JPH0680425B2

JPH0680425B2 - 空燃比検出器

Info

Publication number: JPH0680425B2
Application number: JP60040198A
Authority: JP
Inventors: 大須賀　　稔; 宜茂大山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1985-02-28
Filing date: 1985-02-28
Publication date: 1994-10-12
Anticipated expiration: 2009-10-12
Also published as: JPS61200457A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は内燃機関の空燃比を閉ループ制御する空燃比検
出器に係り、特に周囲温度の影響を受けない出力を得る
のに好適な空燃比検出器に関する。

〔発明の背景〕

従来の装置は、特開昭57−192852に記載のように、固体
電解質の温度を検出する手段として、固体電解質に交流
を用いるか、温度測定の期間を設けるか、温度測定用素
子を設けるようになつていた。また、排気温度やエンジ
ンの運転状態より電解質の温度を推測することも知られ
ている（実開昭59−103265,特開昭59−188054）。しか
し、構造が複雑となつたり、間接的な温度検出のため精
度が不十分などの問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、周囲温度の影響を受けない空燃比信号
を得る空燃比検出器を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、空燃比検出器の出力信号中に、固体電解質の
温度に関連する情報が内存されていることを見い出し、
この情報を基にして空燃比検出器の出力が周囲温度の影
響を受けないように温度補償することを特徴とする。

〔発明の実施例〕

本発明の説明に先行して、本発明の基礎となる原理につ
き第１図乃至第６図により説明する。固体電解質１の排
気側に多孔質の拡散抵抗体２が設けられている。固体電
解質１は袋管状となつており、内側には大気が導かれて
いる。さらに内側には、ヒーター３が内蔵されている。
固体電解質１には、排気側と大気側にそれぞれ電極4a,4
bが設けられており、定電流回路により、両電極間に正
・逆の一定電流を時分割的に印加する。この時の端子電
圧Ｖの変化より出力を得る。第２図は、第１図の丸印内
を拡大した図である。本センサは、濃空燃比をも測定す
る目的で、固体電解質１に印加する電流の方向を時分割
的に反転する。その動作は第２図に示すように、初めI_b
を図中の矢印の向きに流して、大気中の酸素を排気中に
ある拡散抵抗体２内に流し込む。次にI_SをI_bとは逆向き
に流し、拡散抵抗体２内より酸素を引き抜く。前者をバ
イアス動作、後者をセンシング動作と呼ぶ。このバイア
ス動作により、濃空燃比の測定が可能になる。

第３図に拡散抵抗体２内の酸素濃度の分布（図中の実曲
線）の変化と、固体電解質１の端子電圧Ｖの変化を示し
た。第３図（ａ）は、バイアス動作時の図である。I_bを
流し拡散抵抗体２内に酸素を送り込むと、拡散抵抗体２
内の酸素濃度分布は、固体電解質１側が排気側の排気中
の酸素濃度Ｐ_ｅよりも高くなり、やがてはある分布曲線
に収束する。このため、端子電圧Ｖも電極4aの酸素濃度
が増加するにつれて増加し、やがては一定値に収束す
る。このときのＶは、ここでr:固体電解質１の内部抵抗 T:固体電解質１の温度 R:ガス定数 F:フアラデー定数Ｐ（4a）：電極4a側の酸素濃度Ｐ（4b）：電極4b側の酸素濃度となり、右辺第２項は起電力であり、この値が減小する
に従つてＶは増加する。このバイアス動作で、Ｐ（4a）
がＰ_ｅより高い状態が生じるので濃空燃の測定が可能と
なるのである。

第３図（ｂ），（ｃ）は、センシング動作時であり、
（ｂ）はリーン空燃比、（ｃ）はリツチ空燃比のときで
ある。このときの端子電圧Ｖは、で表わされる。第３図（ｂ）において、I_Sを流し拡散抵
抗体１内の酸素を引き抜くと、電極4a側の酸素濃度が序
々に減少していき（図中の実直線）やがては零となる。
この時期において、端子電圧Ｖ上に（２）式右辺第２項
の起電力が重畳されてくる。この起電力による増加分が
一定値E_SLになつた時に、センシング動作を終了すれ
ば、このときの時間t_Lが空燃比に比例した値となる。第
３図（ｃ）は、リツチ空燃比の場合で、バイアス動作後
の酸素濃度分布は、排気側から拡散してくる可燃性ガス
（CO,HC,H₂）との酸素が反応するため、Ｐ＝０の領域が
生じる。このため、センシング時に検出される酸素量は
少なくなるために、Ｖの変化分がE_SLとなるまでの時間t
_Rは、t_Lよりも小さくなる。以上により、リツチ空燃比
が測定できる。

第４図（ａ）には、I_S，I_b,Vのタイミングチヤートを示
した。第４（ａ）図に示したように、I_b，I_Sを方向を反
転しながら時分割的に流す。I_b，I_Sは一定電流とし、バ
イアス動作時間t_bを一定にして、センシング動作時に
は、Ｖの増加分がE_SL（一定値）になつた時点で測定を
終了し、この時の時間t_Sを測定すれば空燃比が求められ
る。第４（ｂ）図は、本方式による出力特性であり、t_S
はリツチからリーンまでの広い範囲で空燃比に比例す
る。

第５図は、本センサの動作を実行するための回路の一実
施例である。５は定電流源であり、スイツチ6a,bをON
し、スイツチ7a,bをOFFするとI_Sが固体電解質１に流れ
センシング動作を行う。またスイツチ6a,bをOFFし、ス
イツチ7a,bをONするとI_bが流れバイアス動作を行う。こ
こではI_S＝I_bである。以下、第６（ａ）図の波形を用い
ながら本回路の動作を説明する。初めにスイツチ6a,6b
にON信号が入力されて、センシング動作（第６（ａ）図
の（イ））が開始した時点から説明する。このON信号が
遅延回路８に入力されると、第６（ａ）−（イ）図に示
したように、t_d後にON信号がサンプルホールド回路９に
出力される。サンプルホールド回路９は、センシング動
作開始からt_d後の端子電圧V_Hをホールドする。このV
_Hに、加算回路10によりE_SLが加算されコンパレータ11に
入力される。コンパレータ11では、V_H＋E_SLよりも端子
電圧が大きくなつた時点でトリガ信号を出す。このトリ
ガ信号は、単安定マルチバイブレータ12に入力され、ト
リガ信号入力後t_b間は、をOFF、ＱをON状態にする。
すなわち、このt_b間はスイツチ7a,bにはON信号、スイツ
チ6a,bにはOFF信号が入力され、バイアス動作を行う
（第６（ａ）−（ロ）図）。時間t_b経過すると、マルチ
バイブレータ12のは再びON、ＱはOFF状態となるので
センシング動作を開始する。出力はがONしている時
間、つまりt_Sをアナログ出力に変換する出力回路13によ
り作られる。

ここで、ホールドされたV_Hは、（１），（２）式で示す
rIとほぼ等しく、固体電解質１の内部抵抗ｒを示してお
り（∵I_b＝I_S＝一定）、しいては固体電解質１の温度を
も示している。

次に、周囲の温度T_aがT_a′（T_a＞T_a′）と変化した場合
の波形の変化について、第６図により説明する。第６図
（ａ）−（イ）はセンシング時の波形、（ａ）−（ロ）
はバイアス時の波形である。温度がT_aからT_a′と低くな
ると、V_HはV_H′と高くなる（（１），（２）式）。ここ
で、E_SLをどちらの場合も同じとすると、T_a′の時の方
がセンシング時間t_S′が短くなる。なお、図６（ａ）−
（ロ）のバイアス波形は、t_bは一定にしているので変化
せず、絶対値は、やはりT_a′の時の方が高くなり、温度
によりt_Sに誤差が生じる。このようにt_Sに誤差が生じる
理由を、第６図（ｂ）により説明する。第６図（ｂ）中
で拡散抵抗体２内の酸素濃度分布を示した。分布D_S（di
stribution in sensing action）は、センシング動作終
了時の分布で、分布D_b（distribution in bias actio
n）は、バイアス動作終了時の分布を示している。
D_S′，D_b′は、温度がT_a′のときのそれぞれの分布を示
している。I_b，I_S，t_b，E_SLをそれぞれ固定した値にす
ると、D_SとD_S′，D_bとD_b′間に差が生じる。これは、温
度の差により、拡散抵抗体２内の酸素の拡散速度が異な
るためである。ここで、D_S，D_S′はE_SLを一定としてい
るので、電極4aでのＰ（4a）がほぼ零となるまで酸素を
引き抜かれるため、ほぼ同じ分布となる。一方、D_b，
D_b′は、t_bを一定としているため、酸素の拡散速度の差
より、差が生じ、D_b′よりもD_bの方が全体的に高い分布
となる。以上に示したように、周囲の温度が変化した場
合、酸素の拡散速度に起因する酸素濃度分布の変化の様
子が異なるためにt_Sに変化が生じる。t_S′がt_Sより小さ
くなるために、第６図（ｃ）に示したように、T_a′の時
の出力がT_aの時のものより低くなつてしまい、温度によ
り誤差が生じることになる。

第７図は、上記の温度変化による誤差を生じさせないた
めの回路の一実施例である。サンプルホールド回路９に
よりホールドされたV_H（内部抵抗を示す値）をコンパレ
ータ14である一定の値V_Hrefと比較し、V_H＜V_Hrefの時に
ON信号をトランジスタ15のベースに入力し、トランジス
タ15を非導通状態にし、ヒーター３への通電を停止す
る。このV_H＜V_Hrefは、固体電解質１の内部抵抗ｒが小
さい状態、つまり温度が設定温度よりも高くなつている
状態であり、この場合は前述したように、ヒーター３へ
の通電を停止する。次にV_H＞V_refになると、コンパレー
タ14はOFF信号をトランジスタ15のベースに出力するた
め、ヒーター３は通電される。つまり、固体電解質１の
温度が設定温度よりも低くなつた時に、ヒーター３に通
電する。以上により、V_Hがある値V_Hrefに制御できるた
め、固体電解質１の温度は常に一定値に制御される。こ
れにより周囲温度の影響に無関係に空燃比の検出が可能
となる。

第８図には、第７図の回路の動作原理と実験結果を示
す。固体電解質１の温度を一定に保つているため、第８
図（ａ）−（イ）のセンシング時の波形も、（ａ）−
（ロ）のバイアス時の波形もT_aとT_a′では同じとなる。
また第８図（ｂ）に示したようにD_SとD_S′，D_bとD_b′の
それぞれの分布も同一となる。以上の原理により測定し
た出力値を第８図（ｃ）に示す。周囲の温度がT_a，T_a′
と異なつても、ヒーター３の制御により固体電解質１の
温度は一定に保たれるため、T_a，T_a′の時の出力は一致
する。

次に、他の温度補償原理を第９図に示す。ここで、I_S＝
I_b＝一定、E_SL一定である。第９図（ａ）−（イ）に示
したように、センシング時にホールドした値V_H，V_H′を
バイアス時（第９図（ａ）−（ロ））まで保持してお
き、バイアス時の端子電圧V_BがV_Hと等しくなつたらバイ
アス動作を終了するようにする。このため、T_a′と周囲
温度が低い時には、t_b′とバイアス時間が長くなるた
め、センシング時間t_Sとt_S′には差がなくなる。この原
理を第９図（ｂ）で示す。バイアス終了時の端子電圧V_B
をV_H（センシング開始時の端子電圧）と等しくすること
は、（１）式と（２）式のＶを等しくすることであり、
これは、Ｐ（4a）＝Ｐ（4b） …（３）となつた時に生じる。つまり、Ｐ（4a）は大気中の酸素
濃度であるために、Ｐ（4a）は、ほぼ大気中の酸素濃度
になるまで上昇する。つまり、周囲温度（T_a，T_a′）に
よらず、Ｐ（4a）は常に一定の値となるため、D_b′とD_b
はほぼ同じ分布となる。このため、第６図（ｂ）に示し
たようなD_bとD_b′の差がなくなり、温度に影響されない
t_Sが得られる。第９図（ｃ）は実測結果であり、周囲温
度がT_aからT_a′に変化するとバイアス時間t_bがt_b′と長
くなるために、周囲温度の影響を受けない出力が得られ
る。

第10図は、第９図の動作原理を実行するための回路の一
実施例である。サンプルホールド回路９によりホールド
されたV_Hを、コンパレータ16に入力し、バイアス時、I_b
が流れている時の端子電圧V_Bと比較する。V_BとV_Hが等し
くなつたら、コンパレータ16はOFF信号を出力し、これ
が単安定マルチバイブレータ12のリセツト端子に入力さ
れ、がON、ＱがOFFとなり、スイツチ6a,bがON、スイ
ツチ7a,bがOFFする。すると、V_Bがアースされ、コンパ
レータ16はONし、マルチバイブレータ12は、ON,QOFF
の状態をつづける。次にセンシング時に端子電圧V_Sの変
化分がE_SLより大きくなると、コンパレータ17はOFFす
る。このOFF信号がマルチバイブレータ12のプリセツト
端子に入力され、がOFF、ＱがONとなりバイアス動作
が始まる。この時V_Sはアースされるためコンパレータ17
はすぐにONし、マルチバイブレータ12は、OFF,QONの
状態をつづける。以上のように、第10図の回路により、
第９図に示した補償動作が実行され、自動的に温度補償
された出力が得られる。

以上のように、固体電解質１の温度が低い場合には、バ
イアス時間を長くすれば良いことがわかる。第9,10図に
示した方式では、t_bが自動的に変わるが、次の第11,12
図に示す方式は、t_bを強制的に変える方式である。つま
り第11図に示したように、T_aからT_a′と温度が変化した
場合に、V_H，V_H′の変化を検出して、この変化に伴い、
t_bをt_b′と長くすることによりバイアス時間を長くし、
出力を一定に保つ構成である。この動作を実現する回路
の一実施例を、第12図に示す。第12図においてサンプル
ホールド回路９によりホールドされたV_HをA/D変換器18
を介してマイクロコンピユータ19に取り込む。センシン
グ動作が終了したことを示すコンパレータ11の＋トリガ
信号により、マイクロコンピユータ19内でV_Hを基に決め
られたバイアス時間t_b間だけONする信号を出力する。こ
のON信号により、スイツチ7a,7bはONし、インバーター2
0の作用でスイツチ6a,6bはOFFしてt_b間だけバイアス動
作が接続される。バイアス時間t_bが経過すると、コンピ
ユータ19からの出力はOFFし、スイツチ7a,bはOFFする。
一方、インバーター20の作用で、スイツチ6a,bはONして
センシング動作が開始する。出力電圧V_HがV_H′と高くな
ると、バイアス時間t_bはt_b′と長くなるように出力され
る。尚、マイクロコンピユータ19内において、回転数信
号21、負荷信号22、吸入空気量23、冷却水温24、吸気温
25、排気温26によりバイアス時間t_bに補正を加える場合
もある。

第13図，第14図には、他の温度補償回路構成を示す。こ
の構成は、周囲温度がT_aからT_a′と変化した場合に、バ
イアス時間t_bは変化せずに、バイアス動作時に流れる電
流値I_bを変化させるものである。すなわち、T_aの変化量
を、V_Hの変化量により検出し、バイアス電流I_bを変化さ
せる。周囲温度T_aがT_a′と低い場合には、バイアス電流
I_bをI_b′と大きくし（第13図（ｂ）−（ロ））、同じバ
イアス時間でも、バイアス酸素量が同一になるようにす
る。これにより、あたかもバイアス時間を長くしたよう
になり、出力の温度依存性はなくなる。なお、第13図
（ｂ）−（イ）に示したようにセンシング時の電流は同
じにする。

第14図は基本的には第５図の回路構成と同じであるが、
センシング時の電流I_Sの電源５と、バイアス時の電流I_b
の電源を別にしている点で異なる。第14図においてバイ
アス電流I_bは次のようにして作られる。すなわち、OPア
ンプ27とトランジスタ28の作用により抵抗R₁の両端の電
圧がV_Rになるようにコントロールされる。このためバイ
アス電流I_bは、で決定される。V_Rは、電圧レギユレータ29、抵抗R₂，
R₃，R₄……R_i、スイツチS₃，S₄……S_iにより決定され
る。つまり、マイクロコンピユータ19に入力されたV_Hに
基づいてI_bが決定され、このI_bをスイツチS₃，S₄……S_i
の何個かをONすることにより作り出す。以上のように、
V_Hが大きくなつた時は大きなI_bを、V_Hが小さくなつた時
は、小さなI_bをセンサに供給できる。

第15図には他の実施例を示す。回路構成は、第５図、第
７図と同じで良い。本実施例におけるセンサの出力は、
固体電解質１の温度が、T₁＞T₂＞T₃……＞T_iと低くなる
に従い、第15図（ａ）に示すように空燃比λと出力V_out
の関係が変化する。この関係を、空燃比λをｘ軸、出力
V_outをｙ軸として、例えば一次式で近似すると温度T₁のときｘ＝m₁y＋n₁ 温度T₂のときｘ＝m₂y＋n₂ 温度T₃のときｘ＝m₃y＋n₃ ：：温度T_iのときｘ＝m_iy＋n_i となる。以上の係数m₁……m_i，n₁……n_iをマイクロコン
ピユータ内に予め記憶しておき、ホールドしたV_Hをコン
ピユーターに取り込んで、第15図（ｂ）に示したよう
に、空燃比λを決定するにあたりV_Hがある値V₁より大き
いときは、係数m₁，n₁を用い、V₁＞V_H≧V₂の時は、m₂，
n₂を用いるというように、V_Hによりλを決定する係数を
変化させれば、温度Ｔがいかなる値となろうとも、正し
い空燃比λが検出できる。なお、この近似式は、多次元
の近似式の方が精度は良くなるので、これを用いても良
い。

第16図，第17図は他の温度補償回路構成を示す。本実施
例ではI_b，I_S，t_bを固定し、E_SLを変化させて温度補償
するものである。すなわち、温度が低い場合は、E_SL＜E
_SL′とE_SLを大きくしてセンシング時間が長くなるよう
にして温度補償するものである。第16図（ａ）はセンシ
ング時の波形で、第６図（ｂ）はバイアス時の波形であ
る。第16図（ａ）に示したように、周囲温度がT_a′の場
合、E_SLをE_SL′とすれば、センシングの時間は長くな
る。

第17図において、OPアンプ30によりV_Hに加算するE_SLの
値をマイクロコンピユータ19の出力により変化させる。
ホールドされたV_Hがマイクロコンピユータ19内に取り込
まれる。このV_Hにより決定されたE_SLを、マイクロコン
ピユータ19の出力により動作するスイツチS₁，S₂……S_i
により作り出される。このようにV_HによりE_SLを変える
ことにより、温度の影響を受けない出力が得られる。

第18図，第19図は、温度関数信号としてセンシング時
（第18図（ａ））のV_Hの変わりに、バイアス時（第18図
（ｂ））の最終時の端子電圧V_BHを用いる他の一実施例
である。このV_BHも、（１）式からわかるように、ほぼr
Iに比例する。なぜならＰ（4a）≒Ｐ（4b）だからであ
る。

第19図は、V_BHをホールドする回路の一実施例である。
バイアス動作時は、マルチバイブレータ12のＱはONして
いる。このためスイツチ31もON状態となり、コンデンサ
32にバイアス時の端子電圧V_Bが常に充電される。バイア
ス動作が終了した時にスイツチ31はOFFするので、端子
電圧の最終値がコンデンサ32には充電されたままになつ
ている。この値をバツフアアンプ33を介してV_BHとして
出力する。このV_BHを前述した温度補償回路構成の温度
関数信号として用いることができる。

第20図は、温度関数信号を得るための構成を示した一実
施例である。固体電解質１の上に、空燃比を測定するた
めの電極4a,bの他に、内部抵抗測定用の電極35a,bが設
けられる。定電流源36によりI₂を電極35a,b間に流す。
この場合、電極35aを正確にして、酸素を大気から排気
側に流し、この時の定電流値I₂と電圧値より固体電解質
１の内部抵抗を求める。酸素を大気側から排気側に流す
ため、排気中の酸素濃度が小さくても、内部抵抗が測定
できる。また、この時のI₂は、大気通路の拡散抵抗成分
による限界電流値より小さな値とする必要がある。この
温度関数信号を、マイクロコンピユータ37に入力して、
ヒーター制御や、前述したような補正を行なう。第20図
は、バイアス時間に補正を加えた場合の一実施例であ
る。

第21図は、温度関数信号を得る他の構成を示した一実施
例である。すなわち、測定時の端子電圧の平均値V_aVを
温度関数信号とするものである。第21図（ａ）に示した
実線の波形が、端子電圧であり、点線で示した値が温度
関数信号として用いる平均化した値V_aVである。この平
均値V_aVは、マイクロコンピユータ37で、デジタル的に
時間積分することにより得られる。第21図（ｂ）に示し
た一実施例は、より簡単な構成のもので、測定時の端子
電圧のみをスイツチ38で抵抗39、コンデンサ40で作つた
積分回路に入れて、波形を積分する。その後、この値を
ホールドしておき、バツフアアンプ41を介して、マイク
ロコンピユータ37に入力する。この入力値は、第21図
（ａ）のV_aVとほぼ同じ値となるために、温度関数信号
として使える。このV_aVを基に、ヒータ制御や前述した
ような補正に用いる。第21図（ｂ）の一実施例は、バイ
アス時間を変えるものである。第22図（ａ）に示したよ
うに、温度を測定するためだけの第３の期間t_Cを設ける
ものであり、この時間t_C間に固体電解質１に定電流を流
し、内部抵抗を測定する。第22図（ｂ）において、t_C間
はスイツチ6a,bをOFF、スイツチ7a,bをONさせて、大気
から排気中に酸素を流す。また、このt_C間スイツチ42を
ONさせて、t_C間の端子電圧を、コンデンサ43によりホー
ルドし、バツフアアンプ44を介してマイクロコンピユー
タ37に入力する。マイクロコンピユータ37では、この信
号を基に、ヒーター制御や前能した補正に用いる。

第23図は、温度関数信号を得る他の構成を示し、エンジ
ン45下流の排気管46に、排気温センサ47を設けて、この
センサ47の信号を温度関数信号として使用するものであ
る。この信号をマイクロコンピユータ37に入力し、空燃
比センサ49の駆動回路48に補正信号を出力する。

第24図は他の一実施例を示し、吸入空気量センサ50や、
吸気管負圧センサ51と、回転数センサ52により、エンジ
ン45の運転状態（回転数と負荷）を検出し、この運転状
態を温度関数信号として、マイクロコンピユータによ
り、空燃比センサ49の駆動回路48に補正信号を送り、温
度補償する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、周囲温度に影響を受けない、空燃比に
対する出力が得られるので、検出精度が向上する利点が
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明の基礎となる原理を説明する
図、第７図乃至第24図は、本発明の各種実施例を示す図
である。１…固体電解質、２…拡散抵抗体、３…ヒーター、４…
電極、９…ホールド回路、19…マイクロコンピユータ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所 9218−2ＪＧ０１Ｎ 27/46 ３２５Ｎ 9218−2Ｊ 27/58 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸素イオン伝導性の固体電解質と、前記固
体電解質の一方の面に設けられた第１電極と、前記固体
電解質の他方の面に設けられ、大気と接している第２電
極と、前記第１電極上に設けられるとともに測定ガスに
さらされる拡散抵抗体とを具備した空燃比検出器におい
て、前記第２電極側より前記固体電解質を介して前記第
１電極側に前記第１電極と前記第２電極との間に定電流
を流すことにより酸素を送り込んだ後、前記第１電極側
から前記固体電解質を介して前記第２電極側へ前記第１
電極と前記第２電極との間に定電流を流すことにより酸
素を引き抜き、この酸素引き抜き時に前記第１電極と前
記第２電極との間に生ずる電圧変化から測定ガス中の酸
素濃度を測定する手段と、前記固体電解質の温度の関数
となる信号を出力する出力手段と、前記出力手段からの
温度関数信号に応答して前記固体電解質の周囲温度によ
る影響を補償する補償手段とを備えたことを特徴とする
空燃比検出器。
【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記温度
関数信号は酸素引き抜き時の出力信号として得られるこ
とを特徴とする空燃比検出器。
【請求項３】特許請求の範囲第１項において、前記２電
極側にヒータが設けられ、前記補償手段はこのヒータに
供給される電流を制御することを特徴とする空燃比検出
器。
【請求項４】特許請求の範囲第１項において、前記補償
手段は、前記第１電極側に酸素を送り込んだ時の電圧値
が、前記温度関数信号より得られた電圧値に達した時
に、酸素の送り込みを終了することにより温度補償する
ことを特徴とする空燃比検出器。
【請求項５】特許請求の範囲第１項において、前記補償
手段は、前記第１電極側に酸素を送り込む期間を、前記
温度関数信号により変化させて温度補償することを特徴
とする空燃比検出器。
【請求項６】特許請求の範囲第１項において、前記補償
手段は、前記第１電極側に酸素を送り込むために上記固
体電解質に印加する電流値を、前記温度関数信号に基づ
いて変化させ温度補償することを特徴とする空燃比検出
器。
【請求項７】特許請求の範囲第１項において、前記補償
手段は、固体電解質の各温度における、空燃比と検出器
出力の関係をあらかじめ記憶しておき、前記温度関数信
号に基づいて、記憶された関係により空燃比を求め温度
影響のない出力を得ることを特徴とする空燃比検出器。
【請求項８】特許請求の範囲第１項において、前記補償
手段は、酸素引き抜き時間幅を決定する端子電圧の変化
幅を、前記温度関数信号により可変とし温度補償するこ
とを特徴とする空燃比検出器。
【請求項９】特許請求の範囲第１項において、前記温度
関数信号を、前記第１電極側に酸素を送り込むときの固
体電解質の出力信号より得ることを特徴とする空燃比検
出器。
【請求項１０】特許請求の範囲第１項において、前記温
度関数信号は前記固体電解質上に設けられた内部抵抗を
測定することにより得られることを特徴とする空燃比検
出器。
【請求項１１】特許請求の範囲第１項において、端子電
圧の時間的平均値を温度関数信号とすることを特徴とす
る空燃比検出器。
【請求項１２】特許請求の範囲第１項において、前記固
体電解質の内部抵抗を測定するための第３の期間を設
け、この期間に測定した内部抵抗値を温度関数信号とす
ることを特徴とする空燃比検出器。
【請求項１３】特許請求の範囲第１項において、エンジ
ンの排気温度を測定して温度関数信号を得ることを特徴
とする空燃比検出器。
【請求項１４】特許請求の範囲第１項において、エンジ
ンの回転数と負荷より温度関数信号を得ることを特徴と
する空燃比検出器。