JPH0685111A - テープキャリア型半導体装置及びその組立方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 テープキャリア型半導体装置１において、樹
脂封止体５の液状樹脂が可撓性フィルム基板３Ａの裏面
の封止領域の外周囲への流出を防止する。また、テープ
キャリア型半導体装置１の樹脂封止体５の割れを防止す
る。 【構成】 テープキャリア型半導体装置１において、可
撓性フィルム基板３Ａの裏面の封止領域内に流出防止溝
３Ｃを構成する。また、テープキャリア型半導体装置１
の組立プロセスにおいて、前記流出防止溝３Ｃを有する
可撓性フィルム基板３Ａを形成する工程、樹脂封止体５
を形成する工程、可撓性フィルム基板３Ａの一部を切断
する工程、実装する工程を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、テープキャリア型半導
体装置に関し、特に、可撓性フィルム基板に搭載された
半導体ペレットを樹脂封止体で封止するテープキャリア
型半導体装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の駆動用ＩＣとしてテープ
キャリア（ＴＣＰ：Ｔape ＣarrierＰackage 或いはＴ
ＡＢ：Ｔape Ａutomated Ｂonding）型半導体装置が使
用される。テープキャリア型半導体装置は、薄型で大量
生産に好適であり、又安価な半導体装置として広く使用
される。

【０００３】このテープキャリア型半導体装置は可撓性
フィルム基板（絶縁性樹脂フィルム基板）に半導体ペレ
ットを搭載する。可撓性フィルム基板は例えばテープ状
（長尺状）のポリイミド系樹脂を所定の長さに切断し形
成される。可撓性フィルム基板の表面上には複数本のリ
ードが配置される。このリードは、可撓性フィルム基板
の表面上に貼り付けられたＣｕ箔膜にエッチング加工を
施して形成される。通常、このリードは表面にメッキ層
が形成され、このメッキ層は実装時の半田との接着性を
向上できる効果がある。

【０００４】可撓性フィルム基板のほぼ中央領域にはデ
バイスホール（ペレット搭載用開口）が構成される。こ
のデバイスホール内にはリードの一端が突出し、リード
の一端はデバイスホール内に配置される半導体ペレット
の外部端子（ボンディングパッド）に電気的に接続され
る。半導体ペレットの外部端子、リードの一端の夫々は
突起電極（例えばＡｕバンプ電極）を介して電気的及び
機械的に接続され、この接続は熱圧着ボンディング（ギ
ャングボンディング）法において行われる。

【０００５】可撓性フィルム基板の周辺領域には液晶表
示装置、プリント配線基板の夫々の外部端子に接続され
る外部端子が複数個配列され、この複数個の外部端子の
夫々には夫々前述の複数本の配線の他端が電気的にかつ
一体に接続される。通常、テープキャリア型半導体装置
は可撓性フィルム基板の外部端子に異方性導電膜を介在
して液晶表示装置の外部端子が電気的かつ機械的に接続
される。また、テープキャリア型半導体装置は可撓性フ
ィルム基板の外部端子に半田を介在してプリント配線基
板の外部端子が電気的かつ機械的に接続される。

【０００６】可撓性フィルム基板に搭載された半導体ペ
レットの素子形成面及びリードの一部特にリードの一端
は、主に外部応力や外部環境からの半導体ペレットの保
護、リードの機械的強度の補強等を目的として樹脂封止
体で封止される。樹脂封止体は例えばエポキシ系樹脂を
アルコールで液状化した液状樹脂が使用される。この液
状樹脂は、ノズル描画方法（ポッティング方法）で塗布
した後に約１００〜２００〔℃〕前後の温度で硬化する
ことにより、樹脂封止体として形成される。ノズル描画
方法による液状樹脂の塗布は半導体ペレットの素子形成
面側から行われ、可撓性フィルム基板の裏面はデバイス
ホールを通して表面に塗布された液状樹脂の一部が塗布
される。

【０００７】なお、テープキャリア型半導体装置につい
ては、例えば、株式会社工業調査会発行「ＴＡＢ技術入
門」、第４３頁、第５９頁、第１９７頁乃至第２０９頁
に記載される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
テープキャリア型半導体装置において、下記の改良すべ
き事項が発生した。

【０００９】前記テープキャリア型半導体装置は半導体
ペレットの素子形成面の保護等を目的として樹脂封止体
が形成される。この樹脂封止体は前述のようにノズル描
画方法で行われ、半導体ペレットの素子形成面側におい
ては、液状樹脂を塗布するノズルの移動範囲に比例し、
半導体ペレットの素子形成面及び可撓性フィルム基板の
表面の半導体ペレット側の一部分を含む封止領域内に液
状樹脂が正確に塗布できる。しかしながら、液状樹脂の
うち、可撓性フィルム基板のデバイスホールを通して可
撓性フィルム基板の裏面に流出した液状樹脂は、封止領
域内で堰き止めることができず、封止領域の外周囲に流
出する。このため、テープキャリア型半導体装置の組立
プロセスにおいて、樹脂封止体の形成後、切断装置で可
撓性フィルム基板の封止領域の外周囲を挟持し、可撓性
フィルム基板の周辺領域の一部分を切断するときに、封
止領域の外周囲に流出した樹脂封止体が挟持され、樹脂
封止体に割れが発生する。可撓性フィルム基板の周辺領
域の切断される一部分は搬送用のスプロケットホールの
領域、テスト用のリードが配置された領域等に相当す
る。

【００１０】また、テープキャリア型半導体装置が完成
後、このテープキャリア型半導体装置の液晶表示装置へ
の実装は異方性導電膜を使用した熱圧着ボンディング法
で行われる。このため、ボンディング装置で可撓性フィ
ルム基板の封止領域の外周囲を圧着し、熱圧着ボンディ
ングを行うとき、封止領域の外周囲に流出した樹脂封止
体が圧着され、同様に樹脂封止体に割れが発生する。こ
のため、組立プロセス（実装も含む）において、テープ
キャリア型半導体装置の歩留まりが低下する。

【００１１】本発明の目的は、テープキャリア型半導体
装置において、樹脂封止体の液状樹脂が可撓性フィルム
基板の裏面の封止領域の外周囲へ流出することを防止で
きる技術を提供することにある。

【００１２】本発明の他の目的は、前記目的を達成し、
テープキャリア型半導体装置の樹脂封止体の割れを防止
することができる技術を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。

【００１５】（１）可撓性フィルム基板の中央領域に形
成されたデバイスホール内に半導体ペレットが配置さ
れ、この半導体ペレットの素子形成面の外部端子に前記
可撓性フィルム基板の表面の周辺領域に形成されたリー
ドの一端が突起電極を介在して電気的に接続され、前記
半導体ペレットの素子形成面、可撓性フィルム基板の表
面及び裏面の半導体ペレット側の一部の各々を含む封止
領域内に、前記半導体ペレットの素子形成面側から液状
樹脂を塗布して硬化させた樹脂封止体を形成するテープ
キャリア型半導体装置において、前記可撓性フィルム基
板の表面と対向する裏面の周辺領域であって、前記封止
領域とこの封止領域の外周囲との間に、又は前記封止領
域内の前記デバイスホールの外周囲に沿って、前記可撓
性フィルム基板の裏面から厚さ方向に深さを持つ流出防
止溝を構成する。前記可撓性フィルム基板の表面に形成
されたリードは前記封止領域内に形成されたソルダーレ
ジスト膜で被覆され、前記流出防止溝は前記ソルダーレ
ジスト膜と重複する領域に構成される。

【００１６】（２）テープキャリア型半導体装置の組立
方法において、可撓性フィルム基板の裏面の周辺領域で
あって、前記封止領域とこの封止領域の外周囲との間
に、又は可撓性フィルム基板の中央領域に形成されたデ
バイスホールの外周囲に沿った封止領域内に、前記可撓
性フィルム基板の裏面から厚さ方向に深さを持つ流出防
止溝を形成する工程と、前記可撓性フィルム基板のデバ
イスホール内に半導体ペレットを配置し、この半導体ペ
レットの素子形成面の外部端子に前記可撓性フィルム基
板の前記裏面と対向する表面の周辺領域に形成されたリ
ードの一端を突起電極を介在して電気的に接続する工程
と、前記半導体ペレットの素子形成面、可撓性フィルム
基板の表面及び裏面の半導体ペレット側の一部の各々を
含む封止領域内に、前記半導体ペレットの素子形成面側
から液状樹脂を塗布するとともに、可撓性フィルム基板
の裏面に流出した液状樹脂のうち、封止領域の外周囲に
流出する液状樹脂を流出防止溝で吸収した後、前記液状
樹脂を硬化して樹脂封止体を形成する工程と、前記可撓
性フィルム基板の表面及び裏面の封止領域の外周囲部分
を挟持し、可撓性フィルム基板の周辺領域の一部を切断
し、テープキャリア型半導体装置を完成する工程と、前
記可撓性フィルム基板の裏面の封止領域の外周囲部分を
圧着し、可撓性フィルム基板の表面のリードの他端を実
装装置に電気的に接続し、テープキャリア型半導体装置
を実装する工程とを備える。

【００１７】

【作用】上述した手段（１）によれば、前記可撓性フィ
ルム基板の表面からデバイスホールを通して裏面に流出
する、前記樹脂封止体を形成する液状樹脂のうち、封止
領域の外部に流出する液状樹脂を流出防止溝で吸収し、
封止領域の外部への液状樹脂の流出を防止できる。この
結果、前記封止領域内に樹脂封止体を有するテープキャ
リア型半導体装置を構成できる。

【００１８】上述した手段（２）によれば、予め前記可
撓性フィルム基板の裏面の封止領域内又は封止領域の境
界部分に流出防止溝を形成し、前記可撓性フィルム基板
の表面からデバイスホールを通して裏面に流出する、前
記樹脂封止体を形成する液状樹脂のうち、封止領域の外
部に流出する液状樹脂を流出防止溝で吸収し、封止領域
の外部への液状樹脂の流出を防止できるので、可撓性フ
ィルム基板の周辺領域の一部を切断する際、テープキャ
リア型半導体装置を実装する際のいずれにおいても、封
止領域の外部に形成された樹脂封止体に応力を加えるこ
とがなくなり、樹脂封止体の割れを防止できる。この結
果、テープキャリア型半導体装置の組立て（組立て及び
実装を含む）において、テープキャリア型半導体装置の
歩留まりを向上できる。

【００１９】以下、本発明の構成について、テープキャ
リア型半導体装置に本発明を適用した一実施例とともに
説明する。

【００２０】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２１】

【実施例】（実 施 例 １）本発明の実施例１であるテ
ープキャリア型半導体装置について、図１（断面図）及
び図２（図１の一部の平面図）を使用し説明する。

【００２２】図１、図２の夫々に示すように、テープキ
ャリア型半導体装置１は可撓性フィルム基板３Ａに（可
撓性フィルム基板３Ａ、リード３Ｂ島等、全体を符号３
で示す）半導体ペレット２を搭載する。

【００２３】前記可撓性フィルム基板３Ａは例えばテー
プ状（長尺状）のポリイミド系樹脂膜を所定の長さに切
断することで形成される。ポリイミド系樹脂膜は例えば
７０〜８０〔μｍ〕程度の厚さのものが使用される。ま
た、可撓性フィルム基板３Ａとしては前述の材料以外に
ポリアミド樹脂膜、ポリエステル樹脂膜、ポリエステル
サルホン樹脂膜、ポリエステルケトン樹脂膜等の所謂有
機膜或いはこれらの複合膜で形成してもよい。

【００２４】この可撓性フィルム基板３Ａは、図１は切
断後の形状が示されているが、切断前においては、図１
中、右側及び左側に搬送用のスプロケットホールが形成
された領域、テスト用のリードが配置された領域の夫々
を備える。

【００２５】可撓性フィルム基板３Ａの表面（半導体ペ
レット２の素子形成面と同一側の面）の周辺領域には複
数本のリード３Ｂが配置される。リード３Ｂは図示しな
い接着層を介在させて可撓性フィルム基板３Ａの表面に
固着される。接着層としては例えばエポキシ系樹脂を使
用する。

【００２６】前記リード３Ｂは例えばＣｕ箔膜を主体に
構成され、このＣｕ箔膜の少なくとも直接外気に触れる
領域の表面に図示しない導電性メッキ層が構成される。
リード３ＢのＣｕ箔膜はＣｕ箔膜を可撓性フィルム基板
３Ａの表面に貼り付け、このＣｕ箔膜をフォトリソグラ
フィ技術（エッチング技術も含む）でパターンニングす
ることにより形成される。Ｃｕ箔膜は例えば３０〔μ
ｍ〕程度の膜厚で形成される。

【００２７】前記リード３Ｂの一端（半導体ペレット２
側）は、突起電極（バンプ電極）２Ａを介在し、半導体
ペレット２の図示しない外部端子（ボンディングパッ
ド）に電気的かつ機械的に接続される。前記突起電極２
Ａは例えばＡｕ或いはＡｕを主体とする積層で形成され
る。

【００２８】半導体ペレット２は例えば単結晶珪素基板
で構成され、この単結晶珪素基板の素子形成面となる表
面には駆動回路（液晶ドライバ回路）を構成する複数の
半導体素子が配置される。半導体ペレット２の外部端子
は前記半導体素子間を接続する配線例えばアルミニウム
配線と同一配線層で形成される。半導体ペレット２は可
撓性フィルム基板３Ａのほぼ中央部分に形成されたデバ
イスホール３Ｄで周囲を規定された領域内において配置
される。

【００２９】前記リード３Ｂは可撓性フィルム基板３Ａ
の表面を延在し、リード３Ｂの一端はデバイスホール３
Ｄ内に突出される。可撓性フィルム基板３Ａの表面上に
おいて、図１中、左側のリード３Ｂの他端は液晶表示装
置（６）に接続される（図５参照）。右側のリード３Ｂ
の他端はプリント配線基板（７）に接続される。

【００３０】前記可撓性フィルム基板３Ａの表面上に配
置された複数本のリード３Ｂの表面は、テープキャリア
型半導体装置１をプリント配線基板（７）に接続する際
の半田の付着に基づくリード３Ｂの短絡の防止を主目的
として、ソルダーレジスト膜４で被覆される。ソルダー
レジスト膜４は、例えばエポキシ系樹脂が使用され、５
〜２０〔μｍ〕程度の膜厚で形成される。このソルダー
レジスト膜４は、例えばスクリーン印刷で塗布した後
に、約１００〜２００〔℃〕程度の温度で硬化させるこ
とにより形成される。

【００３１】ソルダーレジスト膜４は、中央領域におい
てデバイスホール３Ｄの領域及びリード３Ｂの一端と半
導体ペレット２の外部端子との接続領域を除き、周辺領
域においてリード３Ｂの他端の液晶表示装置、プリント
配線基板の各々との接続領域を除き、可撓性フィルム基
板３Ａの表面上に形成される。つまり、ソルダーレジス
ト膜４は、このソルダーレジスト膜４の外縁と樹脂封止
体（５）が形成される封止領域の外縁とを一致させて、
又はソルダーレジスト膜４の外縁が封止領域の外縁より
も内側に位置して構成される。

【００３２】前記可撓性フィルム基板３Ａの表面と対向
する裏面は、図１及び図２に示すように、樹脂封止体
（５）の液状樹脂の封止領域の外周囲への流出を防止す
る流出防止溝３Ｃが構成される。流出防止溝３Ｃは、樹
脂封止体（５）が形成される封止領域内において、具体
的には、封止領域とこの封止領域の外周囲との間（封止
領域の外縁）、又は封止領域内であってデバイスホール
３Ｄの外周囲に沿って形成される。つまり、流出防止溝
３Ｃは前述のソルダーレジスト膜４と重複する領域に配
置される。流出防止溝３Ｃは、図１に示すように断面形
状がほぼ半円形状で構成され、図２に示すように平面形
状がリング形状（正確な形状は正方形状）で構成され
る。流出防止溝３Ｃは可撓性フィルム基板３Ａの裏面か
ら深さ方向に数〜十数〔μｍ〕の深さで形成されるとと
もにほぼ同寸法の溝幅寸法で形成され、本発明者はこの
寸法で形成される流出防止溝３Ｃによって液状樹脂の流
出を充分に防止できる効果を確認している。

【００３３】少なくとも、前記半導体ペレット２の素子
形成面、突起電極４、リード３Ｂの一端の夫々は樹脂封
止体５で被覆され封止される。この樹脂封止体５は主に
半導体ペレット２等を外部環境から保護する目的で形成
される。樹脂封止体５は例えばエポキシ系樹脂をアルコ
ールで液状化した液状樹脂が使用される。この液状樹脂
は、ノズル描画法（ポッティング法）で滴下塗布した後
に、約１００〜２００〔℃〕の温度で硬化される。

【００３４】次に、前述のテープキャリア型半導体装置
１の組立プロセス（実装も含む）について、図３乃至図
５（各工程毎に示す断面図）を使用し、簡単に説明す
る。

【００３５】まず、可撓性フィルム基板３Ａのデバイス
ホール３Ｄ内に半導体ペレット２を配置し、可撓性フィ
ルム基板３Ａの表面のリード３Ｂの一端と半導体ペレッ
ト２の外部端子２Ａの夫々を突起電極４を介在して電気
的かつ機械的に接続する。前記可撓性フィルム基板３Ａ
は、切断工程前であり、スプロケットホールが配置され
た領域及びテスト用リードが配置された領域を備えてい
る。また、可撓性フィルム基板３Ａの裏面には予め流出
防止溝３Ｃが形成される。流出防止溝３Ｃは、本実施例
において、可撓性フィルム基板３Ａにデバイスホール３
Ｄ及びスプロケットホールを形成する打抜き加工を利用
し、併せて突起形状の金型で可撓性フィルム基板３Ａの
裏面を押し込み塑性変形を生じさせて形成する。この方
法によれば、流出防止溝３Ｃを形成するために新しい工
程を追加することがなく、組立プロセスを大幅に短縮で
きる。

【００３６】次に、図３に示すように、ノズル描画方法
により、半導体ペレット２の素子形成面を含む封止領域
内に半導体ペレット２の素子形成面側から液状樹脂を塗
布する。液状樹脂の塗布はノズル５１で行われる。この
とき、塗布された液状樹脂のうち、デバイスホール３Ｄ
を通して可撓性フィルム基板３Ａの裏面に流出する液状
樹脂は、流出防止溝３Ｃで封止領域の外周囲に流出する
部分が吸収され、封止領域内に留めることができる。こ
の後、前記液状樹脂が硬化され、樹脂封止体５が形成さ
れる。

【００３７】次に、図４に示すように、切断装置におい
て、前記可撓性フィルム基板３Ａの表面、裏面の夫々が
樹脂封止体５の外周囲において挟持力Ｆ１で挟持され、
可撓性フィルム基板３Ａの周辺領域の一部分（スプロケ
ットホールが配置された領域等）が切断され除去され
る。この切断工程において、樹脂封止体５が封止領域内
に形成されるので、樹脂封止体５に割れが発生しない。
この切断工程が終了すると、テープキャリア型半導体装
置１がほぼ完成する。

【００３８】次に、図５に示すように、液晶表示装置６
に前記テープキャリア型半導体装置１を実装するととも
に、このテープキャリア型半導体装置１をプリント配線
基板７に接続する。液晶表示装置６は透明ガラス基板６
Ａ及び液晶表示部６Ｂを備え、透明ガラス基板６Ａ上の
配線６Ｃに異方性導電膜８を介在してテープキャリア型
半導体装置１のリード３Ｂの他端を電気的かつ機械的に
接続する。この接続は、樹脂封止体５の外周囲において
熱圧着ボンディング法により圧着力Ｆ２で行われる。こ
の熱圧着ボンディング工程において、樹脂封止体５が封
止領域内に形成されるので、樹脂封止体５に割れが発生
しない。プリント配線基板７は絶縁性樹脂基板７Ａ及び
配線７Ｂを備え、配線７Ｂに半田９を介在してテープキ
ャリア型半導体装置１のリード３Ｂの他端を電気的かつ
機械的に接続する。

【００３９】以上説明したように、本実施例によれば、
以下の構成及びこの構成による作用効果が得られる。

【００４０】（１）可撓性フィルム基板３Ａの中央領域
に形成されたデバイスホール３Ｄ内に半導体ペレット２
が配置され、この半導体ペレット２の素子形成面の外部
端子に前記可撓性フィルム基板３Ａの表面の周辺領域に
形成されたリード３Ｂの一端が突起電極４を介在して電
気的に接続され、前記半導体ペレット２の素子形成面、
可撓性フィルム基板３Ａの表面及び裏面の半導体ペレッ
ト２側の一部の各々を含む封止領域内に、前記半導体ペ
レット２の素子形成面側から液状樹脂を塗布して硬化さ
せた樹脂封止体５を形成するテープキャリア型半導体装
置１において、前記可撓性フィルム基板３Ａの表面と対
向する裏面の周辺領域であって、前記封止領域とこの封
止領域の外周囲との間に、又は前記封止領域内の前記デ
バイスホール３Ｄの外周囲に沿って、前記可撓性フィル
ム基板３Ａの裏面から厚さ方向に深さを持つ流出防止溝
３Ｃを構成する。前記可撓性フィルム基板３Ａの表面に
形成されたリード３Ｂは前記封止領域内に形成されたソ
ルダーレジスト膜４で被覆され、前記流出防止溝３Ｃは
前記ソルダーレジスト膜４と重複する領域に構成され
る。

【００４１】この構成（１）によれば、前記可撓性フィ
ルム基板３Ａの表面からデバイスホール３Ｄを通して裏
面に流出する、前記樹脂封止体５を形成する液状樹脂の
うち、封止領域の外部に流出する液状樹脂を流出防止溝
３Ｃで吸収し、封止領域の外部への液状樹脂の流出を防
止できる。この結果、前記封止領域内に樹脂封止体５を
有するテープキャリア型半導体装置１を構成できる。

【００４２】（２）テープキャリア型半導体装置１の組
立方法において、可撓性フィルム基板３Ａの裏面の周辺
領域であって、前記封止領域とこの封止領域の外周囲と
の間に、又は可撓性フィルム基板３Ａの中央領域に形成
されたデバイスホール３Ｄの外周囲に沿った封止領域内
に、前記可撓性フィルム基板３Ａの裏面から厚さ方向に
深さを持つ流出防止溝３Ｃを形成する工程と、前記可撓
性フィルム基板３Ａのデバイスホール３Ｄ内に半導体ペ
レット２を配置し、この半導体ペレット２の素子形成面
の外部端子に前記可撓性フィルム基板３Ａの前記裏面と
対向する表面の周辺領域に形成されたリード３Ｂの一端
を突起電極２Ａを介在して電気的に接続する工程と、前
記半導体ペレット２の素子形成面、可撓性フィルム基板
３Ａの表面及び裏面の半導体ペレツト２側の一部の各々
を含む封止領域内に、前記半導体ペレット２の素子形成
面側から液状樹脂を塗布するとともに、可撓性フィルム
基板３Ａの裏面に流出した液状樹脂のうち、封止領域の
外周囲に流出する液状樹脂を流出防止溝３Ｃで吸収した
後、前記液状樹脂を硬化して樹脂封止体５を形成する工
程と、前記可撓性フィルム基板３Ａの表面及び裏面の封
止領域の外周囲部分を挟持し、可撓性フィルム基板３Ａ
の周辺領域の一部を切断し、テープキャリア型半導体装
置１を完成する工程と、前記可撓性フィルム基板３Ａの
裏面の封止領域の外周囲部分を圧着し、可撓性フィルム
基板３Ａの表面のリードの他端を液晶表示装置６に電気
的に接続し、テープキャリア型半導体装置１を実装する
工程とを備える。

【００４３】この構成（１）によれば、予め前記可撓性
フィルム基板３Ａの裏面の封止領域内又は封止領域の境
界部分に流出防止溝３Ｃを形成し、前記可撓性フィルム
基板３Ａの表面からデバイスホール３Ｄを通して裏面に
流出する、前記樹脂封止体５を形成する液状樹脂のう
ち、封止領域の外部に流出する液状樹脂を流出防止溝３
Ｃで吸収し、封止領域の外部への液状樹脂の流出を防止
できるので、可撓性フィルム基板３Ａの周辺領域の一部
を切断する際、テープキャリア型半導体装置１を実装す
る際のいずれにおいても、封止領域の外部に形成された
樹脂封止体５に応力を加えることがなくなり、樹脂封止
体５の割れを防止できる。この結果、テープキャリア型
半導体装置１の組立て（組立て及び実装を含む）におい
て、テープキャリア型半導体装置１の歩留まりを向上で
きる。

【００４４】（実 施 例 ２）本実施例２は、テープキ
ャリア型半導体装置において、可撓性フィルム基板の流
出防止溝の形状を変えた、本発明の第２実施例である。

【００４５】本発明の実施例２であるテープキャリア型
半導体装置について、図６（要部断面図）を使用し説明
する。

【００４６】本実施例２のテープキャリア型半導体装置
１は、図６（Ａ）に示すように、流出防止溝３Ｃの断面
形状が半楕円形状で構成される。

【００４７】また、本実施例２のテープキャリア型半導
体装置１は、図６（Ｂ）に示すように、流出防止溝３Ｃ
の断面形状が逆Ｖ字形状で構成される。

【００４８】また、本実施例２のテープキャリア型半導
体装置１は、図６（Ｃ）に示すように、流出防止溝３Ｃ
の断面形状が逆凹形状で構成される。

【００４９】いずれのテープキャリア型半導体装置１に
おいても、前記実施例１と同様の効果が得られる。

【００５０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００５１】例えば、本発明は、デバイスホールを備え
ず、可撓性フィルム基板の表面上に半導体ペレットを搭
載する場合においても使用できる。この場合、本発明
は、可撓性フィルム基板の表面に流出防止溝を構成す
る。また、本発明は流出防止溝に変えてダムを使用して
もよい。

【００５２】また、本発明は、液晶表示装置の駆動用Ｉ
Ｃに限らず、ＩＣカード、時計用ＩＣ等に適用でき、又
半導体ペレットにはダイナミックランダムアクセスメモ
リ等の回路システムを搭載してもよい。

【００５３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００５４】テープキャリア型半導体装置において、樹
脂封止体の液状樹脂が可撓性フィルム基板の裏面の封止
領域の外周囲へ流出することを防止できる。

【００５５】前記効果の他に、テープキャリア型半導体
装置の樹脂封止体の割れを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１であるテープキャリア型半
導体装置の断面図。

【図２】 前記テープキャリア型半導体装置の平面図。

【図３】 前記テープキャリア型半導体装置の組立プロ
セスの第１工程の断面図。

【図４】 第２工程の断面図。

【図５】 第３工程の断面図。

【図６】 本発明の実施例２であるテープキャリア型半
導体装置の断面図。

【符号の説明】

１…テープキャリア型半導体装置、２…半導体ペレッ
ト、３Ａ…可撓性フィルム基板、３Ｂ…リード、３Ｃ…
流出防止溝、３Ｄ…デバイスホール、４…ソルダーレジ
スト膜、５…樹脂封止体、６…液晶表示装置、７…プリ
ント配線基板。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 可撓性フィルム基板の中央領域に形成さ
   れたデバイスホール内に半導体ペレットが配置され、こ
   の半導体ペレットの素子形成面の外部端子に前記可撓性
   フィルム基板の表面の周辺領域に形成されたリードの一
   端が突起電極を介在して電気的に接続され、前記半導体
   ペレットの素子形成面、可撓性フィルム基板の表面及び
   裏面の半導体ペレット側の一部の各々を含む封止領域内
   に、前記半導体ペレットの素子形成面側から液状樹脂を
   塗布して硬化させた樹脂封止体を形成するテープキャリ
   ア型半導体装置において、前記可撓性フィルム基板の表
   面と対向する裏面の周辺領域であって、前記封止領域と
   この封止領域の外周囲との間に、又は前記封止領域内の
   前記デバイスホールの外周囲に沿って、前記可撓性フィ
   ルム基板の裏面から厚さ方向に深さを持つ流出防止溝を
   構成したことを特徴とするテープキャリア型半導体装
   置。
2. 【請求項２】 前記請求項１に記載される、可撓性フィ
   ルム基板の表面に形成されたリードは前記封止領域内に
   形成されたソルダーレジスト膜で被覆され、前記流出防
   止溝は前記ソルダーレジスト膜と重複する領域に構成さ
   れたことを特徴とするテープキャリア型半導体装置。
3. 【請求項３】 可撓性フィルム基板の裏面の周辺領域で
   あって、前記封止領域とこの封止領域の外周囲との間
   に、又は可撓性フィルム基板の中央領域に形成されたデ
   バイスホールの外周囲に沿った封止領域内に、前記可撓
   性フィルム基板の裏面から厚さ方向に深さを持つ流出防
   止溝を形成する工程と、前記可撓性フィルム基板のデバ
   イスホール内に半導体ペレットを配置し、この半導体ペ
   レットの素子形成面の外部端子に前記可撓性フィルム基
   板の前記裏面と対向する表面の周辺領域に形成されたリ
   ードの一端を突起電極を介在して電気的に接続する工程
   と、前記半導体ペレットの素子形成面、可撓性フィルム
   基板の表面及び裏面の半導体ペレット側の一部の各々を
   含む封止領域内に、前記半導体ペレットの素子形成面側
   から液状樹脂を塗布するとともに、可撓性フィルム基板
   の裏面に流出した液状樹脂のうち、封止領域の外周囲に
   流出する液状樹脂を流出防止溝で吸収した後、前記液状
   樹脂を硬化して樹脂封止体を形成する工程と、前記可撓
   性フィルム基板の表面及び裏面の封止領域の外周囲部分
   を挟持し、可撓性フィルム基板の周辺領域の一部を切断
   し、テープキャリア型半導体装置を完成する工程と、前
   記可撓性フィルム基板の裏面の封止領域の外周囲部分を
   圧着し、可撓性フィルム基板の表面のリードの他端を実
   装装置に電気的に接続し、テープキャリア型半導体装置
   を実装する工程とを備えたことを特徴とするテープキャ
   リア型半導体装置の組立方法。