JPH0677669B2 - 排ガス処理方法とその装置 - Google Patents
排ガス処理方法とその装置Info
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- JPH0677669B2 JPH0677669B2 JP2252762A JP25276290A JPH0677669B2 JP H0677669 B2 JPH0677669 B2 JP H0677669B2 JP 2252762 A JP2252762 A JP 2252762A JP 25276290 A JP25276290 A JP 25276290A JP H0677669 B2 JPH0677669 B2 JP H0677669B2
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- Separation Of Particles Using Liquids (AREA)
Description
む珪素化合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む排ガスをト
ラブルなく高効率で処理するための排ガスの処理方法と
その装置の改良に関するものである。
クラバなどが用いられていたが、SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,S
iH4など珪素化合物を含む排ガスを処理した場合大量の
粉塵が発生し、且つ、洗浄液と排ガスが気−液接触して
化学反応による粘稠物を生成して装置を目詰りさせ、洗
浄回数を増やしたり複数の装置を設置してバッチ式に使
用しなければならないなど、保守に非常に手間と費用が
かかるという欠点があった。そこで、第5図のようなジ
ェット式スクラバを採用して前記排ガスの処理を行わせ
たのであるが、目詰まりの問題は解消したものの排ガス
導入管(14′)の内周や洗浄液噴射ノズル(16′)に粉
塵や粘稠物質が堆積して排ガス導入口(3′)や洗浄液
噴射ノズル(16′)を閉塞するという問題が新たに発生
した。これは、天井部の高圧噴出ノズル(2′)からの
高速高圧洗浄液の噴射により洗浄室(4′)の内部が負
圧になり、前記高速高圧洗浄液(1′)の飛まつと洗浄
液噴出ノズル(16′)から噴射された洗浄水(C′)と
が導入された排ガスと接触して反応を起こし、それが前
記突出箇所に堆積したためである。
的とするところは、SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハロ
ゲンを含む珪素化合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含み、
アルカリ洗浄液にて処理を行うと大量の粉塵や粘稠物を
生成して処理装置に目詰りを生ずるような排ガスの処理
を連続に処理出来る排ガス処理方法とその装置を提供す
るにある。
求項(1)に示すように、 高圧でアルカリ洗浄液(C)を噴出させて細かい水滴
の高速ジェット噴霧(1)を形成する高圧噴出ノズル
(2)を天井部に有し、 SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハロゲンを含む珪素化
合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む未処理排ガスの排ガ
ス導入口(3)を側面に有するジェットスクラバ型の排
ガス処理装置の洗浄室(4)において、 前記排ガス導入口(3)に下り傾斜に接続された排ガ
ス導入管(20)に洗浄液(C)が螺旋流となって流下さ
せるようにした。
管(3)内を螺旋流となって流下させるようにしたもの
である。
いて、 高圧でアルカリ洗浄液(C)を噴出させて細かい水滴
の高速ジェット噴霧を形成する高圧噴出ノズル(2)を
天井部に有し、 SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハロゲンを含む珪素化
合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む未処理排ガスの排ガ
ス導入口(3)を側面に有するジェットスクラバ型の排
ガス処理装置の洗浄室(4)において、 前記排ガス導入口(3)に接続された排ガス導入管
(3)を前記洗浄室(4)に向けて下り傾斜に配設する
と共に排ガス導入管(14)の側面に洗浄液噴出管(20)
を周方向に接続する。
において互いに逆となるように洗浄液噴出管(20a)(2
0b)を接続する。
排ガス導入管(14)の内周面が螺旋洗浄液(C)で洗い
流される事になり、排ガス導入管(14)の内周面に粉塵
が堆積するような事がない。
の方向を変えて螺旋流となって流下するので、一方向の
螺旋流では取れにくい堆積粉塵も逆方向の螺旋流によっ
て洗い流される事になり、より高い洗浄効果を得る事が
出来るものである。
傾斜に配設された排ガス導入管(14)の側面に洗浄液噴
出管(20)を周方向に接続してあるので、排ガス導入管
(14)の内周面に粉塵の堆積原因となる洗浄液噴出ノズ
ル(16′)のような突起物がなく、排ガス導入管(14)
の内周面に付着しようとする粉塵が螺旋流によって洗い
流されてしまうものであり、排ガス導入管(14)の側面
に、その接続方向が周方向において互いに逆となるよう
に洗浄液噴出管(20a)(20b)を接続した場合には、互
いに逆方向の螺旋流を流下させる事が出来るものであ
る。
それに続くスロート部(5)並びにスロート部(5)に
続くスカート部(6)とで構成されている。洗浄室
(4)は円筒状でその天井面には高圧で洗浄液(C)を
噴出させて細かい水滴の高速ジェット噴霧(1)を形成
する高圧噴出ノズル(2)が垂設されており、洗浄室
(4)の側面には未処理排ガス導入口(3)が開設され
ている。高圧噴出ノズル(2)のスプレー圧力は1〜5k
g/cm2(3kg/cm2が最適である。)程度とし、高圧噴出ノ
ズル(2)から噴射された高速ジェット噴霧によって形
成される排ガス導入孔の入り口で吸引力−30mmAq〜−50
mmAq程度となる。又、その液ガス比=L/Gは3〜100kg/k
gである。
り傾斜に接続されており、更にその排ガス導入管(14)
には洗浄ノズル(16)が設置されている。洗浄液噴出管
(20)は、第2図に示すように排ガス導入管(14)の周
方向に1本だけ設置されている場合と、第3,4図に示す
ように排ガス導入管(14)の周方向に対称に2本設置さ
れている場合とがある。後者の洗浄液噴出管の番号は、
枝番を付して(20a)(20b)とする。いずれの場合でも
洗浄液(C)が螺旋流となって排ガス導入管(14)内を
洗浄しながら流下する。ただし、第3,4図の場合は、第
2図の場合と異なり、洗浄液噴出管(20a)(20b)は間
欠的に切替わり、一定時間が経過すると螺旋洗浄液
(C)の流れが逆転して洗浄室(4)に流れ込む。
ト部(5)は、洗浄室(4)より小断面積となってい
る。尚、洗浄室(4)の下部はスロート部(5)に円滑
に流れ込むように朝顔状に形成されている。スロート部
(5)に続けて次第にその断面積を増加するスカート部
(6)が設けられている。ジェットスクラバ本体(A)
の下方にはスカート部(6)に接続せる液受槽(B)が
設置されており、洗浄液(C)が入っている。ジェット
スクラバ本体(A)の反対側にて液受槽(B)の上方に
ミスト除去装置(7)が設置されている。ミスト除去装
置(7)の内部には排ガスの流れに有効な角度で折り曲
げられた邪魔板層(17)が設置されており、天井面には
大気放出口(18)が開設されている。液受槽(B)には
その他洗浄液供給管(19)や循環ポンプ(8)が設置さ
れており、循環ポンプ(8)は高圧噴出ノズル(2)や
ミスト除去装置(7)の洗浄装置(9)に接続されてい
る。更に、液受槽(B)には内部に溜った洗浄液(C)
を適宜オーバーフローさせ、オーバーフローした洗浄液
(C)を瀘過する瀘過装置(図示せず。)も設置されて
いる。
SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハロゲンを含む珪素化合
物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む半導体排ガスやガラス
溶解工程からの排ガスなどがあり、更にその他、例え
ば、高炉排ガス、キュポラ排ガス、焼却炉排ガス、キル
ン排ガスなど粉塵(10)を大量に含むものも対象とされ
る。
化ナトリウムなどのアルカリ成分を含む水溶液である。
このアルカリ洗浄液(C)はアルカリ濃度0.1%〜15%
でpH9〜14のものを使用するものである。アルカリ濃度
は未処理排ガスの種類によって適宜選定される。
は、未処理排ガス導入口(3)を通ってジェットスクラ
バ本体(A)の洗浄室(4)に導かれる。この時、排ガ
スと洗浄液(C)とが反応して排ガス導入管(14)の内
部又は未処理排ガス導入口(3)に粉塵(10)が次第に
溜ろうとするが、洗浄液噴出管(20)から洗浄液(C)
が螺旋流となって排ガス導入管(14)内を流下し、排ガ
ス導入管(14)の内面が洗浄されて粉塵(10)が洗い流
される。又、第3,4図の場合は、洗浄液噴出管(20a)
(20b)を間欠的に切り替えて一定時間が経過すると螺
旋洗浄液(C)の流れが逆転するようにしておき、洗浄
効果を高めるようになっている。この場合には、洗浄液
噴出管(20a)又は(20b)の開口部近傍(M)の洗浄効
果が高いものである。
液(C)が噴き出され、細かい水滴の高速ジェット噴霧
(1)となってスロート部(5)に吹き込まれ、スロー
ト部(5)で絞られて流速を増し、スカート部(6)で
次第にその流速を落とし、液受槽(B)に注ぎ込むよう
うになっている。この間洗浄室(4)内の空気は高速ジ
ェット噴霧(1)に巻き込まれて負圧になっており、前
述の排ガスは吸い込まれるようにして高速ジェット噴霧
(1)に巻き込まれ、高効率で気−液接触が図られ、以
下の反応式に従って除害される。
液(4)で中和処理される。
塵(10)や生産工程から運ばれて来た粉塵(10)は非常
に高い効率で高速ジェット噴霧(1)の水滴と接触して
極めて高率良く捕集される事になる。粉塵(10)を捕集
した水滴はスカート部(6)を落下する内に次第に大き
な水滴に成長し、前述のように液受槽(B)に注ぎ込
む。尚、シランのようなものを含む半導体排ガスの場合
は、爆発下限界まで不活性ガスが希釈されて洗浄室
(4)に導入される。この場合、半導体排ガスは洗浄液
(C)と接触すると加水分解して大量の粉塵(10)が生
成されるが前述の方法で捕集除去される。
アルカリ液とする事により前述同様気−液接触にて中和
し、液受槽(B)に回収する事になる。
を通ってミスト除去装置(7)に入る。次いでミスト除
去装置(7)中を上昇している間に邪魔板層(17)を通
過し、排ガス中のミストを分離した後大気放出される。
一方、液受槽(B)に設置された循環ポンプ(8)は液
受槽(B)の洗浄液(C)をくみ上げ、高圧噴出ノズル
(2)に供給し、洗浄液(C)を循環させる。液受槽
(B)の洗浄液(C)の一部はオーバーフローにて液受
槽(B)外に取り出され、瀘過、中和、希釈され、水質
基準値以下になったところで河川に放流される。オーバ
ーフローした洗浄液(C)と等量の新しい洗浄液(C)
が液受槽(B)に供給され、液受槽(B)内の洗浄液
(C)の濃度が一定に保たれる。又、ミスト除去装置
(7)ではミストの除去が連続的になされるが、浄化さ
れた排ガス中にわずかながら粉塵(10)が残っており、
これが邪魔板層(17)の表面に付着するため、洗浄装置
(9)で付着粉塵(10)を自動的に洗い落とす。洗浄装
置(9)へは循環ポンプ(8)から洗浄液(C)が供給
される事になる。
て細かい水滴の高速ジェット噴霧を形成する高圧噴出ノ
ズルを天井部に有し、SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハ
ロゲンを含む珪素化合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む
未処理排ガスの排ガス導入口を側面に有するジェットス
クラバ型の排ガス処理装置の洗浄室において、前記排ガ
ス導入口に下り傾斜に接続された排ガス導入管に洗浄液
が螺旋流となって流下させるようにしたので、排ガス導
入管の内周面が螺旋洗浄液で洗い流される事になり、排
ガス導入管の内周面に粉塵が堆積する事がない。
を変えて排ガス導入管内を螺旋流となって流下させるよ
うにしたので、一方向の螺旋流では取れにくい堆積粉塵
も逆方向の螺旋流によって洗い流される事になり、より
高い洗浄効果を得る事が出来るものである。
れた排ガス導入管の側面に洗浄液噴出管を周方向に接続
してあるので、排ガス導入管の内周面に粉塵の堆積原因
となる洗浄ノズルのような突起物がなく、排ガス導入管
の内周面が螺旋流によって洗い流されて粉塵が堆積する
というような事がない。
いて互いに逆となるように洗浄液噴出管を接続した場合
には、一方向では洗浄されにくいような堆積粉塵に対し
て逆方向の螺旋流を流下させる事により、これを洗い落
とし、洗浄効果を高める事が出来るという利点がある。
断面図 第5図……従来例の洗浄室の断面図。 (A)……ジェットスクラバ本体、 (B)……液受槽、(C)……洗浄液、 (1)……高速ジェット噴霧、 (2)……高圧噴出ノズル、 (3)……未処理排ガス導入口、 (4)……洗浄室、(5)……スロート部、 (6)……スカート部、(7)……ミスト除去装置、 (8)……循環ポンプ、(9)……洗浄装置、 (10)……粉塵、(11)……多孔板、 (12)……オーバーフロー筒、 (13)……給水ノズル、(14)……排ガス導入管、 (15)……通孔、(16)……洗浄ノズル、 (17)……邪魔板層、(18)……大気放出口、 (19)……洗浄液供給管、(20)……洗浄液噴出管
Claims (4)
- 【請求項1】高圧でアルカリ洗浄液を噴出させて細かい
水滴の高速ジェット噴霧を形成する高圧噴出ノズルを天
井部に有し、SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハロゲンを
含む珪素化合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む未処理排
ガスの排ガス導入口を側面に有するジェットスクラバ型
の排ガス処理装置の洗浄室において、前記排ガス導入口
に下り傾斜に接続された排ガス導入管に洗浄液が螺旋流
となって流下させるようにした事を特徴とする排ガスの
処理方法。 - 【請求項2】請求項(1)の排ガス処理装置において、
洗浄液が間欠的にその方向を変えて排ガス導入管内を螺
旋流となって流下させるようにした事を特徴とする排ガ
ス処理方法。 - 【請求項3】高圧でアルカリ洗浄液を噴出させて細かい
水滴の高速ジェット噴霧を形成する高圧噴出ノズルを天
井部に有し、SiH2Cl2,SiCl4,SiF4,SiH4などハロゲンを
含む珪素化合物やHCl,HF,Cl2などの酸分を含む未処理排
ガスの排ガス導入口を側面に有するジェットスクラバ型
の排ガス処理装置の洗浄室において、前記排ガス導入口
に接続された排ガス導入管を前記洗浄室に向けて下り傾
斜に配設すると共に排ガス導入管の側面に洗浄噴出管を
周方向に接続して成る事を特徴とする排ガスの処理装
置。 - 【請求項4】請求項(3)の排ガス処理装置において、
排ガス導入管の側面に、その接続方向が周方向において
互いに逆となるように洗浄液噴出管を接続して成る事を
特徴とする排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252762A JPH0677669B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 排ガス処理方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252762A JPH0677669B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 排ガス処理方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04131121A JPH04131121A (ja) | 1992-05-01 |
| JPH0677669B2 true JPH0677669B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=17241941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252762A Expired - Lifetime JPH0677669B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 排ガス処理方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677669B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4805463B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2011-11-02 | 株式会社東設 | 有毒ガスの除害装置 |
| JP4850350B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2012-01-11 | 株式会社東設 | 有毒ガスの除害方法及びその装置 |
| JP4154219B2 (ja) | 2001-12-25 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 湿式ガス処理方法 |
| FR2938448B1 (fr) * | 2008-11-20 | 2014-09-26 | Total Raffinage Marketing | Dispositif et procede pour le traitement et la compression des gaz |
| JP6082339B2 (ja) * | 2013-11-21 | 2017-02-15 | 信越化学工業株式会社 | エッチング反応ガスの除害方法およびスクラバ装置 |
| JP6188033B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2017-08-30 | 三菱重工業株式会社 | スクラバ、排ガス処理装置、船舶 |
| CN114345106B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-12-12 | 湖北瓮福蓝天化工有限公司 | 一种无水氟化氢生产过程中去除氯元素的方法及系统 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2252762A patent/JPH0677669B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04131121A (ja) | 1992-05-01 |
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