JPH0682876B2 - 気体レーザ装置 - Google Patents
気体レーザ装置Info
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- JPH0682876B2 JPH0682876B2 JP22520287A JP22520287A JPH0682876B2 JP H0682876 B2 JPH0682876 B2 JP H0682876B2 JP 22520287 A JP22520287 A JP 22520287A JP 22520287 A JP22520287 A JP 22520287A JP H0682876 B2 JPH0682876 B2 JP H0682876B2
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
- H01J37/32339—Discharge generated by other radiation using electromagnetic radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/0315—Waveguide lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0975—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロ波放電を利用してレーザ励起を行
う気体レーザ装置に関するものである。
う気体レーザ装置に関するものである。
第３図及び第４図は例えば1978年７月に発行されたジャ
ーナル オブ アプライド フィジックス（Jounal of
Applied Physics）Vol.49 No.7のP3753〜P3756に示され
た従来の気体レーザ装置を示す縦断正面図、及びそのＡ
−Ａ線断面図であり、図において、１はマイクロ波を伝
送する導波管、10はこの導波管１の一部に設けられた導
波管テーパ部、11はこの導波管テーパ部10の空間に設置
されたパイレックスガラス製のレーザ放電管、12aはこ
のレーザ放電管11の端部に設けられたレーザ気体導入
口、12bは同じくレーザ気体排出口、13は前記レーザ放
電管11を包むように配置された冷却ガス送気管、14aは
この冷却ガス送気管13の端部に設けられた冷却ガス導入
口、14bは同じく冷却ガス排出口、15は前記レーザ放電
管11の両端に設けられたブリュースタ窓、16aは直流放
電用の陰極、16bは同じく陽極である。
ーナル オブ アプライド フィジックス（Jounal of
Applied Physics）Vol.49 No.7のP3753〜P3756に示され
た従来の気体レーザ装置を示す縦断正面図、及びそのＡ
−Ａ線断面図であり、図において、１はマイクロ波を伝
送する導波管、10はこの導波管１の一部に設けられた導
波管テーパ部、11はこの導波管テーパ部10の空間に設置
されたパイレックスガラス製のレーザ放電管、12aはこ
のレーザ放電管11の端部に設けられたレーザ気体導入
口、12bは同じくレーザ気体排出口、13は前記レーザ放
電管11を包むように配置された冷却ガス送気管、14aは
この冷却ガス送気管13の端部に設けられた冷却ガス導入
口、14bは同じく冷却ガス排出口、15は前記レーザ放電
管11の両端に設けられたブリュースタ窓、16aは直流放
電用の陰極、16bは同じく陽極である。
次に動作について説明する。レーザ放電管11中にはレー
ザ気体導入口12aより、例えば炭酸ガスレーザ気体など
のレーザ気体が導入され、一方、導波管１中にはTE10モ
ードのマイクロ波が励起されている。この導波管１は内
部に導波管テーパ部10を備えており、レーザ放電管11が
設置された位置でその高さが最小となっているため、そ
の位置でマイクロ波の電界が最大となっている。レーザ
放電管11内のレーザ気体はこの強いマイクロ波電界によ
って放電破壊してプラズマを発生させ、レーザ媒質が励
起される。この時、冷却ガス送気管13中に、例えば低温
の窒素ガス等を高速で流し、レーザ放電管11を外部から
冷却するとともに、レーザ気体の圧力等の放電条件を適
切に選択することによってレーザ発振条件が得られ、ブ
リュースタ窓15の外部に、図示を省略したレーザ発振用
のミラーを設けることによってレーザ発振が行われる。
ザ気体導入口12aより、例えば炭酸ガスレーザ気体など
のレーザ気体が導入され、一方、導波管１中にはTE10モ
ードのマイクロ波が励起されている。この導波管１は内
部に導波管テーパ部10を備えており、レーザ放電管11が
設置された位置でその高さが最小となっているため、そ
の位置でマイクロ波の電界が最大となっている。レーザ
放電管11内のレーザ気体はこの強いマイクロ波電界によ
って放電破壊してプラズマを発生させ、レーザ媒質が励
起される。この時、冷却ガス送気管13中に、例えば低温
の窒素ガス等を高速で流し、レーザ放電管11を外部から
冷却するとともに、レーザ気体の圧力等の放電条件を適
切に選択することによってレーザ発振条件が得られ、ブ
リュースタ窓15の外部に、図示を省略したレーザ発振用
のミラーを設けることによってレーザ発振が行われる。
従来の気体レーザ装置は以上のように構成されているの
で、閉じじたレーザ放電管11内に導電性をもつプラズマ
が発生すると、当該プラズマを内導体とする同軸モード
のマイクロ波モードが支配的となって、プラズマ中のマ
イクロ波電界は、レーザ放電管11の管壁に平行な成分を
主成分とする電界となり、発生するプラズマはレーザ放
電管11の管壁付近に集中した著しく不均一なものとなる
ため、レーザ放電管11全体をレーザ励起に適当な状態と
することが困難であるという問題点があった。
で、閉じじたレーザ放電管11内に導電性をもつプラズマ
が発生すると、当該プラズマを内導体とする同軸モード
のマイクロ波モードが支配的となって、プラズマ中のマ
イクロ波電界は、レーザ放電管11の管壁に平行な成分を
主成分とする電界となり、発生するプラズマはレーザ放
電管11の管壁付近に集中した著しく不均一なものとなる
ため、レーザ放電管11全体をレーザ励起に適当な状態と
することが困難であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさた
もので、発生するマイクロ波放電プラズマを安定で空間
的に一様なものとし、放電空間の壁面を保護するととも
にレーザ気体の劣化を防止して、高能率、長寿命の気体
レーザ装置を得ることを目的とする。
もので、発生するマイクロ波放電プラズマを安定で空間
的に一様なものとし、放電空間の壁面を保護するととも
にレーザ気体の劣化を防止して、高能率、長寿命の気体
レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る気体レーザ装置は、マイクロ波回路の一
部に形成された導電体壁と、この導電体壁に対向して設
けられた誘電体との間に空間を設けて、そこにレーザ気
体を封入し、前記誘電体をマイクロ波入射窓として、マ
イクロ波回路より誘電体とレーザ気体中に発生したプラ
ズマとの境界に垂直な電界成分を有するマイクロ波モー
ドを入射するとともに、前記レーザ気体の封入される空
間の導電体による壁面をセラミック層によってコーティ
ングしたものである。
部に形成された導電体壁と、この導電体壁に対向して設
けられた誘電体との間に空間を設けて、そこにレーザ気
体を封入し、前記誘電体をマイクロ波入射窓として、マ
イクロ波回路より誘電体とレーザ気体中に発生したプラ
ズマとの境界に垂直な電界成分を有するマイクロ波モー
ドを入射するとともに、前記レーザ気体の封入される空
間の導電体による壁面をセラミック層によってコーティ
ングしたものである。
この発明における気体レーザ装置は、マイクロ波入射窓
である誘電体に対向してプラズマよりも導電率の高い導
電体壁があるために、入射マイクロ波の終端電流はこの
導電体壁を流れ、プラズマ中には前記誘電体と導電体壁
の間を貫通する電流が流れることとなるため、レーザ気
体中には空間的に一様なプラズマが発生し、さらに、誘
電体との間でレーザ気体を封入する空間の導電体による
壁面をセラミック層によってコーティングすることで、
当該導電体の壁面を保護するとともにレーザ気体の劣化
を防止し、高能率で寿命の長いレーザ発振を可能とす
る。
である誘電体に対向してプラズマよりも導電率の高い導
電体壁があるために、入射マイクロ波の終端電流はこの
導電体壁を流れ、プラズマ中には前記誘電体と導電体壁
の間を貫通する電流が流れることとなるため、レーザ気
体中には空間的に一様なプラズマが発生し、さらに、誘
電体との間でレーザ気体を封入する空間の導電体による
壁面をセラミック層によってコーティングすることで、
当該導電体の壁面を保護するとともにレーザ気体の劣化
を防止し、高能率で寿命の長いレーザ発振を可能とす
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による気体レーザ装置を示す縦
断正面図、第２図はその外観図である。図において、２
はマイクロ波放電によってレーザ気体にプラズマを発生
させ、レーザ励起を行うためのマイクロ波回路の一種で
ある、リッジ導波管型のマイクロ波空胴構造をもつレー
ザヘッド部、３はマイクロ波発振器としてのマグネトロ
ン、４はマグネトロン３の出力するマイクロ波をレーザ
ヘッド部２へ導く導波管、５はこの導波管４の幅を拡げ
るホーン導波管、６はこのホーン導波管５を前記レーザ
ヘッド部２へ結合するマイクロ波結合窓、７はレーザヘ
ッド部２に取り付けられたレーザ発振用の反射鏡であ
る。また、20は前記レーザヘッド部２におけるマイクロ
波結合窓６に続く空胴壁、21及び22はこの空胴壁20の中
央部に設けられたリッジ、23は一方のリッジ21に形成さ
れた溝、24はマイクロ波回路の一部を形成する導電体壁
であり、この実施例では前記溝23の壁面が使用されてい
る。25はこの導電体壁24に対向して設けられてマイクロ
波の入射窓として作用する、例えばアルミナ等による誘
電体、26はこの誘電体25が前記溝23を覆うことによっ
て、前記導電体壁24と誘電体25との間に形成され、炭酸
ガスレーザ気体等のレーザ気体が封入される放電空間、
27はリッジ21及びリッジ22のそれぞれに形成された冷却
水路であり、28は前記導電体壁24を含めた放電空間26を
形成している導電体の壁面にコーティングされたセラミ
ック層である。
図はこの発明の一実施例による気体レーザ装置を示す縦
断正面図、第２図はその外観図である。図において、２
はマイクロ波放電によってレーザ気体にプラズマを発生
させ、レーザ励起を行うためのマイクロ波回路の一種で
ある、リッジ導波管型のマイクロ波空胴構造をもつレー
ザヘッド部、３はマイクロ波発振器としてのマグネトロ
ン、４はマグネトロン３の出力するマイクロ波をレーザ
ヘッド部２へ導く導波管、５はこの導波管４の幅を拡げ
るホーン導波管、６はこのホーン導波管５を前記レーザ
ヘッド部２へ結合するマイクロ波結合窓、７はレーザヘ
ッド部２に取り付けられたレーザ発振用の反射鏡であ
る。また、20は前記レーザヘッド部２におけるマイクロ
波結合窓６に続く空胴壁、21及び22はこの空胴壁20の中
央部に設けられたリッジ、23は一方のリッジ21に形成さ
れた溝、24はマイクロ波回路の一部を形成する導電体壁
であり、この実施例では前記溝23の壁面が使用されてい
る。25はこの導電体壁24に対向して設けられてマイクロ
波の入射窓として作用する、例えばアルミナ等による誘
電体、26はこの誘電体25が前記溝23を覆うことによっ
て、前記導電体壁24と誘電体25との間に形成され、炭酸
ガスレーザ気体等のレーザ気体が封入される放電空間、
27はリッジ21及びリッジ22のそれぞれに形成された冷却
水路であり、28は前記導電体壁24を含めた放電空間26を
形成している導電体の壁面にコーティングされたセラミ
ック層である。
次に動作について説明する。マグネトロン３で発生した
マイクロ波は、導波管４を伝搬してホーン導波管５で拡
げられ、マイクロ波結合窓６でインピーダンスを整合さ
せることにより、効率よくレーザヘッド部２に結合され
る。このレーザヘッド部２は図示の如くリッジ空胴状に
なっており、マイクロ波はそのリッジ21,22付近に集中
して非常に強いマイクロ波電磁界を発生させる。この強
いマイクロ波電磁界により放電空間26に封入されたレー
ザ気体が放電破壊し、プラズマが発生してレーザ媒質が
励起される。ここで、冷却水路27に冷却水を流して放電
プラズマを冷却するとともに、レーザ気体の圧力等の放
電条件を適切に選択することによって、レーザ発振条件
が得られ、第２図に示す反射鏡７とそれに対向した図面
には現れない反射鏡とでレーザ共振器を形成することに
より、レーザ発振光が得られる。
マイクロ波は、導波管４を伝搬してホーン導波管５で拡
げられ、マイクロ波結合窓６でインピーダンスを整合さ
せることにより、効率よくレーザヘッド部２に結合され
る。このレーザヘッド部２は図示の如くリッジ空胴状に
なっており、マイクロ波はそのリッジ21,22付近に集中
して非常に強いマイクロ波電磁界を発生させる。この強
いマイクロ波電磁界により放電空間26に封入されたレー
ザ気体が放電破壊し、プラズマが発生してレーザ媒質が
励起される。ここで、冷却水路27に冷却水を流して放電
プラズマを冷却するとともに、レーザ気体の圧力等の放
電条件を適切に選択することによって、レーザ発振条件
が得られ、第２図に示す反射鏡７とそれに対向した図面
には現れない反射鏡とでレーザ共振器を形成することに
より、レーザ発振光が得られる。
この時、マイクロ波回路の一部を構成しているリッジ21
に形成された導電体壁24と、この導電体壁24に対向して
配置され、マイクロ波の入射窓となる誘電体25との間に
形成される放電空間26においてマイクロ波放電が行わ
れ、マイクロ波の入射はプラズマの一方の面からのみ行
われることになるため、プラズマを内導体とする同軸モ
ードのマイクロ波モードが支配的となる現象が発生する
ようなことはなく、所期のマイクロ波モードによる放電
を行わせることができる。また、図示のレーザヘッド部
２のリッジ空胴のように、マイクロ波回路が前記誘電体
25とプラズマとの境界に垂直な電界成分を有するマイク
ロ波モードを形成する場合、誘電体25と導電体壁24とは
対向しているため、導電体壁24に対しても垂直な電界成
分を有することとなりプラズマを貫く電界ができる。そ
のため、導電性を有するプラズマが発生しても、そのプ
ラズマより数桁導電率の高い導電体壁24がマイクロ波入
射窓としての誘電体25に対向して配置されているので、
入射マイクロ波の終端電流はこの導電体壁24を流れ、導
電体壁24近傍の電界は強制的にこの導電体壁24の表面に
対して垂直にされ、発生した前記プラズマを貫通する電
界が維持される。従って、マイクロ波がプラズマ中に浸
透してプラズマを貫く電流が流れ、この電流の連続性か
ら空間的に一様な放電プラズマが発生する。このよう
に、空間的に均一な放電が得られるので、放電全体をレ
ーザの励起に適当な状態にすることが容易となる。
に形成された導電体壁24と、この導電体壁24に対向して
配置され、マイクロ波の入射窓となる誘電体25との間に
形成される放電空間26においてマイクロ波放電が行わ
れ、マイクロ波の入射はプラズマの一方の面からのみ行
われることになるため、プラズマを内導体とする同軸モ
ードのマイクロ波モードが支配的となる現象が発生する
ようなことはなく、所期のマイクロ波モードによる放電
を行わせることができる。また、図示のレーザヘッド部
２のリッジ空胴のように、マイクロ波回路が前記誘電体
25とプラズマとの境界に垂直な電界成分を有するマイク
ロ波モードを形成する場合、誘電体25と導電体壁24とは
対向しているため、導電体壁24に対しても垂直な電界成
分を有することとなりプラズマを貫く電界ができる。そ
のため、導電性を有するプラズマが発生しても、そのプ
ラズマより数桁導電率の高い導電体壁24がマイクロ波入
射窓としての誘電体25に対向して配置されているので、
入射マイクロ波の終端電流はこの導電体壁24を流れ、導
電体壁24近傍の電界は強制的にこの導電体壁24の表面に
対して垂直にされ、発生した前記プラズマを貫通する電
界が維持される。従って、マイクロ波がプラズマ中に浸
透してプラズマを貫く電流が流れ、この電流の連続性か
ら空間的に一様な放電プラズマが発生する。このよう
に、空間的に均一な放電が得られるので、放電全体をレ
ーザの励起に適当な状態にすることが容易となる。
また、放電空間26の導電体壁24を含んだ導電体による壁
面はセラミック層28でコーティングされているため、マ
イクロ波放電によって発生するプラズマが導電体壁24等
に直接接触することはなく、発生したプラズマは、スパ
ッタされにくく化学的にも不活性なセラミック層28及び
誘電体25で包まれることになる。従って、スパッタや化
学反応によるレーザ気体の劣化はほとんど起こらず、ま
た、放電空間26の導電体による壁面がスパツタされてダ
メージを受けるようなことはなく、高能率、長寿命のマ
イクロ波励起方式の気体レーザ装置が実現できる。
面はセラミック層28でコーティングされているため、マ
イクロ波放電によって発生するプラズマが導電体壁24等
に直接接触することはなく、発生したプラズマは、スパ
ッタされにくく化学的にも不活性なセラミック層28及び
誘電体25で包まれることになる。従って、スパッタや化
学反応によるレーザ気体の劣化はほとんど起こらず、ま
た、放電空間26の導電体による壁面がスパツタされてダ
メージを受けるようなことはなく、高能率、長寿命のマ
イクロ波励起方式の気体レーザ装置が実現できる。
この時、空間的に一様な放電を安定に得るためには、前
述の如くマイクロ波をプラズマの一方の面からのみ入射
させることが必要であり、従って、前記セラミック層28
の厚さは誘電体25の厚さに対して充分薄いことが望まし
く、セラミック層28の厚さを誘電体25の厚さの1/10以下
とした場合に、プラズマの誘電体25の側からマイクロ波
エネルギーの大部分が注入されることが確認された。ま
た、入射マイクロ波の終端のインピーダンスがプラズマ
のインピーダンスより小さいことも必要であり、セラミ
ック層28の比誘電率をεｒ、セラミック層28の厚さを
ｄ、真空の波動インピーダンスをZo、プラズマの抵抗率
をρとした場合、 （d/εｒ）＜（ρ/Zo） の関係が成り立つことが条件となる。
述の如くマイクロ波をプラズマの一方の面からのみ入射
させることが必要であり、従って、前記セラミック層28
の厚さは誘電体25の厚さに対して充分薄いことが望まし
く、セラミック層28の厚さを誘電体25の厚さの1/10以下
とした場合に、プラズマの誘電体25の側からマイクロ波
エネルギーの大部分が注入されることが確認された。ま
た、入射マイクロ波の終端のインピーダンスがプラズマ
のインピーダンスより小さいことも必要であり、セラミ
ック層28の比誘電率をεｒ、セラミック層28の厚さを
ｄ、真空の波動インピーダンスをZo、プラズマの抵抗率
をρとした場合、 （d/εｒ）＜（ρ/Zo） の関係が成り立つことが条件となる。
さらに、エキシマレーザ装置のように、化学的活性の高
いハロゲンガスを含むレーザ気体を用いるレーザ装置に
あっては、前記セラミック層28としてハロゲン族と反応
しない材料を使用すべきであることはいうまでもない。
いハロゲンガスを含むレーザ気体を用いるレーザ装置に
あっては、前記セラミック層28としてハロゲン族と反応
しない材料を使用すべきであることはいうまでもない。
以上のように、この発明によればマイクロ波回路の一部
に形成された導電体壁と、この導電体壁に対向して設け
られた誘電体との間に形成される空間に、マイクロ波放
電によってプラズマを発生するレーザ気体を封入し、レ
ーザ気体が封入される空間の導電体による壁面をセラミ
ック層でコーティングするとともに、前記マイクロ波回
路によって前記誘電体とプラズマとの境界に垂直な電界
分布を有するマイクロ波モードを形成するように構成し
たので、空間的に一様なプラズマが長時間にわたって安
定に維持され、前記空間の導電体による壁面が保護され
るとともにレーザ気体の劣化も防止され、高能率で寿命
の長い気体レーザ装置が得られる効果がある。
に形成された導電体壁と、この導電体壁に対向して設け
られた誘電体との間に形成される空間に、マイクロ波放
電によってプラズマを発生するレーザ気体を封入し、レ
ーザ気体が封入される空間の導電体による壁面をセラミ
ック層でコーティングするとともに、前記マイクロ波回
路によって前記誘電体とプラズマとの境界に垂直な電界
分布を有するマイクロ波モードを形成するように構成し
たので、空間的に一様なプラズマが長時間にわたって安
定に維持され、前記空間の導電体による壁面が保護され
るとともにレーザ気体の劣化も防止され、高能率で寿命
の長い気体レーザ装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による気体レーザ装置を示
す縦断正面図、第２図はその外観図、第３図は従来の気
体レーザ装置を示す縦断正面図、第４図はそのＡ−Ａ線
断面図である。 ２はマイクロ波回路（レーザヘッド部）、24は導電体
壁、25は誘電体、26は空間（放電空間）、28はセラミッ
ク層。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
す縦断正面図、第２図はその外観図、第３図は従来の気
体レーザ装置を示す縦断正面図、第４図はそのＡ−Ａ線
断面図である。 ２はマイクロ波回路（レーザヘッド部）、24は導電体
壁、25は誘電体、26は空間（放電空間）、28はセラミッ
ク層。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
フロントページの続き (72)発明者 柳 正 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社応用機器研究所内 (72)発明者 植田 至宏 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社応用機器研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−104084（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】マイクロ波回路中のマイクロ波放電により
レーザ気体にプラズマを発生させてレーザ励起を行うマ
イクロ波励起方式の気体レーザ装置において、前記マイ
クロ波回路の一部を構成する導電体壁と、この導電体壁
に対向して設けられたマイクロ波の入射窓となる誘電体
との間に形成される空間に前記レーザ気体を封入し、前
記マイクロ波路によって前記誘電体と前記レーザ気体中
に発生したプラズマとの境界に垂直な電界成分を有する
マイクロ波モードを形成するとともに、前記空間の導電
体による壁面をセラミック層でコーティングしたことを
特徴とする気体レーザ装置。 - 【請求項２】前記セラミック層の厚さが前記誘電体の厚
さの1/10以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の気体レーザ装置。 - 【請求項３】前記セラミック層の厚さを当該セラミック
層の誘電率で割った値が、前記プラズマの抵抗率を真空
の波動インピーダンスで割った値より小さいことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の気体レーザ装置。 - 【請求項４】前記セラミック層がハロゲン族と反応しな
いものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の気体レーザ装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22520287A JPH0682876B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 気体レーザ装置 |
| DE3855896T DE3855896T2 (de) | 1987-01-26 | 1988-01-23 | Plasmavorrichtung |
| EP88101007A EP0280044B1 (en) | 1987-01-26 | 1988-01-23 | Plasma apparatus |
| DE3856348T DE3856348T2 (de) | 1987-01-26 | 1988-01-23 | Laser Plasmavorrichtung |
| EP95108095A EP0674471B1 (en) | 1987-01-26 | 1988-01-23 | Laser Plasma apparatus |
| US07/147,726 US4890294A (en) | 1987-01-26 | 1988-01-25 | Plasma apparatus |
| KR1019880000551A KR910002239B1 (ko) | 1987-01-26 | 1988-01-25 | 레이저 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22520287A JPH0682876B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 気体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6468985A JPS6468985A (en) | 1989-03-15 |
| JPH0682876B2 true JPH0682876B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16825577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22520287A Expired - Lifetime JPH0682876B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-09-10 | 気体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682876B2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-10 JP JP22520287A patent/JPH0682876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6468985A (en) | 1989-03-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |