JPH0684834A - 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、ウエハを加熱して膜形成等の処理を
行う半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に
関し、ウエハ裏面の不要な膜をエッチングする工程を含
みつつ、スループットの向上を図ることができる半導体
装置の製造方法及び半導体装置の製造装置の提供を目的
とする。 【構成】ウエハ３３上に膜の形成を行う膜形成室21ａ
と、膜形成室21ａに隣接して設けられ、ウエハ３３裏面
に形成されている不要な膜を除去するエッチング室21ｂ
とに分割されたチャンバ２１と、膜形成室21ａとエッチ
ング室21ｂとの境界壁２２に形成されて膜形成室21ａと
エッチング室21ｂとを連通する開口部22ａであって、処
理されるウエハ３３で塞ぐことにより膜形成室21ａとエ
ッチング室21ｂとの間のガスの通流が阻止される開口部
22ａと、開口部22ａの周辺部の境界壁２２に設けられ、
処理されるウエハ３３の周辺部を支持する支持部22ｂと
を含み構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置及
び半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、ウ
エハを加熱して膜形成等の処理を行う半導体装置の製造
装置及び半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は高密度化のため、多
層配線が用いられるが、フォトプロセスでのレジストパ
ターン形成の精度向上及び下部配線層と接続するための
ビアホールにおける上部配線層の段切れの防止等のた
め、ビアホール内に導電体膜を埋め込んで平坦化を図る
必要がある。このため、選択成長によりタングステン
（Ｗ）等を埋め込んでいる。この場合、選択成長を均一
に行うためにはウエハの温度を管理することが重要にな
るので、ウエハの表面に必要な層間絶縁膜等を形成する
際、同時にウエハの裏面に形成された不要な絶縁膜等を
除去することが必要である。

【０００３】図４（ａ），（ｂ）は、選択成長によりＷ
を埋め込む前に、ウエハ表面に層間絶縁膜を形成する膜
形成装置及びウエハ裏面の不要な膜を除去するエッチン
グ装置の構成図である。

【０００４】図４（ａ）において、１はウエハ５上に膜
形成を行うためのチャンバ、２ａ，２ｂはチャンバ１内
を減圧するとともに、不要な反応ガスを排出する排気
口、３はチャンバ１内に反応ガスを放出するガス放出口
４と一体的に形成されたガス導入口、５はチャンバ１内
に設けられたウエハ６の載置台である。

【０００５】図４（ｂ）において、７は表面に絶縁膜等
を形成する際にウエハ６の裏面に形成された不要な絶縁
膜等をエッチングするためのチャンバ、８ａ，８ｂはチ
ャンバ７内を減圧するとともに、不要な処理ガスを排出
する排気口、９はチャンバ７内に処理ガスを放出するガ
ス放出口１０と一体的に形成されたガス導入口で、高周
波電力を印加するための一方の電極も兼ねている。１１
はチャンバ７内に設けられたウエハ６の載置台で、高周
波電力を印加するための他方の電極も兼ねている。１２
は電極１０，１１間に印加する高周波電力を供給するた
めの高周波電源である。

【０００６】次に、上記の装置を用いて下部配線層上の
層間絶縁膜に形成されたビアホールにＷを選択的に埋め
込む方法について、図５（ａ）〜（ｃ），図６（ｄ）〜
（ｆ）を参照しながら説明する。

【０００７】まず、図５（ａ）に示すように、ウエハ５
の表面に熱酸化により下地絶縁膜１３を形成した後、下
地絶縁膜１３上に下部配線層１４を形成する。このと
き、ウエハ５の裏面にも不要な絶縁膜13ａや導電体膜14
ａが形成される。

【０００８】次いで、層間絶縁膜を形成するため、図４
（ａ）のＣＶＤ法による膜形成装置のチャンバ１内の載
置台５にウエハ６を載せる。続いて、チャンバ１内を減
圧した後、反応ガスを導入して、所定の時間保持する。
これにより、所定の膜厚の層間絶縁膜１５が形成され
る。このとき、ウエハ５の裏面にも不要な絶縁膜15ａが
形成される（図５（ｂ））。

【０００９】次に、チャンバ１内からウエハ５を取り出
して、表面の層間絶縁膜１５をパターニングし、下部配
線層１４上にビアホール15ａ，15ｂを形成する（図５
（ｃ））。

【００１０】次に、ビアホール15ａ，15ｂ内にＷを選択
的に埋め込むため、ウエハ６温度が均一にかかるように
ウエハ６の裏面の不要な絶縁膜13ａ，15ａや導電体膜14
ａ等を除去する。即ち、図４（ｂ）のエッチング装置の
チャンバ７内の載置台１１にウエハ６を載置した後、チ
ャンバ７内を減圧する。所定の圧力に達したら、チャン
バ７内に絶縁膜15ａのエッチングガスを導入するととも
に、電極１０，１１間に高周波電力を印加して所定の時
間保持する。絶縁膜15ａのエッチングが終了したら、続
いて、導電体膜14ａのエッチングガスを導入して導電体
膜14ａをエッチングする。続いて、絶縁膜13ａのエッチ
ングガスを導入して絶縁膜13ａをエッチングする（図６
（ｄ））。

【００１１】次いで、Ｗを選択成長するＣＶＤ装置のチ
ャンバ内に設けられた載置台にウエハ６を保持するとと
もに、載置台に内蔵するヒータによりウエハ６を加熱
し、ウエハ６温度を所定の温度に保持する。このとき、
ウエハ６裏面の不要な膜が除去されているので、ウエハ
６温度の均一性が保たれる。続いて、反応ガスにウエハ
６を曝すことにより、ウエハ６表面のビアホール15ａ，
15ｂ内に均一性良く、選択的にＷ16ａ，16ｂが埋め込ま
れる（図６（ｅ））。

【００１２】次に、上部配線層17ａ，17ｂを形成する
と、上下の配線接続が完了する。このとき、ビアホール
15ａ，15ｂにはＷ16ａ，16ｂが埋め込まれているので、
Ｗが埋め込まれていないビアホールのように上部配線層
はビアホール15ａ，15ｂの角部で薄くなったりしない。
これにより、段切れを防止することができる（図６
（ｆ））。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法によると、図６（ｄ）に示すように、ウエハ6 裏面を
エッチングするための工程が必要となり、スループット
の向上を図る場合の妨げになるという問題がある。

【００１４】本発明はかかる従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、ウエハ裏面の不要な膜をエッチン
グする工程を含みつつ、スループットの向上を図ること
ができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装
置の提供を目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、ウ
エハ上に膜の形成を行う膜形成室と、該膜形成室に隣接
して設けられ、前記ウエハ裏面に形成されている不要な
膜を除去するエッチング室とに分割されたチャンバと、
前記膜形成室とエッチング室との境界壁に形成され、前
記膜形成室とエッチング室とを連通する開口部であっ
て、前記処理されるウエハで塞ぐことにより膜形成室と
エッチング室との間のガスの通流が阻止される前記開口
部と、該開口部の周辺部の境界壁に設けられ、前記処理
されるウエハの周辺部を支持する支持部と、前記膜形成
室内に設けられたガス導入口及び排気口と、前記エッチ
ング室内に設けられたガス導入口及び排気口とを有する
半導体装置の製造装置によって達成され、第２に、前記
膜形成室内に前記開口部のウエハと対向するように設け
られた第１の電極と、前記第１の電極と前記開口部のウ
エハとの間に接続された第１の電源とを有することを特
徴とする第１の発明に記載の半導体装置の製造装置によ
って達成され、第３に、前記エッチング室内に前記開口
部のウエハと対向するように設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と前記開口部のウエハとの間に接続され
た第２の電源とを有することを特徴とする第１又は第２
の発明に記載の半導体装置の製造装置によって達成さ
れ、第４に、ガスの通流する孔が形成されたヒータを前
記開口部の開口面に有することを特徴とする第１乃至第
３の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造装置によ
って達成され、第５に、ウエハの表面に膜形成を行いな
がら、同時に前記ウエハの裏面に形成されている不要な
膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造
方法によって達成される。

【００１６】

【作 用】本発明に係る半導体装置の製造装置によれ
ば、隣接する膜形成室とエッチング室との境界壁に形成
された両室を連通する開口部と、この開口部の周辺部の
境界壁にウエハを保持する支持部を有しているので、膜
形成室にウエハの表面を露出し、かつエッチング室にウ
エハの裏面を露出させることができる。また、各室内に
それぞれ排気口を有しているので、各室内を独立に排気
することができる。従って、支持部に保持されているウ
エハを圧力差により支持部に押圧することができるの
で、両室間のガスの通流を一層完全に阻止することがで
きる。これにより、膜形成とエッチングとを同時に行う
ことができる。

【００１７】また、各室にはそれぞれ第１の電極及び第
２の電極を有しているので、開口部に設置されたウエハ
と第１の電極又は第２の電極との間にそれぞれ独立に高
周波電源を接続することにより、必要な場合には反応ガ
ス又はエッチングガスを活性化することができる。更
に、開口部の開口面にはガスの通流が可能な孔の形成さ
れたヒータを有しているので、必要な場合にはウエハを
加熱することができる。従って、各種のガスを用いて幅
広い処理を行うことができる。

【００１８】以上により、本発明に係る半導体装置の製
造方法のように、ウエハの表面に膜形成を行いながら、
同時にウエハの裏面に形成されている不要な膜をエッチ
ングすることができ、これにより、ウエハ裏面をエッチ
ングする工程を含みつつ、スループットの向上を図るこ
とができる。

【００１９】

【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。 （１）第１の実施例 図１は、選択成長によりＷを埋め込む前に、ウエハ表面
に層間絶縁膜を形成し、同時にウエハ裏面の不要な膜を
除去する、本発明の第１の実施例に係る処理装置の構成
図である。

【００２０】図１において、２１はウエハ３３上に層間
絶縁膜の形成を行い、同時にウエハ３３裏面の不要な絶
縁膜等を除去するための処理を行うためのチャンバで、
各処理を独立に行うため、膜形成室21ａとエッチング室
21ｂとに分割されている。また、両室21ａ，21ｂの境界
壁２２には室21ａ，21ｂを連通する開口部22ａが形成さ
れ、ウエハ３３の表面及び裏面がそれぞれ膜形成室21ａ
とエッチング室21ｂとに露出するように、処理されるウ
エハ３３を設置し、開口部22ａの周辺部の支持部22ｂに
よりウエハ３３の周辺部を支持することができるように
なっている。そして、ウエハ３３で開口部22ａを塞ぐこ
とにより、両室21ａ，21ｂ間のガスの通流を阻止するこ
とができるようになっている。更に、支持部22ｂ及び境
界壁２２は導電性を有し、ウエハ３３に高周波電力を印
加できるように高周波電源の一方の電極が接続されてい
る。開口部22ａの開口面は網目状のヒータ２３で覆わ
れ、必要な場合にウエハを加熱することができるように
なっている。なお、網目状のヒータ２３を用いているの
は、エッチングガスのウエハ３３への到達を妨げないよ
うにするためである。

【００２１】24ａ，24ｂは膜形成室21ａ内を減圧すると
ともに、不要な反応ガスを排出する排気口、25ａ，25ｂ
はエッチング室21ｂ内を減圧するとともに、不要な反応
ガスを排出する排気口、２６は膜形成室21ａ内に反応ガ
スを放出するガス放出口２７を具備するガス導入口で、
高周波電力を印加する場合の第１の電極となっている。
２８はエッチング室21ｂ内にエッチングガスを放出する
ガス放出口２９を具備するガス導入口で、高周波電力を
印加する場合の第２の電極となっている。

【００２２】３０はウエハ３３と膜形成室21ａの第１の
電極２７との間に接続され、周波数２００ｋＨｚ又は1
3.56 ＭＨｚの高周波電力を供給するための第１の高周
波電源、３１はウエハ３３とエッチング室21ｂの第２の
電極２９との間に接続され、13.56 ＭＨｚの高周波電力
を供給するための第２の高周波電源、３２は第１及び第
２の高周波電源３０，３１の接続部に設けられ、第１及
び第２の高周波電源３０，３１から発生した電力が互い
に相手の高周波電源に入り込まないようにするための干
渉防止手段で、干渉防止手段３２を介して第１及び第２
の高周波電源３０，３１の一方の電極がウエハ３３の支
持部22ｂに接続されている。なお、第１及び第２の高周
波電源３０，３１は必要により一方のみを使用したり、
ともに使用したりすることができる。

【００２３】以上のように、本発明の実施例の半導体装
置の製造装置によれば、隣接する膜形成室21ａとエッチ
ング室21ｂとの境界壁２２に両室を連通する開口部22ａ
と、ウエハ３３を保持する支持部22ｂとを有しているの
で、膜形成室21ａにウエハ３３の表面を露出し、かつエ
ッチング室21ｂにウエハ３３の裏面を露出させることが
できる。また、各室21ａ，21ｂ内にそれぞれ排気口24
ａ，24ｂ，25ａ，25ｂを有しているので、各室21ａ，21
ｂ内を独立に排気することができる。従って、開口部22
ａの支持部22ｂに保持されているウエハ３３を圧力差に
より支持部22ｂに押圧することができるので、両室21
ａ，21ｂ間のガスの通流を一層完全に阻止することがで
きる。これにより、膜形成とエッチングとを同時に行う
ことができる。

【００２４】また、膜形成室21ａ及びエッチング室21ｂ
にはそれぞれ第１の電極２７及び第２の電極２９を有し
ているので、開口部22ａに設置されたウエハ３３と第１
の電極２７及び第２の電極２９との間にそれぞれ独立に
第１及び第２の高周波電源３０，３１を接続することに
より、必要な場合には反応ガス又はエッチングガスを活
性化することができる。更に、開口部22ａの開口面には
ガスの通流が可能な孔の形成されたヒータ２３を有して
いるので、必要な場合にはウエハ３３を加熱することが
できる。従って、各種のガスを用いて幅広い処理を行う
ことができる。

【００２５】なお、第１の実施例では、膜形成室21ａ及
びエッチング室21ｂにはそれぞれ第１の電極２７及び第
２の電極２９を有し、それぞれ第１及び第２の高周波電
源３０，３１を接続しているが、膜形成室21ａ及びエッ
チング室21ｂのうち必要な室に第１の電極２７又は第２
の電極２９を設け、設置された第１の電極２７又は第２
の電極２９に第１又は第２の高周波電源３０，３１を接
続してもよい。

【００２６】また、必要のない場合にはヒータ２３を設
けなくてもよい。更に、ガス導入口２６／ガス放出口２
７は高周波電力を印加するための第１の電極を兼ねてお
り、また、ガス導入口２８／ガス放出口２９は高周波電
力を印加するための第２の電極を兼ねているが、それぞ
れ別々に設けられてもよい。

【００２７】（２）第２の実施例 次に、上記の処理装置を用いて下部配線層上の層間絶縁
膜に形成されたビアホールにＷを選択的に埋め込む、第
２の実施例の製造方法について、図２（ａ）〜（ｃ），
図３（ｄ）〜（ｆ）を参照しながら説明する。

【００２８】まず、図２（ａ）に示すように、ウエハ３
３の表面に熱酸化により膜厚約4000Åのシリコン酸化膜
からなる下地絶縁膜３４を形成した後、下地絶縁膜３４
上に膜厚約1000Åのポリシリコン膜からなる下部配線層
３５をＣＶＤ法により形成する。このとき、ウエハ３３
の裏面にも不要なシリコン酸化膜（絶縁膜）34ａやポリ
シリコン膜（導電体膜）34ａが形成される。

【００２９】次いで、層間絶縁膜を形成するため、図１
（ａ）の処理装置の膜形成室21ａとエッチング室21ｂと
の間の境界壁２２に形成された開口部22ａを塞いで開口
部22ａ周辺部の支持部22ｂによりウエハ３３を保持す
る。このとき、ウエハの表面が膜形成室21ａに露出し、
ウエハ３３の裏面がエッチング室21ｂに露出するように
する。

【００３０】次に、膜形成室21ａとエッチング室21ｂと
を独立に排気する。このとき、各室21ａ，21ｂの圧力は
常に多少の圧力差が生じるように調整される。これによ
り、ウエハ３３が支持部22ｂに押圧され、各室21ａ，21
ｂ間のガスの通流の阻止が一層完全になる。続いて、ヒ
ータ２３に電流を流して発熱させ、ウエハ３３を温度３
００℃に加熱する。

【００３１】次いで、各室21ａ，21ｂを排気しながら、
ガス導入口２６から反応ガスとして、例えば、流量２５
ｓｃｃｍのＳｉＨ₄ ＋流量２５０ｓｃｃｍのＯ₂ ガスを
膜形成室21ａに導入し、圧力１Torrに保持する。この
際、第１の高周波電源３０は用いない。同時に、ガス導
入口２８からエッチングガスを導入し、圧力０．５Torr
に保持する。この際、第２の高周波電源３１から高周波
電力を供給する。この間、エッチング室21ｂには、順次
次のように各種のエッチングガスが導入される。即ち、
ポリシリコン膜35ａのエッチングガスとして塩素系ガス
を導入し、ポリシリコン膜35ａをエッチング・除去した
後、シリコン酸化膜34ａのエッチングガスとして流量２
５０ｓｃｃｍのＮＦ₃ ガス又はフロン系ガスに切替え、
連続してシリコン酸化膜34ａをエッチング・除去する。
これにより、ウエハ３３表面への膜厚約3000Åのシリコ
ン酸化膜からなる層間絶縁膜３６の形成と、ウエハ３３
裏面の不要なポリシリコン膜35ａやシリコン酸化膜34ａ
のエッチングとを同時に行うことができる（図２
（ｂ））。

【００３２】所定の膜厚の層間絶縁膜３６の形成が終了
し、かつ不要なポリシリコン膜35ａやシリコン酸化膜34
ａのエッチングが終了した後、反応ガス及びエッチング
ガスの導入を停止し、ウエハ３３をチャンバから取り出
す。続いて、表面の層間絶縁膜３６をパターニングし、
下部配線層３５上にビアホール36ａ，36ｂを形成する
（図２（ｃ））。

【００３３】次に、ビアホール36ａ，36ｂ内にＷ37ａ，
37ｂを選択的に埋め込むため、Ｗ37ａ，37ｂを選択成長
するＣＶＤ装置のチャンバ内に設けられた載置台にウエ
ハ３３を保持するとともに、載置台に内蔵するヒータに
よりウエハを加熱し、ウエハ３３温度を所定の温度に保
持する。このとき、ウエハ３３裏面の不要な膜が除去さ
れているので、ウエハ３３温度の均一性が保たれる。続
いて、反応ガスにウエハ３３を曝すことにより、ウエハ
３３表面のビアホール36ａ，36ｂ内に均一性良く、選択
的にＷ37ａ，37ｂが埋め込まれる（図３（ｄ））。

【００３４】次に、上部配線層38ａ，38ｂを形成する
と、上下の配線接続が完了する。このとき、ビアホール
36ａ，36ｂにはＷ37ａ，37ｂが埋め込まれているので、
Ｗが埋め込まれていないビアホールのように上部配線層
はビアホール36ａ，36ｂの角部で薄くなったりしない。
これにより、段切れを防止することができる（図３
（ｅ））。

【００３５】以上のように、本発明の第２の実施例の半
導体装置の製造方法によれば、ウエハ３３の表面に膜形
成を行いながら、同時にウエハ３３の裏面の不要なシリ
コン酸化膜34ａ等をエッチングしているので、ウエハ３
３裏面をエッチングする工程を含みつつ、スループット
の向上を図ることができる。

【００３６】なお、上記の第２の実施例では、膜形成と
エッチングとの同時処理において、ウエハ３３表面にシ
リコン酸化膜３６を形成しているが、シリコン窒化膜を
形成することもできる。また、この場合、反応ガスとし
てＮ₂ Ｏを用いるとともに、第１の高周波電源３０によ
り高周波電力を供給する必要がある。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造装置によれば、隣接する膜形成室とエッチ
ング室との境界壁に両室を連通する開口部と、ウエハを
保持する支持部と、各室内にそれぞれ排気口とを有して
いるので、膜形成室にウエハの表面を露出し、かつエッ
チング室にウエハの裏面を露出させ、各室内を独立に排
気することにより開口部の支持部に保持されているウエ
ハを圧力差により支持部に押圧することができる。従っ
て、両室間のガスの通流を一層完全に阻止することがで
きるので、膜形成とエッチングとを同時に行うことがで
きる。

【００３８】また、各室にはそれぞれ第１の電極及び第
２の電極を有し、或いは、開口部の開口面にガスの通流
が可能な孔の形成されたヒータを有しているので、各種
のガスを用いて幅広い処理を行うことができる。

【００３９】以上により、本発明の実施例の半導体装置
の製造方法のように、ウエハの表面に膜形成を行いなが
ら、同時にウエハの裏面に形成されている不要な膜をエ
ッチングしているので、ウエハ裏面をエッチングする工
程を含みつつ、スループットの向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置の製造
装置の構成図である。

【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置の製造
方法について説明する断面図（その１）である。

【図３】本発明の第２の実施例に係る半導体装置の製造
方法について説明する断面図（その２）である。

【図４】従来例に係る半導体装置の製造装置の構成図で
ある。

【図５】従来例に係る半導体装置の製造方法について説
明する断面図（その１）である。

【図６】従来例に係る半導体装置の製造方法について説
明する断面図（その２）である。

【符号の説明】

２１ チャンバ、 21ａ 膜形成室、 21ｂ エッチング室、 ２２ 境界壁、 22ａ 開口部、 22ｂ 支持部、 ２３ ヒータ、 24ａ，24ｂ，25ａ，25ｂ 排気口、 ２６，２８ ガス導入口、 ２７ ガス放出口（第１の電極）、 ２９ ガス放出口（第２の電極）、 ３０ 第１の高周波電源、 ３１ 第２の高周波電源、 ３２ 干渉防止手段、 ３３ ウエハ、 ３４ 下地絶縁膜、 34ａ シリコン酸化膜（絶縁膜）、 ３５ 下部配線層、 35ａ ポリシリコン膜（導電体膜）、 ３６ 層間絶縁膜、 36ａ，36ｂ ビアホール（開口部）、 37ａ，37ｂ Ｗ、 38ａ，38ｂ 上部配線層。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ上に膜の形成を行う膜形成室と、
   該膜形成室に隣接して設けられ、前記ウエハ裏面に形成
   されている不要な膜を除去するエッチング室とに分割さ
   れたチャンバと、前記膜形成室とエッチング室との境界
   壁に形成され、前記膜形成室とエッチング室とを連通す
   る開口部であって、前記処理されるウエハで塞ぐことに
   より膜形成室とエッチング室との間のガスの通流が阻止
   される前記開口部と、該開口部の周辺部の境界壁に設け
   られ、前記処理されるウエハの周辺部を支持する支持部
   と、前記膜形成室内に設けられたガス導入口及び排気口
   と、前記エッチング室内に設けられたガス導入口及び排
   気口とを有する半導体装置の製造装置。
2. 【請求項２】 前記膜形成室内に前記開口部のウエハと
   対向するように設けられた第１の電極と、前記第１の電
   極と前記開口部のウエハとの間に接続された第１の電源
   とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置
   の製造装置。
3. 【請求項３】 前記エッチング室内に前記開口部のウエ
   ハと対向するように設けられた第２の電極と、前記第２
   の電極と前記開口部のウエハとの間に接続された第２の
   電源とを有することを特徴とする請求項１又は請求項２
   記載の半導体装置の製造装置。
4. 【請求項４】 ガスの通流する孔が形成されたヒータを
   前記開口部の開口面に有することを特徴とする請求項１
   乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造装
   置。
5. 【請求項５】 ウエハの表面に膜形成を行いながら、同
   時に前記ウエハの裏面に形成されている不要な膜をエッ
   チングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。