは大きい。また、記
録磁界が０付近から負方向に１００（Ｏｅ）までの範囲
でキャリアレベルは急激に低下し、負方向に１００（Ｏ
ｅ）以上になると低い一定の値で飽和し、印加する記録
磁界を負方向に１００（Ｏｅ）以上とした場合には記録
はされない。つまり、キャリアレベルに３段階の飽和状
態がある。
特性を測定した。ディスクの回転数３０００ｒｐｍ、線
速１１ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ、記録パワー６
ｍＷの条件で測定したキャリアレベルの記録磁界依存性
を図６に示す。読み出しパワーは１ｍＷである。同図に
おいて、キャリアレベルは記録磁界１００〜２００（Ｏ
ｅ）の範囲と記録磁界２００（Ｏｅ）以上で飽和してい
る。この場合、記録磁界１００〜２００（Ｏｅ）の範囲
のキャリアレベルと記録磁界３００（Ｏｅ）以上でのキ
ャリアレベルには約６ｄＢの差があり、記録磁界３００
（Ｏｅ）以上の方がキャリアレベルは大きい。また、記
録磁界が０付近から負方向に１００（Ｏｅ）までの範囲
でキャリアレベルは急激に低下し、負方向に１００（Ｏ
ｅ）以上になると低い一定の値で飽和し、印加する記録
磁界を負方向に１００（Ｏｅ）以上とした場合には記録
はされない。つまり、キャリアレベルに３段階の飽和状
態がある。
【００２０】従って、記録磁界を正方向に１００〜２０
０（Ｏｅ）の範囲で印加することにより、第１の記録状
態Ｗ1 にでき、同じく正方向に３００（Ｏｅ）以上印加
することにより第２の記録状態Ｗ2 にでき、また負方向
に３００（Ｏｅ）以上の磁界を印加することにより、第
１の記録状態Ｗ1 及び第２の記録状態Ｗ2 を初期状態Ｗ
0 に戻すことができる。つまり、このような３つの記録
磁界印加状態を選択することにより各ピット毎に３値記
録を実現できる。また、各ピットから３値記録に対応し
た再生出力が得られるので、それぞれの再生出力に対応
するスライスレベルを設定するだけで、３値の再生が可
能である。
０（Ｏｅ）の範囲で印加することにより、第１の記録状
態Ｗ1 にでき、同じく正方向に３００（Ｏｅ）以上印加
することにより第２の記録状態Ｗ2 にでき、また負方向
に３００（Ｏｅ）以上の磁界を印加することにより、第
１の記録状態Ｗ1 及び第２の記録状態Ｗ2 を初期状態Ｗ
0 に戻すことができる。つまり、このような３つの記録
磁界印加状態を選択することにより各ピット毎に３値記
録を実現できる。また、各ピットから３値記録に対応し
た再生出力が得られるので、それぞれの再生出力に対応
するスライスレベルを設定するだけで、３値の再生が可
能である。
【００２１】＜第２実施例＞図７は第２実施例の光磁気
記録ディスクの断面を示す。この光磁気記録ディスク
は、第２記録膜５が第１と第２の２つの層８・９で構成
されていることが第１実施例と異なる。第１の層８はＧ
ｄ2 0 Ｔｂ4 （Ｆｅ8 0 Ｃｏ2 0 ）7 6 非晶質膜、また
第２の層９はＴｂ2 4 （Ｆｅ9 0 Ｃｏ1 0 ）7 6 非晶質
膜であり、それぞれＤＣマグネトロン・スパッタ法で作
製した。表２に実施例の各膜の材質と膜厚を示す。
記録ディスクの断面を示す。この光磁気記録ディスク
は、第２記録膜５が第１と第２の２つの層８・９で構成
されていることが第１実施例と異なる。第１の層８はＧ
ｄ2 0 Ｔｂ4 （Ｆｅ8 0 Ｃｏ2 0 ）7 6 非晶質膜、また
第２の層９はＴｂ2 4 （Ｆｅ9 0 Ｃｏ1 0 ）7 6 非晶質
膜であり、それぞれＤＣマグネトロン・スパッタ法で作
製した。表２に実施例の各膜の材質と膜厚を示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】第２実施例の光磁気記録ディスクのＲ／Ｗ
特性を測定した。ディスクの回転数３０００ｒｐｍ、線
速１１ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ、記録パワー８
ｍＷの条件で測定したキャリアレベルの記録磁界依存性
を図８に示す。読み出しパワーは１ｍＷである。同図に
おいて、キャリアレベルは記録磁界１００〜２５０（Ｏ
ｅ）の範囲と記録磁界３５０（Ｏｅ）以上で飽和してい
る。この場合、記録磁界１００〜２５０（Ｏｅ）の範囲
のキャリアレベルと記録磁界３５０（Ｏｅ）以上でのキ
ャリアレベルには約８ｄＢの差があり、記録磁界３５０
（Ｏｅ）以上の方がキャリアレベルは大きい。また、記
録磁界が０付近から負方向に１００（Ｏｅ）までの範囲
でキャリアレベルは急激に低下し、負方向に１００（Ｏ
ｅ）以上になると低い一定の値で飽和し、印加する記録
磁界を負方向に１００（Ｏｅ）以上とした場合には記録
はなされない。
特性を測定した。ディスクの回転数３０００ｒｐｍ、線
速１１ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ、記録パワー８
ｍＷの条件で測定したキャリアレベルの記録磁界依存性
を図８に示す。読み出しパワーは１ｍＷである。同図に
おいて、キャリアレベルは記録磁界１００〜２５０（Ｏ
ｅ）の範囲と記録磁界３５０（Ｏｅ）以上で飽和してい
る。この場合、記録磁界１００〜２５０（Ｏｅ）の範囲
のキャリアレベルと記録磁界３５０（Ｏｅ）以上でのキ
ャリアレベルには約８ｄＢの差があり、記録磁界３５０
（Ｏｅ）以上の方がキャリアレベルは大きい。また、記
録磁界が０付近から負方向に１００（Ｏｅ）までの範囲
でキャリアレベルは急激に低下し、負方向に１００（Ｏ
ｅ）以上になると低い一定の値で飽和し、印加する記録
磁界を負方向に１００（Ｏｅ）以上とした場合には記録
はなされない。
【００２４】従って、記録磁界を正方向に１００〜２５
０（Ｏｅ）の範囲で印加することにより、第１の記録状
態Ｗ1 にでき、同じく正方向に３５０（Ｏｅ）以上印加
することにより第２の記録状態Ｗ2 にでき、また負方向
に３５０（Ｏｅ）以上の磁界を印加することにより、第
１の記録状態Ｗ1 及び第２の記録状態Ｗ2 を初期状態Ｗ
0 に戻すことができる。つまり、このような３つの記録
磁界印加状態を選択することにより各ピット毎に３値記
録を実現できる。また、その読み出しは第１実施例と同
様にして実現できる。
０（Ｏｅ）の範囲で印加することにより、第１の記録状
態Ｗ1 にでき、同じく正方向に３５０（Ｏｅ）以上印加
することにより第２の記録状態Ｗ2 にでき、また負方向
に３５０（Ｏｅ）以上の磁界を印加することにより、第
１の記録状態Ｗ1 及び第２の記録状態Ｗ2 を初期状態Ｗ
0 に戻すことができる。つまり、このような３つの記録
磁界印加状態を選択することにより各ピット毎に３値記
録を実現できる。また、その読み出しは第１実施例と同
様にして実現できる。
【００２５】＜実施例３＞第３実施例の光磁気記録ディ
スクは、第２実施例に対し第２記録膜５の２つの層８・
９の材質を変え、第１の層８をＧｄ2 6 （Ｆｅ8 0 Ｃｏ
2 0 ）7 4 非晶質膜、また第２の層９をＴｂ2 3 （Ｆｅ
9 0 Ｃｏ1 0 ）7 7 非晶質膜としたものである。表３に
第３実施例の各膜の材質と膜厚を示す。
スクは、第２実施例に対し第２記録膜５の２つの層８・
９の材質を変え、第１の層８をＧｄ2 6 （Ｆｅ8 0 Ｃｏ
2 0 ）7 4 非晶質膜、また第２の層９をＴｂ2 3 （Ｆｅ
9 0 Ｃｏ1 0 ）7 7 非晶質膜としたものである。表３に
第３実施例の各膜の材質と膜厚を示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】図９に、第２実施例と同様の条件で測定し
た第３実施例の光磁気記録ディスクについてのキャリア
レベルの記録磁界依存性を示す。同図において、キャリ
アレベルは記録磁界１００〜２５０（Ｏｅ）の範囲と記
録磁界３００（Ｏｅ）以上で飽和している。この場合、
記録磁界１００〜２５０（Ｏｅ）の範囲のキャリアレベ
ルと記録磁界３００（Ｏｅ）以上でのキャリアレベルに
は約８ｄＢの差があり、記録磁界３００（Ｏｅ）以上の
方がキャリアレベルは大きい。また、記録磁界が０付近
から負方向に１００（Ｏｅ）までの範囲でキャリアレベ
ルは急激に低下し、負方向に１００（Ｏｅ）以上になる
と低い一定の値で飽和し、印加する記録磁界を負方向に
１００（Ｏｅ）以上とした場合には記録はなされない。
た第３実施例の光磁気記録ディスクについてのキャリア
レベルの記録磁界依存性を示す。同図において、キャリ
アレベルは記録磁界１００〜２５０（Ｏｅ）の範囲と記
録磁界３００（Ｏｅ）以上で飽和している。この場合、
記録磁界１００〜２５０（Ｏｅ）の範囲のキャリアレベ
ルと記録磁界３００（Ｏｅ）以上でのキャリアレベルに
は約８ｄＢの差があり、記録磁界３００（Ｏｅ）以上の
方がキャリアレベルは大きい。また、記録磁界が０付近
から負方向に１００（Ｏｅ）までの範囲でキャリアレベ
ルは急激に低下し、負方向に１００（Ｏｅ）以上になる
と低い一定の値で飽和し、印加する記録磁界を負方向に
１００（Ｏｅ）以上とした場合には記録はなされない。
【００２８】従って、記録磁界を正方向に１００〜２５
０（Ｏｅ）の範囲で印加することにより、第１の記録状
態Ｗ1 にでき、同じく正方向に３００（Ｏｅ）以上印加
することにより第２の記録状態Ｗ2 にでき、また負方向
に３００（Ｏｅ）以上の磁界を印加することにより、第
１の記録状態Ｗ1 及び第２の記録状態Ｗ2 を初期状態Ｗ
0 に戻すことができ、各ピット毎に３値記録を実現でき
る。また、その読み出しは第１実施例及び第２実施例と
同様にして実現できる。
０（Ｏｅ）の範囲で印加することにより、第１の記録状
態Ｗ1 にでき、同じく正方向に３００（Ｏｅ）以上印加
することにより第２の記録状態Ｗ2 にでき、また負方向
に３００（Ｏｅ）以上の磁界を印加することにより、第
１の記録状態Ｗ1 及び第２の記録状態Ｗ2 を初期状態Ｗ
0 に戻すことができ、各ピット毎に３値記録を実現でき
る。また、その読み出しは第１実施例及び第２実施例と
同様にして実現できる。
【００２９】なお、第１記録膜２とそれより記録磁界の
閾値が大きい第２記録膜５との積層配置関係を、図５及
び図７の場合とは上下逆にしても同様に３値記録をでき
ること明白である。
閾値が大きい第２記録膜５との積層配置関係を、図５及
び図７の場合とは上下逆にしても同様に３値記録をでき
ること明白である。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、印加
する磁界の強弱と印加方向の正負とを選択することによ
り、各ピット毎に、第１記録膜及び第２記録膜の磁化方
向が同じ初期状態と，第１記録膜のみ磁化方向を初期状
態とは反転させた第１の記録状態と、第１記録膜と第２
記録膜の両方の磁化方向を反転させた第２の記録状態と
の３値記録が実現できる。しかも、このような３つの状
態を、印加する磁界を単に強とするか弱とするか、その
方向を正負いずれとするかで確実に切り替えることがで
きるので、重ね書きが可能である。しかも、実用上必要
なＲ／Ｗ条件を十分に満足できるばかりでなく、３値の
書き込みを容易にかつ精度良く行える。
する磁界の強弱と印加方向の正負とを選択することによ
り、各ピット毎に、第１記録膜及び第２記録膜の磁化方
向が同じ初期状態と，第１記録膜のみ磁化方向を初期状
態とは反転させた第１の記録状態と、第１記録膜と第２
記録膜の両方の磁化方向を反転させた第２の記録状態と
の３値記録が実現できる。しかも、このような３つの状
態を、印加する磁界を単に強とするか弱とするか、その
方向を正負いずれとするかで確実に切り替えることがで
きるので、重ね書きが可能である。しかも、実用上必要
なＲ／Ｗ条件を十分に満足できるばかりでなく、３値の
書き込みを容易にかつ精度良く行える。
【００３１】また、読み出しに当たっては、上記３つの
状態のそれぞれのカー回転角の大きさに対応したスライ
スレベルを設定することにより、３つの状態を３値の情
報として分離して読み出すことができるので、読み出し
も確実かつ容易行える。
状態のそれぞれのカー回転角の大きさに対応したスライ
スレベルを設定することにより、３つの状態を３値の情
報として分離して読み出すことができるので、読み出し
も確実かつ容易行える。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の構成と初期状態
の磁化方向とを示す模式図である。
の磁化方向とを示す模式図である。
【図２】同上の第１の記録状態を示す模式図である。
【図３】同じく第２の記録状態を示す図である。
【図４】上記初期状態、第１の記録状態及び第２の記録
状態を各ピット毎に選択できることを示す模式図であ
る。
状態を各ピット毎に選択できることを示す模式図であ
る。
【図５】本発明の第１実施例の光磁気記録ディスクの断
面図である。
面図である。
【図６】第１実施例の光磁気記録ディスクについて、キ
ャリアレベルの記録磁界依存性を示す特性曲線図であ
る。
ャリアレベルの記録磁界依存性を示す特性曲線図であ
る。
【図７】本発明の第２の実施例の光磁気記録ディスクの
断面図である。
断面図である。
【図８】第２実施例の光磁気記録ディスクについて、キ
ャリアレベルの記録磁界依存性を示す特性曲線図であ
る。
ャリアレベルの記録磁界依存性を示す特性曲線図であ
る。
【図９】第３実施例の光磁気記録ディスクについて、キ
ャリアレベルの記録磁界依存性を示す特性曲線図であ
る。
ャリアレベルの記録磁界依存性を示す特性曲線図であ
る。
１ ポリカーボネート基板 ２・４・６ 透明誘電体膜 ３ 第１記録膜 ５ 第２記録膜 ７ 金属反射膜 ８ 第１の層 ９ 第２の層 １１ 第１記録膜 １２ 第２記録膜 １３ 透明誘電体膜
Claims (5)
- 【請求項１】 垂直磁化層である第１記録層及び第２記
録層を、それらの間に透明誘電体膜を介在させて基板上
に積層形成した光磁気記録媒体において、 前記第１記録膜と第２記録膜とは、初期状態において磁
化方向を同じにされ、しかもその磁化方向を反転させる
に必要な最小の磁界である記録磁界の閾値に関し、第１
記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ1 は第２記録膜の記録磁界
の閾値ＳＨ2 よりも低くそれらの間に所定以上の差が設
けられ、同じパワーの光照射条件下において、 初期磁化方向と同じ方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界が与えられたときは、第１記録膜及び第２記録膜の両
方共に磁化方向が初期磁化方向と同じになり、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ1 以上、前
記閾値ＳＨ2 未満の磁界が与えられたときは、第１記録
層のみ磁化方向が初期磁化方向から反対方向に反転し、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界が与えられたときは、第１記録膜及び第２記録膜の両
方の磁化方向が初期磁化方向から反対方向に反転する構
成になっていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記閾値ＳＨ1 と閾値ＳＨ2 の差が１０
０（Ｏｅ）以上、第１記録膜及び第２記録膜の厚さがそ
れぞれ５０オングストローム以上４００オングストロー
ム以下、前記透明誘電体膜の厚さが５０オングストロー
ム以上５００オングストローム以下である請求項１に記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１記録膜がＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３
元素を主成分として構成され、前記第２記録膜がＧｄ、
Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの４元素を主成分として構成さている
請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記第２記録膜が、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏの
３元素、又はこれらに更にＴｂを加えた４元素を主成分
とする５０オングストローム以上５００オングストロー
ム以下の厚さの第１の層と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３元素
を主成分とする１００オングストローム以上３５０オン
グストローム以下の厚さの第２の層で構成されている請
求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 垂直磁化層である第１記録層及び第２記
録層とが、それらの間に透明誘電体膜を介在させて積層
形成され、第１記録膜と第２記録膜とは、初期状態にお
いて磁化方向を同じにされ、しかもその磁化方向を反転
させるに必要な最小の磁界である記録磁界の閾値に関
し、第１記録膜の記録磁界の閾値ＳＨ1は第２記録膜の
記録磁界の閾値ＳＨ2 よりも低くそれらの間に所定以上
の差が設けられた光磁気記録媒体に、所定のパワーの光
を照射しながら、 初期磁化方向と同じ方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界を与えて、第１記録膜及び第２記録膜の両方共に磁化
方向を初期磁化方向と同じにする初期状態と、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ1 以上、前
記閾値ＳＨ2 未満の磁界を与えて、第１記録層のみ磁界
方向を初期磁化方向とは反対方向に反転させる第１の記
録状態と、 初期磁化方向と反対方向に前記閾値ＳＨ2 以上の磁
界を与えて、第１記録膜及び第２記録膜の両方の磁界方
向を初期磁化方向とは反対方向に反転させる第２の記録
状態とを選択することを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16937293A JPH0676390A (ja) | 1992-07-10 | 1993-07-08 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-183277 | 1992-07-10 | ||
| JP18327792 | 1992-07-10 | ||
| JP16937293A JPH0676390A (ja) | 1992-07-10 | 1993-07-08 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676390A true JPH0676390A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26492732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16937293A Pending JPH0676390A (ja) | 1992-07-10 | 1993-07-08 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676390A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987004666A1 (fr) * | 1986-02-03 | 1987-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Dispositif d'enregistrement d'images et cassette a feuille d'encre applicable audit dispositif |
| US4880324A (en) * | 1985-06-24 | 1989-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer method for heat-sensitive transfer recording |
| EP0762410A4 (en) * | 1994-05-10 | 1998-01-07 | Hitachi Maxell | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM, RECORDING AND REPRODUCING METHOD AND APPARATUS |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417248A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Multivalued logic recording and reproducing method for magneto-optical recording carrier |
| JPH01155533A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0410256A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nec Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP16937293A patent/JPH0676390A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417248A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Multivalued logic recording and reproducing method for magneto-optical recording carrier |
| JPH01155533A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0410256A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nec Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4880324A (en) * | 1985-06-24 | 1989-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer method for heat-sensitive transfer recording |
| WO1987004666A1 (fr) * | 1986-02-03 | 1987-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Dispositif d'enregistrement d'images et cassette a feuille d'encre applicable audit dispositif |
| EP0762410A4 (en) * | 1994-05-10 | 1998-01-07 | Hitachi Maxell | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM, RECORDING AND REPRODUCING METHOD AND APPARATUS |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981020 |