JPH0680633B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0680633B2 JPH0680633B2 JP19631785A JP19631785A JPH0680633B2 JP H0680633 B2 JPH0680633 B2 JP H0680633B2 JP 19631785 A JP19631785 A JP 19631785A JP 19631785 A JP19631785 A JP 19631785A JP H0680633 B2 JPH0680633 B2 JP H0680633B2
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- Japan
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- susceptor
- substrate
- vapor phase
- phase growth
- carbon
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 有機金属化合物ガスを用いて化合物半導体を成長させる
気相成長装置において、特にS,Se,Te等のVI族元素を含
む化合物の成長を行うに当たり、これらの化合物がカー
ボン・サセプターにも付着して基板を固着する現象が発
生する。本発明はサファイア・サセプターを介在させる
ことによりこれを防止すると共に温度分布特性の改善を
はかった。
気相成長装置において、特にS,Se,Te等のVI族元素を含
む化合物の成長を行うに当たり、これらの化合物がカー
ボン・サセプターにも付着して基板を固着する現象が発
生する。本発明はサファイア・サセプターを介在させる
ことによりこれを防止すると共に温度分布特性の改善を
はかった。
本発明は化合物半導体、特にVI族元素を含む化合物を気
相成長させるに当たり、基板を設置するサセプターの構
造の改良に関する。
相成長させるに当たり、基板を設置するサセプターの構
造の改良に関する。
化合物半導体のエピタキシャル成長の方法として、液相
成長法（LPE）と気相成長法等があるが、気相成長法の
中でも有機金属化合物ガスを使用するMOCVD（Metal Org
anicCVD）法は、装置構造が簡単であり、成長層の制御
が容易であるので多く用いられる傾向にある。
成長法（LPE）と気相成長法等があるが、気相成長法の
中でも有機金属化合物ガスを使用するMOCVD（Metal Org
anicCVD）法は、装置構造が簡単であり、成長層の制御
が容易であるので多く用いられる傾向にある。
MOCVD法では、反応槽内に外部高周波電源により加熱さ
れるカーボン・サセプターが設置され、その上に基板を
おいてソースガスが導入するが、カーボン・サセプター
の温度分布の改善、またVI族元素を含む化合物の成長で
は化合物がカーボンに接着するという問題があり、改善
が要望されている。
れるカーボン・サセプターが設置され、その上に基板を
おいてソースガスが導入するが、カーボン・サセプター
の温度分布の改善、またVI族元素を含む化合物の成長で
は化合物がカーボンに接着するという問題があり、改善
が要望されている。
従来より一般に使用されている気相エピタキシャル成長
装置を、一例としてCdTeをエピタキシャル成長させる場
合について説明する。
装置を、一例としてCdTeをエピタキシャル成長させる場
合について説明する。
第２図はその装置の断面構造を示す。１は石英よりなる
反応槽、２は有機金属化合物ガスを導入するガス導入
管、３は排気装置に接続されたガス排出管、４はカーボ
ン・サセプター、５はカーボン・サセプターを加熱する
ための高周波コイルを示す。
反応槽、２は有機金属化合物ガスを導入するガス導入
管、３は排気装置に接続されたガス排出管、４はカーボ
ン・サセプター、５はカーボン・サセプターを加熱する
ための高周波コイルを示す。
CdTeよりなる基板６をカーボン・サセプター上に設置し
て、ガス導入管２よりジメチル・カドミュウム(CH3)2C
d、及びジエチル・テルル(C2H5)2Teの混合ガスを導入す
る。
て、ガス導入管２よりジメチル・カドミュウム(CH3)2C
d、及びジエチル・テルル(C2H5)2Teの混合ガスを導入す
る。
カーボン・サセプター４は高周波コイルにより加熱さ
れ、基板６は400〜450℃の温度に保たれる。有機化合物
ガスは加熱された基板上で分解して、CdTeのエピタキシ
ャル層が成長する。
れ、基板６は400〜450℃の温度に保たれる。有機化合物
ガスは加熱された基板上で分解して、CdTeのエピタキシ
ャル層が成長する。
上記に述べた、従来の構造の気相成長装置では２つの問
題を生ずる。
題を生ずる。
第１に基板を加熱するのに高周波コイルによるカーボン
・サセプターの誘導加熱によっていることである。従っ
て、カーボン・サセプター内を流れる誘導電流は均一で
ないため、これによる発熱も部分的に差異があり、基板
の温度上昇にも不均一を生ずる。
・サセプターの誘導加熱によっていることである。従っ
て、カーボン・サセプター内を流れる誘導電流は均一で
ないため、これによる発熱も部分的に差異があり、基板
の温度上昇にも不均一を生ずる。
第２の問題としてS,Se,Teの３元素は、化合半導体の構
成元素として多く半導体素子に使用されている。これら
の３元素は周期律表ではVI族に属し、また、別にこれら
３元素のみをカルコゲンとも呼ばれ、非金属的なる特性
を示すことが知られている。
成元素として多く半導体素子に使用されている。これら
の３元素は周期律表ではVI族に属し、また、別にこれら
３元素のみをカルコゲンとも呼ばれ、非金属的なる特性
を示すことが知られている。
このため気相成長時に、これらの元素を含む化合物はカ
ーボン・サセプター上にも析出して固着するという現象
を生ずる。
ーボン・サセプター上にも析出して固着するという現象
を生ずる。
その結果、成長工程の終了後、基板がサセプターに固着
して基板を取り外すことが出来ない場合が起こる。
して基板を取り外すことが出来ない場合が起こる。
上記S,Se,Teの何れかの元素を含む材料膜の気相成長で
の問題点は、カーボン・サセプター上に直接基板を設置
する構造ではなく、サファイア・サセプターをカーボン
・サセプター上に載置して、これに基板を設置せる構造
よりなる本発明の気相成長装置によって解決される。
の問題点は、カーボン・サセプター上に直接基板を設置
する構造ではなく、サファイア・サセプターをカーボン
・サセプター上に載置して、これに基板を設置せる構造
よりなる本発明の気相成長装置によって解決される。
サファイアはAl2O3を主成分とする絶縁物でS,Se,Te等の
カルコゲン化合物とは接着しない特性がある。
カルコゲン化合物とは接着しない特性がある。
また、サファイア・サセプターは絶縁物であるため高周
波コイルで加熱しても、これには直接誘導電流は流れ
ず、熱伝導は比較的良好であるのでカーボン・サセプタ
ーよりの熱を熱伝導により基板に伝える。この結果カー
ボン・サセプターの温度分布は均一化されて基板に伝え
られる。
波コイルで加熱しても、これには直接誘導電流は流れ
ず、熱伝導は比較的良好であるのでカーボン・サセプタ
ーよりの熱を熱伝導により基板に伝える。この結果カー
ボン・サセプターの温度分布は均一化されて基板に伝え
られる。
本発明の一実施例を図面により詳細説明する。第１図は
本発明に用いるサセプターの構造断面図を示す。サセプ
ターは２層構造よりなり、従来のごとくカーボン・サセ
プター４と、その上に載置されたサファイア・サセプタ
ー７により構成される。
本発明に用いるサセプターの構造断面図を示す。サセプ
ターは２層構造よりなり、従来のごとくカーボン・サセ
プター４と、その上に載置されたサファイア・サセプタ
ー７により構成される。
第１図に示すごとくカーボン・サセプター４には凸部
を、サファイア・サセプター７には凹部を設けて両者が
嵌合状態で使用される。基板６はサファイア・サセプタ
ー７上に設置さる。
を、サファイア・サセプター７には凹部を設けて両者が
嵌合状態で使用される。基板６はサファイア・サセプタ
ー７上に設置さる。
その他の構造は従来の気相成長装置と変わらない。高周
波コイル５によりカーボン・サセプター４は加熱され、
熱伝導によりサファイア・サセプターを経て基板が加熱
される。
波コイル５によりカーボン・サセプター４は加熱され、
熱伝導によりサファイア・サセプターを経て基板が加熱
される。
カーボン・サセプターを高周波で加熱せる場合、カーボ
ンの外周部の温度が上昇し易い傾向がある。サファイア
・サセプターの厚さ、カーボン・サセプターとの嵌合の
寸法を調整することにより基板の温度上昇の均一化をは
かることが出来る。
ンの外周部の温度が上昇し易い傾向がある。サファイア
・サセプターの厚さ、カーボン・サセプターとの嵌合の
寸法を調整することにより基板の温度上昇の均一化をは
かることが出来る。
上記構造のサセプターを使用することによりS,Se,Te等
のカルコゲン化合物を気相成長させた結果、基板がサセ
プター部に接着する問題は無くなった。
のカルコゲン化合物を気相成長させた結果、基板がサセ
プター部に接着する問題は無くなった。
以上に説明せるごとく本発明の気相成長装置を用いるこ
とにより、半導体成長層がサセプターに付着して基板が
損傷する問題がなくなり、また成長時の基板の温度上昇
の均一化が行われて品質の向上に寄与する所大である。
とにより、半導体成長層がサセプターに付着して基板が
損傷する問題がなくなり、また成長時の基板の温度上昇
の均一化が行われて品質の向上に寄与する所大である。
第１図は本発明にかかわるサセプター部の構造を示す断
面図、 第２図は従来の気相成長装置の構造断面図、 を示す。 図面において、 １は反応槽、 ２は反応ガス導入管、 ３はガス排出管、 ４はカーボン・サセプター、 ５は高周波コイル、 ６は基板、 ７はサファイア・サセプター、 をそれぞれ示す。
面図、 第２図は従来の気相成長装置の構造断面図、 を示す。 図面において、 １は反応槽、 ２は反応ガス導入管、 ３はガス排出管、 ４はカーボン・サセプター、 ５は高周波コイル、 ６は基板、 ７はサファイア・サセプター、 をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】カーボン・サセプター（４）上にサファイ
ア・サセプター（７）を載置し、該サファイア・サセプ
ター上に基板（６）を搭載する機構を備え、 S,Se,Teの何れかの元素を含む材料膜の成長を行わしめ
ることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631785A JPH0680633B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631785A JPH0680633B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254929A JPS6254929A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0680633B2 true JPH0680633B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16355802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19631785A Expired - Lifetime JPH0680633B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680633B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274715A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-14 | Kajima Corp | 自立山留め壁の構築方法 |
| JPH03172415A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Tenotsukusu:Kk | 改良柱列壁の施工方法及びその装置 |
| JPH04214639A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Nippon Seiki Co Ltd | カルコゲン化合物の製造方法及び製造装置 |
| JPH07238538A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | R S Japan Reader:Kk | 連続地中壁構築工法 |
| KR960002534A (ko) * | 1994-06-07 | 1996-01-26 | 이노우에 아키라 | 감압·상압 처리장치 |
| JP2700765B2 (ja) * | 1994-06-22 | 1998-01-21 | 株式会社丸徳基業 | 地中壁の施工法 |
| US8535445B2 (en) * | 2010-08-13 | 2013-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Enhanced wafer carrier |
| US10145013B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-12-04 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor desposition systems |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19631785A patent/JPH0680633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254929A (ja) | 1987-03-10 |
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