JPH0677010A - 直線抵抗体 - Google Patents
直線抵抗体Info
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- JPH0677010A JPH0677010A JP4223813A JP22381392A JPH0677010A JP H0677010 A JPH0677010 A JP H0677010A JP 4223813 A JP4223813 A JP 4223813A JP 22381392 A JP22381392 A JP 22381392A JP H0677010 A JPH0677010 A JP H0677010A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】比熱を増大することによって耐量が高く、且つ
電流電圧特性の直線性が優れた直線抵抗体を提供する。 【構成】５.０〜３９体積％の金属ほう化物と２.７Ｊ／
cc・℃以上の比熱の１.０〜３９体積％の絶縁性粒子と残
余非還元性ガラスからなる焼結体１と焼結体１の相対す
る面の電極２とからなって、ガス遮断器の投入抵抗器及
び中性点接地抵抗器に用いられるバルク型直線抵抗体。
電流電圧特性の直線性が優れた直線抵抗体を提供する。 【構成】５.０〜３９体積％の金属ほう化物と２.７Ｊ／
cc・℃以上の比熱の１.０〜３９体積％の絶縁性粒子と残
余非還元性ガラスからなる焼結体１と焼結体１の相対す
る面の電極２とからなって、ガス遮断器の投入抵抗器及
び中性点接地抵抗器に用いられるバルク型直線抵抗体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力機器、特に、遮断器
及び変圧器における直線抵抗体に関する。
及び変圧器における直線抵抗体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の抵抗体は、特開昭56−4206号に記
載のような炭素系及び特開昭63−233502号公報に記載の
ようなＺｎＯ系が開示されていた。
載のような炭素系及び特開昭63−233502号公報に記載の
ようなＺｎＯ系が開示されていた。
【０００３】炭素系はＡｌ2Ｏ3からなるマトリックス中
に炭素粉を分散させた構造をもつ。この抵抗率は数百Ω
cmである。
に炭素粉を分散させた構造をもつ。この抵抗率は数百Ω
cmである。
【０００４】他方、ＺｎＯ系はＺｎＯを主成分として、
Ａｌ2Ｏ3,ＭｇＯ,Ｙ2Ｏ3,Ｓｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2 等を含む
結晶体である。この抵抗率は１０〜１０００Ωcmであっ
て、適用機器によって使いわける。この系は、２種以上
の原料粉を混合後、有機バインダを加えて造粒し、金型
で成形する。次いで、成形体を電気炉で焼成したあと、
相対する面に電極を付けて、抵抗体を作製する。
Ａｌ2Ｏ3,ＭｇＯ,Ｙ2Ｏ3,Ｓｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2 等を含む
結晶体である。この抵抗率は１０〜１０００Ωcmであっ
て、適用機器によって使いわける。この系は、２種以上
の原料粉を混合後、有機バインダを加えて造粒し、金型
で成形する。次いで、成形体を電気炉で焼成したあと、
相対する面に電極を付けて、抵抗体を作製する。
【０００５】なお、抵抗体として関連するものには、例
えば、特公昭58−21402 号，特公昭59−51721号，特公
平1−147802号，特公平2−3524 号公報が挙げられる。
これは厚膜組成物に関するもので、結晶性ガラスからな
るマトリックス中に電気伝導性ＬａＢ6 を分散させた構
造をもつ。更に、ＺｒＢ2 系を開示した特開昭62−2329
01号公報が挙げられる。これらの厚膜組成物は、アルミ
ナ等の基板上に導体ペーストと一緒にスクリーン印刷す
るために、有機ベヒクルを含有している。
えば、特公昭58−21402 号，特公昭59−51721号，特公
平1−147802号，特公平2−3524 号公報が挙げられる。
これは厚膜組成物に関するもので、結晶性ガラスからな
るマトリックス中に電気伝導性ＬａＢ6 を分散させた構
造をもつ。更に、ＺｒＢ2 系を開示した特開昭62−2329
01号公報が挙げられる。これらの厚膜組成物は、アルミ
ナ等の基板上に導体ペーストと一緒にスクリーン印刷す
るために、有機ベヒクルを含有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記炭素系はサージ吸
収時に炭素粉間に放電を生じるので、放電耐量が小さ
く、高圧パルス，大電力サージ特性が劣る。また、Ｚｎ
Ｏ系は電流電圧特性が劣る。
収時に炭素粉間に放電を生じるので、放電耐量が小さ
く、高圧パルス，大電力サージ特性が劣る。また、Ｚｎ
Ｏ系は電流電圧特性が劣る。
【０００７】一方、厚膜組成物は厚膜抵抗体に適用さ
れ、高エネルギ容量の抵抗体としては考えられていな
い。
れ、高エネルギ容量の抵抗体としては考えられていな
い。
【０００８】セラミック抵抗体は動作時に電力を消費
し、発熱する。このとき、抵抗体は数百℃の温度まで上
昇する。許容温度は、一般に２００℃前後に設定され
る。抵抗体をタンクに収納して用いる機器では、タンク
内のＳＦ6 ガスまたは油のような絶縁媒質が抵抗体発熱
時の熱を吸収する効果を持つ。その結果、タンク内全体
の温度が上昇する。最近、電力用機器の大容量化が図ら
れ、従来技術として示した抵抗体ではこのことが大きな
問題になりつつある。この問題を解決するには、抵抗体
の熱的及び電気的特性並びに構造の改善が有効である。
し、発熱する。このとき、抵抗体は数百℃の温度まで上
昇する。許容温度は、一般に２００℃前後に設定され
る。抵抗体をタンクに収納して用いる機器では、タンク
内のＳＦ6 ガスまたは油のような絶縁媒質が抵抗体発熱
時の熱を吸収する効果を持つ。その結果、タンク内全体
の温度が上昇する。最近、電力用機器の大容量化が図ら
れ、従来技術として示した抵抗体ではこのことが大きな
問題になりつつある。この問題を解決するには、抵抗体
の熱的及び電気的特性並びに構造の改善が有効である。
【０００９】抵抗体の熱的特性を改善し、耐量を高める
には、素子の比熱を増大するのが望ましい。従来の炭素
系の比熱は２.２Ｊ／cc・℃で、一方ＺｎＯ系は３.５Ｊ
／cc・℃である。
には、素子の比熱を増大するのが望ましい。従来の炭素
系の比熱は２.２Ｊ／cc・℃で、一方ＺｎＯ系は３.５Ｊ
／cc・℃である。
【００１０】本発明の目的は、炭素系抵抗体の比熱２.
２Ｊ／cc・℃以上、望ましくは２.４Ｊ／cc・℃以上
で、且つ、電流電圧特性の直線性がＺｎＯ系より優れる
直線抵抗体を提供することにある。
２Ｊ／cc・℃以上、望ましくは２.４Ｊ／cc・℃以上
で、且つ、電流電圧特性の直線性がＺｎＯ系より優れる
直線抵抗体を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は５.０〜３９ 体積％の金属ほう化物と２.
７Ｊ／cc・℃以上の比熱を有する１.０〜３９体積％の
絶縁性粒子と非還元性ガラスからなる焼結体と前記焼結
体の相対する面の電極とからなるバルク型直線抵抗体を
発明したものである。
に、本発明は５.０〜３９ 体積％の金属ほう化物と２.
７Ｊ／cc・℃以上の比熱を有する１.０〜３９体積％の
絶縁性粒子と非還元性ガラスからなる焼結体と前記焼結
体の相対する面の電極とからなるバルク型直線抵抗体を
発明したものである。
【００１２】金属ほう化物はＭｏＢ，ＺｒＢ2，Ｔｉ
Ｂ2，ＶＢ2,ＮｂＢ2,ＴａＢ2，ＣｒＢ2，ＬａＢ6,Ｃａ
Ｂ6，Ｗ2Ｂ5等の電気伝導性粒子である。これらの中
で、ＬａＢ6系は、特に電流電圧特性が優れている。
Ｂ2，ＶＢ2,ＮｂＢ2,ＴａＢ2，ＣｒＢ2，ＬａＢ6,Ｃａ
Ｂ6，Ｗ2Ｂ5等の電気伝導性粒子である。これらの中
で、ＬａＢ6系は、特に電流電圧特性が優れている。
【００１３】金属ほう化物は５.０〜３９体積％が適量
である。５.０体積％以下では抵抗率が５０００Ωcm以
上になり、電力機器に適合しない。一方、３９体積％以
上では抵抗率が１０Ωcm以下になり、やはり電力機器に
適合しない。抵抗率は金属ほう化物の粒径によっても異
なる。粒径が大きいと抵抗率は大きくなる。
である。５.０体積％以下では抵抗率が５０００Ωcm以
上になり、電力機器に適合しない。一方、３９体積％以
上では抵抗率が１０Ωcm以下になり、やはり電力機器に
適合しない。抵抗率は金属ほう化物の粒径によっても異
なる。粒径が大きいと抵抗率は大きくなる。
【００１４】非還元性ガラスは珪酸系，ほう珪酸系等が
望ましい。このガラス成分はＳiＯ2，Ｂ2Ｏ3のほか、適
宜Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2 ，ＣａＯ等を含んでいる。ガラス
成分を変えると、ガラスの軟化点及び比熱が変わる。耐
量を高めるには、比熱が大きいほかに、軟化点の高いガ
ラスを用いるのが望ましい。非還元性ガラスの軟化点は
５００〜９００℃間にある。しかし、軟化点の高いもの
は、比熱が小さい欠点がある。
望ましい。このガラス成分はＳiＯ2，Ｂ2Ｏ3のほか、適
宜Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2 ，ＣａＯ等を含んでいる。ガラス
成分を変えると、ガラスの軟化点及び比熱が変わる。耐
量を高めるには、比熱が大きいほかに、軟化点の高いガ
ラスを用いるのが望ましい。非還元性ガラスの軟化点は
５００〜９００℃間にある。しかし、軟化点の高いもの
は、比熱が小さい欠点がある。
【００１５】本発明の目的は比熱の大きい金属ほう化物
系抵抗体を提供する。特に２.２Ｊ／cc・℃程度の比熱
を有するガラスを用いる抵抗体の比熱を増大することに
ある。しかし、２.４Ｊ／cc・℃以上の比熱の抵抗体の比
熱を増大することもできる。耐量を高めるには、２.２
〜２.４Ｊ／cc・℃の比熱を有する金属ほう化物系抵抗
体の比熱を、１０％増大するのが望ましい。しかし、数
％増大しても、耐量の向上効果はある。
系抵抗体を提供する。特に２.２Ｊ／cc・℃程度の比熱
を有するガラスを用いる抵抗体の比熱を増大することに
ある。しかし、２.４Ｊ／cc・℃以上の比熱の抵抗体の比
熱を増大することもできる。耐量を高めるには、２.２
〜２.４Ｊ／cc・℃の比熱を有する金属ほう化物系抵抗
体の比熱を、１０％増大するのが望ましい。しかし、数
％増大しても、耐量の向上効果はある。
【００１６】比熱の大きい絶縁性粒子は抵抗率１０4Ωc
m 以上の非還元性酸化物または窒化物である。非還元性
酸化物は窒素等の還元性雰囲気中で焼成しても変質しな
い成分であり、Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 等が含まれ
る。一方、比熱が大きい窒化物はＳｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等で
ある。因みに、これらの化合物の体積比熱を表１に示
す。
m 以上の非還元性酸化物または窒化物である。非還元性
酸化物は窒素等の還元性雰囲気中で焼成しても変質しな
い成分であり、Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 等が含まれ
る。一方、比熱が大きい窒化物はＳｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等で
ある。因みに、これらの化合物の体積比熱を表１に示
す。
【００１７】
【表１】
【００１８】各化合物の比熱は２.７〜３.３Ｊ／cc・℃
間にある。この絶縁性粒子は１.０〜３９体積％が望ま
しい。１.０ 体積％以下では高圧パルス耐量の向上効果
が無い。一方、３９体積％以上では焼結性が悪くなる。
間にある。この絶縁性粒子は１.０〜３９体積％が望ま
しい。１.０ 体積％以下では高圧パルス耐量の向上効果
が無い。一方、３９体積％以上では焼結性が悪くなる。
【００１９】カーボンブラックは電気伝導性粉体で、金
属ほう化物量を越えない範囲で添加すると、抵抗値のば
らつきを低減する。この量は０.０１〜１０ 体積％が望
ましい。カーボンブラックを添加した系は、０.１〜３
９ 体積％の金属ほう化物と２.７Ｊ／cc・℃以上の比熱
を有する１.０〜３９体積％の絶縁性粒子と０.０１〜１
０体積％のカーボンブラックと残余非還元性ガラスから
なる。カーボンブラックが０.０１ 体積％以下では抵抗
値のばらつきを低減する効果がない。一方、１０体積％
以上では抵抗率が１０Ωcm以下になり、電力機器に適合
しない。
属ほう化物量を越えない範囲で添加すると、抵抗値のば
らつきを低減する。この量は０.０１〜１０ 体積％が望
ましい。カーボンブラックを添加した系は、０.１〜３
９ 体積％の金属ほう化物と２.７Ｊ／cc・℃以上の比熱
を有する１.０〜３９体積％の絶縁性粒子と０.０１〜１
０体積％のカーボンブラックと残余非還元性ガラスから
なる。カーボンブラックが０.０１ 体積％以下では抵抗
値のばらつきを低減する効果がない。一方、１０体積％
以上では抵抗率が１０Ωcm以下になり、電力機器に適合
しない。
【００２０】本発明の抵抗体の比熱は２.２Ｊ／cc・℃
以上、特に２.４Ｊ／cc・℃以上が望ましい。この抵抗
体の焼成温度は６８０℃以上が望ましい。この温度以下
では、耐量が劣る。
以上、特に２.４Ｊ／cc・℃以上が望ましい。この抵抗
体の焼成温度は６８０℃以上が望ましい。この温度以下
では、耐量が劣る。
【００２１】本発明のバルク型直線抵抗体は、電流電圧
特性が優れ、且つ、耐量が高い。これら２点については
実施例で説明する。
特性が優れ、且つ、耐量が高い。これら２点については
実施例で説明する。
【００２２】これら５件の厚膜組成物に関する特許は厚
膜抵抗体に適用されることが明記されている。この使用
条件は電力１Ｗ以下、使用温度は１００℃以下である。
膜抵抗体に適用されることが明記されている。この使用
条件は電力１Ｗ以下、使用温度は１００℃以下である。
【００２３】図１は本発明の円柱型金属ほう化物系抵抗
体の正面図を示す。１は比熱が大きい絶縁性粉体を添加
した金属ほう化物系焼結体で、この両面にアルミニウム
電極２，２′が付けてある。図２は本発明のドーナツ型
金属ほう化物系抵抗体の正面図を示す。３は比熱が大き
い絶縁性粉体を添加した金属ほう化物系焼結体、４，
４′はアルミニウム電極である。抵抗体の中心には孔５
が設けてある。
体の正面図を示す。１は比熱が大きい絶縁性粉体を添加
した金属ほう化物系焼結体で、この両面にアルミニウム
電極２，２′が付けてある。図２は本発明のドーナツ型
金属ほう化物系抵抗体の正面図を示す。３は比熱が大き
い絶縁性粉体を添加した金属ほう化物系焼結体、４，
４′はアルミニウム電極である。抵抗体の中心には孔５
が設けてある。
【００２４】
【作用】金属ほう化物は非還元性ガラスからなるマトリ
ックス中に分散した構造を有する。金属ほう化物は正の
抵抗温度係数を有する導電粒子で、導電パスを形成す
る。
ックス中に分散した構造を有する。金属ほう化物は正の
抵抗温度係数を有する導電粒子で、導電パスを形成す
る。
【００２５】カーボンブラックは負の抵抗温度係数を有
する導電粒子で、金属ほう化物と同様に導電パスを形成
する。ガラスからなるマトリックスは抵抗を発現する。
する導電粒子で、金属ほう化物と同様に導電パスを形成
する。ガラスからなるマトリックスは抵抗を発現する。
【００２６】電流は導電粒子同志が隣接している部分を
流れる。カーボンブラックを金属ほう化物粒子の間に均
一に分散すると、導電粒子同士が隣接する部分が増え
る。このために電流が分散し、抵抗値のばらつきを低減
する。
流れる。カーボンブラックを金属ほう化物粒子の間に均
一に分散すると、導電粒子同士が隣接する部分が増え
る。このために電流が分散し、抵抗値のばらつきを低減
する。
【００２７】導電パス部が温度上昇すると、比熱の大き
い絶縁性粒子が四方から熱を吸収する。抵抗体にエネル
ギが注入されると、即座に絶縁性粒子が熱を吸収し、且
つ蓄積するので、抵抗体素子の温度上昇が緩和され、且
つ、タンク内の上昇温度が低減する。
い絶縁性粒子が四方から熱を吸収する。抵抗体にエネル
ギが注入されると、即座に絶縁性粒子が熱を吸収し、且
つ蓄積するので、抵抗体素子の温度上昇が緩和され、且
つ、タンク内の上昇温度が低減する。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。
【００２９】〈実施例１〉ＬａＢ6：１９４ｇ(１３.０
体積％)、Ａｌ2Ｏ3 ：２５４ｇ（２０.０体積％）及び
ガラスフリット：５５２ｇ（６７.０ 体積％）を雷かい
機で混合した。ＬａＢ6 には粒径５μｍの粉体を用い
た。ガラスフリットには軟化点８３０℃のほう珪酸系ガ
ラスを用いた。これにポリビニルアルコール水溶液を８
０cc加え、造粒した。これを直径１１０mmの金型に入
れ、プレスを用いて成形した。この成形体を窒素雰囲気
中７００℃の温度に４ｈ保持し、焼成した。最後に、こ
の焼結体の両面を研磨後、Ａｌ溶射法によって電極を形
成した。この抵抗体の直径は９７.０mm、厚さは２３.０
mmであった。特性を比較するため、Ａｌ2Ｏ3を添加しな
い抵抗体を上記の手順で作製した。
体積％)、Ａｌ2Ｏ3 ：２５４ｇ（２０.０体積％）及び
ガラスフリット：５５２ｇ（６７.０ 体積％）を雷かい
機で混合した。ＬａＢ6 には粒径５μｍの粉体を用い
た。ガラスフリットには軟化点８３０℃のほう珪酸系ガ
ラスを用いた。これにポリビニルアルコール水溶液を８
０cc加え、造粒した。これを直径１１０mmの金型に入
れ、プレスを用いて成形した。この成形体を窒素雰囲気
中７００℃の温度に４ｈ保持し、焼成した。最後に、こ
の焼結体の両面を研磨後、Ａｌ溶射法によって電極を形
成した。この抵抗体の直径は９７.０mm、厚さは２３.０
mmであった。特性を比較するため、Ａｌ2Ｏ3を添加しな
い抵抗体を上記の手順で作製した。
【００３０】図３は電流密度と電気抵抗との関係を示
す。１０は本発明のＡｌ2Ｏ3を添加したＬａＢ6系抵抗
体の曲線、１１はＡｌ2Ｏ3を添加しないＬａＢ6系抵抗
体の曲線、１２は従来のＺｎＯ系抵抗体の曲線、１３は
従来の炭素系抵抗体の曲線である。１０のＡｌ2Ｏ3を添
加したＬａＢ6系は１１のＬａＢ6系と同様に１２のＺｎ
Ｏ系と比べて、直線性が優れ、１３の炭素系をも凌ぐ。
す。１０は本発明のＡｌ2Ｏ3を添加したＬａＢ6系抵抗
体の曲線、１１はＡｌ2Ｏ3を添加しないＬａＢ6系抵抗
体の曲線、１２は従来のＺｎＯ系抵抗体の曲線、１３は
従来の炭素系抵抗体の曲線である。１０のＡｌ2Ｏ3を添
加したＬａＢ6系は１１のＬａＢ6系と同様に１２のＺｎ
Ｏ系と比べて、直線性が優れ、１３の炭素系をも凌ぐ。
【００３１】次に、各抵抗体のＡＣ放電耐量のテスト結
果について述べる。ＡＣ放電耐量は抵抗体にＡＣ高電圧
を印加したとき正常であるか否か、或いは破壊の有無等
を調べるものである。ここでは、１０個のＬａＢ6 系抵
抗体に、電圧波高値１〜８ｋＶ，電流波高値１００〜５
００Ａ，時間１０ｍｓのＡＣ電圧を４回印加したときに
損傷を起こした個数を調べた。この際、注入エネルギは
５０ｋＪとした。その結果、Ａｌ2Ｏ3を添加しないＬａ
Ｂ6 系抵抗体は３個損傷を起こしたのに対し、本発明の
Ａｌ2Ｏ3を添加したＬａＢ6系抵抗体は全数正常であっ
た。
果について述べる。ＡＣ放電耐量は抵抗体にＡＣ高電圧
を印加したとき正常であるか否か、或いは破壊の有無等
を調べるものである。ここでは、１０個のＬａＢ6 系抵
抗体に、電圧波高値１〜８ｋＶ，電流波高値１００〜５
００Ａ，時間１０ｍｓのＡＣ電圧を４回印加したときに
損傷を起こした個数を調べた。この際、注入エネルギは
５０ｋＪとした。その結果、Ａｌ2Ｏ3を添加しないＬａ
Ｂ6 系抵抗体は３個損傷を起こしたのに対し、本発明の
Ａｌ2Ｏ3を添加したＬａＢ6系抵抗体は全数正常であっ
た。
【００３２】なお、本発明のＡｌ2Ｏ3を添加したＬａＢ
6系抵抗体の比熱は２.４Ｊ／cc・℃で、Ａｌ2Ｏ3を添加
しない場合には２.２Ｊ／cc・℃であった。
6系抵抗体の比熱は２.４Ｊ／cc・℃で、Ａｌ2Ｏ3を添加
しない場合には２.２Ｊ／cc・℃であった。
【００３３】〈実施例２〉９.９ＬａＢ6−１.１Ｃ−３
３.０Ａｌ2Ｏ3−５６.０ガラスフリット(体積％）組成
の抵抗体を実施例１の工程で作製した。Ｃには市販のカ
ーボンブラック微粉，ガラスフリットには珪酸系ガラス
を用いた。この抵抗体の比熱は２.８Ｊ／cc・℃で、Ａ
ｌ2Ｏ3を添加しない場合の２.６Ｊ／cc・℃を、８％上回
った。本実施例の抵抗体のＡＣ放電耐量は比較例より向
上した。
３.０Ａｌ2Ｏ3−５６.０ガラスフリット(体積％）組成
の抵抗体を実施例１の工程で作製した。Ｃには市販のカ
ーボンブラック微粉，ガラスフリットには珪酸系ガラス
を用いた。この抵抗体の比熱は２.８Ｊ／cc・℃で、Ａ
ｌ2Ｏ3を添加しない場合の２.６Ｊ／cc・℃を、８％上回
った。本実施例の抵抗体のＡＣ放電耐量は比較例より向
上した。
【００３４】〈実施例３〉Ａｌ2Ｏ3の添加量を変えたＬ
ａＢ6 系抵抗体を作製した。これらの抵抗体は、実施例
１と同様に作製した。この場合、ＬａＢ6は１３.０体積
％、残余ガラスフリットとした。ＬａＢ6 には粒径５μ
ｍの粉体を用いた。ガラスフリットにはほう珪酸系ガラ
スを用いた。
ａＢ6 系抵抗体を作製した。これらの抵抗体は、実施例
１と同様に作製した。この場合、ＬａＢ6は１３.０体積
％、残余ガラスフリットとした。ＬａＢ6 には粒径５μ
ｍの粉体を用いた。ガラスフリットにはほう珪酸系ガラ
スを用いた。
【００３５】図４はＡｌ2Ｏ3量による比熱の変化を示
す。比熱はＡｌ2Ｏ3を添加しない場合、２.２Ｊ／cc・℃
である。これに対し、Ａｌ2Ｏ3量を添加すると比熱は増
大し、４０.０体積％では２.７Ｊ／cc・℃になる。４
０.０ 体積％以上でも比熱は増大するが、焼結性が悪く
なる。
す。比熱はＡｌ2Ｏ3を添加しない場合、２.２Ｊ／cc・℃
である。これに対し、Ａｌ2Ｏ3量を添加すると比熱は増
大し、４０.０体積％では２.７Ｊ／cc・℃になる。４
０.０ 体積％以上でも比熱は増大するが、焼結性が悪く
なる。
【００３６】この場合、比熱が２.３Ｊ／cc・℃のとき
に、ＡＣ放電耐量の向上効果があった。
に、ＡＣ放電耐量の向上効果があった。
【００３７】〈実施例４〉比熱の大きい絶縁性粒子とし
てＳｉ3Ｎ4を用い、１９.０ＬａＢ6 −２５.０Ｓｉ3Ｎ4
−２.０Ｃ−５４.０ガラスフリット（体積％）焼結体を
作製した。これらの抵抗体は、実施例１と同様に作製し
た。ガラスフリットにはほう珪酸系ガラスを用いた。こ
の抵抗体の比熱は２.４Ｊ／cc・℃で、Ｓｉ3Ｎ4を添加し
ない場合の２.２Ｊ／cc・℃を、９.０％上回った。この
場合、ＡＣ放電耐量試験で破損しなかった。
てＳｉ3Ｎ4を用い、１９.０ＬａＢ6 −２５.０Ｓｉ3Ｎ4
−２.０Ｃ−５４.０ガラスフリット（体積％）焼結体を
作製した。これらの抵抗体は、実施例１と同様に作製し
た。ガラスフリットにはほう珪酸系ガラスを用いた。こ
の抵抗体の比熱は２.４Ｊ／cc・℃で、Ｓｉ3Ｎ4を添加し
ない場合の２.２Ｊ／cc・℃を、９.０％上回った。この
場合、ＡＣ放電耐量試験で破損しなかった。
【００３８】〈実施例５〉図５は図２のドーナツ型抵抗
体をガス遮断器（ＧＣＢ）投入抵抗用に応用したもので
ある。これには、実施例１の工程で作製した抵抗率５０
０Ωcmの大型抵抗体を適用した。図中の２５は抵抗体素
子、２６は絶縁棒、２７は絶縁筒、２８は抵抗体、１５
は抵抗接点、１６は主接点、１７は開閉操作用ピスト
ン、１８は油ダッシュポット、１９は空気タンク、２０
はブッシングである。遮断抵抗５００Ωにした。
体をガス遮断器（ＧＣＢ）投入抵抗用に応用したもので
ある。これには、実施例１の工程で作製した抵抗率５０
０Ωcmの大型抵抗体を適用した。図中の２５は抵抗体素
子、２６は絶縁棒、２７は絶縁筒、２８は抵抗体、１５
は抵抗接点、１６は主接点、１７は開閉操作用ピスト
ン、１８は油ダッシュポット、１９は空気タンク、２０
はブッシングである。遮断抵抗５００Ωにした。
【００３９】遮断動作は、主接点１６が開き、抵抗体２
８に電流が流れ、抵抗接点１５が開いて完了する。一
方、投入動作は、抵抗接点１５が閉じ、抵抗体２８に電
流が流れ、主接点１６が閉じて完了する。抵抗体２８
は、主接点１６を開いたとき、数十ｍｓのＡＣ放電電流
が流れ、且つ過電圧を吸収する。
８に電流が流れ、抵抗接点１５が開いて完了する。一
方、投入動作は、抵抗接点１５が閉じ、抵抗体２８に電
流が流れ、主接点１６が閉じて完了する。抵抗体２８
は、主接点１６を開いたとき、数十ｍｓのＡＣ放電電流
が流れ、且つ過電圧を吸収する。
【００４０】本発明の抵抗体素子の比熱は２.５Ｊ／cc・
℃、単位体積当りの注入エネルギは５００Ｊ／ccで、Ａ
ｌ2Ｏ3を添加しない抵抗体の比熱２.３Ｊ／cc・℃、単位
体積当りの注入エネルギ４６０Ｊ／ccを８.０％ 上回っ
た。
℃、単位体積当りの注入エネルギは５００Ｊ／ccで、Ａ
ｌ2Ｏ3を添加しない抵抗体の比熱２.３Ｊ／cc・℃、単位
体積当りの注入エネルギ４６０Ｊ／ccを８.０％ 上回っ
た。
【００４１】本発明によれば耐量が大きく、且つ、抵抗
値の直線性が優れるので、ＺｎＯ系乃至炭素系を用いた
ガス遮断器と比べて、容易に小型，軽量化できる。
値の直線性が優れるので、ＺｎＯ系乃至炭素系を用いた
ガス遮断器と比べて、容易に小型，軽量化できる。
【００４２】〈実施例６〉図６は図２のドーナツ型抵抗
体を変圧器の中性点接地抵抗器に応用したものである。
これには、実施例１の工程で作製した大型抵抗体を適用
している。図中の２５´は抵抗体素子、２６´は絶縁
棒、２０´はブッシング、３０はタンク、３１は接地点
である。抵抗体素子２５´の抵抗率は２００〜４０００
Ωcm範囲である。
体を変圧器の中性点接地抵抗器に応用したものである。
これには、実施例１の工程で作製した大型抵抗体を適用
している。図中の２５´は抵抗体素子、２６´は絶縁
棒、２０´はブッシング、３０はタンク、３１は接地点
である。抵抗体素子２５´の抵抗率は２００〜４０００
Ωcm範囲である。
【００４３】本発明の抵抗体は耐量及び電流電圧特性が
優れるので、ＺｎＯ系乃至炭素系を用いた中性点接地用
ガス抵抗器と比べて、容易に小型，軽量化できる。
優れるので、ＺｎＯ系乃至炭素系を用いた中性点接地用
ガス抵抗器と比べて、容易に小型，軽量化できる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、電流電圧特性がＺｎＯ
系より優れ、且つ、ＡＣ放電耐量は比熱の大きい絶縁性
粒子を添加しないＬａＢ6 系抵抗体より優れているの
で、電流電圧特性及び耐量を兼ね備えた新規な抵抗体を
提供できる効果がある。更に、この抵抗体を応用して、
ガス遮断器用投入抵抗器及び中性点接地用抵抗器を小型
化できる。
系より優れ、且つ、ＡＣ放電耐量は比熱の大きい絶縁性
粒子を添加しないＬａＢ6 系抵抗体より優れているの
で、電流電圧特性及び耐量を兼ね備えた新規な抵抗体を
提供できる効果がある。更に、この抵抗体を応用して、
ガス遮断器用投入抵抗器及び中性点接地用抵抗器を小型
化できる。
【図１】本発明の円柱型金属ほう化物系抵抗体の正面
図。
図。
【図２】本発明のドーナツ型金属ほう化物系抵抗体の正
面図。
面図。
【図３】電流電圧特性図。
【図４】Ａｌ2Ｏ3量による比熱の変化を示す特性図。
【図５】図２のドーナツ型金属ほう化物系抵抗体を応用
したガス遮断器用投入抵抗器の説明図。
したガス遮断器用投入抵抗器の説明図。
【図６】図２のドーナツ型金属ほう化物系抵抗体を中性
点接地抵抗器に応用した例を示す説明図。
点接地抵抗器に応用した例を示す説明図。
１，３…金属ほう化物系焼結体、２，２′，４，４′…
アルミニウム電極。
アルミニウム電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 武夫 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内
Claims (7)
- 【請求項１】５.０〜３９体積％の金属ほう化物と２.７
Ｊ／cc・℃以上の比熱を有する１.０〜３９体積％の絶縁
性粒子と非還元性ガラスからなる焼結体と前記焼結体の
相対する面の電極とからなることを特徴とする直線抵抗
体。 - 【請求項２】請求項１において、前記金属ほう化物はＭ
ｏＢ，ＺｒＢ2，ＴｉＢ2，ＶＢ2 ，ＮｂＢ2，ＴａＢ2，
ＣｒＢ2，ＬａＢ6，ＣａＢ6 ，Ｗ2Ｂ5より選ばれた１種
以上の粒子である直線抵抗体。 - 【請求項３】請求項１において、２.７Ｊ／cc・℃以上の
比熱を有する前記絶縁性粒子は抵抗率１０4Ωcm 以上の
非還元性酸化物または非還元性窒化物である直線抵抗
体。 - 【請求項４】５.０〜３９体積％の金属ほう化物と２.７
Ｊ／cc・℃以上の比熱を有する１.０〜３９体積％のＡｌ
2Ｏ3と非還元性ガラスからなる焼結体と前記焼結体の相
対する面の電極とからなることを特徴とする直線抵抗
体。 - 【請求項５】０.１〜３９体積％の金属ほう化物と０.０
１〜１０体積％のカーボンブラックと２.７Ｊ／cc・℃
以上の比熱を有する１.０〜３９体積％の絶縁性粒子と
非還元性ガラスからなる焼結体と前記焼結体の相対する
面の電極とからなることを特徴とする直線抵抗体。 - 【請求項６】タンクに収納された遮断部と抵抗器とを含
むガス遮断器において、前記抵抗器には５.０〜３９体
積％の金属ほう化物と２.７Ｊ／cc・℃以上の比熱を有
する１.０〜３９ 体積％の絶縁性粒子と非還元性ガラス
とを主成分とする焼結体と焼結体の相対する面の電極と
からなるバルク型直線抵抗体を使用することを特徴とす
るガス遮断器。 - 【請求項７】タンクに収納された抵抗器を含む中性点接
地抵抗器において、前記抵抗器には５.０〜３９体積％
の金属ほう化物と２.７Ｊ／cc・℃以上の比熱を有する
１.０〜３９体積％の絶縁性粒子と非還元性ガラスとを
主成分とする焼結体と前記焼結体の相対する面の電極と
からなるバルク型直線抵抗体を使用することを特徴とす
る中性点接地抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223813A JPH0677010A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223813A JPH0677010A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677010A true JPH0677010A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16804127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4223813A Pending JPH0677010A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012026121A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | パナソニック株式会社 | 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料 |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP4223813A patent/JPH0677010A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012026121A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | パナソニック株式会社 | 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料 |
| US9001485B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Overvoltage protection component, and overvoltage protection material for overvoltage protection component |
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