JPH0676496B2 - 有機ポリシランの製造方法 - Google Patents
有機ポリシランの製造方法Info
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- JPH0676496B2 JPH0676496B2 JP23900687A JP23900687A JPH0676496B2 JP H0676496 B2 JPH0676496 B2 JP H0676496B2 JP 23900687 A JP23900687 A JP 23900687A JP 23900687 A JP23900687 A JP 23900687A JP H0676496 B2 JPH0676496 B2 JP H0676496B2
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- Silicon Polymers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は導電性のポリシランを製造する方法に関する。
詳しくは特定の処理によりポリシランを導電性にする方
法に関する。
詳しくは特定の処理によりポリシランを導電性にする方
法に関する。
主鎖が珪素−珪素結合からなり少なくとも珪素原子１個
あたり１個の炭化水素残基を有する有機ポリシラン化合
物については多くの研究がすでに行われており、特に比
較的大きな炭化水素残基を有するものは溶剤に可溶であ
り、又熱可塑性もあること、ドーピングによって導電性
が制御できることなどから種々の用途が期待されている
（例えば、L,Actualite Chimique−mars,1986,64−7
0）。
あたり１個の炭化水素残基を有する有機ポリシラン化合
物については多くの研究がすでに行われており、特に比
較的大きな炭化水素残基を有するものは溶剤に可溶であ
り、又熱可塑性もあること、ドーピングによって導電性
が制御できることなどから種々の用途が期待されている
（例えば、L,Actualite Chimique−mars,1986,64−7
0）。
また、有機ポリシランはそのままでは絶縁性であるが、
硫酸で処理すると導電性が大幅に向上することが知られ
ている（特開昭62−59632号公報）。
硫酸で処理すると導電性が大幅に向上することが知られ
ている（特開昭62−59632号公報）。
有機ポリシランを導電性にするために種々のドーパント
をドープする方法はドーパントによっては取扱が危険で
あり、しかも導電性の向上が十分ではないという問題が
あり、また上述の方法は硫酸を大量に使用する上に、加
工法など取扱が限定されるなどの問題がある。
をドープする方法はドーパントによっては取扱が危険で
あり、しかも導電性の向上が十分ではないという問題が
あり、また上述の方法は硫酸を大量に使用する上に、加
工法など取扱が限定されるなどの問題がある。
本発明者らは上記問題を解決する方法について鋭意検討
し、特定の方法が極めて有効で有ることを見出し、本発
明を完成した。
し、特定の方法が極めて有効で有ることを見出し、本発
明を完成した。
即ち、本発明は主鎖が珪素−珪素結合からなり少なくと
も珪素原子１個当たり１個の炭化水素残基を有するポリ
シランをハロゲン化水素で処理することを特徴とする導
電性のポリシランの製造方法である。
も珪素原子１個当たり１個の炭化水素残基を有するポリ
シランをハロゲン化水素で処理することを特徴とする導
電性のポリシランの製造方法である。
本発明において使用する主鎖が珪素−珪素結合からなり
少なくとも珪素原子１個当たり１個の炭化水素残基を有
するポリシランの製造方法については特に制限はなく、
公知のハロゲン化有機シランをナトリウム、マグネシウ
ムなどで脱ハロゲン化重縮合するか、あるいは水素化有
機シランをチタン系の触媒を用いて、脱水素重縮合する
方法などで製造することができる（例えば、R.C.West,C
omprehensive Organic Chemistry,Vol 2,Chapter9.4,P3
65〜387（1982）（edited by G.Wilkinson etal,Pergam
on Press,New York）、J.OrganometallicChemistry,vol
279,1985,C11−C13）。
少なくとも珪素原子１個当たり１個の炭化水素残基を有
するポリシランの製造方法については特に制限はなく、
公知のハロゲン化有機シランをナトリウム、マグネシウ
ムなどで脱ハロゲン化重縮合するか、あるいは水素化有
機シランをチタン系の触媒を用いて、脱水素重縮合する
方法などで製造することができる（例えば、R.C.West,C
omprehensive Organic Chemistry,Vol 2,Chapter9.4,P3
65〜387（1982）（edited by G.Wilkinson etal,Pergam
on Press,New York）、J.OrganometallicChemistry,vol
279,1985,C11−C13）。
ここで珪素原子１個あたり少なくとも１個結合した炭化
水素残基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基、
ビニル基、アリル基、プロペニル基などのアルケニル
基、フェニル基、或いは置換フェニル基などの芳香族炭
化水素基などが例示される。
水素残基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基、
ビニル基、アリル基、プロペニル基などのアルケニル
基、フェニル基、或いは置換フェニル基などの芳香族炭
化水素基などが例示される。
本発明においてハロゲン化水素としては弗化水素、塩化
水素、臭化水素、沃化水素あるいはそれらの水溶液が利
用でき、特に水溶液の形で利用すると取扱が簡便であり
好ましい。
水素、臭化水素、沃化水素あるいはそれらの水溶液が利
用でき、特に水溶液の形で利用すると取扱が簡便であり
好ましい。
ハロゲン化水素による処理の方法としては特に制限はな
く、固体状の有機ポリシランを単にハロゲン化水素の水
溶液に分散処理するか、あるいは有機ポリシランの溶液
とハロゲン化水素の水溶液を接触処理する方法などが操
作が簡便であり効果も十分である。処理に際し温度、圧
力についても特に制限はなく通常常温でおこなうことが
でき、時間は処理方法によってその好適な時間は異なる
が通常１時間〜数日である。
く、固体状の有機ポリシランを単にハロゲン化水素の水
溶液に分散処理するか、あるいは有機ポリシランの溶液
とハロゲン化水素の水溶液を接触処理する方法などが操
作が簡便であり効果も十分である。処理に際し温度、圧
力についても特に制限はなく通常常温でおこなうことが
でき、時間は処理方法によってその好適な時間は異なる
が通常１時間〜数日である。
以下、実施例を示し本発明をさらに説明する。
実施例１ 市販のポリシラスチレン（新日曹化工（株）製PSS−10
0）10gを200mlの濃塩酸に分散し、１日攪拌した。その
後濾過分離し、次いで固形分を十分に水洗した後メタノ
ールで置換後乾燥した。処理したポリシラスチレンをト
ルエンに溶解し、キャスト成形してフイルム状とし、２
端子法で電気伝導度を測定したところ1.8×10-9S/cmで
あった。
0）10gを200mlの濃塩酸に分散し、１日攪拌した。その
後濾過分離し、次いで固形分を十分に水洗した後メタノ
ールで置換後乾燥した。処理したポリシラスチレンをト
ルエンに溶解し、キャスト成形してフイルム状とし、２
端子法で電気伝導度を測定したところ1.8×10-9S/cmで
あった。
尚、処理まえのポリシラスチレンは4.8×10-16S/cmであ
った。
った。
実施例２ 塩酸に代えて臭化水素酸（比重1.48）を用いる他は実施
例１と同様にした。得られたフィルムの電気伝導度は1.
3×10-10S/cmであった。
例１と同様にした。得られたフィルムの電気伝導度は1.
3×10-10S/cmであった。
実施例３ ジフェニルジクロルシランとジブチルゲルマニウムの共
重合体（スチレン換算の重量平均分子量1.8×104、ゲル
マニウム含量2.8wt％）を用いる他は実施例１と同様に
した。得られたフィルムの電気伝導度は3.8×10-8S/cm
であった。尚、塩酸で処理しないものは4.5×10-18S/cm
であった。
重合体（スチレン換算の重量平均分子量1.8×104、ゲル
マニウム含量2.8wt％）を用いる他は実施例１と同様に
した。得られたフィルムの電気伝導度は3.8×10-8S/cm
であった。尚、塩酸で処理しないものは4.5×10-18S/cm
であった。
本発明の方法を実施することにより電気導電性に優れた
有機ポリシランを得ることができ工業的に極めて価値が
ある。
有機ポリシランを得ることができ工業的に極めて価値が
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】主鎖が珪素−珪素結合からなり少なくとも
珪素原子１個当たり１個の炭化水素残基を有するポリシ
ランをハロゲン化水素で処理することを特徴とする導電
性のポリシランの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23900687A JPH0676496B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 有機ポリシランの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23900687A JPH0676496B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 有機ポリシランの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6485223A JPS6485223A (en) | 1989-03-30 |
| JPH0676496B2 true JPH0676496B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=17038492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23900687A Expired - Lifetime JPH0676496B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 有機ポリシランの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676496B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008025260B4 (de) * | 2008-05-27 | 2010-03-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogeniertes Polysilan und thermisches Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1987
- 1987-09-25 JP JP23900687A patent/JPH0676496B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6485223A (en) | 1989-03-30 |
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