JPH0680747B2 - 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法Info
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- JPH0680747B2 JPH0680747B2 JP61075222A JP7522286A JPH0680747B2 JP H0680747 B2 JPH0680747 B2 JP H0680747B2 JP 61075222 A JP61075222 A JP 61075222A JP 7522286 A JP7522286 A JP 7522286A JP H0680747 B2 JPH0680747 B2 JP H0680747B2
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- aluminum nitride
- nitride sintered
- sintered body
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- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/69—Insulating materials thereof
- H10W70/692—Ceramics or glasses
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板
とその製造方法に関し、特に本発明は放熱特性及びLSI
チツプ等との熱膨張係数のマッチング性に優れるばかり
でなく、電気抵抗率の低い導体回路が形成されてなる小
型化あるいは高集積化に適した窒化アルミニウム質焼結
体よりなる配線基板とその製造方法に関する。
とその製造方法に関し、特に本発明は放熱特性及びLSI
チツプ等との熱膨張係数のマッチング性に優れるばかり
でなく、電気抵抗率の低い導体回路が形成されてなる小
型化あるいは高集積化に適した窒化アルミニウム質焼結
体よりなる配線基板とその製造方法に関する。
従来、集積度の高い実装基板を目的としたセラミック配
線基板には、配線基板として必要な物性が平均的に優
れ、かつ比較的安価であったアルミナセラミックスが広
く使われて来た。しかし最近のLSIチップの高集積度化
や高速化および電子装置の小型化、軽量化等から要請さ
れる実装の高密度化に対しては、これまでのアルミナセ
ラミックスの如き材料を用いたものでは特性的に満足で
きるものではなかった。特に高熱伝導性、LSIチップと
の熱膨張係数のマッチング性、及び信号の伝播時間の短
縮について飛躍的な向上が望まれている。又その他のセ
ラミックについて提案された技術としては例えば特開昭
55−51775号公報中にモリブデン、タングステンを用い
て加圧焼成時にSiC、SiNセラミックに金属化を施こす方
法が示されている。
線基板には、配線基板として必要な物性が平均的に優
れ、かつ比較的安価であったアルミナセラミックスが広
く使われて来た。しかし最近のLSIチップの高集積度化
や高速化および電子装置の小型化、軽量化等から要請さ
れる実装の高密度化に対しては、これまでのアルミナセ
ラミックスの如き材料を用いたものでは特性的に満足で
きるものではなかった。特に高熱伝導性、LSIチップと
の熱膨張係数のマッチング性、及び信号の伝播時間の短
縮について飛躍的な向上が望まれている。又その他のセ
ラミックについて提案された技術としては例えば特開昭
55−51775号公報中にモリブデン、タングステンを用い
て加圧焼成時にSiC、SiNセラミックに金属化を施こす方
法が示されている。
しかし、SiNの場合はその熱伝導性が低く、又SiCの場合
では当該SiCが一般に半導体性を示すもので電気絶縁性
に問題があり、しかも前記方法により提供される金属化
層の電気抵抗率は、スルホールへの充填や回路パターン
の形成に有利と考えられる。例えば粉体を用いたもので
は60μΩ・cm程度と高く微細な回路パターンの形成には
不向きである。
では当該SiCが一般に半導体性を示すもので電気絶縁性
に問題があり、しかも前記方法により提供される金属化
層の電気抵抗率は、スルホールへの充填や回路パターン
の形成に有利と考えられる。例えば粉体を用いたもので
は60μΩ・cm程度と高く微細な回路パターンの形成には
不向きである。
そこで、より高い熱伝導性及びLSIチップとの熱膨張係
数のマッチング性に優れたセラミック配線基板として、
窒化アルミニウム質焼結体を使用することが特開昭53−
102310号（特願昭52−16034号）公報（従来例）、特
開昭60−178687号（特願昭59−34163号）公報（従来例
）、特願昭60−215358号の明細書（昭和62年４月８日
公開）（従来例）、特願昭60−215359号の明細書（昭
和62年４月８日公開）（従来例）にて提案されてい
る。しかし、上記従来例においては、窒化アルミニウ
ム基体と金属層との間に金属酸化物を介在させており、
金属層に拡散による変質が生じているものと考えられ、
上記従来例においては、導体路に酸化銅を必要として
いるため、これらは、導体回路の電気抵抗率がかなり悪
化しているものと考えられる。又、これらの製造に際し
ては、一旦窒化アルミニウムを焼結し、その後さらに導
体層を焼結により固定しているため、製造工程が複雑と
なる等の問題がある。
数のマッチング性に優れたセラミック配線基板として、
窒化アルミニウム質焼結体を使用することが特開昭53−
102310号（特願昭52−16034号）公報（従来例）、特
開昭60−178687号（特願昭59−34163号）公報（従来例
）、特願昭60−215358号の明細書（昭和62年４月８日
公開）（従来例）、特願昭60−215359号の明細書（昭
和62年４月８日公開）（従来例）にて提案されてい
る。しかし、上記従来例においては、窒化アルミニウ
ム基体と金属層との間に金属酸化物を介在させており、
金属層に拡散による変質が生じているものと考えられ、
上記従来例においては、導体路に酸化銅を必要として
いるため、これらは、導体回路の電気抵抗率がかなり悪
化しているものと考えられる。又、これらの製造に際し
ては、一旦窒化アルミニウムを焼結し、その後さらに導
体層を焼結により固定しているため、製造工程が複雑と
なる等の問題がある。
又、従来例と従来例においても、焼成時に導体回路
に生じた変質がそのまま残っており導体回路の電気抵抗
率がかなり悪化しているものと考えられる。
に生じた変質がそのまま残っており導体回路の電気抵抗
率がかなり悪化しているものと考えられる。
本発明は以上のような実状に鑑みてなされたもので、そ
の目的は高い熱伝導性及びLSIチップとの熱膨張係数の
マッチング性に優れたセラミック配線基板であって、電
気伝導性に優れた導体層を有する配線基板を提供するこ
とである。
の目的は高い熱伝導性及びLSIチップとの熱膨張係数の
マッチング性に優れたセラミック配線基板であって、電
気伝導性に優れた導体層を有する配線基板を提供するこ
とである。
本発明は、窒化アルミニウム（以下AlNと称す）よりな
る生成形体と同時に加圧焼成された金属の導体回路を表
層に有する窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板
であって、前記導体回路がMo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taから
選ばれる金属からなり、しかも前記加圧焼成の際に治具
又は離型剤と反応した配線基板表層の変質部分が削除さ
れ前記金属が露出した導体回路であることを構成の特徴
とする窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板であ
る。
る生成形体と同時に加圧焼成された金属の導体回路を表
層に有する窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板
であって、前記導体回路がMo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taから
選ばれる金属からなり、しかも前記加圧焼成の際に治具
又は離型剤と反応した配線基板表層の変質部分が削除さ
れ前記金属が露出した導体回路であることを構成の特徴
とする窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板であ
る。
また、窒化アルミニウムよりなる生成形体と同時に加圧
焼成された金属の導体回路を表層に有する窒化アルミニ
ウム質焼結体よりなる配線基板の製造方法であって、窒
化アルミニウムよりなる生成形体の表層にMo、Os、Ｗ、
Nb、Re、Taから選ばれる金属からなる導体材料を載置又
は埋設し、黒鉛型に装入し治具又は離型剤を使用して前
記生成形体と前記導体材料とを同時に加圧焼成し、その
後、焼成の際に治具や離型剤と反応した配線基板表層の
変質部分を削除することを構成の特徴とする窒化アルミ
ニウム質焼結体よりなる配線基板の製造方法である。
焼成された金属の導体回路を表層に有する窒化アルミニ
ウム質焼結体よりなる配線基板の製造方法であって、窒
化アルミニウムよりなる生成形体の表層にMo、Os、Ｗ、
Nb、Re、Taから選ばれる金属からなる導体材料を載置又
は埋設し、黒鉛型に装入し治具又は離型剤を使用して前
記生成形体と前記導体材料とを同時に加圧焼成し、その
後、焼成の際に治具や離型剤と反応した配線基板表層の
変質部分を削除することを構成の特徴とする窒化アルミ
ニウム質焼結体よりなる配線基板の製造方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の配線基板は、AlN質焼結体よりなる基板である
ことが必要である。その理由はAlN質焼結体は金属等と
比較的反応し難く、熱伝導性、LSIチップ等との熱膨張
係数のマッチング性にすぐれているからである。
ことが必要である。その理由はAlN質焼結体は金属等と
比較的反応し難く、熱伝導性、LSIチップ等との熱膨張
係数のマッチング性にすぐれているからである。
本発明の配設基板に形成される導体回路は、Mo、Os、
Ｗ、Nb、Re、Taから選ばれる１種あるいは２種以上の金
属である。その理由は、前記Mo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taは
電気抵抗率が十分小さく、しかもAlN質焼結体の焼成温
度域においても融解することがないからである。
Ｗ、Nb、Re、Taから選ばれる１種あるいは２種以上の金
属である。その理由は、前記Mo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taは
電気抵抗率が十分小さく、しかもAlN質焼結体の焼成温
度域においても融解することがないからである。
本発明の配線基板の電気抵抗率は５〜30μΩ・cmの範囲
にある。導体層の電気抵抗率が５μΩ・cmより大きいの
は、前記Mo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taの電気抵抗率が５μΩ
・cm以上であるからであり、30μΩ・cmより小さいのは
その値より大きくなると、導体層のファイン化に不適で
高密度配線に適さなくなるからである。
にある。導体層の電気抵抗率が５μΩ・cmより大きいの
は、前記Mo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taの電気抵抗率が５μΩ
・cm以上であるからであり、30μΩ・cmより小さいのは
その値より大きくなると、導体層のファイン化に不適で
高密度配線に適さなくなるからである。
次に、本発明のAlN質焼結体からなる配線基板の製造方
法について詳細に説明する。本発明によれば導体層の形
成にＷ、Mo、Os、Nb、Re、Taから選ばれる１種又は２種
以上の金属が用いられており、それは棒状、薄板状、粉
末状、又はペースト状のものを使用することができる
が、中でも粉末状、ペースト状のものをより好適に使用
することができる。その理由は棒状、薄板状のものでは
パターンにそって棒状のものを並べて載置する手間がい
ったり、薄板状のものでも１つ１つパターンどうりに薄
板を切り抜いたりする手間がかかり、作業が複雑になる
上焼成の際、AlN質焼結体の収縮にあわせて棒状金属、
薄板金属を収縮させることは困難で、焼成後AlN質焼結
体と導体層の間に応力が残り、AlN質焼結体のクラック
や割れ、又はAlN質焼結体と導体層の接着不良の原因と
なる可能性があり、一方粉末状やペースト状のものは、
その用いる金属粉の粒子径等を変えることによってAlN
質焼結体の収縮にあわせることができるばかりでなく、
ペースト状のものでは、スクリーン印刷の手法を用いる
ことにより容易にパターン形成が可能であるからであ
る。
法について詳細に説明する。本発明によれば導体層の形
成にＷ、Mo、Os、Nb、Re、Taから選ばれる１種又は２種
以上の金属が用いられており、それは棒状、薄板状、粉
末状、又はペースト状のものを使用することができる
が、中でも粉末状、ペースト状のものをより好適に使用
することができる。その理由は棒状、薄板状のものでは
パターンにそって棒状のものを並べて載置する手間がい
ったり、薄板状のものでも１つ１つパターンどうりに薄
板を切り抜いたりする手間がかかり、作業が複雑になる
上焼成の際、AlN質焼結体の収縮にあわせて棒状金属、
薄板金属を収縮させることは困難で、焼成後AlN質焼結
体と導体層の間に応力が残り、AlN質焼結体のクラック
や割れ、又はAlN質焼結体と導体層の接着不良の原因と
なる可能性があり、一方粉末状やペースト状のものは、
その用いる金属粉の粒子径等を変えることによってAlN
質焼結体の収縮にあわせることができるばかりでなく、
ペースト状のものでは、スクリーン印刷の手法を用いる
ことにより容易にパターン形成が可能であるからであ
る。
本発明によれば、前記金属を粉末状、あるいはペースト
状で使用する場合には、脱脂又は焼成の際ほとんど完全
に飛散すると考えられる溶媒・バインダー等を除いては
純粋に前記金属から選ばれる１種又は２種以上の混合物
であることが好ましい。その理由は、前記溶媒・バイン
ダー等以外の物質が混入又は添加されていると、それら
が前記金属やそれらの混合物と反応して電気抵抗率の高
い物質に変質してしまう可能性があるからである。しか
し、AlN質焼結体との密着強度を更にあげる等のため前
記金属以外にNi、Ti等他の金属を電気抵抗率が30μΩ・
cm以上にならない範囲で添加することもできる。
状で使用する場合には、脱脂又は焼成の際ほとんど完全
に飛散すると考えられる溶媒・バインダー等を除いては
純粋に前記金属から選ばれる１種又は２種以上の混合物
であることが好ましい。その理由は、前記溶媒・バイン
ダー等以外の物質が混入又は添加されていると、それら
が前記金属やそれらの混合物と反応して電気抵抗率の高
い物質に変質してしまう可能性があるからである。しか
し、AlN質焼結体との密着強度を更にあげる等のため前
記金属以外にNi、Ti等他の金属を電気抵抗率が30μΩ・
cm以上にならない範囲で添加することもできる。
本発明によれば、AlNよりなる生成形体は、その組成は
脱脂又は焼成の際ほとんど完全に飛散すると考えられる
バインダー等を除いたものでは純粋なAlNであることが
好ましい。その理由は、AlN中に混入し、あるいは添加
物と前記導体層を形成する金属とが反応して電気抵抗率
の高い物質に変質しないようにするためである。
脱脂又は焼成の際ほとんど完全に飛散すると考えられる
バインダー等を除いたものでは純粋なAlNであることが
好ましい。その理由は、AlN中に混入し、あるいは添加
物と前記導体層を形成する金属とが反応して電気抵抗率
の高い物質に変質しないようにするためである。
しかしながら、AlN質焼結体の物性を改善するために希
土類元素の化合物やアルカリ土類元素の化合物などを導
体層の電気抵抗率が30μΩ・cm以上にならない範囲での
み添加することは可能である。
土類元素の化合物やアルカリ土類元素の化合物などを導
体層の電気抵抗率が30μΩ・cm以上にならない範囲での
み添加することは可能である。
本発明のAlN質焼結体よりなる配線基板は、AlNよりなる
生成形体を加圧焼結して製造される。
生成形体を加圧焼結して製造される。
本発明によれば、焼成の際成形体の表面に金属組成物が
露出しないようAlNや金属組成物と焼成温度域では反応
しない、又は反応しても必要な物性をそこなわない物質
で被覆して焼成し、焼成後その被覆物を除去したり、あ
るいは表層部の金属組成物をあらかじめ加圧焼成治具等
と反応する厚み分だけ厚く形成しておき、焼成後その反
応層を除去することが好ましい。その理由は、本発明で
用いた金属組成物が焼成温度域で加圧焼成治具の一般的
な材料である黒鉛や加圧焼成治具と成形体の間に離型剤
として塗布するBNと反応をおこし、導体層のすべてが変
化せずとも、かなりの厚みで炭化物やホウ化物となり、
しかもこれらの化合物の電気抵抗率は反応をおこす前の
金属のそれよりかなり高くなるからである。
露出しないようAlNや金属組成物と焼成温度域では反応
しない、又は反応しても必要な物性をそこなわない物質
で被覆して焼成し、焼成後その被覆物を除去したり、あ
るいは表層部の金属組成物をあらかじめ加圧焼成治具等
と反応する厚み分だけ厚く形成しておき、焼成後その反
応層を除去することが好ましい。その理由は、本発明で
用いた金属組成物が焼成温度域で加圧焼成治具の一般的
な材料である黒鉛や加圧焼成治具と成形体の間に離型剤
として塗布するBNと反応をおこし、導体層のすべてが変
化せずとも、かなりの厚みで炭化物やホウ化物となり、
しかもこれらの化合物の電気抵抗率は反応をおこす前の
金属のそれよりかなり高くなるからである。
次に本発明を実施例および比較例によって説明する。
実施例１ 平均粒径が1.6μｍ酸素含有量が1wt％の窒化アルミニウ
ム粉と成形バインダーを混合した窒化アルミニウム質組
成物を成形し、30×30×1.5tmmの生成形体を成形した
後、第１図のように（ａ）の生成形体はそのまま、
（ｂ）の生成形体はスルーホール穴をあけて、このスル
ーホール内にタングステン粉、バインダー、溶剤からな
るペーストを充填し、さらに（ｃ）の生成形体はスクリ
ーン印刷によりパターンを形成し、それらを第２図のよ
うに積層する。
ム粉と成形バインダーを混合した窒化アルミニウム質組
成物を成形し、30×30×1.5tmmの生成形体を成形した
後、第１図のように（ａ）の生成形体はそのまま、
（ｂ）の生成形体はスルーホール穴をあけて、このスル
ーホール内にタングステン粉、バインダー、溶剤からな
るペーストを充填し、さらに（ｃ）の生成形体はスクリ
ーン印刷によりパターンを形成し、それらを第２図のよ
うに積層する。
このとき、（ｂ）の生成形体に形成した２つのスルーホ
ール間は、（ｃ）の生成形体に印刷した回路パターンに
より導通がとれるようになっている。これらの生成形体
を積層したものはカーボン型内に挿入し、窒素気流中30
0kg/cm2の加圧下で1900℃に加熱し60分間保持して焼成
を行なった。
ール間は、（ｃ）の生成形体に印刷した回路パターンに
より導通がとれるようになっている。これらの生成形体
を積層したものはカーボン型内に挿入し、窒素気流中30
0kg/cm2の加圧下で1900℃に加熱し60分間保持して焼成
を行なった。
ついで、焼成体の上段部分を平面研削盤により削りと
り、第３図のような配線基板を作りスルーホール間で電
気抵抗を測定し切断等を行って測定した導体層の厚みな
どから導体層全体の電気抵抗率は5.8μΩ cmであった。
なお、この導体層と基板との密着強度は、10kg/mm2以上
であった。
り、第３図のような配線基板を作りスルーホール間で電
気抵抗を測定し切断等を行って測定した導体層の厚みな
どから導体層全体の電気抵抗率は5.8μΩ cmであった。
なお、この導体層と基板との密着強度は、10kg/mm2以上
であった。
実施例２ ペーストの組成以外は実施例１と同じようにおこない、
導体層の密着強度と電気抵抗率を調べ表１に示した。な
お、ペーストの組成は表１に示してあるとうりである。
導体層の密着強度と電気抵抗率を調べ表１に示した。な
お、ペーストの組成は表１に示してあるとうりである。
実施例３ 実施例１と同様に、平均粒径が1.6μｍ酸素含有量が1wt
％の窒化アルミニウム粉と成形バインダーを混合した窒
化アルミニウム質組成物を成形し、30×30×1.5tmmの生
成形体を成形した後、第１図に示した（ａ）の生成形体
は使用しないで、（ｂ）の生成形体にスルーホール穴を
あけて、このスルーホール内にタングステン粉、バイン
ダー、溶剤からなるペーストを充填し、さらに（ｃ）の
生成形体はスクリーン印刷によりパターンを形成した。
この場合に使用したペーストの組成は、表１ に示した。
％の窒化アルミニウム粉と成形バインダーを混合した窒
化アルミニウム質組成物を成形し、30×30×1.5tmmの生
成形体を成形した後、第１図に示した（ａ）の生成形体
は使用しないで、（ｂ）の生成形体にスルーホール穴を
あけて、このスルーホール内にタングステン粉、バイン
ダー、溶剤からなるペーストを充填し、さらに（ｃ）の
生成形体はスクリーン印刷によりパターンを形成した。
この場合に使用したペーストの組成は、表１ に示した。
その後、実施例１と同じように積層、焼成、加工をし、
メタライズ層の電気抵抗率と密着強度を測定し、その結
果を表１に示した。また、得られた配線基板の上段側の
治具と反応して変質した導体層部分を削りとり、実施例
３と同程度の電気抵抗率の導体層とするためには、どれ
も表層20μｍ程度削ることで十分であった。
メタライズ層の電気抵抗率と密着強度を測定し、その結
果を表１に示した。また、得られた配線基板の上段側の
治具と反応して変質した導体層部分を削りとり、実施例
３と同程度の電気抵抗率の導体層とするためには、どれ
も表層20μｍ程度削ることで十分であった。
以上述べた如く、本発明によれば、放熱特性およびLSI
チップ等との熱膨張係数のマッチング性に優れ、特に、
前述した種々の従来技術においても達成し得なかった電
気抵抗率の低い導体回路が形成されてなる小型化あるい
は高い集積化に適した窒化アルミニウム質焼結体よりな
る配線基板を容易でかつ複雑な工程を用いることなく供
給でき、産業上極めて有用である。
チップ等との熱膨張係数のマッチング性に優れ、特に、
前述した種々の従来技術においても達成し得なかった電
気抵抗率の低い導体回路が形成されてなる小型化あるい
は高い集積化に適した窒化アルミニウム質焼結体よりな
る配線基板を容易でかつ複雑な工程を用いることなく供
給でき、産業上極めて有用である。
第１図は本発明に係る窒化アルミニウム質焼結体からな
る配線基板を形成する前の状態を示す分解斜視図、第２
図は同窒化アルミニウム質焼結体からなる配線基板の斜
視図、第３図は当該窒化アルミニウム質焼結体からなる
配線基板における導体回路の接続状態を示す斜視図、第
４図は他の実施例を示す第１図に対応した斜視図であ
る。
る配線基板を形成する前の状態を示す分解斜視図、第２
図は同窒化アルミニウム質焼結体からなる配線基板の斜
視図、第３図は当該窒化アルミニウム質焼結体からなる
配線基板における導体回路の接続状態を示す斜視図、第
４図は他の実施例を示す第１図に対応した斜視図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】窒化アルミニウムよりなる生成形体と同時
に加圧焼成された金属の導体回路を表層に有する窒化ア
ルミニウム質焼結体よりなる配線基板であって、前記導
体回路がMo、Os、Ｗ、Nb、Re、Taから選ばれる金属から
なり、しかも前記加圧焼成の際に治具又は離型剤と反応
した配線基板表層の変質部分が削除され前記金属が露出
した導体回路であることを特徴とする窒化アルミニウム
質焼結体よりなる配線基板。 - 【請求項２】窒化アルミニウムよりなる生成形体と同時
に加圧焼成された金属の導体回路を表層に有する窒化ア
ルミニウム質焼結体よりなる配線基板の製造方法であっ
て、窒化アルミニウムよりなる生成形体の表層にMo、O
s、Ｗ、Nb、Re、Taから選ばれる金属からなる導体材料
を載置又は埋設し、黒鉛型に装入し治具又は離型剤を使
用して前記生成形体と前記導体材料とを同時に加圧焼成
し、その後、焼成の際に治具や離型剤と反応した配線基
板表層の変質部分を削除することを特徴とする窒化アル
ミニウム質焼結体よりなる配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61075222A JPH0680747B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61075222A JPH0680747B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232149A JPS62232149A (ja) | 1987-10-12 |
| JPH0680747B2 true JPH0680747B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=13569980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61075222A Expired - Lifetime JPH0680747B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680747B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264388A (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Sintered body of aluminum nitride |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811390B2 (ja) * | 1977-02-18 | 1983-03-02 | 株式会社東芝 | 熱伝導性基板の製造方法 |
| JPS60178687A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板 |
| JPS6276594A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク配線基板 |
| JPS6276595A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク配線基板 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61075222A patent/JPH0680747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62232149A (ja) | 1987-10-12 |
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