JPS62232149A - 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法Info
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- JPS62232149A JPS62232149A JP61075222A JP7522286A JPS62232149A JP S62232149 A JPS62232149 A JP S62232149A JP 61075222 A JP61075222 A JP 61075222A JP 7522286 A JP7522286 A JP 7522286A JP S62232149 A JPS62232149 A JP S62232149A
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- Japan
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- aluminum nitride
- sintered body
- wiring board
- conductor
- firing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/69—Insulating materials thereof
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板
とその１遣方法に関し、特に本発明は放熱特性及びＬＳ
Ｉチップ等とのＳ膨張係数のマツチング性に優れるばか
りでなく、電気抵抗率の低い導体回路か形成されてなる
小型化あるいは高集積化に適した窒化アルミニウム質焼
結体よりなる配線ノ、（板とその製造方杖に関する。
とその１遣方法に関し、特に本発明は放熱特性及びＬＳ
Ｉチップ等とのＳ膨張係数のマツチング性に優れるばか
りでなく、電気抵抗率の低い導体回路か形成されてなる
小型化あるいは高集積化に適した窒化アルミニウム質焼
結体よりなる配線ノ、（板とその製造方杖に関する。
（従来の技術）
従来、集結度の高い実装基板を目的としたセラミック配
線基板には、配線基板として必要な物性か平均的に優れ
、かつ比較的安価であったアルミナセラミックスか広く
使われて来た。しかし最近のＬＳＩチップの高集積度化
や高速化および電子装置の小型化、軽ｊ、）化等から構
成される装の高密用化に対しては、これまてのアルミナ
セラミックスの如き材料を用いたものては特性的に満足
できるものてはなかった。特に高熱伝導性、ＬＳＩチッ
プとの熱膨張係数のマツチング性、及び信号の伝播時間
の短縮について飛躍的な向りが〒まれている。又その他
のセラミックについて提案された技術としては例えば特
開昭５５−５１７７５号公報中にモリブデン、タングス
テンを用いて加圧焼成時にＳｉＣ，ＳｉＮセラミックに
金属化を施こす方法が示されている。
線基板には、配線基板として必要な物性か平均的に優れ
、かつ比較的安価であったアルミナセラミックスか広く
使われて来た。しかし最近のＬＳＩチップの高集積度化
や高速化および電子装置の小型化、軽ｊ、）化等から構
成される装の高密用化に対しては、これまてのアルミナ
セラミックスの如き材料を用いたものては特性的に満足
できるものてはなかった。特に高熱伝導性、ＬＳＩチッ
プとの熱膨張係数のマツチング性、及び信号の伝播時間
の短縮について飛躍的な向りが〒まれている。又その他
のセラミックについて提案された技術としては例えば特
開昭５５−５１７７５号公報中にモリブデン、タングス
テンを用いて加圧焼成時にＳｉＣ，ＳｉＮセラミックに
金属化を施こす方法が示されている。
しかし、ＳｉＮの場合はその熱伝導性が低く、又ＳｉＣ
の場合では当該ＳｉＣか一般に半導体性を示すものて゛
心気絶縁性に問題かあり、しかも前記方法により提供さ
れる金属化層の電気抵抗率は、スルホールへの充填や回
路パターンの形成に有利と考えられる０例えば粉体を用
いたものでは６０μΩ・Ｃ鳳程度と高く微細な回路パタ
ーンの形成には不向きである。
の場合では当該ＳｉＣか一般に半導体性を示すものて゛
心気絶縁性に問題かあり、しかも前記方法により提供さ
れる金属化層の電気抵抗率は、スルホールへの充填や回
路パターンの形成に有利と考えられる０例えば粉体を用
いたものでは６０μΩ・Ｃ鳳程度と高く微細な回路パタ
ーンの形成には不向きである。
（９，明か解決しようとする問題点）
本発明は以ｌ−のような実状に鑑みてなされたもので、
その目的は高い熱伝導性及びＬＳＩチップとの７８膨張
係数のマツチング性に優れたセラミック配線基板であっ
て、電ｑ伝導性に優れた導体層を有する配線基板を提供
することである。
その目的は高い熱伝導性及びＬＳＩチップとの７８膨張
係数のマツチング性に優れたセラミック配線基板であっ
て、電ｑ伝導性に優れた導体層を有する配線基板を提供
することである。
（ＩＦ！Ｉ題点を解決するための手段）本発明によれば
、窒化アルミニウム（以下ＡｕＮと称す）質焼結体から
なる基板の少なくとも表面に導体回路か形成されてなる
ＡｉＮ質配線基板において前記導体回路かＭｏ、Ｏｓ、
Ｗ。
、窒化アルミニウム（以下ＡｕＮと称す）質焼結体から
なる基板の少なくとも表面に導体回路か形成されてなる
ＡｉＮ質配線基板において前記導体回路かＭｏ、Ｏｓ、
Ｗ。
Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａから選ばれる１種あるいは２種以上の
金属であることを特徴とするＡ立Ｎ質焼結体よりなる配
線ノ、ζ板によってＩｉＯ述の目的か達成することかで
きる。
金属であることを特徴とするＡ立Ｎ質焼結体よりなる配
線ノ、ζ板によってＩｉＯ述の目的か達成することかで
きる。
以ド１本発明の詳細な説明する。
本発明の配線Ｘ扱は、Ａ立Ｎ質焼結体よりなる基板であ
ることか必要である。その理由はＡＩＮ’質焼結体は金
属等と比較的反応し難く、熱伝導性、ＬＳＩチップ等と
の８膨張係数のマツチング性にすぐれているからである
。
ることか必要である。その理由はＡＩＮ’質焼結体は金
属等と比較的反応し難く、熱伝導性、ＬＳＩチップ等と
の８膨張係数のマツチング性にすぐれているからである
。
本発明の配線基板に形成される導体回路は、Ｍｏ、Ｏｓ
、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａから選ばれる１種あるいは２挿
具」；の金属である。その理由は、前記Ｍｏ、Ｏｓ、Ｗ
、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａは電気抵抗率か十分小さく、しかも
ＡｆＬＮｆｉ焼結体の焼成温度域においても融解するこ
とかないからである。
、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａから選ばれる１種あるいは２挿
具」；の金属である。その理由は、前記Ｍｏ、Ｏｓ、Ｗ
、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａは電気抵抗率か十分小さく、しかも
ＡｆＬＮｆｉ焼結体の焼成温度域においても融解するこ
とかないからである。
本発明の配線基板の電気抵抗率は５〜３０鉢Ω・ｃｍの
範囲にある。導体層の電気抵抗率か５鉢Ω・ｃｍより大
きいのは、前記Ｍｏ、Ｏｓ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａの電
気抵抗率か５ルΩ・０１以上であるからであり、３０ル
Ω・Ｃ購より小さいのはその値より大きくなると、導体
層のファイン化に不適て高害度配線に適さなくなるから
である。
範囲にある。導体層の電気抵抗率か５鉢Ω・ｃｍより大
きいのは、前記Ｍｏ、Ｏｓ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａの電
気抵抗率か５ルΩ・０１以上であるからであり、３０ル
Ω・Ｃ購より小さいのはその値より大きくなると、導体
層のファイン化に不適て高害度配線に適さなくなるから
である。
次に、未発【長１のＡ文Ｎ質焼結体からなる配線基板の
製造方法について詳細に説明する。本発明によれば導体
層の形成にＷ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａから選ば
れる１種又は２挿具りの金属か用いられており、それは
棒状、Ｑ板状、粉末状、又はペースト状のものを使用す
ることがてきるか、中でも粉東状、ペースト状のものを
より好適に使用することかてさる。その理由は棒状、薄
板状のものてはパターンにそって棒状のものを被べて４
＆置する１間かいったり、薄板状のものでも１つ１つパ
ターンどうりにｆＩ＆を切り抜いたりする［４間かかか
り１作又か複雑になるト焼成の際。
製造方法について詳細に説明する。本発明によれば導体
層の形成にＷ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａから選ば
れる１種又は２挿具りの金属か用いられており、それは
棒状、Ｑ板状、粉末状、又はペースト状のものを使用す
ることがてきるか、中でも粉東状、ペースト状のものを
より好適に使用することかてさる。その理由は棒状、薄
板状のものてはパターンにそって棒状のものを被べて４
＆置する１間かいったり、薄板状のものでも１つ１つパ
ターンどうりにｆＩ＆を切り抜いたりする［４間かかか
り１作又か複雑になるト焼成の際。
Ａ交Ｎ質焼結体の収縮にあわせて棒状金属、薄板金属を
収縮させることは困難で、焼成後Ａ立Ｎ質焼結体と導体
層の間に応力か残り、ＡｉＮ質焼結体のクラックや割れ
、又はＡｉＮｍ焼結体と導体層の接着不良の原因となる
Ｉ＋（脆性かあり、−力ね束状やペースト状のものは、
その用いる金属粉の粒子径等を変えることに上ってＡｑ
Ｎ質焼結体の収縮にあわせることかてきるばかりてなく
、ペースト状のものては、スクリーン印−１のＬ法を用
いることにより容易にパターン形成か１１億であるから
Ｃある。
収縮させることは困難で、焼成後Ａ立Ｎ質焼結体と導体
層の間に応力か残り、ＡｉＮ質焼結体のクラックや割れ
、又はＡｉＮｍ焼結体と導体層の接着不良の原因となる
Ｉ＋（脆性かあり、−力ね束状やペースト状のものは、
その用いる金属粉の粒子径等を変えることに上ってＡｑ
Ｎ質焼結体の収縮にあわせることかてきるばかりてなく
、ペースト状のものては、スクリーン印−１のＬ法を用
いることにより容易にパターン形成か１１億であるから
Ｃある。
本発明によれば、前記金属を粉末状、あるいはペースト
状て使用する場合には、１Ｂ２脂又は焼成の際はとんど
完全に飛散すると考えられる溶媒・バインダー等を除い
ては純粋に前記金属から１ばれる１種又は２挿具１；の
混合物であることか好ましい、その理由は、前記溶媒・
バインター等以外の物質か混入又は添加されていると、
それらか＋ｉｉｉ記金属やそれらの混合物と反応して電
気抵抗率の高い物質に変質してしまう０［脆性かあるか
らである。しかし、Ａ交Ｎ質焼結体との密着強度を（Ｌ
ｒにあげる等のため前記金属以外にＮ１、Ｔｉ等他の金
属を電気抵抗率か３０ルΩ・Ｃ−以Ｅにならない範囲で
添加することもできる。
状て使用する場合には、１Ｂ２脂又は焼成の際はとんど
完全に飛散すると考えられる溶媒・バインダー等を除い
ては純粋に前記金属から１ばれる１種又は２挿具１；の
混合物であることか好ましい、その理由は、前記溶媒・
バインター等以外の物質か混入又は添加されていると、
それらか＋ｉｉｉ記金属やそれらの混合物と反応して電
気抵抗率の高い物質に変質してしまう０［脆性かあるか
らである。しかし、Ａ交Ｎ質焼結体との密着強度を（Ｌ
ｒにあげる等のため前記金属以外にＮ１、Ｔｉ等他の金
属を電気抵抗率か３０ルΩ・Ｃ−以Ｅにならない範囲で
添加することもできる。
本発明によれば、Ａ見Ｎよりなる生成形体は、そのｊｉ
ｌｌ＆、は脱脂又は焼成の際はとんど完全に飛散すると
考えられるバインダー等を除いたものでは純粋なＡＩＮ
であることか好ましい、その理由は、ＡｕＮ中に混入し
、あるいは添加物と前記導体層を形成する金属とか反応
して′心気抵抗率の６６い物質に変質しないようにする
ためである。
ｌｌ＆、は脱脂又は焼成の際はとんど完全に飛散すると
考えられるバインダー等を除いたものでは純粋なＡＩＮ
であることか好ましい、その理由は、ＡｕＮ中に混入し
、あるいは添加物と前記導体層を形成する金属とか反応
して′心気抵抗率の６６い物質に変質しないようにする
ためである。
しかしながら、ＡＱＮ？１焼結体の物性を改りするため
に希）、類元素の化合物やアルカリ上類元素の化合物な
どを導体層の電気抵抗率か３０μΩ・ｃｍ以Ｉ―になら
ない範囲でのみ添加することは１１ｆ ｆｅである。
に希）、類元素の化合物やアルカリ上類元素の化合物な
どを導体層の電気抵抗率か３０μΩ・ｃｍ以Ｉ―になら
ない範囲でのみ添加することは１１ｆ ｆｅである。
本発明のＡ党Ｎ質焼結体よりなる配線ノＳ板は、Ａ文Ｎ
よりなる生成形体を加圧焼結して製造される。
よりなる生成形体を加圧焼結して製造される。
本発明によれば、焼成の際成形体の表面に金属Ｍ【酸物
か露出しないようＡ交Ｎや金属組成物と焼成温度域ては
反応しない、Ｙは反応しても必要な物性をそこなわない
物質で被覆して焼成し、焼成後その被塑物を除去したり
、あるいは表層部の金属！１成物をあらかじめ加圧焼成
治具Ｔと反応する厚み分たけ厚く形成しておき、焼成後
その反応層を除去することか＆ｆましい、その理由は、
本発明て用いた金屈組１＆、物か焼成温度域で加圧焼成
治具の一般的な材料である黒鉛や加圧焼成治具と成形体
の間に離型剤として塗布するＢＮと反応をおこし、導体
層のすべてか変化せずとも、かなりの厚みで炭化物やホ
ウ化物となり、しかもこれらの化合物の電気抵抗率は反
応をおこす前の金属のそれよりかなり高くなるからであ
る。
か露出しないようＡ交Ｎや金属組成物と焼成温度域ては
反応しない、Ｙは反応しても必要な物性をそこなわない
物質で被覆して焼成し、焼成後その被塑物を除去したり
、あるいは表層部の金属！１成物をあらかじめ加圧焼成
治具Ｔと反応する厚み分たけ厚く形成しておき、焼成後
その反応層を除去することか＆ｆましい、その理由は、
本発明て用いた金屈組１＆、物か焼成温度域で加圧焼成
治具の一般的な材料である黒鉛や加圧焼成治具と成形体
の間に離型剤として塗布するＢＮと反応をおこし、導体
層のすべてか変化せずとも、かなりの厚みで炭化物やホ
ウ化物となり、しかもこれらの化合物の電気抵抗率は反
応をおこす前の金属のそれよりかなり高くなるからであ
る。
次に本発明を実施例および比較例によって説１多１する
。
。
（実施例）
実施例鼾
モ均粒径か１．６終ｍ酸素含有！番）か１ｗｔ％の゛７
化アルミニウム粉と成形バインターを混合した′り化ア
ルミニウム？Ｊ組成物を成形し、：ｌＯＸ ３（ＩＸ
１．５Ｌ■膳の生成形体を成形した後、第１図のように
（ａ）の生成形体はそのまま、（ｂ）の生成形体はスル
ーホール穴をあけて、このスルーホール内にタングステ
ン粉、バインダー、溶剤からなるペーストを充填し、さ
らに（ｃ）の生成形体はスクリーン印刷によりパターン
な形成し、それらを第２図のように積層する。
化アルミニウム粉と成形バインターを混合した′り化ア
ルミニウム？Ｊ組成物を成形し、：ｌＯＸ ３（ＩＸ
１．５Ｌ■膳の生成形体を成形した後、第１図のように
（ａ）の生成形体はそのまま、（ｂ）の生成形体はスル
ーホール穴をあけて、このスルーホール内にタングステ
ン粉、バインダー、溶剤からなるペーストを充填し、さ
らに（ｃ）の生成形体はスクリーン印刷によりパターン
な形成し、それらを第２図のように積層する。
このとき、（ｂ）のノド成形体に形成した２つのスルー
ホール間は、（Ｃ）の生成形体に印刷した回路パターン
により導通かとれるようになっている。
ホール間は、（Ｃ）の生成形体に印刷した回路パターン
により導通かとれるようになっている。
これらの生成形体を積層したものはカーボン型内に１Φ
入し、窒素気流中３００ ｋｇ／ｃｒｎ’の加圧ドて１
９００°Ｃに加熱し６０分間保持して焼成を行なった。
入し、窒素気流中３００ ｋｇ／ｃｒｎ’の加圧ドて１
９００°Ｃに加熱し６０分間保持して焼成を行なった。
ついで、焼成体の１−没部分を上面研削盤により削りと
り、第３１７１のような配線基板を作りスルーホール間
て電気抵抗を測定し切断等を行って測定した導体層の厚
みなどから導体層全体の電気抵抗＋＋１５．８ルΩＣ墓
であった。なお、この導体層と基板との密着強度は、
ｌ０Ｋ）（／ｍｒｎ’以上であった。
り、第３１７１のような配線基板を作りスルーホール間
て電気抵抗を測定し切断等を行って測定した導体層の厚
みなどから導体層全体の電気抵抗＋＋１５．８ルΩＣ墓
であった。なお、この導体層と基板との密着強度は、
ｌ０Ｋ）（／ｍｒｎ’以上であった。
実施例２
ペーストの組成以外は実施例１と同しようにおこない、
導体層の密着強度と′心気抵抗率を調べ表１に示した。
導体層の密着強度と′心気抵抗率を調べ表１に示した。
なお、ペーストの組成は表１に示しであるとうりである
。
。
実施例３
実施例１と同様に、平均粒径か１．６絡ｍ酸素含有１責
が１ｗｔ％の窒化アルミニウム粉と成形バインダーを混
合した窒化アルミニウム質組成物を成形し、３０Ｘ ］
Ｏｘ １．５Ｌｓ−の生成形体を成形した後、第１１′
４に示した（ａ）の生成形体は使用しないて、（ｂ）の
生成形体にスルーホール穴をあけて、このスルーホール
内にタングステン粉、バインダー、溶剤からなるペース
トを充填し、さらに（Ｃ）の生成形体はスクリーン印刷
によりパターンを形成した。この場合に使用したペース
トの組成は、表１に示した。
が１ｗｔ％の窒化アルミニウム粉と成形バインダーを混
合した窒化アルミニウム質組成物を成形し、３０Ｘ ］
Ｏｘ １．５Ｌｓ−の生成形体を成形した後、第１１′
４に示した（ａ）の生成形体は使用しないて、（ｂ）の
生成形体にスルーホール穴をあけて、このスルーホール
内にタングステン粉、バインダー、溶剤からなるペース
トを充填し、さらに（Ｃ）の生成形体はスクリーン印刷
によりパターンを形成した。この場合に使用したペース
トの組成は、表１に示した。
その後、実施例１と同じように積層、焼成、加工をし、
メタライズ層の電気抵抗率と密、ｎ強度を１＠定し、そ
の結果を表１に示した。また、得られた配線ノふ板のに
役側の治具と反応して変質した導体層部分を削りとり、
実施例３と同程度の電気抵抗率の導体層とするためには
、どれも表層２０ＩＬｍ程度削ることで十分であった。
メタライズ層の電気抵抗率と密、ｎ強度を１＠定し、そ
の結果を表１に示した。また、得られた配線ノふ板のに
役側の治具と反応して変質した導体層部分を削りとり、
実施例３と同程度の電気抵抗率の導体層とするためには
、どれも表層２０ＩＬｍ程度削ることで十分であった。
（発明の効果）
以、ｌ二連べた如く、本発明によれば、放熱特性および
ＬＳＩチップ等との熱膨張係数のマツチング性に優れ、
かつ電気抵抗率の低い導体回路が形成されてなる小型化
あるいは高い集積化に適した窒化アルミニウム質焼結体
よ、りなる配線基板を容易でかつ８１雑な−Ｅ程を用い
ることなく供給でき、産業１−極めて有用である。
ＬＳＩチップ等との熱膨張係数のマツチング性に優れ、
かつ電気抵抗率の低い導体回路が形成されてなる小型化
あるいは高い集積化に適した窒化アルミニウム質焼結体
よ、りなる配線基板を容易でかつ８１雑な−Ｅ程を用い
ることなく供給でき、産業１−極めて有用である。
第１図は未発「！１に係る窒化アルミニウム質焼結体か
らなる配線基板を形成する；ｉ」の状態を示す分解斜視
図、第２図は同窒化アルミニウム質焼結体からなる配線
基板の斜視図、第３ ［４は当該窒化アルミニウム質焼
結体からなる配線基板における導体回路の接続状態を示
す斜視図、第４図は他の実施例を示す第１図に対応した
斜視図である。 ０１作出願人 イビデン株式会社 代 理 人
らなる配線基板を形成する；ｉ」の状態を示す分解斜視
図、第２図は同窒化アルミニウム質焼結体からなる配線
基板の斜視図、第３ ［４は当該窒化アルミニウム質焼
結体からなる配線基板における導体回路の接続状態を示
す斜視図、第４図は他の実施例を示す第１図に対応した
斜視図である。 ０１作出願人 イビデン株式会社 代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）、窒化アルミニウム質焼結体からなる基板の少なく
とも表層に導体回路が形成されてなる窒化アルミニウム
質配線基板において、 前記導体回路がＭｏ、Ｏｓ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａから
選ばれる１種あるいは２種以上の金属からなることを特
徴とする窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板。 ２）、前記配線基板の導体回路の電気抵抗率が５〜３０
μΩ・ｃｍの範囲にある特許請求の範囲第１項記載の配
線基板。 ３）、窒化アルミニウム質焼結体からなる基板の少なく
とも表層に導体回路が形成されてなる窒化アルミニウム
質配線基板の製造方法において、窒化アルミニウムより
なる生成形体の少なくとも表層にＭｏ、Ｏｓ、Ｗ、Ｎｂ
、Ｒｅ、Ｔａから選ばれる１種あるいは２種以上の金属
からなる導体材料を載置又は埋設し、次いで黒鉛型に装
入して加圧焼結することを特徴とする窒化アルミニウム
質焼結体よりなる配線基板の製造方法。 ４）、前記窒化アルミニウムよりなる生成形体の表層部
に載置又は埋設した導体材料の厚みは焼結の際治具や治
具に塗布された離型剤等と反応して変質してしまう厚さ
分以上に厚く形成し、焼成後少なくとも電極を形成する
部分の導体部の変質部分を削除することを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の製造方法。 ５）、前記窒化アルミニウムよりなる生成形体の導体材
料を載置又は埋設した面と黒鉛型との間に薄板状あるい
はシート状の窒化アルミニウム生成形体を狭持して焼結
せしめ、焼成後少なくとも電極形成部分の表面を被覆し
ている窒化アルミニウム質焼結体を削除し導体材料を露
出せしめることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61075222A JPH0680747B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61075222A JPH0680747B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232149A true JPS62232149A (ja) | 1987-10-12 |
| JPH0680747B2 JPH0680747B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=13569980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61075222A Expired - Lifetime JPH0680747B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 窒化アルミニウム質焼結体よりなる配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680747B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264388A (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Sintered body of aluminum nitride |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102310A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Heat conducting base plates |
| JPS60178687A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板 |
| JPS6276594A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク配線基板 |
| JPS6276595A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク配線基板 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61075222A patent/JPH0680747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| JPS60178687A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板 |
| JPS6276594A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク配線基板 |
| JPS6276595A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク配線基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264388A (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Sintered body of aluminum nitride |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680747B2 (ja) | 1994-10-12 |
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