JPH03256677A - 薄片吸着保持装置 - Google Patents
薄片吸着保持装置Info
- Publication number
- JPH03256677A JPH03256677A JP2049258A JP4925890A JPH03256677A JP H03256677 A JPH03256677 A JP H03256677A JP 2049258 A JP2049258 A JP 2049258A JP 4925890 A JP4925890 A JP 4925890A JP H03256677 A JPH03256677 A JP H03256677A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction
- suction port
- wafer
- clean pad
- clean
- Prior art date
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Gripping Jigs, Holding Jigs, And Positioning Jigs (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Registering Or Overturning Sheets (AREA)
- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、薄片（半導体ウェハ、ガラスフォトマスク、
光デイスク用のガラス基板、薄膜ヘッド用のフェライト
基板等）の吸着保持装置に係り、特に表面処理装置（フ
ォトレジスト塗布、露光、現像、エツチング、表面検査
等）に使用した際に、薄片の吸着面を汚染させない薄片
吸着保持装置に関する。
光デイスク用のガラス基板、薄膜ヘッド用のフェライト
基板等）の吸着保持装置に係り、特に表面処理装置（フ
ォトレジスト塗布、露光、現像、エツチング、表面検査
等）に使用した際に、薄片の吸着面を汚染させない薄片
吸着保持装置に関する。
本発明は、第一の吸着口と第一の吸着口近傍に第二の吸
着口と第二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上
に設けた吸着盤と、第三の吸着口および第三の吸着口に
接続された第二の吸着溝を上面に設けたクリーンパッド
を、第一の吸着口と第三の吸着口が一致するように吸着
盤上にクリーンパッドを吸着し、クリーンパッドの第三
の吸着口および第二の吸着溝によりクリーンパッド上に
半導体ウェハ等の薄片を吸着保持する薄片吸着保持装置
である。
着口と第二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上
に設けた吸着盤と、第三の吸着口および第三の吸着口に
接続された第二の吸着溝を上面に設けたクリーンパッド
を、第一の吸着口と第三の吸着口が一致するように吸着
盤上にクリーンパッドを吸着し、クリーンパッドの第三
の吸着口および第二の吸着溝によりクリーンパッド上に
半導体ウェハ等の薄片を吸着保持する薄片吸着保持装置
である。
〔従来の技術］
従来より、薄片の一例である半導体ウェハ（以降、ウェ
ハと略称する）を吸着保持して表面を処理する装置とし
ては、例えばウェハ上にフォトレジストを塗布するスピ
ンコータが一般的によく知られており、スピンコータに
関する提案も以下に説明するように各種なされている。
ハと略称する）を吸着保持して表面を処理する装置とし
ては、例えばウェハ上にフォトレジストを塗布するスピ
ンコータが一般的によく知られており、スピンコータに
関する提案も以下に説明するように各種なされている。
スピンコータに関する提案は、例えば、スピンコータに
ウェハをチャックする装置、構造等（特開昭６１−１４
９１９号公報、実開昭６３−１０２２３８号公報参照）
、スピンコータへのウェハ搬送手段（特開昭６３−３０
８３３７号公報、実開昭６３−１０２２３８号公報参照
）、ウェハの取り出し装置（実開昭６３−３８３２３号
公報参照）等がある。
ウェハをチャックする装置、構造等（特開昭６１−１４
９１９号公報、実開昭６３−１０２２３８号公報参照）
、スピンコータへのウェハ搬送手段（特開昭６３−３０
８３３７号公報、実開昭６３−１０２２３８号公報参照
）、ウェハの取り出し装置（実開昭６３−３８３２３号
公報参照）等がある。
スピンコータではウェハが薄片吸着保持装置すなわちス
ピンチャックに真空吸着されて保持され、比較的高速（
２０００〜６０００ｒｐｍ）で回転させられてウェハ表
面にフォトレジストがスピンコードされる。
ピンチャックに真空吸着されて保持され、比較的高速（
２０００〜６０００ｒｐｍ）で回転させられてウェハ表
面にフォトレジストがスピンコードされる。
しかしながら、ウェハの裏面は一般にスピンコード以前
の工程の装置による処理により汚染されており、この汚
染によるウェハ裏面のダストが真空吸着時スピンチャッ
クに転写され、つぎつぎと以降のウェハ裏面を汚染させ
ることになる。
の工程の装置による処理により汚染されており、この汚
染によるウェハ裏面のダストが真空吸着時スピンチャッ
クに転写され、つぎつぎと以降のウェハ裏面を汚染させ
ることになる。
最近のように半導体集積回路のＬＳＩ化が進み、ＬＳＩ
の加ニレベルも微細化およびスケールアップによりダス
トレベルの減少が必要となってきており、ウェハ裏面も
表面並みのクリーン度を保つ必要が生じてきた。
の加ニレベルも微細化およびスケールアップによりダス
トレベルの減少が必要となってきており、ウェハ裏面も
表面並みのクリーン度を保つ必要が生じてきた。
そこで本発明は、スピンコータ等に使用して、ウェハ裏
面を汚染させない薄片吸着保持装置を提供することを目
的とする。
面を汚染させない薄片吸着保持装置を提供することを目
的とする。
前記課題を解決するために本発明は、第一の吸着口と第
一の吸着口近傍に第二の吸着口と第二の吸着口に接続さ
れた第一の吸着溝を盤面上に設けた吸着盤と、第三の吸
着口および第三の吸着口に接続された第二の吸着溝を上
面に設けたクリーンバンドを、第一の吸着口と第三の吸
着口が一致するように吸着盤上にクリーンパッドを吸着
し、クリーンバンドの第三の吸着口および第二の吸着溝
によりクリーンバンド上に半導体ウェハ等の薄片を吸着
保持する薄片吸着保持装置を採用する。
一の吸着口近傍に第二の吸着口と第二の吸着口に接続さ
れた第一の吸着溝を盤面上に設けた吸着盤と、第三の吸
着口および第三の吸着口に接続された第二の吸着溝を上
面に設けたクリーンバンドを、第一の吸着口と第三の吸
着口が一致するように吸着盤上にクリーンパッドを吸着
し、クリーンバンドの第三の吸着口および第二の吸着溝
によりクリーンバンド上に半導体ウェハ等の薄片を吸着
保持する薄片吸着保持装置を採用する。
本発明は、第一の吸着口と第一の吸着口近傍に第二の吸
着口と第二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上
に設けた吸着盤と、第三の吸着口および第三の吸着口に
接続された第二の吸着溝を上面に設けたクリーンパッド
を、第一の吸着口と第三の吸着口が一致するように吸着
盤上にクリーンパッドを吸着し、クリーンパッドの第三
の吸着口および第二の吸着溝によりクリーンパッド上に
半導体ウェハ等の薄片を吸着保持する薄片吸着保持装置
を採用し、クリーンバンドを適宜交換することによりウ
ェハの裏面の汚染を防止できる。
着口と第二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上
に設けた吸着盤と、第三の吸着口および第三の吸着口に
接続された第二の吸着溝を上面に設けたクリーンパッド
を、第一の吸着口と第三の吸着口が一致するように吸着
盤上にクリーンパッドを吸着し、クリーンパッドの第三
の吸着口および第二の吸着溝によりクリーンパッド上に
半導体ウェハ等の薄片を吸着保持する薄片吸着保持装置
を採用し、クリーンバンドを適宜交換することによりウ
ェハの裏面の汚染を防止できる。
〔実施例］
以下、本発明の一実施例の薄片吸着保持装置をウェハに
フォトレジストを塗布するスピンコータ用のスピンチャ
ックを例にとり図面を参照して説明する。
フォトレジストを塗布するスピンコータ用のスピンチャ
ックを例にとり図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の薄片吸着保持装置の一部断
面図、第２図は本発明の薄片吸着保持装置のスピンチャ
ックとクリーンパッドの部分の斜視図である。
面図、第２図は本発明の薄片吸着保持装置のスピンチャ
ックとクリーンパッドの部分の斜視図である。
第１図および第２図において、１はスピンチャックで、
下面に回転軸９が取りつけられ、モータｌＯにより所定
の回転数が与えられる。２はスピンチャックｌの中心に
設けられた第一の吸着口、３は第一の吸着口２近傍に設
けられた第二の吸着口で、第二の吸着口３よりスピンチ
ャック１の周辺に向け、第一の吸着口２を避けて吸着溝
４が放射状および第一の吸着口２と同心円状に設けられ
ている。５は回転軸９に設けられた第一の回転バキュー
ムシールで回転軸９は第一の回転バキュームシール５に
対して自由に回転し、かつバキュームシールが行われる
。６は同しく第二の回転バキュームシールであり、７は
回転軸９に設けられ、第一の吸着口２と第一の回転バキ
ュームシール５とを接続する第一の排気孔、８は同じく
第二の吸着口４と第二の回転バキュームシール６を接続
する第二の排気孔である。また第一の回転バキュームシ
ール５および第二の回転バキュームシール６にはそれぞ
れ第一の排気口１１および第二の排気口１２が設けられ
ており、第一の排気口１１はホース１３で第一のバルブ
１４を経て真空ポンプ等の負圧発生装置１６に、また第
二の排気口１２は同様にホース１３で第二のバルブＩ５
を経て負圧発生装置１６に接続されている。
下面に回転軸９が取りつけられ、モータｌＯにより所定
の回転数が与えられる。２はスピンチャックｌの中心に
設けられた第一の吸着口、３は第一の吸着口２近傍に設
けられた第二の吸着口で、第二の吸着口３よりスピンチ
ャック１の周辺に向け、第一の吸着口２を避けて吸着溝
４が放射状および第一の吸着口２と同心円状に設けられ
ている。５は回転軸９に設けられた第一の回転バキュー
ムシールで回転軸９は第一の回転バキュームシール５に
対して自由に回転し、かつバキュームシールが行われる
。６は同しく第二の回転バキュームシールであり、７は
回転軸９に設けられ、第一の吸着口２と第一の回転バキ
ュームシール５とを接続する第一の排気孔、８は同じく
第二の吸着口４と第二の回転バキュームシール６を接続
する第二の排気孔である。また第一の回転バキュームシ
ール５および第二の回転バキュームシール６にはそれぞ
れ第一の排気口１１および第二の排気口１２が設けられ
ており、第一の排気口１１はホース１３で第一のバルブ
１４を経て真空ポンプ等の負圧発生装置１６に、また第
二の排気口１２は同様にホース１３で第二のバルブＩ５
を経て負圧発生装置１６に接続されている。
クリーンバッド２Ｉは第２図に示すように中心にウェハ
吸着用の第三の吸着口２２が、上面に第三の吸着口２２
から周辺に向けて放射状および第三の吸着口２２と同心
円状に第二の吸着溝２３が設けられている。
吸着用の第三の吸着口２２が、上面に第三の吸着口２２
から周辺に向けて放射状および第三の吸着口２２と同心
円状に第二の吸着溝２３が設けられている。
本発明の薄片吸着保持装置の動作は以下に説明するよう
に行われる。
に行われる。
まずクリーンバッド２１が図示されていないクリーンバ
ンド搬送装置によりスピンチャックｌまで搬送され、第
２図に示すように第一の吸着口２と第三の吸着口２２が
位置合わせされ、スピンチャックｌ上に置かれる。そし
て第二のバルブ１５が開かれて第二の吸着口３および第
一の吸着溝４によりクリーンバッド２Ｉがスピンチャッ
クｌ上に吸着される。つぎにウェハ２５が図示されてい
ないウェハ搬送装置によりクリーンバッド２１まで搬送
され、クリーンバッド２１上に置かれる。そして第一の
バルブ１４が開かれてクリーンバッド２１の第三の吸着
口２２および第二の吸着溝２３によりウェハ２５がクリ
ーンバッド２１上に吸着される。
ンド搬送装置によりスピンチャックｌまで搬送され、第
２図に示すように第一の吸着口２と第三の吸着口２２が
位置合わせされ、スピンチャックｌ上に置かれる。そし
て第二のバルブ１５が開かれて第二の吸着口３および第
一の吸着溝４によりクリーンバッド２Ｉがスピンチャッ
クｌ上に吸着される。つぎにウェハ２５が図示されてい
ないウェハ搬送装置によりクリーンバッド２１まで搬送
され、クリーンバッド２１上に置かれる。そして第一の
バルブ１４が開かれてクリーンバッド２１の第三の吸着
口２２および第二の吸着溝２３によりウェハ２５がクリ
ーンバッド２１上に吸着される。
ウェハ２５がクリーンバッド２１上に吸着されたのち、
モータ１０が所定の回転数で回転し、ウェハ２５はフォ
トレジストをスピンコードされる。スピンコードが完了
するとモータ１０は回転を停止し、第一のバルブ１４が
閉じられてスピンコードされたウェハ２５はクリーンバ
ッド２１上から取り外すことが可能となり、図示されて
いないウェハ搬送装置によりクリーンバッド２１上から
取り外され、搬送されて次工程に送られる。そして新し
いウェハ２５がウェハ搬送装置によりクリーンバッド２
１上に搬送され、吸着されてフォトレジストをスピンコ
ードされ、吸着が解除されて取り外され、次工程に搬送
され、以降、同じ動作が繰り返される。
モータ１０が所定の回転数で回転し、ウェハ２５はフォ
トレジストをスピンコードされる。スピンコードが完了
するとモータ１０は回転を停止し、第一のバルブ１４が
閉じられてスピンコードされたウェハ２５はクリーンバ
ッド２１上から取り外すことが可能となり、図示されて
いないウェハ搬送装置によりクリーンバッド２１上から
取り外され、搬送されて次工程に送られる。そして新し
いウェハ２５がウェハ搬送装置によりクリーンバッド２
１上に搬送され、吸着されてフォトレジストをスピンコ
ードされ、吸着が解除されて取り外され、次工程に搬送
され、以降、同じ動作が繰り返される。
クリーンバッド２１はウェハ２５をスピンコードする都
度表面が汚染されるので、汚染の度合いにより交換する
必要がある。そこでウェハ２５を取り外されたクリーン
バッド２１は、第二のバルブ１５を閉じることによりス
ピンチャック１から取り外しが可能となり、クリーンパ
ッド搬送装置により次工程に送られる。クリーンバッド
２１はウェハ２５に対するクリーン度の要求によりスピ
ンコード−回ごとに交換する必要のある場合と、数回繰
り返して使用できる場合があり、クリーン度の要求にし
たがって交換頻度が決定される。またクリーンバッド２
１の材質としては、クリーンバッド２１によりウェハ２
５を汚染させないためにも自己発塵性のないもので、ウ
ェハ２５を吸着したときに自己変形の少ないある程度の
硬度のあるものが望ましく、半導体のウェハプロセスで
使用されるクリーンワイパと同様な材質のものを使用す
ることでクリーンバッド２１の材質の要求を満足できる
。
度表面が汚染されるので、汚染の度合いにより交換する
必要がある。そこでウェハ２５を取り外されたクリーン
バッド２１は、第二のバルブ１５を閉じることによりス
ピンチャック１から取り外しが可能となり、クリーンパ
ッド搬送装置により次工程に送られる。クリーンバッド
２１はウェハ２５に対するクリーン度の要求によりスピ
ンコード−回ごとに交換する必要のある場合と、数回繰
り返して使用できる場合があり、クリーン度の要求にし
たがって交換頻度が決定される。またクリーンバッド２
１の材質としては、クリーンバッド２１によりウェハ２
５を汚染させないためにも自己発塵性のないもので、ウ
ェハ２５を吸着したときに自己変形の少ないある程度の
硬度のあるものが望ましく、半導体のウェハプロセスで
使用されるクリーンワイパと同様な材質のものを使用す
ることでクリーンバッド２１の材質の要求を満足できる
。
本発明の薄片吸着保持装置のスピンチャックｌあるいは
クリーンバッド２１に設けられた第一の吸着溝４あるい
は第二の吸着溝２３は、第二の吸着口３あるいは第三の
吸着口２２から周辺に向けて放射状および第一の吸着口
２あるいは第三の吸着口２２と同心円状に設けられてい
るもので説明してきたが、同心円状の溝を設けないで放
射状の溝のみを設けて吸着溝の形状を簡易化してもよい
。
クリーンバッド２１に設けられた第一の吸着溝４あるい
は第二の吸着溝２３は、第二の吸着口３あるいは第三の
吸着口２２から周辺に向けて放射状および第一の吸着口
２あるいは第三の吸着口２２と同心円状に設けられてい
るもので説明してきたが、同心円状の溝を設けないで放
射状の溝のみを設けて吸着溝の形状を簡易化してもよい
。
本発明の薄片吸着保持装置をウェハにフォトレジストを
塗布するスピンコータ用のスピンチャックについて説明
してきたが、本発明の薄片吸着保持装置に吸着保持され
る薄片はウェハに限定することなく、ガラスフォトマス
ク、光デイスク用のガラス基板、薄膜ヘッド用のフェラ
イト基板等吸着面の汚染を嫌う薄片のほとんどのものに
適用可能であり、また吸着保持装置の吸着力を高めれば
薄片に限定せず板状の精密部品の吸着保持が可能となる
。また表面処理装置としてはフォトレジスト塗布装置に
限定することなく、板状の精密部品の吸着後の露光、現
像、洗浄、搬送、検査、測定等の装置に適用可能である
。
塗布するスピンコータ用のスピンチャックについて説明
してきたが、本発明の薄片吸着保持装置に吸着保持され
る薄片はウェハに限定することなく、ガラスフォトマス
ク、光デイスク用のガラス基板、薄膜ヘッド用のフェラ
イト基板等吸着面の汚染を嫌う薄片のほとんどのものに
適用可能であり、また吸着保持装置の吸着力を高めれば
薄片に限定せず板状の精密部品の吸着保持が可能となる
。また表面処理装置としてはフォトレジスト塗布装置に
限定することなく、板状の精密部品の吸着後の露光、現
像、洗浄、搬送、検査、測定等の装置に適用可能である
。
本発明は、第一の吸着口と第一の吸着口近傍に第二の吸
着口と第二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上
に設けた吸着盤と、第三の吸着口および第三の吸着口に
接続された第二の吸着溝を上面に設けたクリーンパッド
を、第一の吸着口と第三の吸着口が一致するように吸着
盤上にクリーンパッドを吸着し、クリーンパッドの第三
の吸着口および第二の吸着溝によりクリーンパッド上に
半導体ウェハ等の薄片を吸着保持する薄片吸着保持装置
を採用し、クリーンパッドを適宜交換することによりウ
ェハの裏面の汚染を防止できるので、ＬＳＩの品質を確
保し、あわせて生産性の向上も計ることができる。
着口と第二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上
に設けた吸着盤と、第三の吸着口および第三の吸着口に
接続された第二の吸着溝を上面に設けたクリーンパッド
を、第一の吸着口と第三の吸着口が一致するように吸着
盤上にクリーンパッドを吸着し、クリーンパッドの第三
の吸着口および第二の吸着溝によりクリーンパッド上に
半導体ウェハ等の薄片を吸着保持する薄片吸着保持装置
を採用し、クリーンパッドを適宜交換することによりウ
ェハの裏面の汚染を防止できるので、ＬＳＩの品質を確
保し、あわせて生産性の向上も計ることができる。
第１図は本発明の一実施例の薄片吸着保持装置の一部断
面図、第２図は本発明の薄片吸着保持装置のスピンチャ
ックとクリーンパッドの部分の斜視図である。 図において、 ｌ・・・・・スピンチャック ２・・・・・第一の吸着口 ３・・・・・第二の吸着口 ４・・・・・第一の吸着溝 ５・・・・・第一の回転バキュームシール６・・・・・
第二の回転バキュームシール７・・・・・第一の排気孔 ８・・・・・第二の排気孔 ９・・・・・回転軸 １０・・・・・モータ １１・・・・・第一の排気口 １２・ １３・ １４・ １５・ １６・ ２１・ ２２・ ２３・ ２５・ ・第二の排気口 ・ホース ・第一のバルブ ・第二のバルブ ・負圧発生装置 ・クリーンパッド ・第三の吸着口 ・第二の吸着溝 ・ウェハ 第１図本会明の一実施例の薄片吸着保持装置の一部断面
図 ５３４−
面図、第２図は本発明の薄片吸着保持装置のスピンチャ
ックとクリーンパッドの部分の斜視図である。 図において、 ｌ・・・・・スピンチャック ２・・・・・第一の吸着口 ３・・・・・第二の吸着口 ４・・・・・第一の吸着溝 ５・・・・・第一の回転バキュームシール６・・・・・
第二の回転バキュームシール７・・・・・第一の排気孔 ８・・・・・第二の排気孔 ９・・・・・回転軸 １０・・・・・モータ １１・・・・・第一の排気口 １２・ １３・ １４・ １５・ １６・ ２１・ ２２・ ２３・ ２５・ ・第二の排気口 ・ホース ・第一のバルブ ・第二のバルブ ・負圧発生装置 ・クリーンパッド ・第三の吸着口 ・第二の吸着溝 ・ウェハ 第１図本会明の一実施例の薄片吸着保持装置の一部断面
図 ５３４−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第一の吸着口と該第一の吸着口近傍に第二の吸着口と第
二の吸着口に接続された第一の吸着溝を盤面上に設けた
吸着盤と、 第三の吸着口および第三の吸着口に接続された第二の吸
着溝を上面に設けたクリーンパッドを、前記第一の吸着
口と第三の吸着口の位置が一致するように前記クリーン
パッドを前記吸着盤上に配置し、 前記吸着盤上の前記第二の吸着口および第一の吸着溝に
より前記クリーンパッドを吸着し、前記クリーンパッド
の第三の吸着口および第二の吸着溝により前記クリーン
パッド上に半導体ウェハ等の薄片を吸着保持することを
特徴とする薄片吸着保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049258A JPH03256677A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 薄片吸着保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049258A JPH03256677A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 薄片吸着保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03256677A true JPH03256677A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12825811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2049258A Pending JPH03256677A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 薄片吸着保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03256677A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342068A (en) * | 1993-08-26 | 1994-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Laminar flow vacuum chuck |
| WO1997021243A1 (fr) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Procede pour traiter des tranches de semi-conducteur, procede pour fabriquer une carte a circuit imprime et support |
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| JP2010083681A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び真空チャック |
| CN102501692A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-20 | 华南理工大学 | 一种玉石雕刻设备吸附装置 |
| JP2014176969A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 吸着反転装置 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2049258A patent/JPH03256677A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| US5342068A (en) * | 1993-08-26 | 1994-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Laminar flow vacuum chuck |
| WO1997021243A1 (fr) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Procede pour traiter des tranches de semi-conducteur, procede pour fabriquer une carte a circuit imprime et support |
| US6342434B1 (en) | 1995-12-04 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier |
| US6573158B2 (en) | 1995-12-04 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier |
| US6589855B2 (en) | 1995-12-04 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier |
| JP2010083681A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び真空チャック |
| CN102501692A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-20 | 华南理工大学 | 一种玉石雕刻设备吸附装置 |
| JP2014176969A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 吸着反転装置 |
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