JPH0679896A - Thermal printing head - Google Patents
Thermal printing headInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ等におけ
る印字ヘッドとして使用されるサーマルプリントヘッド
の改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a thermal print head used as a print head in a facsimile or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、薄膜型のサーマルプリントヘッ
ドは、図９に示すすように、セラミック製のヘッド基板
１の上面に、ガラス製のグレーズ層２をヘッド基板１の
長手方向に沿って帯状に形成すると共に、例えば、Ｔａ
−ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層３を形成し、更に、
この発熱抵抗体層３の上面に、当該発熱抵抗体層３を前
記グレーズ層２に沿って部分的に発熱するためのアルミ
等から成る多数本の給電用導体膜４を形成したのち、こ
れらの全体の表面を、保護膜５にて覆うように構成して
いる。2. Description of the Related Art Generally, as shown in FIG. 9, a thin film type thermal print head has a glass glaze layer 2 on a top surface of a ceramic head substrate 1 in a strip shape along the longitudinal direction of the head substrate 1. And Ta, for example,
A heating resistor layer 3 made of —SiO 2 or the like is formed, and further,
After forming a large number of power supply conductor films 4 made of aluminum or the like on the upper surface of the heating resistor layer 3 for partially heating the heating resistor layer 3 along the glaze layer 2, these are formed. The entire surface is covered with the protective film 5.
【０００３】ところで、前記保護膜５には、当該保護膜
５に対して記録紙がプラテン等によって押圧されながら
擦り付けられることにより、高い耐磨耗性と、給電用導
体膜４及び発熱抵抗体層３に対する高い電気絶縁性とを
有することが要求される。そこで、先行技術としての特
開平２−２３８９５６号公報は、前記保護膜５の材料と
して、従来のガラスよりも高い耐磨耗性を有すると共
に、高い電気絶縁性（比抵抗）を有するＳｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ系の化合物から成るサイアロン（ＳＩＡＬＯＮ）を
使用することを提案している。By the way, a recording paper is rubbed against the protective film 5 while being pressed by a platen or the like, so that the protective film 5 has high abrasion resistance, and the power supply conductor film 4 and the heating resistor layer are provided. It is required to have a high electric insulation property to the above. Therefore, JP-A-2-238956 as a prior art discloses, as a material of the protective film 5, Si-Al having higher abrasion resistance than conventional glass and high electric insulation (specific resistance). -O
It is proposed to use SIALON, which is composed of -N type compounds.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記したサイ
アロンは、熱伝導率が低いことにより、保護膜５をこの
サイアロン製にした場合には、熱の応答性が悪いため、
印字の応答性が低くて高速印字に適合しないのであり、
高速印字に適合するためには、発熱抵抗体層３に対する
単位時間当たりの印字エネルギーを高くしなければなら
ないが、印字エネルギーを高くすると、消費電力が増大
するばかりか、発熱抵抗体層３及び各給電用導体膜４の
破壊を招来することになる。However, since the sialon described above has a low thermal conductivity, when the protective film 5 is made of sialon, the responsiveness of heat is poor.
The printing response is low and it is not suitable for high-speed printing.
In order to be suitable for high-speed printing, it is necessary to increase the printing energy per unit time for the heating resistor layer 3, but if the printing energy is increased, not only the power consumption increases but also the heating resistor layer 3 and each This leads to the destruction of the power supply conductor film 4.
【０００５】しかも、サイアロンは、一般に、約１０11
（Ω・ｃｍ）を越える高い電気絶縁性を有するために、
このサイアロンにて形成した保護膜５には、静電気が蓄
電し、静電放電により発熱抵抗体層３が静電破壊を起す
と言う問題も発生するのであった。本発明は、前記した
サイアロンに対して炭化タングステン（ＷＣ）を添加す
るか、又は、少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化タング
ステン（ＷＣ）を添加することにより、その熱伝導率を
高くすることができる一方、比抵抗を下げることができ
る点に着目し、このことを利用して、前記の各問題を解
消すると共に、保護膜における耐磨耗性を更に向上する
ことを技術的課題とするものである。Moreover, sialon is generally about 10 11
In order to have high electrical insulation exceeding (Ω · cm),
The protective film 5 formed of this sialon also has a problem that static electricity is stored and the heating resistor layer 3 is electrostatically destroyed by electrostatic discharge. In the present invention, the thermal conductivity of the sialon can be increased by adding tungsten carbide (WC) or tungsten carbide (WC) containing a small amount of cobalt (Co). On the other hand, focusing on the fact that the specific resistance can be lowered, and by utilizing this, it is a technical task to solve each of the above problems and further improve the abrasion resistance of the protective film. Is.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発
熱抵抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、
これらの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリ
ントヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較
的薄い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシ
リコン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに炭化
タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成する
か、或いは、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成することにし
た。In order to achieve this technical object, the present invention forms a glaze layer, a heating resistor layer and a large number of power supply conductor films on the upper surface of a head substrate, and further,
In a thermal print head formed by forming a protective film covering all of these, the protective film includes a first protective film having a relatively thin thickness in a lower layer and a second protective film having a relatively thick thickness in an upper layer. In the two-layer structure, the first protective film is made of silicon oxide, while the second protective film is made of S.
It is formed of a material in which tungsten carbide (WC) is appropriately added to a sialon composed of an i-Al-O-N-based compound, or a small amount of cobalt ( It was decided to use a material to which tungsten carbide (WC) containing Co was appropriately added.
【０００７】[0007]
【作 用】図６において実線で示す曲線Ａは、前記し
たＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに
対して炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料に
おいて、その熱伝導率を、炭化タングステン（ＷＣ）の
各含有量について測定した場合の図である。[Operation] A curve A shown by a solid line in FIG. 6 shows a thermal conductivity of a material obtained by appropriately adding tungsten carbide (WC) to sialon made of the above Si-Al-O-N compound, It is a figure at the time of measuring about each content of tungsten carbide (WC).
【０００８】また、図７は、前記したＳｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加した材料において、その比抵抗
を、炭化タングステン（ＷＣ）の各含有量について測定
した場合の図である。更にまた、図８は、前記したＳｉ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して
炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料におい
て、その硬度を、炭化タングステン（ＷＣ）の各含有量
について測定した場合の図である。Further, FIG. 7 shows the above-mentioned Si-Al-O-
It is a figure at the time of measuring the specific resistance about the content of tungsten carbide (WC) in the material which added tungsten carbide (WC) to sialon which consists of N type compounds suitably. Furthermore, FIG. 8 shows the above-mentioned Si.
It is a figure at the time of measuring the hardness about the content of each tungsten carbide (WC) in the material which added tungsten carbide (WC) suitably to the sialon which consists of -Al-ON system compounds.
【０００９】これらの図より明らかなように、サイアロ
ンに対して炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加するこ
とにより、この材料における熱伝導率及び硬度は、炭化
タングステン（ＷＣ）の含有量に比例して高くなる一
方、前記材料における比抵抗は、炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）の含有量に比例して低くなることにより、電気絶縁
性が大幅に低下するのであった。As is clear from these figures, by appropriately adding tungsten carbide (WC) to sialon, the thermal conductivity and hardness of this material are proportional to the content of tungsten carbide (WC). On the other hand, the specific resistance of the material is higher than that of tungsten carbide (W
As the content of C) decreases in proportion to the content, the electrical insulating property is significantly reduced.
【００１０】そこで、本発明においては、保護膜を、下
層における比較的薄い厚さの第１保護膜と、上層におけ
る比較的厚い厚さの第２保護膜との二層に構成し、前記
第１保護膜をシリコン酸化物にて形成する一方、前記第
２保護膜を、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材
料にて形成すると言う構成にしたのである。Therefore, in the present invention, the protective film is composed of two layers, that is, the first protective film having a relatively thin thickness in the lower layer and the second protective film having a relatively thick thickness in the upper layer. The first protection film is formed of silicon oxide, while the second protection film is formed of a material in which tungsten carbide (WC) is appropriately added to sialon made of a Si-Al-O-N compound. I did it.
【００１１】すなわち、シリコン酸化物は、高い電気絶
縁性を有するから、このシリコン酸化物にて第１保護膜
を形成することにより、第２保護膜を、前記のように電
気絶縁性の低い、従って、静電気の蓄電が少ない材料に
て形成しても、これら各保護膜より下層の給電用導体膜
及び発熱抵抗体層に対して高い電気絶縁性を確保するこ
とができる。That is, since silicon oxide has a high electric insulation property, by forming the first protection film with this silicon oxide, the second protection film has a low electric insulation property as described above. Therefore, even if it is formed of a material that stores little static electricity, it is possible to ensure high electrical insulation with respect to the power supply conductor film and the heating resistor layer that are lower than these protective films.
【００１２】これに加えて、前記シリコン酸化物の第１
保護膜における厚さを薄くし、その上層の第２保護膜
を、前記したように、高い熱伝導率と高い硬度とを有す
る材料にて形成して、その厚さを厚くしたことにより、
保護膜の全体としての熱伝導率を、当該保護膜の全体を
先行技術のようにサイアロンにて形成する場合よりも高
くすることができる一方、保護膜に対して、高い耐磨耗
性を付与することができるのである。In addition to this, the first of the above-mentioned silicon oxides is used.
By reducing the thickness of the protective film and forming the upper second protective film from a material having high thermal conductivity and high hardness as described above, the thickness is increased.
The overall thermal conductivity of the protective film can be made higher than that of the case where the entire protective film is made of sialon as in the prior art, while imparting high abrasion resistance to the protective film. You can do it.
【００１３】一方、前記図６において点線で示す曲線Ｂ
は、前記したＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに対して、６ｗｔ％のコバルト（Ｃｏ）を含む
炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料におい
て、その熱伝導率を、各含有量について測定した場合の
図である。この図から判るように、サイアロンに対して
６ｗｔ％のコバルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を
適宜添加することで、その材料における熱伝導率を、サ
イアロンに対して炭化タングステン（ＷＣ）のみを適宜
添加した場合よりも高くすることができるから、保護膜
のうち第２保護膜を、サイアロンに対して６ｗｔ％のコ
バルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した
材料にて形成することにより、保護膜における熱伝導率
を、更に向上できるのである。On the other hand, the curve B shown by the dotted line in FIG.
Is a material in which tungsten carbide (WC) containing 6 wt% of cobalt (Co) is appropriately added to sialon made of the above Si-Al-O-N-based compound, and its thermal conductivity is It is a figure at the time of measuring about quantity. As can be seen from this figure, by appropriately adding 6 wt% cobalt tungsten carbide (WC) to sialon, the thermal conductivity of the material is appropriately added to sialon only tungsten carbide (WC). The second protective film of the protective film can be made higher than that of the above case. Therefore, by forming the second protective film of a material in which tungsten carbide (WC) containing 6 wt% of cobalt is appropriately added to sialon, The thermal conductivity in can be further improved.
【００１４】また、サイアロンに添加する炭化タングス
テン（ＷＣ）に対し６ｗｔ％のコバルトを含有させるこ
とにより、サイアロンに対して炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）を添加した場合、その材料における靱性は、サイア
ロンのみの場合よりも寧ろ低下することになるが、サイ
アロンに対して６ｗｔ％のコバルトを含む炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加することにより、前記靱性の低
下を防止できるのであった。By adding 6 wt% of cobalt to tungsten carbide (WC) added to sialon, tungsten carbide (W) can be added to sialon.
When C) is added, the toughness of the material is much lower than that of Sialon alone. However, by appropriately adding tungsten carbide (WC) containing 6 wt% of cobalt to Sialon, It was possible to prevent deterioration of toughness.
【００１５】なお、サイアロンに対して６ｗｔ％のコバ
ルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材
料における比抵抗及び硬度は、サイアロンに対して炭化
タングステン（ＷＣ）のみを適宜添加した場合と殆ど同
じであったが、しかし、炭化タングステン（ＷＣ）にお
けるコバルトの含有量が２０ｗｔ％を越えると、熱伝導
率が、コバルトを含ない場合よりも低下することが認め
られたことから、炭化タングステン（ＷＣ）に対するコ
バルトの含有量は２０ｗｔ％以下にとどめることが好ま
しい。The specific resistance and hardness of a material obtained by appropriately adding tungsten carbide (WC) containing 6 wt% of cobalt to sialon are almost the same as those obtained when only tungsten carbide (WC) is appropriately added to sialon. However, when the content of cobalt in tungsten carbide (WC) exceeds 20 wt%, it was confirmed that the thermal conductivity is lower than that in the case where no cobalt is contained. It is preferable that the content of cobalt with respect to (4) is 20 wt% or less.
【００１６】[0016]
【発明の効果】従って、本発明によると、保護膜におけ
る熱伝導率を高くできることにより、印字応答性を向上
できるから、印字エネルギーを増大することなく、消費
電力の増加及び給電導体る等の破壊を生じることなく、
高速印字に適合することができ、しかも、保護膜におけ
る静電気による静電気破壊を確実に低減できると共に、
保護膜における耐磨耗性を増大できるから、サーマルプ
リントヘッドにおける耐久性を大幅に向上できる効果を
有する。As described above, according to the present invention, since the thermal conductivity of the protective film can be increased, the printing response can be improved. Therefore, the power consumption can be increased and the power supply conductor can be destroyed without increasing the printing energy. Without causing
It can be applied to high-speed printing, and it can surely reduce electrostatic breakdown due to static electricity in the protective film.
Since the abrasion resistance of the protective film can be increased, the durability of the thermal print head can be greatly improved.
【００１７】特に、「請求項２」によると、前記の効果
を一層助長することができるのである。In particular, according to "Claim 2", the above effect can be further promoted.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明における実施例を、その製造方
法と共に、図１〜図５の図面について説明する。図１及
び図２は、セラミック製のヘッド基板１１の上面に、ガ
ラス製のグレーズ層１２を、ヘッド基板１１の長手方向
に沿って帯状に延びるように形成すると共に、例えば、
Ｔａ−ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層１３を形成し、
更に、この発熱抵抗体層１３の上面に、発熱抵抗体層１
３を前記グレーズ層１２に沿って部分的に発熱するため
のアルミ等から成る多数本の給電用導体膜１４を形成し
たものを示すものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings of FIGS. 1 to 5 together with the manufacturing method thereof. 1 and 2, a glass glaze layer 12 is formed on the upper surface of a ceramic head substrate 11 so as to extend in a strip shape along the longitudinal direction of the head substrate 11, and, for example,
A heating resistor layer 13 made of Ta-SiO 2 or the like is formed,
Further, the heating resistor layer 1 is formed on the upper surface of the heating resistor layer 13.
3 shows a structure in which a large number of power supply conductor films 14 made of aluminum or the like for partially generating heat along the glaze layer 12 are formed.
【００１９】このように、上面にグレーズ層１２、発熱
抵抗体層１３及び給電用導体膜１４を形成したヘッド基
板１１の全体を、高真空度に保持したスパッタリング容
器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面と対向する部
位に、シリコン酸化物のターゲットを配設して、このタ
ーゲットと前記ヘッド基板１１との間にターゲッド電圧
を印加すると言うスパッタリングを行うことにより、或
いは、ＣＶＤ法により、図３に示すように、厚さ０．２
〜３ミクロンのシリコン酸化物による第１保護膜１５ａ
を形成する。As described above, the entire head substrate 11 having the glaze layer 12, the heating resistor layer 13 and the power supply conductor film 14 formed on the upper surface thereof is put into a sputtering container kept at a high degree of vacuum, and the head substrate is put in place. A target of silicon oxide is disposed at a portion facing the upper surface of 11 and sputtering is performed by applying a target voltage between the target and the head substrate 11, or by a CVD method. As shown in 3, thickness 0.2
First protective film 15a made of silicon oxide of ˜3 μm
To form.
【００２０】次いで、前記第１保護膜１５ａを形成した
ヘッド基板１１を、再び、高真空度に保持したスパッタ
リング容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面と対
向する部位に、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサ
イアロンと炭化ダングステン（ＷＣ）とを適宜比率で混
合したのち焼結して成る焼結ターゲットを配設するか、
或いは、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサイアロ
ンと少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化ダングステン
（ＷＣ）とを適宜比率で混合したのち焼結して成る焼結
ターゲットを配設して、前記と同様にスパッタリングを
行うことにより、図４に示すように、サイアロン−炭化
ダングステン製、又はサイアロン−コバルト・炭化ダン
グステン製の第２保護膜１５ｂを、その厚さを２〜６ミ
クロンにして形成して、この第２保護膜１５ｂと、前記
シリコン酸化物製の第１保護膜１５ａとによって、保護
膜１５の全体を形成するのである。Then, the head substrate 11 on which the first protective film 15a is formed is again placed in a sputtering container kept at a high degree of vacuum, and Si--Al-- is formed at a portion facing the upper surface of the head substrate 11. A sinter target formed by mixing sialon, which is an O-N compound, and dangsten carbide (WC) in an appropriate ratio and then sintering the mixture is provided.
Alternatively, a sintering target formed by mixing sialon, which is a Si—Al—O—N-based compound, and dangsten carbide (WC) containing a small amount of cobalt (Co) in an appropriate ratio and then sintering the mixture is provided. By performing sputtering in the same manner as described above, as shown in FIG. 4, the second protective film 15b made of sialon-carbonized dangsten or sialon-cobalt-dungsten made a thickness of 2 to 6 microns. After the formation, the second protective film 15b and the first protective film 15a made of silicon oxide form the entire protective film 15.
【００２１】なお、前記第２保護膜１５ｂをスパッタリ
ングにて形成するに際しては、そのターゲットとして、
図５に示すように、サイアロン製のターゲットＣ1 と、
炭化ダングステン製、又はコバルト炭化ダングステン製
のターゲットＣ2 とを、適宜の混合比率に応じた面積比
でモザイク状に組み合わせて成る合成ターゲットＣを使
用することによって行うようにしても良いのである。When the second protective film 15b is formed by sputtering, the target is
As shown in FIG. 5, a Sialon target C 1 and
It is also possible to use a synthetic target C formed by combining a target C 2 made of carbonized dangsten or cobalt carbonized dangsten in an mosaic shape in an area ratio according to an appropriate mixing ratio.
【図１】ヘッド基板の上面にグレーズ層及び発熱抵抗体
層並びに給電用導体膜を形成した状態の要部拡大断面図
である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of an essential part of a state in which a glaze layer, a heating resistor layer, and a power supply conductor film are formed on the upper surface of a head substrate.
【図２】図１の平面図である。FIG. 2 is a plan view of FIG.
【図３】前記ヘッド基板の上面に第１保護膜を形成した
状態の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of an essential part in a state where a first protective film is formed on the upper surface of the head substrate.
【図４】前記ヘッド基板の上面に第２保護膜を形成した
状態の要部拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part in a state where a second protective film is formed on the upper surface of the head substrate.
【図５】前記第２保護膜をスパッタリングにて形成する
ときに使用する合成ターゲットの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a synthetic target used when the second protective film is formed by sputtering.
【図６】サイアロンに対する炭化タングステンの含有量
と熱伝導率との関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the content of tungsten carbide and the thermal conductivity of sialon.
【図７】サイアロンに対する炭化タングステンの含有量
と比抵抗との関係を示す図である。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the content of tungsten carbide and the specific resistance of sialon.
【図８】サイアロンに対する炭化タングステンの含有量
と硬度との関係を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the content of tungsten carbide and hardness with respect to sialon.
【図９】従来における薄膜型サーマルプリントヘッドの
要部拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged sectional view of a main part of a conventional thin film thermal printhead.
１１ ヘッド基板 １２ グレーズ層 １３ 発熱抵抗体層 １４ 給電用導体膜 １５ 保護膜 １５ａ 第１保護膜 １５ｂ 第２保護膜 11 Head Substrate 12 Glaze Layer 13 Heating Resistor Layer 14 Feeding Conductor Film 15 Protective Film 15a First Protective Film 15b Second Protective Film
Claims (2)
抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較的薄
い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚さの
第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシリコ
ン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに炭化タン
グステン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成すること
を特徴とするサーマルプリントヘッド。1. A thermal print head comprising a glaze layer, a heating resistor layer, and a large number of power supply conductor films formed on the upper surface of a head substrate, and a protective film covering all of these layers. The protective film is composed of two layers, a first protective film having a relatively thin thickness in a lower layer and a second protective film having a relatively thick thickness in an upper layer, and the first protective film is formed of silicon oxide. On the other hand, the second protective film is replaced with Si-
A thermal print head, which is formed of a material in which tungsten carbide (WC) is appropriately added to sialon made of an Al-O-N-based compound.
抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較的薄
い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚さの
第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシリコ
ン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに少量のコ
バルト（Ｃｏ）を含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜
添加した材料にて形成することを特徴とするサーマルプ
リントヘッド。2. A thermal print head comprising a head substrate, a glaze layer, a heating resistor layer, and a large number of power supply conductor films formed on the upper surface of the head substrate, and a protective film covering all of them. The protective film is composed of two layers, a first protective film having a relatively thin thickness in a lower layer and a second protective film having a relatively thick thickness in an upper layer, and the first protective film is formed of silicon oxide. On the other hand, the second protective film is replaced with Si-
A thermal print head, which is formed of a material in which tungsten carbide (WC) containing a small amount of cobalt (Co) is appropriately added to sialon made of an Al-O-N-based compound.
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|---|---|---|---|---|
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1992
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100844284B1 (en) * | 2000-09-27 | 2008-07-09 | 라이카 게오시스템스 아게 | Apparatus and method for signal acquisition in a distance measuring device |
| WO2014051143A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | Thermal head and thermal printer provided with same |
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