JPH0683263B2 - 端末装置 - Google Patents
端末装置Info
- Publication number
- JPH0683263B2 JPH0683263B2 JP58183628A JP18362883A JPH0683263B2 JP H0683263 B2 JPH0683263 B2 JP H0683263B2 JP 58183628 A JP58183628 A JP 58183628A JP 18362883 A JP18362883 A JP 18362883A JP H0683263 B2 JPH0683263 B2 JP H0683263B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- line
- voltage
- current
- terminal device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/22—Arrangements for supervision, monitoring or testing
- H04M3/2272—Subscriber line supervision circuits, e.g. call detection circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
- Communication Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は回線より電圧供給を受ける端末装置の構成に関
するものである。
するものである。
近年の半導体集積回路技術の著しい発展に伴って交換機
内の加入者回路の集積回路化が試みられているが、従来
の加入者線信号方式では呼出信号やハウラ信号として高
レベル振幅信号が使用されているため、加入者回路の構
成素子を高耐圧化することが必要であり、集積回路では
高耐圧素子の実現が困難なことから、集積回路化の実現
に際し、大きな障害となっている。
内の加入者回路の集積回路化が試みられているが、従来
の加入者線信号方式では呼出信号やハウラ信号として高
レベル振幅信号が使用されているため、加入者回路の構
成素子を高耐圧化することが必要であり、集積回路では
高耐圧素子の実現が困難なことから、集積回路化の実現
に際し、大きな障害となっている。
そこで加入者回路の集積回路化を助けるために高レベル
振幅信号を使用せず直流信号だけで加入者線信号を実現
する加入者信号方式が同一出願人から特願昭57−33412
号（特開昭58−151161号公報）および特願昭57−33413
号（特開昭58−151162号公報）で提案されている。
振幅信号を使用せず直流信号だけで加入者線信号を実現
する加入者信号方式が同一出願人から特願昭57−33412
号（特開昭58−151161号公報）および特願昭57−33413
号（特開昭58−151162号公報）で提案されている。
この加入者線信号方式は、交換機から端末装置への呼出
表示は回線電流の転極信号のみあるいは転極信号に再転
極パルスないし断続パルスを併用して送出し、端末装置
では上記転極信号のみ、あるいは転極信号と再転極パル
スないし断続パルスに対して加入者線にループを形成し
するようにしたものである。
表示は回線電流の転極信号のみあるいは転極信号に再転
極パルスないし断続パルスを併用して送出し、端末装置
では上記転極信号のみ、あるいは転極信号と再転極パル
スないし断続パルスに対して加入者線にループを形成し
するようにしたものである。
本発明の目的は直流信号だけで実現される加入者線信号
方式に適応した端末装置を提供することにある。
方式に適応した端末装置を提供することにある。
次に図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図である。第
１図において11,12,13,14はダイオード素子であり、回
線との接続端子T1とT2の間に加わる電圧を全波整流する
ように接続される。21と22は全波整流された後の回線の
高電位側と低電位側である。31は論理回路であり制御回
路30内にあり、回線との接続端子T1およびT2と利用者回
路40を監視し整流後の回線21,22と利用者回路40との接
続制御を行なう。50は定電流素子であり、制御回路30に
流れる電流をある一定値に制限する。61と62はNPNトラ
ンジスタであり、ダーリントン接続され、スイッチング
機能を持つ。VSCはトランジスタ61,62のスイッチングを
制御する制御電圧である。IBトランジスタ61に流れ込む
ベース電流である。70は抵抗素子であり、トランジスタ
61のベース電流IBを制限する。23は端子T1の監視線,24
は端子T2の監視線,25は利用者回路40の監視線であり論
理回路31に引込まれ各々の状態監視が行われる。
１図において11,12,13,14はダイオード素子であり、回
線との接続端子T1とT2の間に加わる電圧を全波整流する
ように接続される。21と22は全波整流された後の回線の
高電位側と低電位側である。31は論理回路であり制御回
路30内にあり、回線との接続端子T1およびT2と利用者回
路40を監視し整流後の回線21,22と利用者回路40との接
続制御を行なう。50は定電流素子であり、制御回路30に
流れる電流をある一定値に制限する。61と62はNPNトラ
ンジスタであり、ダーリントン接続され、スイッチング
機能を持つ。VSCはトランジスタ61,62のスイッチングを
制御する制御電圧である。IBトランジスタ61に流れ込む
ベース電流である。70は抵抗素子であり、トランジスタ
61のベース電流IBを制限する。23は端子T1の監視線,24
は端子T2の監視線,25は利用者回路40の監視線であり論
理回路31に引込まれ各々の状態監視が行われる。
次に、利用者回路40と回線との接続端子T1,T2との接続
制御動作について説明する。
制御動作について説明する。
論理回路31は回線電流が端子T1からT2の方向に流れるか
（端子T2に対し端子T1が高電位か）またはその逆方向か
により、または流れる方向の変化（電圧極性の変化）に
よりまたは流れる方向の変化数（電圧極性の変化数）に
よりまたはこれらの組合せによる信号により回線状態を
監視し更に利用者回路40の状態の監視することにより利
用者回路40と回線との接続端子T1,T2との接続を制御す
る。論理回路31は利用者回路40と整流後の回線21,22と
の接続を開放すべき状態だと判断した場合、制御電圧V
SCを回線22に対し、トランジスタ61,62がオフとなるベ
ース電圧より更に低い電圧を出力することにより、トラ
ンジスタ61,62をオフし、利用者回路動作電流Ｉを止め
る。従って利用者回路40と端子T1,T2との接続は断とな
る。逆に論理回路31が利用者回路40と整流後の回線21,2
2との接続をすべき状態だと判断した場合、論理回路31
は制御電圧VSCを回線22に対しダーリントン接続トラン
ジスタ61,62がオンとなるベース電圧に加えベース電流I
Bと抵抗素子70での電圧降下より更に高い電圧を出力
し、ダーリントントランジスタ61,62をオンとし、利用
者回路動作電流Ｉが流れるようにする。従って利用者回
路40と回線との接続端子T1,T2とは接続状態となる。
（端子T2に対し端子T1が高電位か）またはその逆方向か
により、または流れる方向の変化（電圧極性の変化）に
よりまたは流れる方向の変化数（電圧極性の変化数）に
よりまたはこれらの組合せによる信号により回線状態を
監視し更に利用者回路40の状態の監視することにより利
用者回路40と回線との接続端子T1,T2との接続を制御す
る。論理回路31は利用者回路40と整流後の回線21,22と
の接続を開放すべき状態だと判断した場合、制御電圧V
SCを回線22に対し、トランジスタ61,62がオフとなるベ
ース電圧より更に低い電圧を出力することにより、トラ
ンジスタ61,62をオフし、利用者回路動作電流Ｉを止め
る。従って利用者回路40と端子T1,T2との接続は断とな
る。逆に論理回路31が利用者回路40と整流後の回線21,2
2との接続をすべき状態だと判断した場合、論理回路31
は制御電圧VSCを回線22に対しダーリントン接続トラン
ジスタ61,62がオンとなるベース電圧に加えベース電流I
Bと抵抗素子70での電圧降下より更に高い電圧を出力
し、ダーリントントランジスタ61,62をオンとし、利用
者回路動作電流Ｉが流れるようにする。従って利用者回
路40と回線との接続端子T1,T2とは接続状態となる。
次に定電流素子50の機能をついて説明する。
第１図に示す端末装置は図示されていない外部の回線を
介して電圧供給を受けるため、途中の回線が持つ回線自
身の抵抗と回線電流とにより電圧降下が発生し回線との
接続端子T1とT2の間にかかる電圧は変動する。つまり、
回線電流の大きさと回線の長さにより端子T1とT2間の電
圧および整流後の回線21と22間の電圧は変動する。更に
回線電流には信号電流が重畳されている。ところが、定
電流素子50がこの電圧変動を吸収し、制御回路30に供給
する電流を一定値に保つため制御回路30に加わる電圧を
一定値に設定することができ安定動作の端末装置を実現
することができる。特に電圧変動が激しいのは利用者回
路40が端子T1とT2に接続されている場合といない場合と
であり、一番動作条件が厳しい、即ち回線との接続端子
T1とT2の間に印加される電圧が最も低下するのは接続さ
れている場合である。しかしこの場合でも利用者回路40
での電圧降下の方を定電流素子50が定電流機能を果たす
ために必要な電圧（1V程度）と制御回路30が動作するた
めに必要な電圧（2V程度）の和よりも大きな値とするこ
とにより制御回路30は十分安定に動作する。
介して電圧供給を受けるため、途中の回線が持つ回線自
身の抵抗と回線電流とにより電圧降下が発生し回線との
接続端子T1とT2の間にかかる電圧は変動する。つまり、
回線電流の大きさと回線の長さにより端子T1とT2間の電
圧および整流後の回線21と22間の電圧は変動する。更に
回線電流には信号電流が重畳されている。ところが、定
電流素子50がこの電圧変動を吸収し、制御回路30に供給
する電流を一定値に保つため制御回路30に加わる電圧を
一定値に設定することができ安定動作の端末装置を実現
することができる。特に電圧変動が激しいのは利用者回
路40が端子T1とT2に接続されている場合といない場合と
であり、一番動作条件が厳しい、即ち回線との接続端子
T1とT2の間に印加される電圧が最も低下するのは接続さ
れている場合である。しかしこの場合でも利用者回路40
での電圧降下の方を定電流素子50が定電流機能を果たす
ために必要な電圧（1V程度）と制御回路30が動作するた
めに必要な電圧（2V程度）の和よりも大きな値とするこ
とにより制御回路30は十分安定に動作する。
次に論理回路31について説明する。
論理回路31はCMOS素子で構成することにより動作電圧を
他の論理素子（たとえばTTL素子）のように厳密に一定
の範囲内（TTL素子だと＋5V±５％）に押える必要がな
い。つまり個々の端末装置で論理回路31の動作電圧値を
そろえる必要がなく、異なっていてもかまわない。制御
電圧VSCはCMOS素子を使用することによりトランジスタ6
1,62をオンする場合は論理回路31の動作電圧にほぼ等し
い値を出力することができ、またオフする場合は回線22
の電圧にほぼ等しい値を出力することができる。従って
動作電圧をトランジスタ61,62のベース・エミッタ間の
飽和電圧にベース電流IBによる制限抵抗70での電圧降下
を考慮した電圧値以上を出力すればトランジスタ61,62
のスイッチングを安定に制御できる。また、ベース・エ
ミッタ間の飽和電圧も１トランジスタ当り0.7V程度であ
るため低い動作電圧（2V程度）で制御することができ
る。論理回路の動作電圧を低く設定し、しかもCMOS素子
を使用することにより消費電流を極めて少なく（１ゲー
ト当り１μＡ程度）、また利用者回路40の接続時のベー
ス電流IBをダーリントン接続方式により極めて小さな電
流値（100μＡ程度）に押えることができ制御回路30は
極めて少ない消費電力とすることができる。また定電流
素子50により制御回路30を交流信号に対して高抵抗とす
ることができる。
他の論理素子（たとえばTTL素子）のように厳密に一定
の範囲内（TTL素子だと＋5V±５％）に押える必要がな
い。つまり個々の端末装置で論理回路31の動作電圧値を
そろえる必要がなく、異なっていてもかまわない。制御
電圧VSCはCMOS素子を使用することによりトランジスタ6
1,62をオンする場合は論理回路31の動作電圧にほぼ等し
い値を出力することができ、またオフする場合は回線22
の電圧にほぼ等しい値を出力することができる。従って
動作電圧をトランジスタ61,62のベース・エミッタ間の
飽和電圧にベース電流IBによる制限抵抗70での電圧降下
を考慮した電圧値以上を出力すればトランジスタ61,62
のスイッチングを安定に制御できる。また、ベース・エ
ミッタ間の飽和電圧も１トランジスタ当り0.7V程度であ
るため低い動作電圧（2V程度）で制御することができ
る。論理回路の動作電圧を低く設定し、しかもCMOS素子
を使用することにより消費電流を極めて少なく（１ゲー
ト当り１μＡ程度）、また利用者回路40の接続時のベー
ス電流IBをダーリントン接続方式により極めて小さな電
流値（100μＡ程度）に押えることができ制御回路30は
極めて少ない消費電力とすることができる。また定電流
素子50により制御回路30を交流信号に対して高抵抗とす
ることができる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す回路図である。第
２図において第１図と同一の記号を使用している部分は
第１図と同一の名称および機能を持つ。32が第１図に対
して付け加えられているが、これは電力蓄積回路を示
す。
２図において第１図と同一の記号を使用している部分は
第１図と同一の名称および機能を持つ。32が第１図に対
して付け加えられているが、これは電力蓄積回路を示
す。
動作については第１図に示した実施例とほぼ同様である
が、本実施例においては制御回路30に電力蓄積回路を設
けておりこれが回線との接続端子T1とT2の間にかかる電
圧の転極時に発生する給電の瞬断時間内の電源電力保持
を行なうため、第１の実施例に比べ更に動作の安定化を
図ることができる。また前述のように論理回路31での消
費電流は際めて小さな値とすることができるため、電力
蓄積回路も極めて簡単な構成で実現できる利点がある。
具体的にはコンデンサを用いれば良く、または必要に応
じてコンデンサと並列にツェナーダイオード又はダイオ
ードの並列接続またはこれらの組合せ回路を接続し論理
回路に印加される電圧を制限ないし安定化してもよい。
が、本実施例においては制御回路30に電力蓄積回路を設
けておりこれが回線との接続端子T1とT2の間にかかる電
圧の転極時に発生する給電の瞬断時間内の電源電力保持
を行なうため、第１の実施例に比べ更に動作の安定化を
図ることができる。また前述のように論理回路31での消
費電流は際めて小さな値とすることができるため、電力
蓄積回路も極めて簡単な構成で実現できる利点がある。
具体的にはコンデンサを用いれば良く、または必要に応
じてコンデンサと並列にツェナーダイオード又はダイオ
ードの並列接続またはこれらの組合せ回路を接続し論理
回路に印加される電圧を制限ないし安定化してもよい。
第３図は本発明の第３の実施例を示す回路図である。第
３図において第１図と同一の記号を使用している部分は
第１図と同一の名称および機能を持つ。第３図において
15a,16aは第1,第２の実施例におけるダイオード素子11,
12に代わる光結合素子内の発光ダイオードであり、ダイ
オード素子13,14と組合わされて回線との接続端子T1とT
2の間に加わる電圧を全波整流する。15b,16bは光結合素
子内の受光トランジスタであり、ダーリントン接続され
たトランジスタ15c,16cと共に発光ダイオード15a,16aに
流れる回線電流に方向によってオンオフ制御され論理回
路31に回路電流（電圧）の方向を知らせる。
３図において第１図と同一の記号を使用している部分は
第１図と同一の名称および機能を持つ。第３図において
15a,16aは第1,第２の実施例におけるダイオード素子11,
12に代わる光結合素子内の発光ダイオードであり、ダイ
オード素子13,14と組合わされて回線との接続端子T1とT
2の間に加わる電圧を全波整流する。15b,16bは光結合素
子内の受光トランジスタであり、ダーリントン接続され
たトランジスタ15c,16cと共に発光ダイオード15a,16aに
流れる回線電流に方向によってオンオフ制御され論理回
路31に回路電流（電圧）の方向を知らせる。
以下第３図のもとに利用者回路40と回線との接続端子T
1,T2との接続制御動作について説明する。光結合素子を
介して論理回路31は利用者回路40と整流後の回線21,22
との接続を開放すべき状態だと判断した場合、制御電圧
VSCを回線22に対し、トランジスタ61,62がオフとなるベ
ース電圧より更に低い電圧を出力することにより、トラ
ンジスタ61,62をオフし、利用者回路動作電流Ｉを止め
る。従って利用者回路40と端子T1,T2との接続は断とな
る。逆に論理回路31が利用者回路40と整流後の回線21,2
2との接続をすべき状態だと判断した場合、論理回路31
は制御電圧VSCを回線22に対しダーリントン接続トラン
ジスタ61,62がオンとなるベース電圧に加え、ベース電
流IBと抵抗素子70での電圧降下より更に高い電圧を出力
し、ダーリントントランジスタ61,62をオンとし、利用
者回路動作電流Ｉが流れるようにする。従って利用者回
路40と回線との接続端子T1,T2とは接続状態となる。
1,T2との接続制御動作について説明する。光結合素子を
介して論理回路31は利用者回路40と整流後の回線21,22
との接続を開放すべき状態だと判断した場合、制御電圧
VSCを回線22に対し、トランジスタ61,62がオフとなるベ
ース電圧より更に低い電圧を出力することにより、トラ
ンジスタ61,62をオフし、利用者回路動作電流Ｉを止め
る。従って利用者回路40と端子T1,T2との接続は断とな
る。逆に論理回路31が利用者回路40と整流後の回線21,2
2との接続をすべき状態だと判断した場合、論理回路31
は制御電圧VSCを回線22に対しダーリントン接続トラン
ジスタ61,62がオンとなるベース電圧に加え、ベース電
流IBと抵抗素子70での電圧降下より更に高い電圧を出力
し、ダーリントントランジスタ61,62をオンとし、利用
者回路動作電流Ｉが流れるようにする。従って利用者回
路40と回線との接続端子T1,T2とは接続状態となる。
ところで回線電流は利用者回路40が端子T1とT2に接続さ
れている場合は比較的大きく（10mA〜50mA程度）接続さ
れていない場合は極めて小さいため（数百μＡ程度）変
動が激しい。従って回線電流の方向検出が一番厳しいの
は光結合素子内の発光ダイオードに流れる回線電流が極
めて小さな値となる利用者回路40が接続されていない場
合である。ところが第３図に示すダーリントン接続の方
法を用いることにより電流の増幅を行なえば、回線電流
が極めて小さい場合でも回線電流の方向検出動作は安定
に行なえる。また必要に応じて端子T1,T2間に定電流回
路ないし抵抗を、あるいは制御回路に並列に抵抗を接続
する等により、回線電流の検出に必要な最小電流値を保
証することも可能である。
れている場合は比較的大きく（10mA〜50mA程度）接続さ
れていない場合は極めて小さいため（数百μＡ程度）変
動が激しい。従って回線電流の方向検出が一番厳しいの
は光結合素子内の発光ダイオードに流れる回線電流が極
めて小さな値となる利用者回路40が接続されていない場
合である。ところが第３図に示すダーリントン接続の方
法を用いることにより電流の増幅を行なえば、回線電流
が極めて小さい場合でも回線電流の方向検出動作は安定
に行なえる。また必要に応じて端子T1,T2間に定電流回
路ないし抵抗を、あるいは制御回路に並列に抵抗を接続
する等により、回線電流の検出に必要な最小電流値を保
証することも可能である。
第４図は本発明の第４の実施例を示す回路図である。第
４図において第３図と同一の記号を使用している部分は
第３図と同一の名称および機能を持つ。本実施例におい
ては電力蓄積回路32が第３図に対して付け加えられてい
る。動作については第３図とほぼ同様であるが、本実施
例においては制御回路30に電力蓄積回路32を設けており
これが回線との接続端子T1とT2間にかかる電圧の転極時
に発生する給電の瞬断時間内の電源電力保持を行なうた
め、第３の実施例に比べ更に動作の安定化を図ることが
できる。また第１の実施例で述べたように論理回路31で
の消費電流は極めて小さな値とすることができるため、
電力蓄積回路32も極めて簡単な構成で実現できる利点が
ある。具体的にはコンデンサを用いれば良く、また必要
に応じてコンデンサと並列にツェナーダイオード又はダ
イオードの並列接続、またはこれらの組合せ回路の接続
し論理回路31に印加される電圧を制限ないし安定化して
もよい。
４図において第３図と同一の記号を使用している部分は
第３図と同一の名称および機能を持つ。本実施例におい
ては電力蓄積回路32が第３図に対して付け加えられてい
る。動作については第３図とほぼ同様であるが、本実施
例においては制御回路30に電力蓄積回路32を設けており
これが回線との接続端子T1とT2間にかかる電圧の転極時
に発生する給電の瞬断時間内の電源電力保持を行なうた
め、第３の実施例に比べ更に動作の安定化を図ることが
できる。また第１の実施例で述べたように論理回路31で
の消費電流は極めて小さな値とすることができるため、
電力蓄積回路32も極めて簡単な構成で実現できる利点が
ある。具体的にはコンデンサを用いれば良く、また必要
に応じてコンデンサと並列にツェナーダイオード又はダ
イオードの並列接続、またはこれらの組合せ回路の接続
し論理回路31に印加される電圧を制限ないし安定化して
もよい。
以上、第1,第2,第3,第４の実施例共にスイッチ素子をダ
ーリントン接続トランジスタを用いて説明したが、FET
トランジスタを用いることも可能である。FETトランジ
スタはゲートの入力インピーダンスが極めて高いため、
抵抗70は不用となり、ベース電流IBに対応するゲート電
流も極めて少なくすることができる。また、利用者回路
40内部に布線論理等によるスイッチング機能をもたせ、
利用者回路40の状態監視の一部もしくは全てを利用者回
路側にまかせる構成も考えられ本発明は利用者回路の構
成によらず適用される。本実施例においては利用者回路
40が１個の場合について説明しているが、利用者回路40
が複数個並列接続した構成も本発明に含まれる。更に付
言すれば定電流機能は高抵抗によっても実現することが
可能であり、簡易な回路で実現できる。
ーリントン接続トランジスタを用いて説明したが、FET
トランジスタを用いることも可能である。FETトランジ
スタはゲートの入力インピーダンスが極めて高いため、
抵抗70は不用となり、ベース電流IBに対応するゲート電
流も極めて少なくすることができる。また、利用者回路
40内部に布線論理等によるスイッチング機能をもたせ、
利用者回路40の状態監視の一部もしくは全てを利用者回
路側にまかせる構成も考えられ本発明は利用者回路の構
成によらず適用される。本実施例においては利用者回路
40が１個の場合について説明しているが、利用者回路40
が複数個並列接続した構成も本発明に含まれる。更に付
言すれば定電流機能は高抵抗によっても実現することが
可能であり、簡易な回路で実現できる。
以上説明した様に本発明によれば回線電流の整流後に論
理回路と利用者回路を置くことにより、これらの回路の
電位関係を固定的とすることができ、極性を有するスイ
ッチング素子の利用が可能となる。また、端末装置の回
線との接続端子の両端にかかる電圧は利用者回路が全波
整流した後の回線に接続される場合と切り離される場合
とで大巾に変動するにもかかわらず電圧変動を定電流化
手段で吸収すると共に交流信号に対し、制御回路を高抵
抗化でき通信信号の減衰のない安定な制御を可能とする
端末装置を提供することができる。また論理回路をCMOS
素子で構成することにより低消費電力化することができ
るため電力蓄積回路は定電圧発生素子とコンデンサ等の
簡単な回路で構成でき、回線に加わる電圧の転極時の電
源電力保持を実現できる。更に利用者回路が回線から切
り離されている空状態での消費電力の少ない端末装置を
提供することができる。また論理回路をCMOS素子で構成
した場合論理回路に供給する電圧値は他の論理素子（TT
L）のように一定の範囲内（＋5V±５％）に押える必要
がなく、個々の端末装置での電圧値が多少異なっても良
く、またリップルが存在してもよいため、非常に経済的
な端末装置を提供することができる。
理回路と利用者回路を置くことにより、これらの回路の
電位関係を固定的とすることができ、極性を有するスイ
ッチング素子の利用が可能となる。また、端末装置の回
線との接続端子の両端にかかる電圧は利用者回路が全波
整流した後の回線に接続される場合と切り離される場合
とで大巾に変動するにもかかわらず電圧変動を定電流化
手段で吸収すると共に交流信号に対し、制御回路を高抵
抗化でき通信信号の減衰のない安定な制御を可能とする
端末装置を提供することができる。また論理回路をCMOS
素子で構成することにより低消費電力化することができ
るため電力蓄積回路は定電圧発生素子とコンデンサ等の
簡単な回路で構成でき、回線に加わる電圧の転極時の電
源電力保持を実現できる。更に利用者回路が回線から切
り離されている空状態での消費電力の少ない端末装置を
提供することができる。また論理回路をCMOS素子で構成
した場合論理回路に供給する電圧値は他の論理素子（TT
L）のように一定の範囲内（＋5V±５％）に押える必要
がなく、個々の端末装置での電圧値が多少異なっても良
く、またリップルが存在してもよいため、非常に経済的
な端末装置を提供することができる。
また回線電流の整流素子を回線電流の方向を検出するた
めに用いている光結合素子内の発行ダイオードで兼用す
ることにより部品数が削減が図れるとともに論理回路と
電圧変動の激しい端子と電気的に分離でき安定動作の経
済的な端末装置を提供することができる。
めに用いている光結合素子内の発行ダイオードで兼用す
ることにより部品数が削減が図れるとともに論理回路と
電圧変動の激しい端子と電気的に分離でき安定動作の経
済的な端末装置を提供することができる。
第１図〜第４図は、それぞれ本発明の第１〜第４の実施
例を示す回路図である。 11〜14:ダイオード素子、15a,16a:光結合素子内発光ダ
イオード、15b,16b:光結合素子内受光トランジスタ、15
c,16c:トランジスタ、21,22:整流後の回線、23:端子T1
の監視線、24:端子T2の監視線、25:利用者回路40の監視
線、30:制御回路、31:論理回路、32:電力蓄積回路、40:
利用者回路、50:定電流素子、61,62:NPNトランジスタ、
70:抵抗素子、T1,T2:回線との接続端子、VSC:制御電
圧、IB:ベース電流、I:利用者回路動作電流。
例を示す回路図である。 11〜14:ダイオード素子、15a,16a:光結合素子内発光ダ
イオード、15b,16b:光結合素子内受光トランジスタ、15
c,16c:トランジスタ、21,22:整流後の回線、23:端子T1
の監視線、24:端子T2の監視線、25:利用者回路40の監視
線、30:制御回路、31:論理回路、32:電力蓄積回路、40:
利用者回路、50:定電流素子、61,62:NPNトランジスタ、
70:抵抗素子、T1,T2:回線との接続端子、VSC:制御電
圧、IB:ベース電流、I:利用者回路動作電流。
Claims (3)
- 【請求項１】回線より電圧供給を受ける端末装置におい
て、 回線の両端に接続されその回線電流を整流する全波整流
回路と、 前記整流回路からの電力供給を受ける利用者回路に直列
接続され、その利用者回路への電力供給の開閉を行うス
イッチング素子と、 前記整流回路からの出力電流を一定値にする定電流化手
段と、 この定電流手段から電流供給され、前記回線の状態をお
よび前記利用者回路の状態を監視し、これらの状態に応
じて前記スイッチング素子の開閉制御を行う制御電圧を
発生する制御回路と、 を有することを特徴とする端末装置。 - 【請求項２】前記全波整流回路は光結合素子内の発光ダ
イオードを有し、また、前記制御回路はこの光結合素子
内の受光素子を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の端末装置。 - 【請求項３】前記制御装置は電力蓄積手段を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の端末装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183628A JPH0683263B2 (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183628A JPH0683263B2 (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 端末装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075150A JPS6075150A (ja) | 1985-04-27 |
| JPH0683263B2 true JPH0683263B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16139092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183628A Expired - Lifetime JPH0683263B2 (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 端末装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683263B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0681159B2 (ja) * | 1987-11-13 | 1994-10-12 | 三菱電機株式会社 | 情報伝送装置 |
| JPH0782040B2 (ja) * | 1989-11-01 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | 極性判別装置 |
| JP2007308108A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Inoac Corp | 車両の傘保持構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690656A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-22 | Fuji Electric Co Ltd | Wire transmission system |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183628A patent/JPH0683263B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075150A (ja) | 1985-04-27 |
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