JPH0682640B2 - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPH0682640B2 JPH0682640B2 JP60231613A JP23161385A JPH0682640B2 JP H0682640 B2 JPH0682640 B2 JP H0682640B2 JP 60231613 A JP60231613 A JP 60231613A JP 23161385 A JP23161385 A JP 23161385A JP H0682640 B2 JPH0682640 B2 JP H0682640B2
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- etching method
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライエッチング方法に関し、特に、Au層を
反応性イオンエッチングするためのドライエッチング方
法に関する。
反応性イオンエッチングするためのドライエッチング方
法に関する。
Au層を加工する場合、従来の技術としては、イオンミリ
ング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知ら
れている。このような従来のAu層の加工方法について説
明する。
ング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知ら
れている。このような従来のAu層の加工方法について説
明する。
まず、第２図（ａ）のように基板１上にAu層２を蒸着法
スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。さらにその
Au膜２の上に有機膜３を選択的に形成する。次に、第２
図（ｂ）のようにイオンミリング法を用いて、有機膜３
をマスクにAu層２をエッチングして行く。エッチングが
終了した状態を第２図（ｃ）に示す。次に第２図（ｄ）
のように前記有機膜３をO2プラズマ処理又は有機洗浄な
どを行ない除去する。
スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。さらにその
Au膜２の上に有機膜３を選択的に形成する。次に、第２
図（ｂ）のようにイオンミリング法を用いて、有機膜３
をマスクにAu層２をエッチングして行く。エッチングが
終了した状態を第２図（ｃ）に示す。次に第２図（ｄ）
のように前記有機膜３をO2プラズマ処理又は有機洗浄な
どを行ない除去する。
上述した従来のイオンミリング法は、第２図（ｂ）に示
すように加工途中に除去されたAu層がマスク材である有
機膜３の側壁に付着５して行くため、マスク材と同一の
形状が得られない。したがってマスク寸法４に対してAu
層寸法６は太くなり微細化できない。又、除去されたAu
層が別の部分に付着して特性不良及び外観不良を誘発す
る。さらに、従来の反応性イオンエッチング法でAu層を
加工する場合、陰極降下電圧が500V以上のような比較的
高い領域を用いるためマスク材として有機膜を使用する
ことができなかった。
すように加工途中に除去されたAu層がマスク材である有
機膜３の側壁に付着５して行くため、マスク材と同一の
形状が得られない。したがってマスク寸法４に対してAu
層寸法６は太くなり微細化できない。又、除去されたAu
層が別の部分に付着して特性不良及び外観不良を誘発す
る。さらに、従来の反応性イオンエッチング法でAu層を
加工する場合、陰極降下電圧が500V以上のような比較的
高い領域を用いるためマスク材として有機膜を使用する
ことができなかった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、Au層の反応性イオ
ンエッチングに於いて再付着の発生しない有機膜をもマ
スクとして用いることができる、ドライエッチング方法
を提供することである。
ンエッチングに於いて再付着の発生しない有機膜をもマ
スクとして用いることができる、ドライエッチング方法
を提供することである。
本発明によれば、Au層を該層上に形成されたマスクパタ
ーンとして有機膜を用いて選択的にエッチングするドラ
イエッチング方法に於いて、前記エッチングガスとして
塩素系ガスを主成分として用い、かつ、陰極電圧が500V
以下であって前記Au層のエッチング速度が前記有機膜の
エッチング速度を越える電圧以下となるように設定され
て反応性イオンエッチングを行うことを特徴とするドラ
イエッチング方法が得られる。
ーンとして有機膜を用いて選択的にエッチングするドラ
イエッチング方法に於いて、前記エッチングガスとして
塩素系ガスを主成分として用い、かつ、陰極電圧が500V
以下であって前記Au層のエッチング速度が前記有機膜の
エッチング速度を越える電圧以下となるように設定され
て反応性イオンエッチングを行うことを特徴とするドラ
イエッチング方法が得られる。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。まず第１
図（ａ）のように基板１上にAu層２を蒸着法、スパッタ
法又はメッキ法などで形成する。さらに有機膜３を選択
的に形成する。次に、第１図（ｂ）のように反応性イオ
ンエッチング装置を用いて、例えばマグネトロン型反応
性イオンエッチング装置を用いて、エッチング室内の一
方の電極上に前記試料を配置し、CClЕ2F2エッチングガ
スを導入すると共に各電極間に高周波電圧を印加する。
この時に第３図に示すように高周波電力を100Wとして陰
極電圧を50V程度にすることによりAu膜のエッチング速
度が速くなり、有機膜のエッチング速度が遅くなるため
選択比（Au/有機膜）を3.5倍となる。
図（ａ）のように基板１上にAu層２を蒸着法、スパッタ
法又はメッキ法などで形成する。さらに有機膜３を選択
的に形成する。次に、第１図（ｂ）のように反応性イオ
ンエッチング装置を用いて、例えばマグネトロン型反応
性イオンエッチング装置を用いて、エッチング室内の一
方の電極上に前記試料を配置し、CClЕ2F2エッチングガ
スを導入すると共に各電極間に高周波電圧を印加する。
この時に第３図に示すように高周波電力を100Wとして陰
極電圧を50V程度にすることによりAu膜のエッチング速
度が速くなり、有機膜のエッチング速度が遅くなるため
選択比（Au/有機膜）を3.5倍となる。
このような条件で反応性イオンエッチングすることによ
って第１図（ｂ）のように有機膜３をマスクにしてAu層
２を選択的にエッチングすることができる。さらに第１
図（ｃ）のように、有機膜３をO2プラズマ処理又は有機
洗浄などを用いて除去する。
って第１図（ｂ）のように有機膜３をマスクにしてAu層
２を選択的にエッチングすることができる。さらに第１
図（ｃ）のように、有機膜３をO2プラズマ処理又は有機
洗浄などを用いて除去する。
以上説明したように本発明を用いれば有機膜を用いて、
Au層をエッチングすることができ、マスク幅４に対して
Au層の幅６がほぼ同一形状となりAu層の微細加工を可能
とした。又、反応性で除去するため段着部分などへの再
付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生しなくなっ
た。尚マグネトロンイオンエッチングを用いる目的はプ
ラズマ密度を増すことにより、Au膜のエッチング速度を
速くするためのものであり通常の反応性イオンエッチン
グを用いてもかまわない。
Au層をエッチングすることができ、マスク幅４に対して
Au層の幅６がほぼ同一形状となりAu層の微細加工を可能
とした。又、反応性で除去するため段着部分などへの再
付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生しなくなっ
た。尚マグネトロンイオンエッチングを用いる目的はプ
ラズマ密度を増すことにより、Au膜のエッチング速度を
速くするためのものであり通常の反応性イオンエッチン
グを用いてもかまわない。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示す製造工
程の断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造工程の
断面図である。第３図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエッチングを用いてCCl2F2ガスによりエッ
チングした時のエッチング特性を示す。 １……基板、２……Au層、３……有機膜、４……有機膜
（マスク）の幅、５……再付着物、６……Au層の幅。
程の断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造工程の
断面図である。第３図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエッチングを用いてCCl2F2ガスによりエッ
チングした時のエッチング特性を示す。 １……基板、２……Au層、３……有機膜、４……有機膜
（マスク）の幅、５……再付着物、６……Au層の幅。
Claims (5)
- 【請求項１】Au層を該層上に形成されたマスクパターン
として有機膜を用いて選択的にエッチングするドライエ
ッチング方法に於いて、前記エッチングガスとして塩素
系ガスを主成分として用い、かつ、陰極電圧が500V以下
であって前記Au層のエッチング速度が前記有機膜のエッ
チング速度を越える電圧以下となるように設定されて反
応性イオンエッチングを行うことを特徴とするドライエ
ッチング方法。 - 【請求項２】前記塩素系ガスを主成分とするガスはCl
2、CCl4、SiCl4のうち少なくとも１種からなるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライ
エッチング方法。 - 【請求項３】前記塩素系ガスを主成分とするガスは、フ
ッ素系ガスを添加ガスとして混合することを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】前記塩素系ガスを主成分とするガスはCCl2
F2、CClF3のうち少なくとも１種からなるものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッ
チング方法。 - 【請求項５】マグネトロン反応イオンエッチング装置を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項のドライ
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231613A JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231613A JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289332A JPS6289332A (ja) | 1987-04-23 |
| JPH0682640B2 true JPH0682640B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16926253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231613A Expired - Lifetime JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682640B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670987B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1994-09-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06174907A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Shimadzu Corp | 金属格子の製作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150230A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming metallic pattern for semiconductor device |
| JPS6196765A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 金属パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60231613A patent/JPH0682640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6289332A (ja) | 1987-04-23 |
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