JPH0680633B2 - Vapor phase growth equipment - Google Patents
Vapor phase growth equipmentInfo
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- JPH0680633B2 JPH0680633B2 JP19631785A JP19631785A JPH0680633B2 JP H0680633 B2 JPH0680633 B2 JP H0680633B2 JP 19631785 A JP19631785 A JP 19631785A JP 19631785 A JP19631785 A JP 19631785A JP H0680633 B2 JPH0680633 B2 JP H0680633B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 有機金属化合物ガスを用いて化合物半導体を成長させる
気相成長装置において、特にS,Se,Te等のVI族元素を含
む化合物の成長を行うに当たり、これらの化合物がカー
ボン・サセプターにも付着して基板を固着する現象が発
生する。本発明はサファイア・サセプターを介在させる
ことによりこれを防止すると共に温度分布特性の改善を
はかった。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] In a vapor phase growth apparatus for growing a compound semiconductor using an organometallic compound gas, particularly when growing a compound containing a Group VI element such as S, Se, Te, etc. The compound adheres to the carbon susceptor and sticks to the substrate. The present invention prevents this by interposing a sapphire susceptor and improves the temperature distribution characteristics.
本発明は化合物半導体、特にVI族元素を含む化合物を気
相成長させるに当たり、基板を設置するサセプターの構
造の改良に関する。The present invention relates to an improvement in the structure of a susceptor on which a substrate is placed for vapor phase growth of a compound semiconductor, particularly a compound containing a Group VI element.
化合物半導体のエピタキシャル成長の方法として、液相
成長法（LPE）と気相成長法等があるが、気相成長法の
中でも有機金属化合物ガスを使用するMOCVD（Metal Org
anicCVD）法は、装置構造が簡単であり、成長層の制御
が容易であるので多く用いられる傾向にある。Liquid phase epitaxy (LPE) and vapor phase epitaxy are two methods for epitaxial growth of compound semiconductors. Among the vapor phase epitaxy methods, MOCVD (Metal Org
The anicCVD) method tends to be used frequently because of its simple device structure and easy control of the growth layer.
MOCVD法では、反応槽内に外部高周波電源により加熱さ
れるカーボン・サセプターが設置され、その上に基板を
おいてソースガスが導入するが、カーボン・サセプター
の温度分布の改善、またVI族元素を含む化合物の成長で
は化合物がカーボンに接着するという問題があり、改善
が要望されている。In the MOCVD method, a carbon susceptor heated by an external high-frequency power source is installed in the reaction tank, and the source gas is introduced with the substrate placed on it, but the temperature distribution of the carbon susceptor is improved, and group VI elements are added. There is a problem that the compound adheres to carbon in the growth of the compound containing it, and improvement is desired.
従来より一般に使用されている気相エピタキシャル成長
装置を、一例としてCdTeをエピタキシャル成長させる場
合について説明する。As an example, a vapor phase epitaxial growth apparatus that has been generally used in the past will be described for the case of epitaxially growing CdTe.
第２図はその装置の断面構造を示す。１は石英よりなる
反応槽、２は有機金属化合物ガスを導入するガス導入
管、３は排気装置に接続されたガス排出管、４はカーボ
ン・サセプター、５はカーボン・サセプターを加熱する
ための高周波コイルを示す。FIG. 2 shows the sectional structure of the device. 1 is a reaction tank made of quartz, 2 is a gas introduction pipe for introducing an organometallic compound gas, 3 is a gas discharge pipe connected to an exhaust device, 4 is a carbon susceptor, and 5 is a high frequency wave for heating the carbon susceptor. Shows a coil.
CdTeよりなる基板６をカーボン・サセプター上に設置し
て、ガス導入管２よりジメチル・カドミュウム(CH3)2C
d、及びジエチル・テルル(C2H5)2Teの混合ガスを導入す
る。A substrate 6 made of CdTe was placed on the carbon susceptor, and dimethyl cadmium (CH 3 ) 2 C was introduced from the gas inlet tube 2.
A mixed gas of d and diethyl tellurium (C 2 H 5 ) 2 Te is introduced.
カーボン・サセプター４は高周波コイルにより加熱さ
れ、基板６は400〜450℃の温度に保たれる。有機化合物
ガスは加熱された基板上で分解して、CdTeのエピタキシ
ャル層が成長する。The carbon susceptor 4 is heated by the high frequency coil, and the substrate 6 is kept at a temperature of 400 to 450 ° C. The organic compound gas decomposes on the heated substrate to grow an epitaxial layer of CdTe.
上記に述べた、従来の構造の気相成長装置では２つの問
題を生ずる。The above-described conventional vapor phase growth apparatus has two problems.
第１に基板を加熱するのに高周波コイルによるカーボン
・サセプターの誘導加熱によっていることである。従っ
て、カーボン・サセプター内を流れる誘導電流は均一で
ないため、これによる発熱も部分的に差異があり、基板
の温度上昇にも不均一を生ずる。First, the substrate is heated by induction heating of the carbon susceptor by a high frequency coil. Therefore, since the induced current flowing in the carbon susceptor is not uniform, the heat generation due to this is also partially different, and the temperature rise of the substrate becomes uneven.
第２の問題としてS,Se,Teの３元素は、化合半導体の構
成元素として多く半導体素子に使用されている。これら
の３元素は周期律表ではVI族に属し、また、別にこれら
３元素のみをカルコゲンとも呼ばれ、非金属的なる特性
を示すことが知られている。As a second problem, the three elements S, Se and Te are often used in semiconductor devices as constituent elements of compound semiconductors. It is known that these three elements belong to Group VI in the periodic table, and that only these three elements are also called chalcogens and show nonmetallic characteristics.
このため気相成長時に、これらの元素を含む化合物はカ
ーボン・サセプター上にも析出して固着するという現象
を生ずる。Therefore, during vapor phase growth, a compound containing these elements precipitates and adheres to the carbon susceptor.
その結果、成長工程の終了後、基板がサセプターに固着
して基板を取り外すことが出来ない場合が起こる。As a result, there is a case where the substrate cannot be removed because the substrate adheres to the susceptor after the growth process.
上記S,Se,Teの何れかの元素を含む材料膜の気相成長で
の問題点は、カーボン・サセプター上に直接基板を設置
する構造ではなく、サファイア・サセプターをカーボン
・サセプター上に載置して、これに基板を設置せる構造
よりなる本発明の気相成長装置によって解決される。The problem with vapor phase growth of the material film containing any of the elements S, Se, and Te is that the sapphire susceptor is placed on the carbon susceptor instead of the structure in which the substrate is directly placed on the carbon susceptor. Then, the problem can be solved by the vapor phase growth apparatus of the present invention having a structure in which the substrate is placed on this.
サファイアはAl2O3を主成分とする絶縁物でS,Se,Te等の
カルコゲン化合物とは接着しない特性がある。Sapphire is an insulator containing Al 2 O 3 as a main component and has a characteristic that it does not adhere to chalcogen compounds such as S, Se and Te.
また、サファイア・サセプターは絶縁物であるため高周
波コイルで加熱しても、これには直接誘導電流は流れ
ず、熱伝導は比較的良好であるのでカーボン・サセプタ
ーよりの熱を熱伝導により基板に伝える。この結果カー
ボン・サセプターの温度分布は均一化されて基板に伝え
られる。In addition, since the sapphire susceptor is an insulator, even if it is heated with a high frequency coil, no induced current flows directly into it, and heat conduction is relatively good, so the heat from the carbon susceptor is transferred to the substrate by heat conduction. Tell. As a result, the temperature distribution of the carbon susceptor is made uniform and transmitted to the substrate.
本発明の一実施例を図面により詳細説明する。第１図は
本発明に用いるサセプターの構造断面図を示す。サセプ
ターは２層構造よりなり、従来のごとくカーボン・サセ
プター４と、その上に載置されたサファイア・サセプタ
ー７により構成される。An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a structural sectional view of a susceptor used in the present invention. The susceptor has a two-layer structure and is composed of a carbon susceptor 4 and a sapphire susceptor 7 mounted on the carbon susceptor 4 as in the conventional case.
第１図に示すごとくカーボン・サセプター４には凸部
を、サファイア・サセプター７には凹部を設けて両者が
嵌合状態で使用される。基板６はサファイア・サセプタ
ー７上に設置さる。As shown in FIG. 1, the carbon susceptor 4 is provided with a convex portion and the sapphire susceptor 7 is provided with a concave portion so that both are used in a fitted state. The substrate 6 is installed on the sapphire susceptor 7.
その他の構造は従来の気相成長装置と変わらない。高周
波コイル５によりカーボン・サセプター４は加熱され、
熱伝導によりサファイア・サセプターを経て基板が加熱
される。Other structures are the same as the conventional vapor phase growth apparatus. The high frequency coil 5 heats the carbon susceptor 4,
The heat is applied to heat the substrate through the sapphire susceptor.
カーボン・サセプターを高周波で加熱せる場合、カーボ
ンの外周部の温度が上昇し易い傾向がある。サファイア
・サセプターの厚さ、カーボン・サセプターとの嵌合の
寸法を調整することにより基板の温度上昇の均一化をは
かることが出来る。When heating the carbon susceptor at a high frequency, the temperature of the outer peripheral portion of the carbon tends to rise. By adjusting the thickness of the sapphire susceptor and the size of fitting with the carbon susceptor, it is possible to make the temperature rise of the substrate uniform.
上記構造のサセプターを使用することによりS,Se,Te等
のカルコゲン化合物を気相成長させた結果、基板がサセ
プター部に接着する問題は無くなった。As a result of vapor-phase growth of a chalcogen compound such as S, Se, Te using the susceptor having the above structure, the problem that the substrate adheres to the susceptor part disappeared.
以上に説明せるごとく本発明の気相成長装置を用いるこ
とにより、半導体成長層がサセプターに付着して基板が
損傷する問題がなくなり、また成長時の基板の温度上昇
の均一化が行われて品質の向上に寄与する所大である。As described above, by using the vapor phase growth apparatus of the present invention, there is no problem that the semiconductor growth layer adheres to the susceptor and the substrate is damaged, and the temperature rise of the substrate during growth is uniformized. It is a major contribution to the improvement of
第１図は本発明にかかわるサセプター部の構造を示す断
面図、 第２図は従来の気相成長装置の構造断面図、 を示す。 図面において、 １は反応槽、 ２は反応ガス導入管、 ３はガス排出管、 ４はカーボン・サセプター、 ５は高周波コイル、 ６は基板、 ７はサファイア・サセプター、 をそれぞれ示す。FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a susceptor part according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a structure of a conventional vapor phase growth apparatus. In the drawings, 1 is a reaction tank, 2 is a reaction gas introduction pipe, 3 is a gas discharge pipe, 4 is a carbon susceptor, 5 is a high frequency coil, 6 is a substrate, and 7 is a sapphire susceptor.
Claims (1)
ア・サセプター（７）を載置し、該サファイア・サセプ
ター上に基板（６）を搭載する機構を備え、 S,Se,Teの何れかの元素を含む材料膜の成長を行わしめ
ることを特徴とする気相成長装置。1. A mechanism for mounting a sapphire susceptor (7) on a carbon susceptor (4) and mounting a substrate (6) on the sapphire susceptor, comprising any one of S, Se and Te. A vapor phase growth apparatus characterized in that a material film containing an element is grown.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631785A JPH0680633B2 (en) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | Vapor phase growth equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631785A JPH0680633B2 (en) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | Vapor phase growth equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254929A JPS6254929A (en) | 1987-03-10 |
| JPH0680633B2 true JPH0680633B2 (en) | 1994-10-12 |
Family
ID=16355802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19631785A Expired - Lifetime JPH0680633B2 (en) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | Vapor phase growth equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680633B2 (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274715A (en) * | 1988-09-07 | 1990-03-14 | Kajima Corp | Construction method of self-standing retaining wall |
| JPH03172415A (en) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Tenotsukusu:Kk | Construction method for improved pillar-train wall and device therefor |
| JPH04214639A (en) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Nippon Seiki Co Ltd | Chalcogen compound manufacturing method and manufacturing device |
| JPH07238538A (en) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | R S Japan Reader:Kk | Continuous underground wall construction method |
| KR960002534A (en) * | 1994-06-07 | 1996-01-26 | 이노우에 아키라 | Pressure reducing and atmospheric pressure treatment device |
| JP2700765B2 (en) * | 1994-06-22 | 1998-01-21 | 株式会社丸徳基業 | Underground wall construction method |
| US8535445B2 (en) * | 2010-08-13 | 2013-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Enhanced wafer carrier |
| WO2015112969A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Veeco Instruments. Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19631785A patent/JPH0680633B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254929A (en) | 1987-03-10 |
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