JPH0677203A - 乾燥処理装置 - Google Patents
乾燥処理装置Info
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- JPH0677203A JPH0677203A JP4223932A JP22393292A JPH0677203A JP H0677203 A JPH0677203 A JP H0677203A JP 4223932 A JP4223932 A JP 4223932A JP 22393292 A JP22393292 A JP 22393292A JP H0677203 A JPH0677203 A JP H0677203A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0408—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects
- F26B21/40—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects using gases other than air
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
- F26B3/283—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun in combination with convection
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵入し
たり外部に漏洩することを防止することができ、乾燥処
理時間を短縮してスループットの向上を図ることができ
るとともに、安全性の向上を図ることのできる乾燥処理
装置を提供する。 【構成】 乾燥処理部２９の下部に位置するケース２０
の側壁部両側には、スリット状の排気口３０が配設され
ており、この排気口３０にはそれぞれ排気配管３１が接
続されている。また、シャッター２８にはガス供給口３
２が設けられており、このガス供給口３２の上部には、
ガス供給配管３３および塵埃除去フィルタ３４が配設さ
れている。そして、ガス供給配管３３から供給されるガ
ス、例えば窒素ガスを、塵埃除去フィルタ３４で清浄化
し、ガス供給口３２から乾燥処理部２９内に供給するよ
う構成されている。
たり外部に漏洩することを防止することができ、乾燥処
理時間を短縮してスループットの向上を図ることができ
るとともに、安全性の向上を図ることのできる乾燥処理
装置を提供する。 【構成】 乾燥処理部２９の下部に位置するケース２０
の側壁部両側には、スリット状の排気口３０が配設され
ており、この排気口３０にはそれぞれ排気配管３１が接
続されている。また、シャッター２８にはガス供給口３
２が設けられており、このガス供給口３２の上部には、
ガス供給配管３３および塵埃除去フィルタ３４が配設さ
れている。そして、ガス供給配管３３から供給されるガ
ス、例えば窒素ガスを、塵埃除去フィルタ３４で清浄化
し、ガス供給口３２から乾燥処理部２９内に供給するよ
う構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、乾燥処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程におい
ては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等を、洗浄液
およびリンス液が貯溜された処理槽に順次浸漬して洗浄
を行う洗浄装置が広く用いられている。
ては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等を、洗浄液
およびリンス液が貯溜された処理槽に順次浸漬して洗浄
を行う洗浄装置が広く用いられている。
【０００３】また、このような洗浄装置では、例えばＩ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）等の蒸気を半導体ウエ
ハ等の被乾燥物に作用させて水分を除去し、乾燥を行う
乾燥処理装置が用いられている。
ＰＡ（イソプロピルアルコール）等の蒸気を半導体ウエ
ハ等の被乾燥物に作用させて水分を除去し、乾燥を行う
乾燥処理装置が用いられている。
【０００４】従来このような乾燥処理装置では、処理液
槽内に収容されたＩＰＡ等を加熱して蒸気を発生させ、
この処理液槽の上部に半導体ウエハ等を配置してその表
面にＩＰＡを凝縮させ水分を除去した後、半導体ウエハ
等を大気中に引き出してＩＰＡを蒸発させ乾燥すること
が行われていた。また、例えば特開昭63-160231 号公報
に示される乾燥処理装置等では、半導体ウエハ等にＩＰ
Ａ蒸気等を作用させる蒸気処理部の上方に、半導体ウエ
ハ等を収容可能な空間（乾燥処理部）を設け、ここに半
導体ウエハ等を配置して半導体ウエハ等に付着したＩＰ
Ａ蒸気等を乾燥させることにより、乾燥中における半導
体ウエハ等への塵埃の付着を防止するようにしている。
槽内に収容されたＩＰＡ等を加熱して蒸気を発生させ、
この処理液槽の上部に半導体ウエハ等を配置してその表
面にＩＰＡを凝縮させ水分を除去した後、半導体ウエハ
等を大気中に引き出してＩＰＡを蒸発させ乾燥すること
が行われていた。また、例えば特開昭63-160231 号公報
に示される乾燥処理装置等では、半導体ウエハ等にＩＰ
Ａ蒸気等を作用させる蒸気処理部の上方に、半導体ウエ
ハ等を収容可能な空間（乾燥処理部）を設け、ここに半
導体ウエハ等を配置して半導体ウエハ等に付着したＩＰ
Ａ蒸気等を乾燥させることにより、乾燥中における半導
体ウエハ等への塵埃の付着を防止するようにしている。
【０００５】なお、このような乾燥処理装置では、ＩＰ
Ａ蒸気等を作用させる蒸気処理部と乾燥を行う乾燥処理
部との間に、蒸気を冷却して凝縮させるための冷却機構
が設けられており、また、蒸気処理部と乾燥処理部との
間の側壁部から乾燥ガスを噴出させる乾燥ガス供給機構
が設けられている。そして、この乾燥ガス流と冷却機構
とによって蒸気処理部からの蒸気の上昇を防止し、乾燥
処理部にＩＰＡ蒸気等が入り込むことを防止している。
Ａ蒸気等を作用させる蒸気処理部と乾燥を行う乾燥処理
部との間に、蒸気を冷却して凝縮させるための冷却機構
が設けられており、また、蒸気処理部と乾燥処理部との
間の側壁部から乾燥ガスを噴出させる乾燥ガス供給機構
が設けられている。そして、この乾燥ガス流と冷却機構
とによって蒸気処理部からの蒸気の上昇を防止し、乾燥
処理部にＩＰＡ蒸気等が入り込むことを防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の乾燥処理装置では、蒸気処理部と乾燥処理部と
の間の側壁部から乾燥ガスを噴出させているので、蒸気
処理部内の蒸気がこの乾燥ガスのガス流によって巻き上
げられ、乾燥処理部内に侵入して半導体ウエハ等の乾燥
を遅らせたり、蒸気が外部に漏洩するという問題があっ
た。
た従来の乾燥処理装置では、蒸気処理部と乾燥処理部と
の間の側壁部から乾燥ガスを噴出させているので、蒸気
処理部内の蒸気がこの乾燥ガスのガス流によって巻き上
げられ、乾燥処理部内に侵入して半導体ウエハ等の乾燥
を遅らせたり、蒸気が外部に漏洩するという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵
入したり外部に漏洩することを防止することができ、乾
燥処理時間を短縮してスループットの向上を図ることが
できるとともに、安全性の向上を図ることのできる乾燥
処理装置を提供しようとするものである。
されたもので、蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵
入したり外部に漏洩することを防止することができ、乾
燥処理時間を短縮してスループットの向上を図ることが
できるとともに、安全性の向上を図ることのできる乾燥
処理装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明の乾燥処理装置は、被乾燥物を収容可能に構成
され、処理液槽内に収容された乾燥処理液を加熱して発
生させた蒸気雰囲気とされる蒸気処理部と、前記蒸気処
理部の上方に配設され、前記蒸気を冷却して凝縮させる
ための冷却機構と、前記冷却機構の上部に配設され、前
記被乾燥物を収容して該被乾燥物に付着した前記乾燥処
理液を乾燥させるための乾燥処理部と、前記乾燥処理部
内に、上部から下部に流れる乾燥用気体流を形成する気
体供給機構および排気機構とを具備したことを特徴とす
る。
の本発明の乾燥処理装置は、被乾燥物を収容可能に構成
され、処理液槽内に収容された乾燥処理液を加熱して発
生させた蒸気雰囲気とされる蒸気処理部と、前記蒸気処
理部の上方に配設され、前記蒸気を冷却して凝縮させる
ための冷却機構と、前記冷却機構の上部に配設され、前
記被乾燥物を収容して該被乾燥物に付着した前記乾燥処
理液を乾燥させるための乾燥処理部と、前記乾燥処理部
内に、上部から下部に流れる乾燥用気体流を形成する気
体供給機構および排気機構とを具備したことを特徴とす
る。
【０００９】また、請求項２記載の本発明の乾燥処理装
置は、被乾燥物を収容可能に構成され、処理液槽内に収
容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気雰囲気と
される蒸気処理部と、前記蒸気処理部の上方に配設さ
れ、前記蒸気を冷却して凝縮させるための冷却機構と、
前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、前記乾燥処理部内に、上部から下部
に流れる乾燥用気体流を形成する気体供給機構および排
気機構と、前記蒸気処理部と前記乾燥処理部との間に配
設され、これらの間を閉塞するシャッター機構とを具備
したことを特徴とする。
置は、被乾燥物を収容可能に構成され、処理液槽内に収
容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気雰囲気と
される蒸気処理部と、前記蒸気処理部の上方に配設さ
れ、前記蒸気を冷却して凝縮させるための冷却機構と、
前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、前記乾燥処理部内に、上部から下部
に流れる乾燥用気体流を形成する気体供給機構および排
気機構と、前記蒸気処理部と前記乾燥処理部との間に配
設され、これらの間を閉塞するシャッター機構とを具備
したことを特徴とする。
【００１０】さらに、請求項３記載の本発明の乾燥処理
装置は、被乾燥物を収容可能に構成され、処理液槽内に
収容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気雰囲気
とされる蒸気処理部と、前記蒸気処理部の上方に配設さ
れ、前記蒸気を冷却して凝縮させるための冷却機構と、
前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、前記乾燥処理部内に、上部から下部
に流れる乾燥用気体流を形成する気体供給機構および排
気機構と、前記蒸気処理部と前記乾燥処理部との間に配
設され、これらの間を閉塞するシャッター機構と、前記
乾燥処理部内の前記被乾燥物を加熱する加熱機構とを具
備したことを特徴とする。
装置は、被乾燥物を収容可能に構成され、処理液槽内に
収容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気雰囲気
とされる蒸気処理部と、前記蒸気処理部の上方に配設さ
れ、前記蒸気を冷却して凝縮させるための冷却機構と、
前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、前記乾燥処理部内に、上部から下部
に流れる乾燥用気体流を形成する気体供給機構および排
気機構と、前記蒸気処理部と前記乾燥処理部との間に配
設され、これらの間を閉塞するシャッター機構と、前記
乾燥処理部内の前記被乾燥物を加熱する加熱機構とを具
備したことを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成の本発明の乾燥処理装置では、被乾燥
物を収容してこの被乾燥物に付着した乾燥処理液を乾燥
させるための乾燥処理部に、上部から下部に流れる乾燥
用気体流を形成する気体供給機構および排気機構が設け
られている。
物を収容してこの被乾燥物に付着した乾燥処理液を乾燥
させるための乾燥処理部に、上部から下部に流れる乾燥
用気体流を形成する気体供給機構および排気機構が設け
られている。
【００１２】したがって、この乾燥用気体流によって、
蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵入したり外部に
漏洩することを防止することができ、乾燥処理時間を短
縮してスループットの向上を図ることができるととも
に、安全性の向上を図ることができる。
蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵入したり外部に
漏洩することを防止することができ、乾燥処理時間を短
縮してスループットの向上を図ることができるととも
に、安全性の向上を図ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の乾燥処理装置の一実施例を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１４】図２は、本実施例の乾燥処理装置が配置さ
れた洗浄装置の構成を示すもので、この洗浄装置１は、
洗浄装置本体２と、この洗浄装置本体２の両側端部に設
けられたインプットバッファ機構３およびアウトプット
バッファ機構４から構成されている。
れた洗浄装置の構成を示すもので、この洗浄装置１は、
洗浄装置本体２と、この洗浄装置本体２の両側端部に設
けられたインプットバッファ機構３およびアウトプット
バッファ機構４から構成されている。
【００１５】上記洗浄装置本体２の両側端部には、ロー
ダー部５とアンローダ部６が設けられており、これらの
間に、例えば石英等から構成された処理槽を備えた複数
（本実施例では9 個）の処理機構７ａ〜７ｉが一列に配
置されている。本実施例において、これらの処理機構７
ａ〜７ｉは、ローダー部５側から順に、ウエハチャック
の洗浄乾燥用処理機構７ａ、薬液用処理機構７ｂ、水洗
用処理機構７ｃ、水洗用処理機構７ｄ、薬液用処理機構
７ｅ、水洗用処理機構７ｆ、水洗用処理機構７ｇ、ウエ
ハチャックの洗浄乾燥用処理機構７ｈ、ウエハ乾燥処理
機構７ｉとされている。
ダー部５とアンローダ部６が設けられており、これらの
間に、例えば石英等から構成された処理槽を備えた複数
（本実施例では9 個）の処理機構７ａ〜７ｉが一列に配
置されている。本実施例において、これらの処理機構７
ａ〜７ｉは、ローダー部５側から順に、ウエハチャック
の洗浄乾燥用処理機構７ａ、薬液用処理機構７ｂ、水洗
用処理機構７ｃ、水洗用処理機構７ｄ、薬液用処理機構
７ｅ、水洗用処理機構７ｆ、水洗用処理機構７ｇ、ウエ
ハチャックの洗浄乾燥用処理機構７ｈ、ウエハ乾燥処理
機構７ｉとされている。
【００１６】また、これらの処理機構７ａ〜７ｉの側方
には、ウエハチャックによって複数例えば50枚の半導体
ウエハを把持し、これらの半導体ウエハを垂直および水
平方向に搬送する搬送機構８が設けられている。本実施
例では、この搬送機構８は3台設けられており、その搬
送範囲を制限することによって、例えば薬液用処理機構
７ｂ内の薬液が、薬液用処理機構７ｅ内に混入しないよ
うに配慮されている。また、ローダー部５の上部から、
各搬送機構８の上部を通って、アンローダ部６の上部に
至るように、空のウエハキャリア９を搬送するためのキ
ャリア搬送機構１０が設けられており、ローダー部５お
よびアンローダ部６には、空のウエハキャリア９を上昇
および下降させるためのキャリアリフター１１（アンロ
ーダ部６側は図示せず）が設けられている。
には、ウエハチャックによって複数例えば50枚の半導体
ウエハを把持し、これらの半導体ウエハを垂直および水
平方向に搬送する搬送機構８が設けられている。本実施
例では、この搬送機構８は3台設けられており、その搬
送範囲を制限することによって、例えば薬液用処理機構
７ｂ内の薬液が、薬液用処理機構７ｅ内に混入しないよ
うに配慮されている。また、ローダー部５の上部から、
各搬送機構８の上部を通って、アンローダ部６の上部に
至るように、空のウエハキャリア９を搬送するためのキ
ャリア搬送機構１０が設けられており、ローダー部５お
よびアンローダ部６には、空のウエハキャリア９を上昇
および下降させるためのキャリアリフター１１（アンロ
ーダ部６側は図示せず）が設けられている。
【００１７】ウエハ乾燥処理機構７ｉとしての乾燥処理
装置は、図１および図３に示すように、材質例えばステ
ンレス等から矩形容器状に形成されたケース２０を備え
ており、このケース２０内の下部には、石英等から構成
されＩＰＡ等の乾燥処理液２１を貯溜する乾燥処理液槽
２２が設けられている。この乾燥処理液槽２２の下部に
は加熱機構２３が設けられており、加熱機構２３によっ
て乾燥処理液２１を所定温度に加熱し、蒸気を発生させ
るよう構成されている。また、乾燥処理液槽２２の上端
部近傍には、冷却機構として冷却水循環配管２４が設け
られており、ここで発生した蒸気を冷却して凝縮させ、
液滴として乾燥処理液槽２２内に戻すよう構成されてい
る。
装置は、図１および図３に示すように、材質例えばステ
ンレス等から矩形容器状に形成されたケース２０を備え
ており、このケース２０内の下部には、石英等から構成
されＩＰＡ等の乾燥処理液２１を貯溜する乾燥処理液槽
２２が設けられている。この乾燥処理液槽２２の下部に
は加熱機構２３が設けられており、加熱機構２３によっ
て乾燥処理液２１を所定温度に加熱し、蒸気を発生させ
るよう構成されている。また、乾燥処理液槽２２の上端
部近傍には、冷却機構として冷却水循環配管２４が設け
られており、ここで発生した蒸気を冷却して凝縮させ、
液滴として乾燥処理液槽２２内に戻すよう構成されてい
る。
【００１８】上記乾燥処理液槽２２内の乾燥処理液２１
液面と、冷却水循環配管２４との間には、図１に点線で
示すように、石英等からなるウエハ支持機構２５に複数
例えば50枚の半導体ウエハ２６を一列に載置した状態で
配置可能な空間が形成されており、ここが蒸気処理部２
７とされている。
液面と、冷却水循環配管２４との間には、図１に点線で
示すように、石英等からなるウエハ支持機構２５に複数
例えば50枚の半導体ウエハ２６を一列に載置した状態で
配置可能な空間が形成されており、ここが蒸気処理部２
７とされている。
【００１９】また、ケース２０の上部には、開閉自在に
構成されたシャッター２８が配設されており、このシャ
ッター２８の下部と冷却水循環配管２４との間には、図
１に示すように、ウエハ支持機構２５によって半導体ウ
エハ２６を配置可能な空間が形成されており、ここが乾
燥処理部２９とされている。この乾燥処理部２９の下部
に位置するケース２０の側壁部両側には、スリット状の
排気口３０が配設されており、この排気口３０にはそれ
ぞれ排気配管３１が接続されている。なお、シャッター
２８には、図３に示すようにその長手方向端部のほぼ中
央に、ウエハ支持機構２５の支柱部分が貫通する如く配
置されるスリット２８ａが設けられている。
構成されたシャッター２８が配設されており、このシャ
ッター２８の下部と冷却水循環配管２４との間には、図
１に示すように、ウエハ支持機構２５によって半導体ウ
エハ２６を配置可能な空間が形成されており、ここが乾
燥処理部２９とされている。この乾燥処理部２９の下部
に位置するケース２０の側壁部両側には、スリット状の
排気口３０が配設されており、この排気口３０にはそれ
ぞれ排気配管３１が接続されている。なお、シャッター
２８には、図３に示すようにその長手方向端部のほぼ中
央に、ウエハ支持機構２５の支柱部分が貫通する如く配
置されるスリット２８ａが設けられている。
【００２０】上記シャッター２８には、ガス供給口３２
が設けられており、このガス供給口３２の上部には、ガ
ス供給配管３３および塵埃除去フィルタ３４が配設され
ている。そして、ガス供給配管３３から供給されるガ
ス、例えば窒素ガスを、塵埃除去フィルタ３４で清浄化
し、ガス供給口３２から乾燥処理部２９内に供給するよ
う構成されている。
が設けられており、このガス供給口３２の上部には、ガ
ス供給配管３３および塵埃除去フィルタ３４が配設され
ている。そして、ガス供給配管３３から供給されるガ
ス、例えば窒素ガスを、塵埃除去フィルタ３４で清浄化
し、ガス供給口３２から乾燥処理部２９内に供給するよ
う構成されている。
【００２１】なお、本実施例の乾燥処理装置では、図４
に示すように、加熱機構２３に、加熱を行うための抵抗
加熱ヒータ２３ａと、この抵抗加熱ヒータ２３ａに沿っ
て設けられた冷媒循環配管２３ｂが設けられており、こ
の冷媒循環配管２３ｂに冷却水等を流すことによって、
精度良く温度制御することができるよう構成されてい
る。
に示すように、加熱機構２３に、加熱を行うための抵抗
加熱ヒータ２３ａと、この抵抗加熱ヒータ２３ａに沿っ
て設けられた冷媒循環配管２３ｂが設けられており、こ
の冷媒循環配管２３ｂに冷却水等を流すことによって、
精度良く温度制御することができるよう構成されてい
る。
【００２２】上記のように構成された乾燥処理装置で
は、予め加熱機構２３によって乾燥処理液槽２２内の乾
燥処理液２１を所定温度に加熱して蒸気を発生させてお
く。そして、ウエハ支持機構２５上に複数例えば50枚の
半導体ウエハ２６を載置し、シャッター２８を開けてこ
れらの半導体ウエハ２６を、図１に点線で示すようにま
ず蒸気処理部２７に配置し、ここでＩＰＡ等の乾燥処理
液２１の蒸気を作用させて半導体ウエハ２６に付着して
いた水分とＩＰＡ等とを置換する。
は、予め加熱機構２３によって乾燥処理液槽２２内の乾
燥処理液２１を所定温度に加熱して蒸気を発生させてお
く。そして、ウエハ支持機構２５上に複数例えば50枚の
半導体ウエハ２６を載置し、シャッター２８を開けてこ
れらの半導体ウエハ２６を、図１に点線で示すようにま
ず蒸気処理部２７に配置し、ここでＩＰＡ等の乾燥処理
液２１の蒸気を作用させて半導体ウエハ２６に付着して
いた水分とＩＰＡ等とを置換する。
【００２３】この後、図１に実線で示すように、半導体
ウエハ２６を乾燥処理部２９まで引上げ、ここで、塵埃
除去フィルタ３４を介してガス供給口３２から供給さ
れ、排気口３０によって排気されるガス流、例えば窒素
ガス流によってＩＰＡを蒸発させ、半導体ウエハ２６を
乾燥させる。
ウエハ２６を乾燥処理部２９まで引上げ、ここで、塵埃
除去フィルタ３４を介してガス供給口３２から供給さ
れ、排気口３０によって排気されるガス流、例えば窒素
ガス流によってＩＰＡを蒸発させ、半導体ウエハ２６を
乾燥させる。
【００２４】そして、乾燥が終了すると、シャッター２
８を開けて半導体ウエハ２６を取り出す。
８を開けて半導体ウエハ２６を取り出す。
【００２５】このように、本実施例の乾燥処理装置で
は、半導体ウエハ２６を乾燥させる乾燥処理部２９に、
上部から下部に向かう窒素ガス等のガス流が形成されて
いるので、このガス流によって、蒸気処理部２７内のＩ
ＰＡ等の蒸気が乾燥処理部２９内に流入したり外部に漏
洩することを防止することができ、乾燥処理時間を短縮
してスループットの向上を図ることができるとともに、
安全性の向上を図ることができる。また、ガスが塵埃除
去フィルタ３４を介して乾燥処理部２９内に導入される
ので、乾燥処理部２９内を清浄化雰囲気とすることがで
き、洗浄処理の済んだ半導体ウエハ２６に塵埃が付着す
ることを防止することができる。
は、半導体ウエハ２６を乾燥させる乾燥処理部２９に、
上部から下部に向かう窒素ガス等のガス流が形成されて
いるので、このガス流によって、蒸気処理部２７内のＩ
ＰＡ等の蒸気が乾燥処理部２９内に流入したり外部に漏
洩することを防止することができ、乾燥処理時間を短縮
してスループットの向上を図ることができるとともに、
安全性の向上を図ることができる。また、ガスが塵埃除
去フィルタ３４を介して乾燥処理部２９内に導入される
ので、乾燥処理部２９内を清浄化雰囲気とすることがで
き、洗浄処理の済んだ半導体ウエハ２６に塵埃が付着す
ることを防止することができる。
【００２６】次に、図１に示した洗浄装置全体の動作に
ついて説明する。通常ウエハキャリア９は、25枚の半導
体ウエハを収容可能に構成されているが、本実施例の洗
浄装置では、各搬送機構８が一度に50枚（ウエハキャリ
ア2 個分）の半導体ウエハを搬送する。
ついて説明する。通常ウエハキャリア９は、25枚の半導
体ウエハを収容可能に構成されているが、本実施例の洗
浄装置では、各搬送機構８が一度に50枚（ウエハキャリ
ア2 個分）の半導体ウエハを搬送する。
【００２７】まず、洗浄処理を行う半導体ウエハを収容
した1 または2 個のウエハキャリア９を、インプットバ
ッファ機構３のキャリア載置部１４に載置すると、イン
プットバッファ機構３では、これらのウエハキャリア９
内の半導体ウエハを、直ぐに洗浄処理する場合はローダ
ー部５に、他の半導体ウエハの洗浄処理等のために直ぐ
に洗浄処理できない場合は一旦キャリア収容機構１３
に、ウエハキャリア９を搬送する。
した1 または2 個のウエハキャリア９を、インプットバ
ッファ機構３のキャリア載置部１４に載置すると、イン
プットバッファ機構３では、これらのウエハキャリア９
内の半導体ウエハを、直ぐに洗浄処理する場合はローダ
ー部５に、他の半導体ウエハの洗浄処理等のために直ぐ
に洗浄処理できない場合は一旦キャリア収容機構１３
に、ウエハキャリア９を搬送する。
【００２８】次に、一旦ウエハキャリア９をキャリア収
容機構１３内に収容した場合は、キャリア搬送アーム１
２によって、ここからウエハキャリア９をローダー部５
に搬送する。
容機構１３内に収容した場合は、キャリア搬送アーム１
２によって、ここからウエハキャリア９をローダー部５
に搬送する。
【００２９】そして、ローダー部５では、載置されたウ
エハキャリア９内の半導体ウエハのオリエンテーション
フラットが、例えば下側あるいは上側に揃うようこれら
の半導体ウエハの位置を合わせ、この後、これらの半導
体ウエハを下方から突き上げて、搬送機構８に受け渡
す。なお、この際、搬送機構８のウエハチャックは、洗
浄乾燥用処理槽７ａによって、予め洗浄および乾燥され
ている。
エハキャリア９内の半導体ウエハのオリエンテーション
フラットが、例えば下側あるいは上側に揃うようこれら
の半導体ウエハの位置を合わせ、この後、これらの半導
体ウエハを下方から突き上げて、搬送機構８に受け渡
す。なお、この際、搬送機構８のウエハチャックは、洗
浄乾燥用処理槽７ａによって、予め洗浄および乾燥され
ている。
【００３０】この後、3 台の搬送機構８によって、これ
らの半導体ウエハを順次搬送し、薬液用処理機構７ｂ、
水洗用処理機構７ｃ、水洗用処理機構７ｄ、薬液用処理
機構７ｅ、水洗用処理機構７ｆ、水洗用処理機構７ｇ、
ウエハ乾燥処理機構７ｉによって、薬液処理−水洗処理
−水洗処理−薬液処理−水洗処理−水洗処理−乾燥処理
の手順で洗浄処理を実施する。
らの半導体ウエハを順次搬送し、薬液用処理機構７ｂ、
水洗用処理機構７ｃ、水洗用処理機構７ｄ、薬液用処理
機構７ｅ、水洗用処理機構７ｆ、水洗用処理機構７ｇ、
ウエハ乾燥処理機構７ｉによって、薬液処理−水洗処理
−水洗処理−薬液処理−水洗処理−水洗処理−乾燥処理
の手順で洗浄処理を実施する。
【００３１】この間に、ローダー部５に残されたウエハ
キャリア９は、キャリアリフター１１によって持ち上げ
られ、キャリア搬送機構１０によって搬送される。そし
て、この搬送の途中に、キャリア搬送機構１０の搬送路
の途中に設けられた洗浄部によって、ウエハキャリア９
が洗浄、乾燥される。
キャリア９は、キャリアリフター１１によって持ち上げ
られ、キャリア搬送機構１０によって搬送される。そし
て、この搬送の途中に、キャリア搬送機構１０の搬送路
の途中に設けられた洗浄部によって、ウエハキャリア９
が洗浄、乾燥される。
【００３２】そして、アンローダー部６において、洗
浄、乾燥されウエハキャリア９内に、洗浄処理の終了し
た半導体ウエハが収容される。
浄、乾燥されウエハキャリア９内に、洗浄処理の終了し
た半導体ウエハが収容される。
【００３３】この後、アウトプットバッファ機構４で
は、洗浄処理済の半導体ウエハを収容したウエハキャリ
ア９を、キャリア搬送アーム１２によって、キャリア載
置部１４あるいはキャリア収容機構１３に搬送し、順次
後工程に送る。
は、洗浄処理済の半導体ウエハを収容したウエハキャリ
ア９を、キャリア搬送アーム１２によって、キャリア載
置部１４あるいはキャリア収容機構１３に搬送し、順次
後工程に送る。
【００３４】図５は、他の実施例の乾燥処理装置の構成
を示すもので、この実施例の乾燥処理装置では、蒸気処
理部２７と乾燥処理部２９との間に、開閉自在に構成さ
れた中間シャッター４０が設けられており、この中間シ
ャッター４０の上部の乾燥処理部２９には、加熱手段と
してランプ４１が設けられている。
を示すもので、この実施例の乾燥処理装置では、蒸気処
理部２７と乾燥処理部２９との間に、開閉自在に構成さ
れた中間シャッター４０が設けられており、この中間シ
ャッター４０の上部の乾燥処理部２９には、加熱手段と
してランプ４１が設けられている。
【００３５】このように構成された本実施例の乾燥処理
装置では、中間シャッター４０で蒸気処理部２７と乾燥
処理部２９とを隔離することにより、より確実に蒸気処
理部２７内の蒸気の乾燥処理部２９内への侵入および外
部への漏洩を防止することができる。また、ランプ４１
で乾燥処理部２９内の半導体ウエハ２６を加熱すること
により、さらに乾燥処理時間を短縮してスループットの
向上を図ることができる。なお、ランプ４１に換えて、
ガス供給配管３３の途中等に、供給ガスを加熱するため
の加熱機構等を設けてもよい。
装置では、中間シャッター４０で蒸気処理部２７と乾燥
処理部２９とを隔離することにより、より確実に蒸気処
理部２７内の蒸気の乾燥処理部２９内への侵入および外
部への漏洩を防止することができる。また、ランプ４１
で乾燥処理部２９内の半導体ウエハ２６を加熱すること
により、さらに乾燥処理時間を短縮してスループットの
向上を図ることができる。なお、ランプ４１に換えて、
ガス供給配管３３の途中等に、供給ガスを加熱するため
の加熱機構等を設けてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の乾燥処理
装置によれば、蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵
入したり外部に漏洩することを防止することができ、乾
燥処理時間を短縮してスループットの向上を図ることが
できるとともに、安全性の向上を図ることができる。
装置によれば、蒸気処理部内の蒸気が乾燥処理部内に侵
入したり外部に漏洩することを防止することができ、乾
燥処理時間を短縮してスループットの向上を図ることが
できるとともに、安全性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の乾燥処理装置の構成を示す
図。
図。
【図２】本発明の一実施例の乾燥処理装置が配置された
洗浄装置の構成を示す図。
洗浄装置の構成を示す図。
【図３】本発明の一実施例の乾燥処理装置の構成を示す
図。
図。
【図４】図１の乾燥処理装置の加熱機構の構成を示す
図。
図。
【図５】他の実施例の乾燥処理装置の構成を示す図。
２０ ケース ２１ 乾燥処理液（ＩＰＡ） ２２ 乾燥処理液槽 ２３ 加熱機構 ２４ 冷却水循環配管 ２５ ウエハ支持機構 ２６ 半導体ウエハ ２７ 蒸気処理部 ２８ シャッター ２９ 乾燥処理部 ３０ 排気口 ３１ 排気配管 ３２ ガス供給口 ３３ ガス供給配管 ３４ 塵埃除去フィルタ
Claims (4)
- 【請求項１】 被乾燥物を収容可能に構成され、処理液
槽内に収容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気
雰囲気とされる蒸気処理部と、 前記蒸気処理部の上方に配設され、前記蒸気を冷却して
凝縮させるための冷却機構と、 前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、 前記乾燥処理部内に、上部から下部に流れる乾燥用気体
流を形成する気体供給機構および排気機構とを具備した
ことを特徴とする乾燥処理装置。 - 【請求項２】 被乾燥物を収容可能に構成され、処理液
槽内に収容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気
雰囲気とされる蒸気処理部と、 前記蒸気処理部の上方に配設され、前記蒸気を冷却して
凝縮させるための冷却機構と、 前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、 前記乾燥処理部内に、上部から下部に流れる乾燥用気体
流を形成する気体供給機構および排気機構と、 前記蒸気処理部と前記乾燥処理部との間に配設され、こ
れらの間を閉塞するシャッター機構とを具備したことを
特徴とする乾燥処理装置。 - 【請求項３】 被乾燥物を収容可能に構成され、処理液
槽内に収容された乾燥処理液を加熱して発生させた蒸気
雰囲気とされる蒸気処理部と、 前記蒸気処理部の上方に配設され、前記蒸気を冷却して
凝縮させるための冷却機構と、 前記冷却機構の上部に配設され、前記被乾燥物を収容し
て該被乾燥物に付着した前記乾燥処理液を乾燥させるた
めの乾燥処理部と、 前記乾燥処理部内に、上部から下部に流れる乾燥用気体
流を形成する気体供給機構および排気機構と、 前記蒸気処理部と前記乾燥処理部との間に配設され、こ
れらの間を閉塞するシャッター機構と、 前記乾燥処理部内の前記被乾燥物を加熱する加熱機構と
を具備したことを特徴とする乾燥処理装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３記載の乾燥処理装置におい
て、 前記気体供給機構は、供給する気体中の塵埃を除去する
フィルタを具備したことを特徴とする乾燥処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223932A JP2902222B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 乾燥処理装置 |
| KR1019930016459A KR100236411B1 (ko) | 1992-08-24 | 1993-08-24 | 기판 건조장치 |
| US08/111,006 US5369891A (en) | 1992-08-24 | 1993-08-24 | Substrate drying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223932A JP2902222B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 乾燥処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677203A true JPH0677203A (ja) | 1994-03-18 |
| JP2902222B2 JP2902222B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16805971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4223932A Expired - Fee Related JP2902222B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 乾燥処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5369891A (ja) |
| JP (1) | JP2902222B2 (ja) |
| KR (1) | KR100236411B1 (ja) |
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