JPH0680719B2 - エンドステ−シヨン - Google Patents
エンドステ−シヨンInfo
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- JPH0680719B2 JPH0680719B2 JP59226583A JP22658384A JPH0680719B2 JP H0680719 B2 JPH0680719 B2 JP H0680719B2 JP 59226583 A JP59226583 A JP 59226583A JP 22658384 A JP22658384 A JP 22658384A JP H0680719 B2 JPH0680719 B2 JP H0680719B2
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- JP
- Japan
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- chamber
- carrier
- wafer
- carry
- vacuum
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0468—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H10P72/0471—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0612—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、大気中のウェハを真空の搬入室を経て真空
の処理室に搬送し、そこでイオン注入等の処理の後真空
の搬出室を経て大気中に取り出すエンドステーションに
関する。
の処理室に搬送し、そこでイオン注入等の処理の後真空
の搬出室を経て大気中に取り出すエンドステーションに
関する。
第６図は、従来のエンドステーションの概略を示す平面
図である。このエンドステーションは、一つのウェハ搬
送ラインから成り、真空度が例えば10-5〜10-7Torrの処
理室２と、処理室２への大気の直接の流入を防止するた
めの真空度が例えば10-1Torr〜10-3Torrの予備室である
搬入室１および搬出室３から構成されている。搬入室
１、処理室２および搬出室３はそれぞれ真空排気系を有
している。大気と搬入室１との間、搬入室１と処理室２
との間、処理室２と搬出室３との間および搬出室３と大
気との間には、それぞれ、ゲートバルブ４、５、６、７
が設けられており、これによってウェハＷの搬送時以外
は各搬入室１、処理室２及び搬出室３の真空気密が独自
に保たれる。尚ウェハＷの搬送は、搬送ベルト８、９、
10、11、12によって行われる。
図である。このエンドステーションは、一つのウェハ搬
送ラインから成り、真空度が例えば10-5〜10-7Torrの処
理室２と、処理室２への大気の直接の流入を防止するた
めの真空度が例えば10-1Torr〜10-3Torrの予備室である
搬入室１および搬出室３から構成されている。搬入室
１、処理室２および搬出室３はそれぞれ真空排気系を有
している。大気と搬入室１との間、搬入室１と処理室２
との間、処理室２と搬出室３との間および搬出室３と大
気との間には、それぞれ、ゲートバルブ４、５、６、７
が設けられており、これによってウェハＷの搬送時以外
は各搬入室１、処理室２及び搬出室３の真空気密が独自
に保たれる。尚ウェハＷの搬送は、搬送ベルト８、９、
10、11、12によって行われる。
第７図は、第６図の装置の概略動作を示すタイムチャー
トである。ウェハＷは、大気中に置かれた複数枚のウェ
ハを装着したキャリアまたは他の搬送ラインから１枚ず
つ搬入室１に搬入され（図中（ｃ））、搬入室１を真空
排気（例えば真空荒引き）後（図中（ｄ））処理室２に
搬送され（図中（ｂ））、処理室２においてイオン注入
等の処理が行われる（図中（ａ））。その後ウェハＷ
は、搬出室３へ搬送され（図中（ｂ））、搬出室３をガ
スリークの後再び大気中へ搬出される（図中（ｃ））。
トである。ウェハＷは、大気中に置かれた複数枚のウェ
ハを装着したキャリアまたは他の搬送ラインから１枚ず
つ搬入室１に搬入され（図中（ｃ））、搬入室１を真空
排気（例えば真空荒引き）後（図中（ｄ））処理室２に
搬送され（図中（ｂ））、処理室２においてイオン注入
等の処理が行われる（図中（ａ））。その後ウェハＷ
は、搬出室３へ搬送され（図中（ｂ））、搬出室３をガ
スリークの後再び大気中へ搬出される（図中（ｃ））。
尚、以上のようなエンドステーションの一例が特開昭57
−205955号公報に示されている。
−205955号公報に示されている。
上述のようなエンドステーションでは、ウェハの処理能
力（単位時間当りの処理枚数）は、主として、処理室２
における注入時間および搬入室１、搬出室３における真
空排気（例えば真空荒引き）時間によって決定される。
例えば、ウェハ交換時間を７秒とした場合、注入時間が
10秒の場合は処理能力は200枚／時程度であり、注入時
間が５秒の場合は処理能力は300枚／時程度である。
力（単位時間当りの処理枚数）は、主として、処理室２
における注入時間および搬入室１、搬出室３における真
空排気（例えば真空荒引き）時間によって決定される。
例えば、ウェハ交換時間を７秒とした場合、注入時間が
10秒の場合は処理能力は200枚／時程度であり、注入時
間が５秒の場合は処理能力は300枚／時程度である。
ところが近年のイオンビームの大面積、大電流化に伴い
注入時間の短縮化（例えば１〜２秒）が可能になってき
たが、上述したエンドステーションでは、たとえ注入時
間が５秒以下となっても処理能力は主として搬入室１、
搬出室３の真空引き（例えば真空荒引き）時間によって
制限され、処理能力を大幅に改善させることは非常に難
しい（第７図参照）。この場合真空引き（例えば真空荒
引き）時間を非常に短くすることは、排気系が巨大にな
りスペース、コスト等の面から非現実的である。
注入時間の短縮化（例えば１〜２秒）が可能になってき
たが、上述したエンドステーションでは、たとえ注入時
間が５秒以下となっても処理能力は主として搬入室１、
搬出室３の真空引き（例えば真空荒引き）時間によって
制限され、処理能力を大幅に改善させることは非常に難
しい（第７図参照）。この場合真空引き（例えば真空荒
引き）時間を非常に短くすることは、排気系が巨大にな
りスペース、コスト等の面から非現実的である。
従ってこの発明は、真空引き（例えば真空荒引き）時間
が溢路になっている点を解決し、ウェハの処理能力を向
上させることを目的とする。
が溢路になっている点を解決し、ウェハの処理能力を向
上させることを目的とする。
この発明のエンドステーションは、複数枚のウェハを装
着可能な第１のキャリアを搬送する機構をそれぞれ有す
る第１の搬入室及び第１の搬出室と、真空に排気される
部屋であって、第１の搬入室と第１の搬出室の間に設け
られていて両部屋に真空弁を介して隣接すると共に処理
室に直接通じており、しかも第１の搬入室から第１のキ
ャリアを受け取り、そこに装着されているウェハを一枚
ずつ取り出してそれを処理室へ搬送し、かつ当該第１の
キャリアを第１の搬出室へ搬送する機構を有するウェハ
取出し室と、複数枚のウェハを装着可能な第２のキャリ
アを搬送する機構をそれぞれ有する第２の搬入室及び第
２の搬出室と、真空に排気される部屋であって、第２の
搬入室と第２の搬出室の間に設けられていて両部屋に真
空弁を介して隣接すると共に処理室に直接通じており、
しかも第２の搬入室から第２のキャリアを受け取り、そ
こに処理室からのウェハを一枚ずつ装着し、かつ当該第
２のキャリアを第２の搬出室へ搬送する機構を有するウ
ェハ装着室とを備えることを特徴とする。
着可能な第１のキャリアを搬送する機構をそれぞれ有す
る第１の搬入室及び第１の搬出室と、真空に排気される
部屋であって、第１の搬入室と第１の搬出室の間に設け
られていて両部屋に真空弁を介して隣接すると共に処理
室に直接通じており、しかも第１の搬入室から第１のキ
ャリアを受け取り、そこに装着されているウェハを一枚
ずつ取り出してそれを処理室へ搬送し、かつ当該第１の
キャリアを第１の搬出室へ搬送する機構を有するウェハ
取出し室と、複数枚のウェハを装着可能な第２のキャリ
アを搬送する機構をそれぞれ有する第２の搬入室及び第
２の搬出室と、真空に排気される部屋であって、第２の
搬入室と第２の搬出室の間に設けられていて両部屋に真
空弁を介して隣接すると共に処理室に直接通じており、
しかも第２の搬入室から第２のキャリアを受け取り、そ
こに処理室からのウェハを一枚ずつ装着し、かつ当該第
２のキャリアを第２の搬出室へ搬送する機構を有するウ
ェハ装着室とを備えることを特徴とする。
第１のキャリアに複数枚のウェハを装着し、該第１のキ
ャリアを大気中から第１の搬入室を経てウェハ取出し室
へ搬送する。ウェハ取出し室において第１のキャリアか
らウェハが一枚ずつ取り出され処理室へ搬送される。一
方、例えば空の第２のキャリアを大気中から第２の搬入
室を経てウェハ装置室へ搬送する。ウェハ装着室におい
て処理室からのウェハが一枚ずつ第２のキャリアに装着
される。ウェハを取り出された第１のキャリアは第１の
搬出室を経て大気中に取り出され、ウェハを装着された
第２のキャリアは第２の搬出室を経て大気中に取り出さ
れる。この場合、複数枚のウェハを装着したキャリア毎
に搬入室において真空引き（例えば真空荒引き）を行う
ことができる為、ウェハ一枚当たりの真空引き（例えば
真空荒引き）時間が等価的に短縮される。
ャリアを大気中から第１の搬入室を経てウェハ取出し室
へ搬送する。ウェハ取出し室において第１のキャリアか
らウェハが一枚ずつ取り出され処理室へ搬送される。一
方、例えば空の第２のキャリアを大気中から第２の搬入
室を経てウェハ装置室へ搬送する。ウェハ装着室におい
て処理室からのウェハが一枚ずつ第２のキャリアに装着
される。ウェハを取り出された第１のキャリアは第１の
搬出室を経て大気中に取り出され、ウェハを装着された
第２のキャリアは第２の搬出室を経て大気中に取り出さ
れる。この場合、複数枚のウェハを装着したキャリア毎
に搬入室において真空引き（例えば真空荒引き）を行う
ことができる為、ウェハ一枚当たりの真空引き（例えば
真空荒引き）時間が等価的に短縮される。
第１図は、この発明の一実施例の概略を示す平面図であ
る。このエンドステーションは、一つの処理室と２系統
のキャリア搬送ラインから成る。即ち、このエンドステ
ーションは、真空度が例えば10-1Torr〜10-3Torrの第１
の搬入室、例えば搬入室20および第１の搬出室、例えば
搬出室30と、ウェハ取り出し室70と、真空度が例えば10
-5〜10-7Torrの処理室60と、真空度が例えば10-1Torr〜
10-3Torrの第２の搬入室、例えば搬入室40および第２の
搬出室、例えば搬出室50と、ウェハ装着室80とから構成
されている。
る。このエンドステーションは、一つの処理室と２系統
のキャリア搬送ラインから成る。即ち、このエンドステ
ーションは、真空度が例えば10-1Torr〜10-3Torrの第１
の搬入室、例えば搬入室20および第１の搬出室、例えば
搬出室30と、ウェハ取り出し室70と、真空度が例えば10
-5〜10-7Torrの処理室60と、真空度が例えば10-1Torr〜
10-3Torrの第２の搬入室、例えば搬入室40および第２の
搬出室、例えば搬出室50と、ウェハ装着室80とから構成
されている。
搬入室20には、キャリア搬送ベルト22及びゲートバルブ
（真空弁）23、24が設けられており、かつ入口部にはキ
ャリア搬送ベルト21が設けられており、例えばウェハＷ
を複数枚装着したキャリアC1が大気中から搬入されかつ
次の部屋へ搬送される。搬入室40も搬入室20と同様に機
構を有するが、そこにはウェハＷを複数枚装着可能な例
えば空のキャリアC2が大気中から搬入される。搬出室30
には、キャリア搬送ベルト32及びゲートバルブ（真空
弁）33、34が設けられており、かつ出口部にはキャリア
搬送ベルト31が設けられており、キャリアC1を前の部屋
から受け取りかつそれを大気中へ搬出する。搬出室50も
搬出室30と同様の機構を有し、キャリアC2を前の部屋か
ら受け取りかつそれを大気中へ搬出する。
（真空弁）23、24が設けられており、かつ入口部にはキ
ャリア搬送ベルト21が設けられており、例えばウェハＷ
を複数枚装着したキャリアC1が大気中から搬入されかつ
次の部屋へ搬送される。搬入室40も搬入室20と同様に機
構を有するが、そこにはウェハＷを複数枚装着可能な例
えば空のキャリアC2が大気中から搬入される。搬出室30
には、キャリア搬送ベルト32及びゲートバルブ（真空
弁）33、34が設けられており、かつ出口部にはキャリア
搬送ベルト31が設けられており、キャリアC1を前の部屋
から受け取りかつそれを大気中へ搬出する。搬出室50も
搬出室30と同様の機構を有し、キャリアC2を前の部屋か
ら受け取りかつそれを大気中へ搬出する。
ウェハ取出し室70及びウェハ装着室80は、それぞれ、搬
入室20と搬出室30との間、及び搬入室40と搬出室50との
間に設けられており、かつゲートバルブ等を介さずに処
理室60に直接通じており、これによって処理室60と同一
の真空度に保たれている。
入室20と搬出室30との間、及び搬入室40と搬出室50との
間に設けられており、かつゲートバルブ等を介さずに処
理室60に直接通じており、これによって処理室60と同一
の真空度に保たれている。
第２図は第１図のウェハ取出し室70の概略を拡大して示
す平面図であり、第３図は第２図のIII−III方向に見た
側面図である。昇降台76は、昇降機構（図示省略）によ
り昇降させられる。キャリア搬送ベルト71及び73は、キ
ャリア搬送ベルト22及び32と同レベルに固定されてい
る。キャリア搬送ベルト72は、上下駆動機構（図示省
略）により昇降させられ、上昇位置のキャリア搬送ベル
トを符号72で示し、降下位置のキャリア搬送ベルトを符
号72′で示す。上昇位置のキャリア搬送ベルト72とキャ
リア搬送ベルト71及び73とは同レベルにあり、この状態
でキャリアC1をキャリア搬送ベルト71から受け取り、か
つキャリア搬送ベルト73へ搬送する。降下位置のキャリ
ア搬送ベルト72′は昇降台76の上面よりも常に下に位置
しており、この状態でキャリアC1を上昇位置にある昇降
台76上に載置する。ウェハ搬送ベルト74は、上昇位置の
キャリア搬送ベルト72と上昇位置の昇降台76との間に位
置しており、ウェハ搬送ベルト61と同レベルに固定され
ている。尚、符号77は昇降台76に設けられた切欠きであ
る。
す平面図であり、第３図は第２図のIII−III方向に見た
側面図である。昇降台76は、昇降機構（図示省略）によ
り昇降させられる。キャリア搬送ベルト71及び73は、キ
ャリア搬送ベルト22及び32と同レベルに固定されてい
る。キャリア搬送ベルト72は、上下駆動機構（図示省
略）により昇降させられ、上昇位置のキャリア搬送ベル
トを符号72で示し、降下位置のキャリア搬送ベルトを符
号72′で示す。上昇位置のキャリア搬送ベルト72とキャ
リア搬送ベルト71及び73とは同レベルにあり、この状態
でキャリアC1をキャリア搬送ベルト71から受け取り、か
つキャリア搬送ベルト73へ搬送する。降下位置のキャリ
ア搬送ベルト72′は昇降台76の上面よりも常に下に位置
しており、この状態でキャリアC1を上昇位置にある昇降
台76上に載置する。ウェハ搬送ベルト74は、上昇位置の
キャリア搬送ベルト72と上昇位置の昇降台76との間に位
置しており、ウェハ搬送ベルト61と同レベルに固定され
ている。尚、符号77は昇降台76に設けられた切欠きであ
る。
第４図は、ウェハ取出し室の作用を説明する為の概略図
である。昇降台76の初期位置は、上昇位置である。キャ
リア搬送ベルト71等によって搬送されてきたキャリアC1
をキャリア搬送ベルト72を降下させることによって昇降
台76上に載置する。この状態で昇降台76を段階的に降下
させてキャリアC1に装着されているウェハＷを一枚ずつ
ウェハ搬送ベルト74によって取り出して処理室60へ搬送
する。複数枚のウェハＷの取り出しが全て完了すると昇
降台76を上昇位置まで上昇させ、かつキャリア搬送ベル
ト72も上昇位置まで上昇させ、キャリア搬送ベルト72、
73によって空になったキャリアC1を搬出室30へ搬送す
る。尚、キャリアC1の位置、ウェハＷの存否等は、例え
ばフォトセンサ等によって検出する。
である。昇降台76の初期位置は、上昇位置である。キャ
リア搬送ベルト71等によって搬送されてきたキャリアC1
をキャリア搬送ベルト72を降下させることによって昇降
台76上に載置する。この状態で昇降台76を段階的に降下
させてキャリアC1に装着されているウェハＷを一枚ずつ
ウェハ搬送ベルト74によって取り出して処理室60へ搬送
する。複数枚のウェハＷの取り出しが全て完了すると昇
降台76を上昇位置まで上昇させ、かつキャリア搬送ベル
ト72も上昇位置まで上昇させ、キャリア搬送ベルト72、
73によって空になったキャリアC1を搬出室30へ搬送す
る。尚、キャリアC1の位置、ウェハＷの存否等は、例え
ばフォトセンサ等によって検出する。
ウェハ装着室80もウェハ取出し室70と同様の機構を有し
ており、搬入室40からの空のキャリアC2を受け取り、そ
こに処理室60からのウェハＷを一枚ずつ装着し、かつ複
数枚のウェハＷの装着が全て完了したキャリアC2を搬出
室50へ搬送する。この場合、昇降台86の初期位置は降下
位置であり、昇降台86は空のキャリアC2にウェハＷを一
枚ずつ装着する毎に段階的に上昇する。
ており、搬入室40からの空のキャリアC2を受け取り、そ
こに処理室60からのウェハＷを一枚ずつ装着し、かつ複
数枚のウェハＷの装着が全て完了したキャリアC2を搬出
室50へ搬送する。この場合、昇降台86の初期位置は降下
位置であり、昇降台86は空のキャリアC2にウェハＷを一
枚ずつ装着する毎に段階的に上昇する。
尚、キャリアを昇降させてそこからウェハを取り出す機
構は、例えば特開昭58−214260号公報に示されている。
構は、例えば特開昭58−214260号公報に示されている。
搬入室20、40、搬出室30、50及び処理室60は、それぞれ
独立した真空排気系を有する。但し、搬入室20、40及び
搬出室30、50の真空引き系は、排気時期が完全に一致す
る部屋については、或いは排気時期が少しも重複しない
部屋についてはバルブ切り換えにより、それぞれ共用可
能である。例えば、搬入室20と搬入室40とは、並びに搬
出室30と搬出室50とは、それぞれ共用可能である。
独立した真空排気系を有する。但し、搬入室20、40及び
搬出室30、50の真空引き系は、排気時期が完全に一致す
る部屋については、或いは排気時期が少しも重複しない
部屋についてはバルブ切り換えにより、それぞれ共用可
能である。例えば、搬入室20と搬入室40とは、並びに搬
出室30と搬出室50とは、それぞれ共用可能である。
第５図は、第１図の装置の動作の一例を示すタイムチャ
ートである。制御手段（図示省略）によりこのような制
御が行われる。この場合、キャリアC1、C2の位置検出、
ウェハＷの位置検出、各部屋の真空度検出等は、エンド
ステーションに設けられたフォトセンサ、真空時計等で
行われる。
ートである。制御手段（図示省略）によりこのような制
御が行われる。この場合、キャリアC1、C2の位置検出、
ウェハＷの位置検出、各部屋の真空度検出等は、エンド
ステーションに設けられたフォトセンサ、真空時計等で
行われる。
この発明の動作の一例を第５図に従って説明すると、ま
ずゲートバルブ24を閉じておいて搬入室20に窒素ガスを
入れてガスリークさせて大気圧にし、ゲートバルブ23を
開く（図中（ａ））。そしてウェハＷを複数枚、例えば
25枚装着したキャリアC1を搬入室20へ搬入する（図中
（ｂ））。その後ゲートバルブ23を閉じて搬入室20の真
空引き（例えば真空荒引き）を行い、それが完了すると
ゲートバルブ24を開き（図中（ｃ））、キャリアC1をウ
ェハ取出し室70へ搬送する（図中（ｄ））。ついで工程
（ｅ）においては、処理室60の真空引きが行われ、キャ
リアC1からウェハＷが一枚ずつ取り出されて処理室60へ
搬送され、そこでイオン注入等の処理が行われ、ウェハ
装着室80に待機している空のキャリアC2に一枚ずつ装着
される。この場合のイオンビームは、イオン源（図示省
略）から第１図の紙面に垂直に飛来してくるが、ウェハ
Ｗを立てらせる等すれば紙面に平行に飛来してきてもよ
い。又、ウェハＷの処理中には、未処理のウェハＷを装
着した次のキャリアC1が搬入室20において待機してい
る。全てのウェハＷの処理が完了すると、昇降台76を上
昇させ（図中（ｆ））、空になったキャリアC1を搬出室
30へ搬送する（図中（ｇ））。そしてゲートバルブ34を
閉じて搬出室30のガスリークを行い大気圧にしてゲート
バルブ33を開き（図中（ｈ））、キャリアC1を大気中へ
搬送する（図中（ｉ））。そしてゲートバルブ33を閉じ
て搬出室30の荒引きを行い、それが完了するとゲートバ
ルブ34を開いて次の動作の為に待機する（図中
（ｊ））。一方、もう一方のキャリア搬送ラインにおい
ても同様の動作が並行して行われており、処理後の複数
枚のウェハＷを装着したキャリアC2は搬出室50へ搬送さ
れ（図中（ｐ））、ガスリークの後大気中へ搬出される
（図中（ｒ））。
ずゲートバルブ24を閉じておいて搬入室20に窒素ガスを
入れてガスリークさせて大気圧にし、ゲートバルブ23を
開く（図中（ａ））。そしてウェハＷを複数枚、例えば
25枚装着したキャリアC1を搬入室20へ搬入する（図中
（ｂ））。その後ゲートバルブ23を閉じて搬入室20の真
空引き（例えば真空荒引き）を行い、それが完了すると
ゲートバルブ24を開き（図中（ｃ））、キャリアC1をウ
ェハ取出し室70へ搬送する（図中（ｄ））。ついで工程
（ｅ）においては、処理室60の真空引きが行われ、キャ
リアC1からウェハＷが一枚ずつ取り出されて処理室60へ
搬送され、そこでイオン注入等の処理が行われ、ウェハ
装着室80に待機している空のキャリアC2に一枚ずつ装着
される。この場合のイオンビームは、イオン源（図示省
略）から第１図の紙面に垂直に飛来してくるが、ウェハ
Ｗを立てらせる等すれば紙面に平行に飛来してきてもよ
い。又、ウェハＷの処理中には、未処理のウェハＷを装
着した次のキャリアC1が搬入室20において待機してい
る。全てのウェハＷの処理が完了すると、昇降台76を上
昇させ（図中（ｆ））、空になったキャリアC1を搬出室
30へ搬送する（図中（ｇ））。そしてゲートバルブ34を
閉じて搬出室30のガスリークを行い大気圧にしてゲート
バルブ33を開き（図中（ｈ））、キャリアC1を大気中へ
搬送する（図中（ｉ））。そしてゲートバルブ33を閉じ
て搬出室30の荒引きを行い、それが完了するとゲートバ
ルブ34を開いて次の動作の為に待機する（図中
（ｊ））。一方、もう一方のキャリア搬送ラインにおい
ても同様の動作が並行して行われており、処理後の複数
枚のウェハＷを装着したキャリアC2は搬出室50へ搬送さ
れ（図中（ｐ））、ガスリークの後大気中へ搬出される
（図中（ｒ））。
このように、このエンドステーションにおいては、複数
枚、例えば25枚のウェハＷを装着したキャリアC1毎に搬
入室20等において真空引き（例えば真空荒引き）を行
う。このため、ウェハＷを一枚だけ搬入する従来の搬入
室等に比較して、ウェハＷ一枚当たりの搬入室に占める
体積は少なく見積っても1/2以下となり、その結果ウェ
ハＷの一枚当たりの等価的な真空引き（例えば真空荒引
き）時間も1/2以下に短縮される。従って、従来の装置
において真空引き（例えば真空荒引き）時間によって制
限されていた処理能力は本エンドステーションでは大幅
に改善される。例えば、第５図において、一枚のウェハ
のイオン注入時間が２秒程度の場合、ウェハを25枚処理
する工程（ｅ）全体は90秒程度となり、期間Ｔは120秒
程度となる。この間に25枚のウェハが処理されるから、
処理能力は750枚／時程度となって高い処理能力が得ら
れる。
枚、例えば25枚のウェハＷを装着したキャリアC1毎に搬
入室20等において真空引き（例えば真空荒引き）を行
う。このため、ウェハＷを一枚だけ搬入する従来の搬入
室等に比較して、ウェハＷ一枚当たりの搬入室に占める
体積は少なく見積っても1/2以下となり、その結果ウェ
ハＷの一枚当たりの等価的な真空引き（例えば真空荒引
き）時間も1/2以下に短縮される。従って、従来の装置
において真空引き（例えば真空荒引き）時間によって制
限されていた処理能力は本エンドステーションでは大幅
に改善される。例えば、第５図において、一枚のウェハ
のイオン注入時間が２秒程度の場合、ウェハを25枚処理
する工程（ｅ）全体は90秒程度となり、期間Ｔは120秒
程度となる。この間に25枚のウェハが処理されるから、
処理能力は750枚／時程度となって高い処理能力が得ら
れる。
又、このエンドステーションにおいては、搬入室及び搬
出室において非常にゆっくりガスリークさせることがで
きる為、流入する空気のエアハンマ現象のようなものが
防止され、これによってウェハの破損・損傷が防止され
る。しかも、処理後のウェハはウェハ装着室80において
もすべての装着が完了するまで冷却されており、かつ搬
出室50においてゆっくりとガスリークさせる為、冷却期
間を非常に長く、少なくとも従来の装置の数倍以上取る
ことができる。又、このエンドステーションにおいて
は、一枚ずつウェハを搬送する従来のものと異なり、ゲ
ートバルブの開閉、真空操作の制御回数は大幅に減少で
き、これによって故障の原因を減らすことができる。
出室において非常にゆっくりガスリークさせることがで
きる為、流入する空気のエアハンマ現象のようなものが
防止され、これによってウェハの破損・損傷が防止され
る。しかも、処理後のウェハはウェハ装着室80において
もすべての装着が完了するまで冷却されており、かつ搬
出室50においてゆっくりとガスリークさせる為、冷却期
間を非常に長く、少なくとも従来の装置の数倍以上取る
ことができる。又、このエンドステーションにおいて
は、一枚ずつウェハを搬送する従来のものと異なり、ゲ
ートバルブの開閉、真空操作の制御回数は大幅に減少で
き、これによって故障の原因を減らすことができる。
尚、上記説明ではキャリアC2はキャリアC1と逆方向に搬
送していたが、これに限ることはなくキャリアC2をキャ
リアC1と同方向に搬送するようにしても良い。その場合
は、部屋50が搬入室となり、部屋40が搬出室となる。
又、キャリアC1、C2の搬送並びにウェハＷの搬送は、上
記のようにベルトに限定されることなく、ローラ、チェ
ーン、ギヤ等によって行っても良い。
送していたが、これに限ることはなくキャリアC2をキャ
リアC1と同方向に搬送するようにしても良い。その場合
は、部屋50が搬入室となり、部屋40が搬出室となる。
又、キャリアC1、C2の搬送並びにウェハＷの搬送は、上
記のようにベルトに限定されることなく、ローラ、チェ
ーン、ギヤ等によって行っても良い。
以上のようにこの発明によれば、処理能力向上の妨げと
なっている搬出入室における真空引き時間を等価的に短
縮でき、これによってウェハの処理能力を大幅に向上さ
せることができる。
なっている搬出入室における真空引き時間を等価的に短
縮でき、これによってウェハの処理能力を大幅に向上さ
せることができる。
第１図は、この発明の一実施例の概略を示す平面図であ
る。第２図は、第１図のウェハ取出し室の概略を拡大し
て示す平面図である。第３図は、第２図のIII−III方向
に見た側面図である。第４図は、ウェハ取出し室の作用
を説明する為の概略図である。第５図は、第１図の装置
の動作の一例を示すタイムチャートである。第６図は、
従来のエンドステーションの概略を示す平面図である。
第７図は、第６図の装置の概略動作を示すタイムチャー
トである。 Ｗ…ウェハ、C1,C2…キャリア、20,40…搬入室、30,50
…搬出室、60…処理室、70…ウェハ取出し室、80…ウェ
ハ装着室
る。第２図は、第１図のウェハ取出し室の概略を拡大し
て示す平面図である。第３図は、第２図のIII−III方向
に見た側面図である。第４図は、ウェハ取出し室の作用
を説明する為の概略図である。第５図は、第１図の装置
の動作の一例を示すタイムチャートである。第６図は、
従来のエンドステーションの概略を示す平面図である。
第７図は、第６図の装置の概略動作を示すタイムチャー
トである。 Ｗ…ウェハ、C1,C2…キャリア、20,40…搬入室、30,50
…搬出室、60…処理室、70…ウェハ取出し室、80…ウェ
ハ装着室
Claims (1)
- 【請求項１】大気中のウェハを真空に排気される搬入室
を経て真空に排気される処理室に搬送し、そこで処理の
後、真空に排気される搬出室を経て大気中に取り出すエ
ンドステーションにおいて、複数枚のウェハを装着可能
な第１キャリアを搬送する機構をそれぞれ有する第１の
搬入室及び第１の搬出室と、真空に排気される部屋であ
って、第１の搬入室と第１の搬出室の間に設けられてい
て両部屋に真空弁を介して隣接すると共に処理室に直接
通じており、しかも第１の搬入室から第１のキャリアを
受け取り、そこに装着されているウェハを一枚ずつ取り
出してそれを処理室へ搬送し、かつ当該第１のキャリア
を第１の搬出室へ搬送する機構を有するウェハ取出し室
と、複数枚のウェハを装着可能な第２のキャリアを搬送
する機構をそれぞれ有する第２の搬入室及び第２の搬出
室と、真空に排気される部屋であって、第２の搬入室と
第２の搬出室の間に設けられていて両部屋に真空弁を介
して隣接すると共に処理室に直接通じており、しかも第
２の搬入室から第２のキャリアを受け取り、そこに処理
室からのウェハを一枚ずつ装着し、かつ当該第２のキャ
リアを第２の搬出室へ搬送する機構を有するウェハ装着
室とを備えることを特徴とするエンドステーション。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226583A JPH0680719B2 (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | エンドステ−シヨン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226583A JPH0680719B2 (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | エンドステ−シヨン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104636A JPS61104636A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0680719B2 true JPH0680719B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16847445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59226583A Expired - Fee Related JPH0680719B2 (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | エンドステ−シヨン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680719B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111599706A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 在线侦测腔体漏率的方法、半导体工艺机台 |
-
1984
- 1984-10-27 JP JP59226583A patent/JPH0680719B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104636A (ja) | 1986-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |