JPH0679896A - サーマルプリントヘッド - Google Patents
サーマルプリントヘッドInfo
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- JPH0679896A JPH0679896A JP23601492A JP23601492A JPH0679896A JP H0679896 A JPH0679896 A JP H0679896A JP 23601492 A JP23601492 A JP 23601492A JP 23601492 A JP23601492 A JP 23601492A JP H0679896 A JPH0679896 A JP H0679896A
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- protective film
- sialon
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- heating resistor
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘッド基板１１の上面における発熱抵抗体層
１３を保護膜１５で覆うように構成したサーマルプリン
トヘッドにおいて、その印字応答性及び耐久性の向上を
図る。 【構成】 前記保護膜１５を、下層における比較的薄い
厚さの第１保護膜１５ａと、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜１５ｂとの二層に構成し、前記第１保護
膜１５ａをシリコン酸化物にて形成する一方、前記第２
保護膜１５ｂを、サイアロンに炭化タングステンを適宜
添加した材料にて形成する。
１３を保護膜１５で覆うように構成したサーマルプリン
トヘッドにおいて、その印字応答性及び耐久性の向上を
図る。 【構成】 前記保護膜１５を、下層における比較的薄い
厚さの第１保護膜１５ａと、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜１５ｂとの二層に構成し、前記第１保護
膜１５ａをシリコン酸化物にて形成する一方、前記第２
保護膜１５ｂを、サイアロンに炭化タングステンを適宜
添加した材料にて形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ等におけ
る印字ヘッドとして使用されるサーマルプリントヘッド
の改良に関するものである。
る印字ヘッドとして使用されるサーマルプリントヘッド
の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜型のサーマルプリントヘッ
ドは、図９に示すすように、セラミック製のヘッド基板
１の上面に、ガラス製のグレーズ層２をヘッド基板１の
長手方向に沿って帯状に形成すると共に、例えば、Ｔａ
−ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層３を形成し、更に、
この発熱抵抗体層３の上面に、当該発熱抵抗体層３を前
記グレーズ層２に沿って部分的に発熱するためのアルミ
等から成る多数本の給電用導体膜４を形成したのち、こ
れらの全体の表面を、保護膜５にて覆うように構成して
いる。
ドは、図９に示すすように、セラミック製のヘッド基板
１の上面に、ガラス製のグレーズ層２をヘッド基板１の
長手方向に沿って帯状に形成すると共に、例えば、Ｔａ
−ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層３を形成し、更に、
この発熱抵抗体層３の上面に、当該発熱抵抗体層３を前
記グレーズ層２に沿って部分的に発熱するためのアルミ
等から成る多数本の給電用導体膜４を形成したのち、こ
れらの全体の表面を、保護膜５にて覆うように構成して
いる。
【０００３】ところで、前記保護膜５には、当該保護膜
５に対して記録紙がプラテン等によって押圧されながら
擦り付けられることにより、高い耐磨耗性と、給電用導
体膜４及び発熱抵抗体層３に対する高い電気絶縁性とを
有することが要求される。そこで、先行技術としての特
開平２−２３８９５６号公報は、前記保護膜５の材料と
して、従来のガラスよりも高い耐磨耗性を有すると共
に、高い電気絶縁性（比抵抗）を有するＳｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ系の化合物から成るサイアロン（ＳＩＡＬＯＮ）を
使用することを提案している。
５に対して記録紙がプラテン等によって押圧されながら
擦り付けられることにより、高い耐磨耗性と、給電用導
体膜４及び発熱抵抗体層３に対する高い電気絶縁性とを
有することが要求される。そこで、先行技術としての特
開平２−２３８９５６号公報は、前記保護膜５の材料と
して、従来のガラスよりも高い耐磨耗性を有すると共
に、高い電気絶縁性（比抵抗）を有するＳｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ系の化合物から成るサイアロン（ＳＩＡＬＯＮ）を
使用することを提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記したサイ
アロンは、熱伝導率が低いことにより、保護膜５をこの
サイアロン製にした場合には、熱の応答性が悪いため、
印字の応答性が低くて高速印字に適合しないのであり、
高速印字に適合するためには、発熱抵抗体層３に対する
単位時間当たりの印字エネルギーを高くしなければなら
ないが、印字エネルギーを高くすると、消費電力が増大
するばかりか、発熱抵抗体層３及び各給電用導体膜４の
破壊を招来することになる。
アロンは、熱伝導率が低いことにより、保護膜５をこの
サイアロン製にした場合には、熱の応答性が悪いため、
印字の応答性が低くて高速印字に適合しないのであり、
高速印字に適合するためには、発熱抵抗体層３に対する
単位時間当たりの印字エネルギーを高くしなければなら
ないが、印字エネルギーを高くすると、消費電力が増大
するばかりか、発熱抵抗体層３及び各給電用導体膜４の
破壊を招来することになる。
【０００５】しかも、サイアロンは、一般に、約１０11
（Ω・ｃｍ）を越える高い電気絶縁性を有するために、
このサイアロンにて形成した保護膜５には、静電気が蓄
電し、静電放電により発熱抵抗体層３が静電破壊を起す
と言う問題も発生するのであった。本発明は、前記した
サイアロンに対して炭化タングステン（ＷＣ）を添加す
るか、又は、少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化タング
ステン（ＷＣ）を添加することにより、その熱伝導率を
高くすることができる一方、比抵抗を下げることができ
る点に着目し、このことを利用して、前記の各問題を解
消すると共に、保護膜における耐磨耗性を更に向上する
ことを技術的課題とするものである。
（Ω・ｃｍ）を越える高い電気絶縁性を有するために、
このサイアロンにて形成した保護膜５には、静電気が蓄
電し、静電放電により発熱抵抗体層３が静電破壊を起す
と言う問題も発生するのであった。本発明は、前記した
サイアロンに対して炭化タングステン（ＷＣ）を添加す
るか、又は、少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化タング
ステン（ＷＣ）を添加することにより、その熱伝導率を
高くすることができる一方、比抵抗を下げることができ
る点に着目し、このことを利用して、前記の各問題を解
消すると共に、保護膜における耐磨耗性を更に向上する
ことを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発
熱抵抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、
これらの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリ
ントヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較
的薄い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシ
リコン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに炭化
タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成する
か、或いは、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成することにし
た。
るため本発明は、ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発
熱抵抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、
これらの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリ
ントヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較
的薄い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシ
リコン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに炭化
タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成する
か、或いは、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成することにし
た。
【０００７】
【作 用】図６において実線で示す曲線Ａは、前記し
たＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに
対して炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料に
おいて、その熱伝導率を、炭化タングステン（ＷＣ）の
各含有量について測定した場合の図である。
たＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに
対して炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料に
おいて、その熱伝導率を、炭化タングステン（ＷＣ）の
各含有量について測定した場合の図である。
【０００８】また、図７は、前記したＳｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加した材料において、その比抵抗
を、炭化タングステン（ＷＣ）の各含有量について測定
した場合の図である。更にまた、図８は、前記したＳｉ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して
炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料におい
て、その硬度を、炭化タングステン（ＷＣ）の各含有量
について測定した場合の図である。
Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加した材料において、その比抵抗
を、炭化タングステン（ＷＣ）の各含有量について測定
した場合の図である。更にまた、図８は、前記したＳｉ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して
炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料におい
て、その硬度を、炭化タングステン（ＷＣ）の各含有量
について測定した場合の図である。
【０００９】これらの図より明らかなように、サイアロ
ンに対して炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加するこ
とにより、この材料における熱伝導率及び硬度は、炭化
タングステン（ＷＣ）の含有量に比例して高くなる一
方、前記材料における比抵抗は、炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）の含有量に比例して低くなることにより、電気絶縁
性が大幅に低下するのであった。
ンに対して炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加するこ
とにより、この材料における熱伝導率及び硬度は、炭化
タングステン（ＷＣ）の含有量に比例して高くなる一
方、前記材料における比抵抗は、炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）の含有量に比例して低くなることにより、電気絶縁
性が大幅に低下するのであった。
【００１０】そこで、本発明においては、保護膜を、下
層における比較的薄い厚さの第１保護膜と、上層におけ
る比較的厚い厚さの第２保護膜との二層に構成し、前記
第１保護膜をシリコン酸化物にて形成する一方、前記第
２保護膜を、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材
料にて形成すると言う構成にしたのである。
層における比較的薄い厚さの第１保護膜と、上層におけ
る比較的厚い厚さの第２保護膜との二層に構成し、前記
第１保護膜をシリコン酸化物にて形成する一方、前記第
２保護膜を、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材
料にて形成すると言う構成にしたのである。
【００１１】すなわち、シリコン酸化物は、高い電気絶
縁性を有するから、このシリコン酸化物にて第１保護膜
を形成することにより、第２保護膜を、前記のように電
気絶縁性の低い、従って、静電気の蓄電が少ない材料に
て形成しても、これら各保護膜より下層の給電用導体膜
及び発熱抵抗体層に対して高い電気絶縁性を確保するこ
とができる。
縁性を有するから、このシリコン酸化物にて第１保護膜
を形成することにより、第２保護膜を、前記のように電
気絶縁性の低い、従って、静電気の蓄電が少ない材料に
て形成しても、これら各保護膜より下層の給電用導体膜
及び発熱抵抗体層に対して高い電気絶縁性を確保するこ
とができる。
【００１２】これに加えて、前記シリコン酸化物の第１
保護膜における厚さを薄くし、その上層の第２保護膜
を、前記したように、高い熱伝導率と高い硬度とを有す
る材料にて形成して、その厚さを厚くしたことにより、
保護膜の全体としての熱伝導率を、当該保護膜の全体を
先行技術のようにサイアロンにて形成する場合よりも高
くすることができる一方、保護膜に対して、高い耐磨耗
性を付与することができるのである。
保護膜における厚さを薄くし、その上層の第２保護膜
を、前記したように、高い熱伝導率と高い硬度とを有す
る材料にて形成して、その厚さを厚くしたことにより、
保護膜の全体としての熱伝導率を、当該保護膜の全体を
先行技術のようにサイアロンにて形成する場合よりも高
くすることができる一方、保護膜に対して、高い耐磨耗
性を付与することができるのである。
【００１３】一方、前記図６において点線で示す曲線Ｂ
は、前記したＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに対して、６ｗｔ％のコバルト（Ｃｏ）を含む
炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料におい
て、その熱伝導率を、各含有量について測定した場合の
図である。この図から判るように、サイアロンに対して
６ｗｔ％のコバルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を
適宜添加することで、その材料における熱伝導率を、サ
イアロンに対して炭化タングステン（ＷＣ）のみを適宜
添加した場合よりも高くすることができるから、保護膜
のうち第２保護膜を、サイアロンに対して６ｗｔ％のコ
バルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した
材料にて形成することにより、保護膜における熱伝導率
を、更に向上できるのである。
は、前記したＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサ
イアロンに対して、６ｗｔ％のコバルト（Ｃｏ）を含む
炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材料におい
て、その熱伝導率を、各含有量について測定した場合の
図である。この図から判るように、サイアロンに対して
６ｗｔ％のコバルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を
適宜添加することで、その材料における熱伝導率を、サ
イアロンに対して炭化タングステン（ＷＣ）のみを適宜
添加した場合よりも高くすることができるから、保護膜
のうち第２保護膜を、サイアロンに対して６ｗｔ％のコ
バルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した
材料にて形成することにより、保護膜における熱伝導率
を、更に向上できるのである。
【００１４】また、サイアロンに添加する炭化タングス
テン（ＷＣ）に対し６ｗｔ％のコバルトを含有させるこ
とにより、サイアロンに対して炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）を添加した場合、その材料における靱性は、サイア
ロンのみの場合よりも寧ろ低下することになるが、サイ
アロンに対して６ｗｔ％のコバルトを含む炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加することにより、前記靱性の低
下を防止できるのであった。
テン（ＷＣ）に対し６ｗｔ％のコバルトを含有させるこ
とにより、サイアロンに対して炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）を添加した場合、その材料における靱性は、サイア
ロンのみの場合よりも寧ろ低下することになるが、サイ
アロンに対して６ｗｔ％のコバルトを含む炭化タングス
テン（ＷＣ）を適宜添加することにより、前記靱性の低
下を防止できるのであった。
【００１５】なお、サイアロンに対して６ｗｔ％のコバ
ルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材
料における比抵抗及び硬度は、サイアロンに対して炭化
タングステン（ＷＣ）のみを適宜添加した場合と殆ど同
じであったが、しかし、炭化タングステン（ＷＣ）にお
けるコバルトの含有量が２０ｗｔ％を越えると、熱伝導
率が、コバルトを含ない場合よりも低下することが認め
られたことから、炭化タングステン（ＷＣ）に対するコ
バルトの含有量は２０ｗｔ％以下にとどめることが好ま
しい。
ルトを含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜添加した材
料における比抵抗及び硬度は、サイアロンに対して炭化
タングステン（ＷＣ）のみを適宜添加した場合と殆ど同
じであったが、しかし、炭化タングステン（ＷＣ）にお
けるコバルトの含有量が２０ｗｔ％を越えると、熱伝導
率が、コバルトを含ない場合よりも低下することが認め
られたことから、炭化タングステン（ＷＣ）に対するコ
バルトの含有量は２０ｗｔ％以下にとどめることが好ま
しい。
【００１６】
【発明の効果】従って、本発明によると、保護膜におけ
る熱伝導率を高くできることにより、印字応答性を向上
できるから、印字エネルギーを増大することなく、消費
電力の増加及び給電導体る等の破壊を生じることなく、
高速印字に適合することができ、しかも、保護膜におけ
る静電気による静電気破壊を確実に低減できると共に、
保護膜における耐磨耗性を増大できるから、サーマルプ
リントヘッドにおける耐久性を大幅に向上できる効果を
有する。
る熱伝導率を高くできることにより、印字応答性を向上
できるから、印字エネルギーを増大することなく、消費
電力の増加及び給電導体る等の破壊を生じることなく、
高速印字に適合することができ、しかも、保護膜におけ
る静電気による静電気破壊を確実に低減できると共に、
保護膜における耐磨耗性を増大できるから、サーマルプ
リントヘッドにおける耐久性を大幅に向上できる効果を
有する。
【００１７】特に、「請求項２」によると、前記の効果
を一層助長することができるのである。
を一層助長することができるのである。
【００１８】
【実施例】以下、本発明における実施例を、その製造方
法と共に、図１〜図５の図面について説明する。図１及
び図２は、セラミック製のヘッド基板１１の上面に、ガ
ラス製のグレーズ層１２を、ヘッド基板１１の長手方向
に沿って帯状に延びるように形成すると共に、例えば、
Ｔａ−ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層１３を形成し、
更に、この発熱抵抗体層１３の上面に、発熱抵抗体層１
３を前記グレーズ層１２に沿って部分的に発熱するため
のアルミ等から成る多数本の給電用導体膜１４を形成し
たものを示すものである。
法と共に、図１〜図５の図面について説明する。図１及
び図２は、セラミック製のヘッド基板１１の上面に、ガ
ラス製のグレーズ層１２を、ヘッド基板１１の長手方向
に沿って帯状に延びるように形成すると共に、例えば、
Ｔａ−ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層１３を形成し、
更に、この発熱抵抗体層１３の上面に、発熱抵抗体層１
３を前記グレーズ層１２に沿って部分的に発熱するため
のアルミ等から成る多数本の給電用導体膜１４を形成し
たものを示すものである。
【００１９】このように、上面にグレーズ層１２、発熱
抵抗体層１３及び給電用導体膜１４を形成したヘッド基
板１１の全体を、高真空度に保持したスパッタリング容
器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面と対向する部
位に、シリコン酸化物のターゲットを配設して、このタ
ーゲットと前記ヘッド基板１１との間にターゲッド電圧
を印加すると言うスパッタリングを行うことにより、或
いは、ＣＶＤ法により、図３に示すように、厚さ０．２
〜３ミクロンのシリコン酸化物による第１保護膜１５ａ
を形成する。
抵抗体層１３及び給電用導体膜１４を形成したヘッド基
板１１の全体を、高真空度に保持したスパッタリング容
器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面と対向する部
位に、シリコン酸化物のターゲットを配設して、このタ
ーゲットと前記ヘッド基板１１との間にターゲッド電圧
を印加すると言うスパッタリングを行うことにより、或
いは、ＣＶＤ法により、図３に示すように、厚さ０．２
〜３ミクロンのシリコン酸化物による第１保護膜１５ａ
を形成する。
【００２０】次いで、前記第１保護膜１５ａを形成した
ヘッド基板１１を、再び、高真空度に保持したスパッタ
リング容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面と対
向する部位に、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサ
イアロンと炭化ダングステン（ＷＣ）とを適宜比率で混
合したのち焼結して成る焼結ターゲットを配設するか、
或いは、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサイアロ
ンと少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化ダングステン
（ＷＣ）とを適宜比率で混合したのち焼結して成る焼結
ターゲットを配設して、前記と同様にスパッタリングを
行うことにより、図４に示すように、サイアロン−炭化
ダングステン製、又はサイアロン−コバルト・炭化ダン
グステン製の第２保護膜１５ｂを、その厚さを２〜６ミ
クロンにして形成して、この第２保護膜１５ｂと、前記
シリコン酸化物製の第１保護膜１５ａとによって、保護
膜１５の全体を形成するのである。
ヘッド基板１１を、再び、高真空度に保持したスパッタ
リング容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面と対
向する部位に、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサ
イアロンと炭化ダングステン（ＷＣ）とを適宜比率で混
合したのち焼結して成る焼結ターゲットを配設するか、
或いは、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサイアロ
ンと少量のコバルト（Ｃｏ）を含む炭化ダングステン
（ＷＣ）とを適宜比率で混合したのち焼結して成る焼結
ターゲットを配設して、前記と同様にスパッタリングを
行うことにより、図４に示すように、サイアロン−炭化
ダングステン製、又はサイアロン−コバルト・炭化ダン
グステン製の第２保護膜１５ｂを、その厚さを２〜６ミ
クロンにして形成して、この第２保護膜１５ｂと、前記
シリコン酸化物製の第１保護膜１５ａとによって、保護
膜１５の全体を形成するのである。
【００２１】なお、前記第２保護膜１５ｂをスパッタリ
ングにて形成するに際しては、そのターゲットとして、
図５に示すように、サイアロン製のターゲットＣ1 と、
炭化ダングステン製、又はコバルト炭化ダングステン製
のターゲットＣ2 とを、適宜の混合比率に応じた面積比
でモザイク状に組み合わせて成る合成ターゲットＣを使
用することによって行うようにしても良いのである。
ングにて形成するに際しては、そのターゲットとして、
図５に示すように、サイアロン製のターゲットＣ1 と、
炭化ダングステン製、又はコバルト炭化ダングステン製
のターゲットＣ2 とを、適宜の混合比率に応じた面積比
でモザイク状に組み合わせて成る合成ターゲットＣを使
用することによって行うようにしても良いのである。
【図１】ヘッド基板の上面にグレーズ層及び発熱抵抗体
層並びに給電用導体膜を形成した状態の要部拡大断面図
である。
層並びに給電用導体膜を形成した状態の要部拡大断面図
である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】前記ヘッド基板の上面に第１保護膜を形成した
状態の要部拡大断面図である。
状態の要部拡大断面図である。
【図４】前記ヘッド基板の上面に第２保護膜を形成した
状態の要部拡大断面図である。
状態の要部拡大断面図である。
【図５】前記第２保護膜をスパッタリングにて形成する
ときに使用する合成ターゲットの斜視図である。
ときに使用する合成ターゲットの斜視図である。
【図６】サイアロンに対する炭化タングステンの含有量
と熱伝導率との関係を示す図である。
と熱伝導率との関係を示す図である。
【図７】サイアロンに対する炭化タングステンの含有量
と比抵抗との関係を示す図である。
と比抵抗との関係を示す図である。
【図８】サイアロンに対する炭化タングステンの含有量
と硬度との関係を示す図である。
と硬度との関係を示す図である。
【図９】従来における薄膜型サーマルプリントヘッドの
要部拡大断面図である。
要部拡大断面図である。
１１ ヘッド基板 １２ グレーズ層 １３ 発熱抵抗体層 １４ 給電用導体膜 １５ 保護膜 １５ａ 第１保護膜 １５ｂ 第２保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発熱抵
抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較的薄
い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚さの
第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシリコ
ン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに炭化タン
グステン（ＷＣ）を適宜添加した材料にて形成すること
を特徴とするサーマルプリントヘッド。 - 【請求項２】ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発熱抵
抗体層及び多数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較的薄
い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚さの
第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシリコ
ン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに少量のコ
バルト（Ｃｏ）を含む炭化タングステン（ＷＣ）を適宜
添加した材料にて形成することを特徴とするサーマルプ
リントヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23601492A JP3016969B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | サーマルプリントヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23601492A JP3016969B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | サーマルプリントヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0679896A true JPH0679896A (ja) | 1994-03-22 |
| JP3016969B2 JP3016969B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=16994505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23601492A Expired - Fee Related JP3016969B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | サーマルプリントヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016969B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100844284B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2008-07-09 | 라이카 게오시스템스 아게 | 거리 측정 장치에서 신호 포착을 위한 장치 및 방법 |
| WO2014051143A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP23601492A patent/JP3016969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100844284B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2008-07-09 | 라이카 게오시스템스 아게 | 거리 측정 장치에서 신호 포착을 위한 장치 및 방법 |
| WO2014051143A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
| CN104619504A (zh) * | 2012-09-28 | 2015-05-13 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机 |
| JP5918383B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-05-18 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
| US9440450B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-09-13 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer provided with same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3016969B2 (ja) | 2000-03-06 |
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Legal Events
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Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 |
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