JPH0684745A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0684745A JPH0684745A JP23323392A JP23323392A JPH0684745A JP H0684745 A JPH0684745 A JP H0684745A JP 23323392 A JP23323392 A JP 23323392A JP 23323392 A JP23323392 A JP 23323392A JP H0684745 A JPH0684745 A JP H0684745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- pattern
- held
- processing equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハパターンを転写する際、フォーカスが
合わずにパターン欠陥が発生するのを防ぐ。 【構成】ウェーハ１を吸着保持するステージ２の表面が
弾力性のある樹脂３で被覆されている。 【効果】ステージの表面を弾力性のある樹脂にて被覆し
たので、ウェーハとの間にごみが入った場合ウェーハの
表面に高低差が発生しない。つまり、フォーカスが合わ
ずに発生するパターンの欠陥を防止出来る。
合わずにパターン欠陥が発生するのを防ぐ。 【構成】ウェーハ１を吸着保持するステージ２の表面が
弾力性のある樹脂３で被覆されている。 【効果】ステージの表面を弾力性のある樹脂にて被覆し
たので、ウェーハとの間にごみが入った場合ウェーハの
表面に高低差が発生しない。つまり、フォーカスが合わ
ずに発生するパターンの欠陥を防止出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体ウェーハにパターンを転写するステッパを有
する半導体製造装置に関する。
特に半導体ウェーハにパターンを転写するステッパを有
する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のステッパは図２に示すように、半
導体ウェーハ（以下、ウェーハと記す）１をステージ２
で吸着保持してウェーハ１にレチクル上のパターンを転
写しており、ウェーハ１を吸着保持するステージ１の材
質はセラミックスで固い表面で構成されていた。
導体ウェーハ（以下、ウェーハと記す）１をステージ２
で吸着保持してウェーハ１にレチクル上のパターンを転
写しており、ウェーハ１を吸着保持するステージ１の材
質はセラミックスで固い表面で構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のステッパで
は、ウェーハを吸着保持するステージがセラミックスで
ある為、表面が固く、ウェーハのステージ間にごみが入
った場合、ウェーハ表面に高低差が発生し、レチクル上
のパターンを転写する際、フォーカスが合わずにパター
ンに欠陥が生ずるという問題点があった。
は、ウェーハを吸着保持するステージがセラミックスで
ある為、表面が固く、ウェーハのステージ間にごみが入
った場合、ウェーハ表面に高低差が発生し、レチクル上
のパターンを転写する際、フォーカスが合わずにパター
ンに欠陥が生ずるという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、ステーパのステージにウ
ェーハを吸着保持したときにウェーハ表面に高低差の発
生がなく、欠陥のないパターンが得られる半導体装置を
提供することにある。
ェーハを吸着保持したときにウェーハ表面に高低差の発
生がなく、欠陥のないパターンが得られる半導体装置を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェー
ハを吸着保持するステージを備え、該ステージ上に吸着
保持された前記半導体ウェーハにレチクル上のパターン
を転写するステッパを有する半導体製造装置において、
前記ステージの前記半導体ウェーハを吸着保持する面が
弾力性のある樹脂にて被覆されている。
ハを吸着保持するステージを備え、該ステージ上に吸着
保持された前記半導体ウェーハにレチクル上のパターン
を転写するステッパを有する半導体製造装置において、
前記ステージの前記半導体ウェーハを吸着保持する面が
弾力性のある樹脂にて被覆されている。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００７】図１は本発明の一実施例のステージにウェ
ーハを吸着保持した断面である。
ーハを吸着保持した断面である。
【０００８】図１に示すように、ウェーハ１を吸着保持
するステージ２の表面が弾力性のある樹脂３で被覆され
ている。ステージ２，樹脂３のそれぞれには排気孔４が
設けらえており、排気孔４から吸引することによりウェ
ーハ１を弾力性のある樹脂３上に吸着保持する。
するステージ２の表面が弾力性のある樹脂３で被覆され
ている。ステージ２，樹脂３のそれぞれには排気孔４が
設けらえており、排気孔４から吸引することによりウェ
ーハ１を弾力性のある樹脂３上に吸着保持する。
【０００９】ステージ２をこのような構造にすることに
より、ウェーハ１とステージ２間にごみが存在しても、
ごみはウェーハ１とステージ２間の樹脂３が変形するこ
とで吸収されウェーハ１の表面に高低差の発生をなくす
ことができる。
より、ウェーハ１とステージ２間にごみが存在しても、
ごみはウェーハ１とステージ２間の樹脂３が変形するこ
とで吸収されウェーハ１の表面に高低差の発生をなくす
ことができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ステージ
表面を弾力性のある樹脂にて被覆したので、ごみがウェ
ーハとステージとの間に入った場合でも樹脂が変形する
ことで吸収しウェーハに高低差の発生を防止できる。つ
まり、パターン転写の際フォーカスが合わずパターン欠
陥が発生することがなくなるという効果がある。
表面を弾力性のある樹脂にて被覆したので、ごみがウェ
ーハとステージとの間に入った場合でも樹脂が変形する
ことで吸収しウェーハに高低差の発生を防止できる。つ
まり、パターン転写の際フォーカスが合わずパターン欠
陥が発生することがなくなるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例のステージにウェーハを吸着
保持した断面図である。
保持した断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置のステージの一例にウェ
ーハを吸着保持させた断面図である。
ーハを吸着保持させた断面図である。
１ ウェーハ ２ ステージ ３ 樹脂 ４ 排気孔
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを吸着保持するステージ
を備え、該ステージ上に吸着保持された前記半導体ウェ
ーハにレチクル上のパターンを転写するステッパを有す
る半導体製造装置において、前記ステージの前記半導体
ウェーハを吸着保持する面が弾力性のある樹脂にて被覆
されていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23323392A JPH0684745A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23323392A JPH0684745A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684745A true JPH0684745A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16951847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23323392A Withdrawn JPH0684745A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911596B2 (en) | 2001-05-15 | 2005-06-28 | 3M Innovative Properties Company | Method for covering an article with a tubular cover member, tubular cover member and covered article |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23323392A patent/JPH0684745A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911596B2 (en) | 2001-05-15 | 2005-06-28 | 3M Innovative Properties Company | Method for covering an article with a tubular cover member, tubular cover member and covered article |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |