JPH0685318A - 発光ダイオードアレイチップの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイチップの製造方法Info
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- JPH0685318A JPH0685318A JP25895292A JP25895292A JPH0685318A JP H0685318 A JPH0685318 A JP H0685318A JP 25895292 A JP25895292 A JP 25895292A JP 25895292 A JP25895292 A JP 25895292A JP H0685318 A JPH0685318 A JP H0685318A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 最端発光部においても発光出力特性が低下す
ることなく、発光素子の高密度集積が可能な発光ダイオ
ードアレイチップを得る。 【構成】 拡散窓を備えた第１の拡散阻止膜１２でエピ
タキシャルウエハ１０の表面を覆うと共に、最端発光部
２４が形成されるエピタキシャルウエハ１０の表面に第
２の拡散阻止膜２８を設ける。第２の拡散阻止膜２８
は、第１の拡散阻止膜１２とは材質が異なり、エッチン
グによって選択的に除去できる。拡散窓を介してエピタ
キシャル層１１ｂに不純物を拡散させて最端発光部２４
を含む発光部を形成する。 【効果】 熱拡散工程時にチップ外周部にｐ型半導体領
域１７が形成されることが、第２の拡散阻止膜２８で抑
制される。そのため、ダイシング時にチップ端面に導入
される結晶欠陥を介して最端発光部が基板１１ａに導通
することがなく、注入された電流が高い効率で再結合発
光に使用される。
ることなく、発光素子の高密度集積が可能な発光ダイオ
ードアレイチップを得る。 【構成】 拡散窓を備えた第１の拡散阻止膜１２でエピ
タキシャルウエハ１０の表面を覆うと共に、最端発光部
２４が形成されるエピタキシャルウエハ１０の表面に第
２の拡散阻止膜２８を設ける。第２の拡散阻止膜２８
は、第１の拡散阻止膜１２とは材質が異なり、エッチン
グによって選択的に除去できる。拡散窓を介してエピタ
キシャル層１１ｂに不純物を拡散させて最端発光部２４
を含む発光部を形成する。 【効果】 熱拡散工程時にチップ外周部にｐ型半導体領
域１７が形成されることが、第２の拡散阻止膜２８で抑
制される。そのため、ダイシング時にチップ端面に導入
される結晶欠陥を介して最端発光部が基板１１ａに導通
することがなく、注入された電流が高い効率で再結合発
光に使用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤプロッター等に
使用される高解像度の発光ダイオードアレイチップを製
造する方法に関する。
使用される高解像度の発光ダイオードアレイチップを製
造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真式のプロッターは、一定のピッ
チで複数の発光素子を基板上に形成した発光ダイオード
アレイを光源として使用している。従来の発光ダイオー
ドアレイチップは、たとえば図１に示すように、基板１
１ａ表面にｎ型ＧａＡｓＰのエピタキシャル層１１ｂを
成長させたエピタキシャルウエハ１０を使用する。エピ
タキシャル層１１ｂの上に、拡散阻止膜１２を選択拡散
マスクとして使用し熱拡散法によってｐ型半導体領域を
形成して発光部１３としている。個々の発光部１３に電
極部１４が設けられた後、エピタキシャルウエハ１０が
ダイシングによって各チップに切断される。
チで複数の発光素子を基板上に形成した発光ダイオード
アレイを光源として使用している。従来の発光ダイオー
ドアレイチップは、たとえば図１に示すように、基板１
１ａ表面にｎ型ＧａＡｓＰのエピタキシャル層１１ｂを
成長させたエピタキシャルウエハ１０を使用する。エピ
タキシャル層１１ｂの上に、拡散阻止膜１２を選択拡散
マスクとして使用し熱拡散法によってｐ型半導体領域を
形成して発光部１３としている。個々の発光部１３に電
極部１４が設けられた後、エピタキシャルウエハ１０が
ダイシングによって各チップに切断される。
【０００３】通常の発光ダイオードアレイは、解像度２
００〜４００ドット／インチの発光ダイオード６４〜２
５６個を一つのチップ内に集積している。最近では、印
画品質を向上させるため、更に解像度を向上させた発光
ダイオードアレイが要求されている。この点から、特に
４００ドット／インチ以上の高解像度をもった発光ダイ
オードを高い歩留りで製造できる技術が必要とされてい
る。
００〜４００ドット／インチの発光ダイオード６４〜２
５６個を一つのチップ内に集積している。最近では、印
画品質を向上させるため、更に解像度を向上させた発光
ダイオードアレイが要求されている。この点から、特に
４００ドット／インチ以上の高解像度をもった発光ダイ
オードを高い歩留りで製造できる技術が必要とされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法によって製
造した４００ドット／インチ以上の高解像度をもつ発光
ダイオードでは、図２（ａ）に示すようにアレイ最端発
光部に著しい発光出力の低下がみられる。この点、個々
の発光部の隣接間距離が比較的大きな４００ドット／イ
ンチ未満の解像度が低い発光ダイオードでは、図２
（ｂ）に示すように、個々の発光部は、アレイ最端で低
下することがなく、何れの発光部も等しい発光出力をも
つ。
造した４００ドット／インチ以上の高解像度をもつ発光
ダイオードでは、図２（ａ）に示すようにアレイ最端発
光部に著しい発光出力の低下がみられる。この点、個々
の発光部の隣接間距離が比較的大きな４００ドット／イ
ンチ未満の解像度が低い発光ダイオードでは、図２
（ｂ）に示すように、個々の発光部は、アレイ最端で低
下することがなく、何れの発光部も等しい発光出力をも
つ。
【０００５】アレイ最端発光部の発光出力が図２（ａ）
に示すように低下した発光ダイオードアレイチップをプ
リンター等に使用すると、印字品質を劣化させる原因と
なる。アレイ最端発光部における発光出力低下は、解像
度を向上させるため小さなピッチで多数の発光部を配列
させるほど顕著に現れる。そのため、不良品発生率が高
く、発光ダイオードアレイチップの生産コストを上昇さ
せる原因となっている。本発明は、このような問題を解
消すべく案出されたものであり、チップ外周端部におけ
るｐ型半導体領域の形成を別途の拡散阻止膜で抑制する
ことにより、アレイ端部での発光出力低下が生じない発
光ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造すること
を目的とする。
に示すように低下した発光ダイオードアレイチップをプ
リンター等に使用すると、印字品質を劣化させる原因と
なる。アレイ最端発光部における発光出力低下は、解像
度を向上させるため小さなピッチで多数の発光部を配列
させるほど顕著に現れる。そのため、不良品発生率が高
く、発光ダイオードアレイチップの生産コストを上昇さ
せる原因となっている。本発明は、このような問題を解
消すべく案出されたものであり、チップ外周端部におけ
るｐ型半導体領域の形成を別途の拡散阻止膜で抑制する
ことにより、アレイ端部での発光出力低下が生じない発
光ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
アレイチップ製造方法は、その目的を達成するため、拡
散窓を備えた第１の拡散阻止膜でエピタキシャルウエハ
の表面を覆うと共に、最端発光部が形成される前記エピ
タキシャルウエハのチップ周辺部に前記第１の拡散阻止
膜とは材質が異なる第２の拡散阻止膜を設け、前記拡散
窓を介してエピタキシャル層に不純物を拡散させて発光
部となるｐ型半導体領域を形成することを特徴とするを
特徴とする。
アレイチップ製造方法は、その目的を達成するため、拡
散窓を備えた第１の拡散阻止膜でエピタキシャルウエハ
の表面を覆うと共に、最端発光部が形成される前記エピ
タキシャルウエハのチップ周辺部に前記第１の拡散阻止
膜とは材質が異なる第２の拡散阻止膜を設け、前記拡散
窓を介してエピタキシャル層に不純物を拡散させて発光
部となるｐ型半導体領域を形成することを特徴とするを
特徴とする。
【０００７】
【作 用】従来の発光ダイオードアレイにおいて、アレ
イ端部に位置する発光部の発光出力が低下する理由は、
次のように考えられる。通常、熱拡散法，イオン注入法
等によってｐ型半導体領域を形成する際、図３に示すよ
うに発光部１４だけでなく、チップ外周部１５にもｐ型
半導体領域１７が形成される。また、発光部１３のｐ型
半導体領域は、深さＸj に対して１〜１．５倍の距離Ｙ
j だけ横方向にも広がり、拡散阻止膜１２の下へも侵入
する。
イ端部に位置する発光部の発光出力が低下する理由は、
次のように考えられる。通常、熱拡散法，イオン注入法
等によってｐ型半導体領域を形成する際、図３に示すよ
うに発光部１４だけでなく、チップ外周部１５にもｐ型
半導体領域１７が形成される。また、発光部１３のｐ型
半導体領域は、深さＸj に対して１〜１．５倍の距離Ｙ
j だけ横方向にも広がり、拡散阻止膜１２の下へも侵入
する。
【０００８】他方、ダイシングによる発光ダイオードア
レイチップの切出しは、図４に示すように高速回転して
いるダイシングブレード１８をウエハーに接触させてチ
ップ外周部１５を研削することによって行われる。その
ため、ウエハーの切断面１９には、結晶欠陥層２０が導
入される。したがって、切り出された後のウエハーにお
いて、チップ外周部１５にあるｐ型半導体領域１７は、
結晶欠陥層２０を介して基板１１ａと電気的に短絡した
状態になる。
レイチップの切出しは、図４に示すように高速回転して
いるダイシングブレード１８をウエハーに接触させてチ
ップ外周部１５を研削することによって行われる。その
ため、ウエハーの切断面１９には、結晶欠陥層２０が導
入される。したがって、切り出された後のウエハーにお
いて、チップ外周部１５にあるｐ型半導体領域１７は、
結晶欠陥層２０を介して基板１１ａと電気的に短絡した
状態になる。
【０００９】また、発光ダイオードアレイチップの短辺
方向の端部となる切断面１９は、プリンター等に実装し
た状態では、図５に示すように隣接する発光ダイオード
アレイチップ２１，２２の継ぎ目部分２３に相当する。
この継ぎ目部分２３においても最端発光部２４，２５が
所定のピッチで配列される必要があることから、チップ
端部２６，２７は最端発光部２４，２５のごく近傍に位
置する。図６に示す最端発光部２４からチップ端部２６
までの距離Ｌは、発光ダイオードアレイの解像度、すな
わち線密度が高くなるほど短くなる。特に４００ドット
／インチ以上の解像度をもつ発光ダイオードアレイで
は、距離Ｌが極めて短いため、チップ外周部に形成され
ているｐ型半導体領域１７に最端発光部２４が接触して
しまう。
方向の端部となる切断面１９は、プリンター等に実装し
た状態では、図５に示すように隣接する発光ダイオード
アレイチップ２１，２２の継ぎ目部分２３に相当する。
この継ぎ目部分２３においても最端発光部２４，２５が
所定のピッチで配列される必要があることから、チップ
端部２６，２７は最端発光部２４，２５のごく近傍に位
置する。図６に示す最端発光部２４からチップ端部２６
までの距離Ｌは、発光ダイオードアレイの解像度、すな
わち線密度が高くなるほど短くなる。特に４００ドット
／インチ以上の解像度をもつ発光ダイオードアレイで
は、距離Ｌが極めて短いため、チップ外周部に形成され
ているｐ型半導体領域１７に最端発光部２４が接触して
しまう。
【００１０】このような最端発光部２４，２５において
は、駆動のために注入された電流が発光に寄与すること
なく、チップ外周部に形成されているｐ型半導体領域１
７及び結晶欠陥層２０を介して基板１１ａに至る。その
結果、最端発光部２４に限って、図２（ａ）に示した発
光出力の低下がみられる。本発明においては、図７に示
すように、拡散阻止膜１２とは異なる材質でできた拡散
阻止膜２８をチップ外周部に設けることにより、発光出
力を低下させる原因となるｐ型半導体領域１７の形成を
抑制している。
は、駆動のために注入された電流が発光に寄与すること
なく、チップ外周部に形成されているｐ型半導体領域１
７及び結晶欠陥層２０を介して基板１１ａに至る。その
結果、最端発光部２４に限って、図２（ａ）に示した発
光出力の低下がみられる。本発明においては、図７に示
すように、拡散阻止膜１２とは異なる材質でできた拡散
阻止膜２８をチップ外周部に設けることにより、発光出
力を低下させる原因となるｐ型半導体領域１７の形成を
抑制している。
【００１１】１種類のみの拡散阻止膜１２を使用した従
来法では、前述したようにｐ型半導体領域１７がチップ
周辺部に形成される。ｐ型半導体領域１７の形成自体
は、図８に示すようなチップ外側に張出し部１２ａを付
けた拡散阻止膜１２の使用によって防止できる。しか
し、張出し部１２ａ，１２ｂは、ダイシング工程でダイ
シングブレード１８により切断される。拡散阻止膜１２
として窒化ケイ素膜，酸化アルミニウム膜等が通常使用
されており、これら材質の拡散阻止膜１２をダイシング
ブレード１８で切断すると、発光ダイオードアレイチッ
プの端部において拡散阻止膜１２の剥離が生じる。その
ため、拡散阻止膜１２の最終的な目的であるｐ−ｎ接合
の保護作用が妨げられる。
来法では、前述したようにｐ型半導体領域１７がチップ
周辺部に形成される。ｐ型半導体領域１７の形成自体
は、図８に示すようなチップ外側に張出し部１２ａを付
けた拡散阻止膜１２の使用によって防止できる。しか
し、張出し部１２ａ，１２ｂは、ダイシング工程でダイ
シングブレード１８により切断される。拡散阻止膜１２
として窒化ケイ素膜，酸化アルミニウム膜等が通常使用
されており、これら材質の拡散阻止膜１２をダイシング
ブレード１８で切断すると、発光ダイオードアレイチッ
プの端部において拡散阻止膜１２の剥離が生じる。その
ため、拡散阻止膜１２の最終的な目的であるｐ−ｎ接合
の保護作用が妨げられる。
【００１２】他方、２種類の拡散阻止膜１２及び２８を
使用するとき、チップ外周部におけるｐ型半導体領域１
７の形成が阻止されると共に、ダイシングによって導入
される結晶欠陥部２０を介し基板１１ａへの導通が防止
される。そのため、最端発光部２４の発光出力を低下さ
せることがなくなる。また、第２の拡散阻止膜２８を拡
散終了後に除去するとき、何れの拡散阻止膜１２，２８
もダイシングブレード１８で切断することなく、チップ
の分離を行うことができる。その結果、高解像度の発光
ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造することが
可能となる。第２の拡散阻止膜２８は、第１の拡散阻止
膜１２と異なる材質であるため、第１の拡散阻止膜１２
に悪影響を与えることなく選択的にエッチング除去され
る。たとえば、拡散阻止膜２８の材質には、Ｗ，Ｍｏ，
Ｔｉ等の高融点金属や酸化アルミニウム等がある。拡散
阻止膜１２との関連で拡散阻止膜１２の材質を選択する
とき、拡散阻止膜１２の形状等に変化を与えることな
く、高精度に作り込まれた発光ダイオードアレイチップ
が得られる。
使用するとき、チップ外周部におけるｐ型半導体領域１
７の形成が阻止されると共に、ダイシングによって導入
される結晶欠陥部２０を介し基板１１ａへの導通が防止
される。そのため、最端発光部２４の発光出力を低下さ
せることがなくなる。また、第２の拡散阻止膜２８を拡
散終了後に除去するとき、何れの拡散阻止膜１２，２８
もダイシングブレード１８で切断することなく、チップ
の分離を行うことができる。その結果、高解像度の発光
ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造することが
可能となる。第２の拡散阻止膜２８は、第１の拡散阻止
膜１２と異なる材質であるため、第１の拡散阻止膜１２
に悪影響を与えることなく選択的にエッチング除去され
る。たとえば、拡散阻止膜２８の材質には、Ｗ，Ｍｏ，
Ｔｉ等の高融点金属や酸化アルミニウム等がある。拡散
阻止膜１２との関連で拡散阻止膜１２の材質を選択する
とき、拡散阻止膜１２の形状等に変化を与えることな
く、高精度に作り込まれた発光ダイオードアレイチップ
が得られる。
【００１３】
【実施例】エピタキシャルウエハ１０に、第１の拡散阻
止膜１２となる窒化ケイ素をプラズマＣＶＤによって形
成した後、常法に従って発光部１３及びチップ外周部１
５を形成した。解像度４００ドット／インチの発光ダイ
オードアレイを得るため、一つの発光部１３を一辺３０
μｍのほぼ正方形とし、隣接する発光部１３のピッチを
６３．５μｍに設定した。また、チップには、エピタキ
シャルウエハ１０から切り出した長さ８ｍｍ及び幅０．
５ｍｍの矩形片を使用した。第２の拡散阻止膜２８とな
るタングステン膜をＣＶＤ法によって形成した後、発光
部１３に当る部分の拡散阻止膜２８を除去した。そし
て、エピタキシャル層１１ｂに不純物を熱拡散法で拡散
させ、ｐ型半導体領域１７を設けた。その後、拡散阻止
膜２８を除去し、最端発光部２４，２５を含む個々の発
光部１３に電極１４を形成し、最後にエピタキシャルウ
エハ１０から各チップに切り出した。
止膜１２となる窒化ケイ素をプラズマＣＶＤによって形
成した後、常法に従って発光部１３及びチップ外周部１
５を形成した。解像度４００ドット／インチの発光ダイ
オードアレイを得るため、一つの発光部１３を一辺３０
μｍのほぼ正方形とし、隣接する発光部１３のピッチを
６３．５μｍに設定した。また、チップには、エピタキ
シャルウエハ１０から切り出した長さ８ｍｍ及び幅０．
５ｍｍの矩形片を使用した。第２の拡散阻止膜２８とな
るタングステン膜をＣＶＤ法によって形成した後、発光
部１３に当る部分の拡散阻止膜２８を除去した。そし
て、エピタキシャル層１１ｂに不純物を熱拡散法で拡散
させ、ｐ型半導体領域１７を設けた。その後、拡散阻止
膜２８を除去し、最端発光部２４，２５を含む個々の発
光部１３に電極１４を形成し、最後にエピタキシャルウ
エハ１０から各チップに切り出した。
【００１４】得られたチップの発光出力特性を調査し
た。調査は、４００ドット／インチの発光ダイオードア
レイチップを１００個作製したとき、最端発光部２４，
２５の発光出力が規格値に達しないものを不良として判
定し、不良品の個数、すなわち不良品発生率で評価し
た。調査結果を表１に示す。なお、拡散阻止膜２８の効
果を調査するため、それぞれの実験において拡散阻止膜
２８の厚みを変えた場合の不良品発生率をカウントし
た。また、表１では、第２の拡散阻止膜２８を使用する
ことなく作製した発光ダイオードアレイチップの評価結
果を比較例として併せ示している。
た。調査は、４００ドット／インチの発光ダイオードア
レイチップを１００個作製したとき、最端発光部２４，
２５の発光出力が規格値に達しないものを不良として判
定し、不良品の個数、すなわち不良品発生率で評価し
た。調査結果を表１に示す。なお、拡散阻止膜２８の効
果を調査するため、それぞれの実験において拡散阻止膜
２８の厚みを変えた場合の不良品発生率をカウントし
た。また、表１では、第２の拡散阻止膜２８を使用する
ことなく作製した発光ダイオードアレイチップの評価結
果を比較例として併せ示している。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から明らかなように、第２の拡散阻止
膜２８を設けない比較例では、約２０％以上の割合で不
良品が発生していた。これに対し、厚み１０００Åのタ
ングステン膜を拡散阻止膜２８として設けたものでは、
不良品発生率が大幅に低減していた。タングステンの膜
が５０００Å及び１００００Åと厚いものでは、ＲＵＮ
１〜４の何れにおいても不良品の発生が皆無となった。
そして、得られた発光ダイオードアレイチップは、図９
に示すようにアレイ最端部における発光出力の低下がみ
られず、優れた特性をもつものであった。
膜２８を設けない比較例では、約２０％以上の割合で不
良品が発生していた。これに対し、厚み１０００Åのタ
ングステン膜を拡散阻止膜２８として設けたものでは、
不良品発生率が大幅に低減していた。タングステンの膜
が５０００Å及び１００００Åと厚いものでは、ＲＵＮ
１〜４の何れにおいても不良品の発生が皆無となった。
そして、得られた発光ダイオードアレイチップは、図９
に示すようにアレイ最端部における発光出力の低下がみ
られず、優れた特性をもつものであった。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、不純物拡散用の窓部が形成された拡散阻止膜と材質
が異なる別個の拡散阻止膜をチップ外周部に設けること
によって、熱拡散工程時にｐ型半導体領域がチップ外周
部に形成されることを抑制している。そのため、ダイシ
ングによってチップの端面に導入された結晶欠陥部を介
して最端発光部が基板に導通することがなくなる。その
結果、発光部のピッチを小さくした場合にあってもアレ
イ最端部における発光出力の低下がない。また、ダイシ
ング時に何れの拡散阻止膜をもダイシングブレードで切
断することなく個々のチップに分離することができるた
め、解像度を上げるために高集積密度で発光部を形成し
た発光ダイオードアレイチップが高い歩留りで得られ
る。
は、不純物拡散用の窓部が形成された拡散阻止膜と材質
が異なる別個の拡散阻止膜をチップ外周部に設けること
によって、熱拡散工程時にｐ型半導体領域がチップ外周
部に形成されることを抑制している。そのため、ダイシ
ングによってチップの端面に導入された結晶欠陥部を介
して最端発光部が基板に導通することがなくなる。その
結果、発光部のピッチを小さくした場合にあってもアレ
イ最端部における発光出力の低下がない。また、ダイシ
ング時に何れの拡散阻止膜をもダイシングブレードで切
断することなく個々のチップに分離することができるた
め、解像度を上げるために高集積密度で発光部を形成し
た発光ダイオードアレイチップが高い歩留りで得られ
る。
【図１】 従来の発光ダイオードアレイチップの平面図
（ａ）及び断面図（ｂ）
（ａ）及び断面図（ｂ）
【図２】 従来の発光ダイオードアレイチップの発光出
力特性
力特性
【図３】 従来の発光ダイオードアレイチップの横断面
図
図
【図４】 ウエハ上のチップ配列状態
【図５】 発光ダイオードアレイチップの実装状態
【図６】 高解像度発光ダイオードアレイチップの問題
を説明する図
を説明する図
【図７】 本発明に従った発光ダイオードアレイチップ
の横断面図
の横断面図
【図８】 張出し部を付けた拡散阻止膜
【図９】 本発明実施例で作製された発光ダイオードア
レイチップの発光出力特性
レイチップの発光出力特性
１０ エピタキシャルウエハ １１ａ 基板 １１ｂ エピタキシャル層 １２ 第１の拡散阻止
膜 １３ 発光部 １４ 電極 １５ チップ外周部 １７ チップ外周部に形成されるｐ型半導体領域 ２４，２５ 最端発光部 ２６，２７ チップ端
部 ２８ 第２の拡散阻止膜
膜 １３ 発光部 １４ 電極 １５ チップ外周部 １７ チップ外周部に形成されるｐ型半導体領域 ２４，２５ 最端発光部 ２６，２７ チップ端
部 ２８ 第２の拡散阻止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ４３Ｌ 13/00 Ｊ 8705−2Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｌ 8617−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 拡散窓を備えた第１の拡散阻止膜でエピ
タキシャルウエハの表面を覆うと共に、最端発光部が形
成される前記エピタキシャルウエハのチップ周辺部に前
記第１の拡散阻止膜とは材質が異なる第２の拡散阻止膜
を設け、前記拡散窓を介してエピタキシャル層に不純物
を拡散させ発光部となるｐ型半導体領域を形成すること
を特徴とする発光ダイオードアレイチップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25895292A JPH0685318A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25895292A JPH0685318A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685318A true JPH0685318A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17327312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25895292A Withdrawn JPH0685318A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871226A3 (en) * | 1997-04-11 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| JP2009290242A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP25895292A patent/JPH0685318A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871226A3 (en) * | 1997-04-11 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| US5972729A (en) * | 1997-04-11 | 1999-10-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing light-receiving/emitting diode array chip |
| JP2009290242A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
| US8395159B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-03-12 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| US8445935B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-05-21 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| US8816384B2 (en) | 2002-11-11 | 2014-08-26 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |