JPH067643B2 - 低周波増幅器 - Google Patents

低周波増幅器

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JPH067643B2
JPH067643B2 JP59269015A JP26901584A JPH067643B2 JP H067643 B2 JPH067643 B2 JP H067643B2 JP 59269015 A JP59269015 A JP 59269015A JP 26901584 A JP26901584 A JP 26901584A JP H067643 B2 JPH067643 B2 JP H067643B2
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JP
Japan
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transistor
collector
current
transistors
circuit
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宗義 平野
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ラジオ受信機等の電子機器に用いる低周波増
幅器に関するものである。
従来の技術 近年、各種電子機器の小型化,低コスト化に対する要求
が高まってきており、これに伴い各種部品に対する小型
化,低コスト化の要求が高まっている。また、小型化に
伴う使用電池の小型化により機器の省電流化が大きな問
題となってきている。
通常、小型電子機器に用いる低周波増幅器は省電流化,
高効率化という点からB級動作として用いている。この
場合、出力段トランジスタのベース・エミッタ間電圧対
コレクタ電流特性が非線形であるためクロスオーバー歪
が生じる。このため、トランジスタはその非線形性が問
題とならない状態に無信号時の動作点を設定し、無信号
時においてもコレクタバイアス電流を流しておく必要が
ある。この動作点設定は出力負荷の状態によって変って
くる。負荷としてスピーカを用い出力負荷のインピーダ
ンスが低くなった場合、負荷インピーダンスが高い場合
と比べ同一の出力電圧変化を得るために必要な出力電流
変化が大きくなるため、ベース・エミッタ間電圧対コレ
クタ電流特性がより線形に近くなるように動作点を設定
する。つまりコレクタバイアス電流をより多く流す状態
に動作点を設定する必要がある。この状態で負荷として
インピーダンスの高いもの、一例として300Ωのイヤ
ホンを用いた場合には出力負荷電流よりも出力トランジ
スタのバイアス電流の方が大きくなる場合も生じ、省電
流化という点から問題を生じてしまう。従って、負荷イ
ンピーダンスに応じて適切なバイアス状態を個々に設定
する必要がある。
第4図に従来の回路を示す。第4図において、トランジ
スタ15,24は電流供給用であり、トランジスタ14
とカレントミラー回路を構成し、定電流源13の電流I
に等しい電流が各トランジスタのコレクタ電流として負
荷回路に供給される。トランジスタ17,18は差動増
幅回路を構成しており、トランジスタ19,20は差動
増幅回路の能動負荷である(抵抗10,12,16,2
1,22,23は差動増幅回路のバイアス用であ
る。)。この差動増幅回路の出力はトランジスタ17の
コレクタから信号増幅用トランジスタ29のベースに入
力され、このトランジスタ29によってトランジスタ3
0,31,35,36で構成されるB級プッシュプル出
力回路を駆動する。トランジスタ24、ダイオード3
3、抵抗26,32,34は出力回路のバイアス回路を
構成する。抵抗32,34はダイオード33のバイアス
用である。この回路でトランジスタ30,31のベース
・エミッタ間電圧は次式で与えられる。
BE30=(VD33+VBE28)−(VBE31+VR26)…(1) VBE31=(VBE30+VR26)−(VD33+VBE28)…(2) 但し、 VBE28:トランジスタ28のベース・エミッタ間電圧 VBE30:トランジスタ30のベース・エミッタ間電圧 VBE31:トランジスタ31のベース・エミッタ間電圧 VD33:ダイオード33の順方向電圧降下 VR26:抵抗26の両端における電圧降下 無信号動作状態においては、出力トランジスタ35,3
6のコレクタ電流が等しく、かつトランジスタ30,3
1が上記(1)式および(2)式を満足する状態で動作してい
る。出力トランジスタ35,36のコレクタバイアス電
流を変化させるには、トランジスタ30,31の無信号
時にベース・エミッタ間電圧を変化させればよい。その
ため、従来抵抗26の抵抗値を変化させることにより対
応しており第4図に示すようにスイッチ3,4は連動し
ており、スイッチ3が開いた場合はスイッチ4はイヤホ
ン負荷5側に接続されている。抵抗26はこの状態で適
切なバイアス状態となるように設定されている。次にス
イッチ3が閉じた場合、スイッチ4はスピーカ負荷6側
に接続される。スイッチ3が閉じることにより抵抗27
が抵抗26と並列に接続されるため、この並列抵抗両端
での電圧降下が小さくなる。従って(1)式および(2)式に
おけるVR26の値が小さくなり、トランジスタ30,3
1のベース・エミッタ間電圧が大きくなり、トランジス
タ30、31のコレクタ電流が大きくなる。この電流が
出力トランジスタ35,36のベース電流となるため、
出力トランジスタのコレクタバイアス電流も増加する。
抵抗27の値は抵抗26と並列に接続された状態で、ス
ピーカ駆動時に適切なバイアス状態となるような値に設
定する。以上のようにスイッチ3の開閉により、負荷に
応じた適切なバイアス状態を選択出来るようにすること
は可能になる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第4図に示す従来の構成においては、こ
の回路をIC化する場合、バイアス切換のためにスイッ
チ3を構成するa,bの2つの端子を外付端子として持
たねばならず、ICパツケージのピン数が増加する。前
記のような小型化,低コスト化の要求が高まるなかで、
ピン数増加によるICパツケージの大型化,高コスト化
が問題となってきた。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記の問題点を解決するため、バイアス回路
に電流を供給する第1のトランジスタと互いにコレクタ
を接続し、スイッチの開閉により動作あるいは非動作と
なるバイアス回路への電流供給用の第2のトランジスタ
を設けたことを特長とするものである。
作用 本発明は、低周波増幅器の電源ラインとの間にバイアス
電流切換用スイッチを構成出来るため、IC化した場
合、1端子の追加でバイアス電流を切換えることが可能
となり、ICパツケージの小型化及びそれに伴う低コス
ト化を計ることが出来るものである。
実施例 第1図は本発明における第1の実施例を示す。第1図の
回路構成はトランジスタ40の追加および抵抗27の廃
止以外は第4図の回路と同一である。
第1図のバイアス切換回路について以下に述べる。第4
図の回路説明で述べたように、トランジスタ30,31
のベース・エミッタ間電圧はそれぞれ(1)式および(2)式
で与えられる。第4図の回路ではトランジスタ30、3
1のベース・エミッタ間電圧を変化させ、バイアス状態
を変化させるため、抵抗26の値を変化させることによ
ってその両端での電圧降下を変化させている。これに対
し、第1図では抵抗26の値を一定とし、抵抗26に供
給される電流を変化させることによってもその両端での
電圧降下を変化させることが可能である。第1図におい
て、トランジスタ14,15,24,40はそれぞれベ
ースがお互いに接続されており、トランジスタ14,1
5,24のエミッタはすべて電源ラインに接続されてい
る。従ってこれら3つのトランジスタはカレントミラー
回路を構成しており、定電流源13の電流Iに等しい電
流が各トランジスタのコレクタ電流として流れる。スイ
ッチ3を閉じた場合、トランジスタ40のエミッタが電
源ラインに接続され動作状態となり、トランジスタ1
4,15,24,40はカレントミラー回路を構成し、
トランジスタ40のコレクタ電流もIとなる。トランジ
スタ24,40のコレクタは抵抗26と接続されている
ため、抵抗26に供給される電流は2Iとなる。スイッ
チ3と連動するスイッチ4はイヤホン負荷6側に接続さ
れているスイッチ3を開いた場合、トランジスタ40は
非動作となるため、抵抗26に供給される電流はIとな
り、抵抗26両端での電圧降下が小さくなるため、出力
トランジスタ35、36のコレクタ電流が増加する。こ
の場合、スイッチ3と連動するスイッチ4はスピーカ負
荷5側に接続されている。本実施例ではI=50μAに
対し、出力トランジスタ35,36のコレクタ電流は約
5mA変化する。本実施例をIC化する場合には、スイ
ッチ3の端子aのみの1端子の追加でバイアス電流切換
を行うことが出来る。
第2図は本発明における第2の実施例を示す。本実施例
は抵抗41の追加以外は第1図に示す第1の実施例と同
一である。本実施例ではスイッチ3が閉じた場合、トラ
ンジスタ40のエミッタおよび電源ライン間に抵抗41
が挿入され、この抵抗値によって出力回路のバイアス状
態が適切な状態になるようにトランジスタ40のコレク
タ電流を制御出来る。電流値の制御は、実施例の回路を
IC化した場合には、トランジスタ24,40のエミッ
タ面積を変化させて行ってもよい。また、トランジスタ
14,24、40の各エミッタ,電源ライン間にそれぞ
れ抵抗を挿入し、抵抗比によって電流値を制御してもよ
い。
また、第3図に示す第3の実施例のようにトランジスタ
40と同時に動作あるいは非動作となる他のトランジス
タ42によって別回路50を駆動することも可能であ
る。
なお、バイアス回路以外の回路形成は実施例に限定され
るものではない。
発明の効果 以上のように本発明は、電源ラインとの間に開閉スイッ
チを構成し、その開閉により出力負荷に応じて出力トラ
ンジスタのコレクタバイアス電流を設定することで省電
流化を計ることを可能にすると共に、IC化に際して1
ピンの端子追加で回路を実現出来るため、パツケージの
小型化によるICの小型化および低コスト化を計ること
も可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例における回路図、第2図
は第2の実施例における回路図、第3図は第3の実施例
における回路図、第4図は従来の回路図である。 1……入力端子、2……電源ライン、3,4……スイッ
チ、5……スピーカ(低インピーダンス負荷)、6……
イヤホン(高インピーダンス負荷)、7,8,11,3
8……コンデンサー、10,12,16,21,22,
23,26,27,32,34,36,37,41……
抵抗、14,15,17,18,19,20,24,2
8,29,30,31,35,36,40,42……ト
ランジスタ、13……定電流源、33……ダイオード、
50……トランジスタ42によって電流を供給される別
の回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のトランジスタのベースと、第2のト
    ランジスタのベースとを接続し、上記第1のトランジス
    タのコレクタと上記第2のトランジスタのコレクタと第
    3のトランジスタのベースと第1の抵抗の一方とを接続
    し、上記第3のトランジスタのコレクタと第1の抵抗の
    他方とを接続し、第3のトランジスタのエミッタと信号
    増幅用の第4のトランジスタのコレクタとを接続し、上
    記第3および第4のトランジスタにバイアス電流を供給
    して上記第3のトランジスタのコレクタおよびエミッタ
    からコンプリメンタリ接続された出力段の第5および第
    6のトランジスタ駆動用の信号電流を各々取り出すよう
    に構成するとともに、電源ライン、あるいはアースと上
    記第2のトランジスタのエミッタ間に設けられたスイッ
    チの開閉により上記第2のトランジスタを動作あるいは
    非動作とすることによって、上記第3のトランジスタの
    コレクタ電圧を変化させて、上記第5および第6のトラ
    ンジスタの無信号時のコレクタ電流を変化させ、無信号
    時の出力トランジスタのバイアス電流を変化させるよう
    に構成したことを特徴とする低周波増幅器。
JP59269015A 1984-12-19 1984-12-19 低周波増幅器 Expired - Lifetime JPH067643B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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