JPH0685385B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH0685385B2 JPH0685385B2 JP60261669A JP26166985A JPH0685385B2 JP H0685385 B2 JPH0685385 B2 JP H0685385B2 JP 60261669 A JP60261669 A JP 60261669A JP 26166985 A JP26166985 A JP 26166985A JP H0685385 B2 JPH0685385 B2 JP H0685385B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- mask
- pattern
- optical system
- photoresist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、集積回路に代表される固体電子デバイスを製
造する際に固体電子デバイスの基板にパターンを形成す
るための露光方法に関するものである。
造する際に固体電子デバイスの基板にパターンを形成す
るための露光方法に関するものである。
集積回路に代表される固体電子デバイスの製造工程にお
いては、フォトリソグラフィ技術が多用され、露光装置
によるパターンの露光は必要不可欠である。
いては、フォトリソグラフィ技術が多用され、露光装置
によるパターンの露光は必要不可欠である。
露光装置には、所定のパターンを描いたマスクとこのマ
スクのパターンが転写される固体電子デバイスの基板を
接触状態で重ねて露光するコンタクト方式、マスクと基
板を10〜50μｍ程度離間した状態で重ねて露光するプロ
キシミティ方式、マスクと基板を十分に分離した状態で
投影光学系に配置して露光する投影露光方式がある。
スクのパターンが転写される固体電子デバイスの基板を
接触状態で重ねて露光するコンタクト方式、マスクと基
板を10〜50μｍ程度離間した状態で重ねて露光するプロ
キシミティ方式、マスクと基板を十分に分離した状態で
投影光学系に配置して露光する投影露光方式がある。
コンタクト方式及びプロキシミティ方式には、様々な基
板サイズに応じた装置があるが、マスクと基板を重ねる
ため、基板の表面に塗布したフォトレジストがマスクに
付着したり、マスクに傷が付いたりしやすく、基板に転
写されたパターンに欠陥が多く、これを解消するものと
して、投影露光方式の露光装置が登場し、集積回路の分
野では主流になりつつあり、この投影露光装置では、マ
スクと基板が十分な距離をおいて配置されるため、フォ
トリソグラフィで発生する欠陥は大幅に減少する。
板サイズに応じた装置があるが、マスクと基板を重ねる
ため、基板の表面に塗布したフォトレジストがマスクに
付着したり、マスクに傷が付いたりしやすく、基板に転
写されたパターンに欠陥が多く、これを解消するものと
して、投影露光方式の露光装置が登場し、集積回路の分
野では主流になりつつあり、この投影露光装置では、マ
スクと基板が十分な距離をおいて配置されるため、フォ
トリソグラフィで発生する欠陥は大幅に減少する。
現在用いられている投影露光装置には、マスクのパター
ンを等倍で基板に投影するものと、1/5あるいは1/10に
縮小して投影するものがあり、その投影光学系には、ミ
ラーを用いた反射形のものと、レンズを用いた屈折形の
ものがある。
ンを等倍で基板に投影するものと、1/5あるいは1/10に
縮小して投影するものがあり、その投影光学系には、ミ
ラーを用いた反射形のものと、レンズを用いた屈折形の
ものがある。
一方、マスクの現状の性能を見ると、ガラスマスクの場
合、10μｍパターンで、誤差１μｍ以下の高精度の仕様
を満足するものとしては、７インチ角の基板、実効パタ
ーンエリア６インチ角程度のものが最大であり、これ以
上のサイズでは、基板の平坦性の維持、累積ピッチ誤差
量、ガラスマスクの製造装置等の問題で、高精度マスク
を得るのが難しい。
合、10μｍパターンで、誤差１μｍ以下の高精度の仕様
を満足するものとしては、７インチ角の基板、実効パタ
ーンエリア６インチ角程度のものが最大であり、これ以
上のサイズでは、基板の平坦性の維持、累積ピッチ誤差
量、ガラスマスクの製造装置等の問題で、高精度マスク
を得るのが難しい。
したがって、高精度マスクを用いて投影露光を行なう場
合、最大で６インチ角程度のパターンしか得られない
が、同時に、上記７インチ角サイズまでのマスクであれ
ば、超高精度の１μｍパターンで、誤差0.1μｍ程度の
ものを得ることも可能である。
合、最大で６インチ角程度のパターンしか得られない
が、同時に、上記７インチ角サイズまでのマスクであれ
ば、超高精度の１μｍパターンで、誤差0.1μｍ程度の
ものを得ることも可能である。
また、最近、アクティブマトリックス形液晶表示素子と
呼ばれるもので、薄膜トランジスタ（TFT）をマトリッ
クス状に配列した基板を用いる高精度・高性能の表示デ
バイスの開発が盛んであり、たとえば、昭和58年電気四
学会連合大会予稿集、講演番号16−６（p.3−41）に
は、その概要が紹介されている。
呼ばれるもので、薄膜トランジスタ（TFT）をマトリッ
クス状に配列した基板を用いる高精度・高性能の表示デ
バイスの開発が盛んであり、たとえば、昭和58年電気四
学会連合大会予稿集、講演番号16−６（p.3−41）に
は、その概要が紹介されている。
表示デバイスは、人間の目で見るという性格上、ある程
度の大きさと解像度が要求され、たとえば、対角10イン
チあるいは14インチで、画素数が400×640のものは、表
示デバイス開発の一つの目標で、アクティブマトリック
ス形液晶表示素子は、大形の表示デバイスを実現し得る
有望なものであるが、薄膜トタンジスタ（TFT）を形成
するためには、数回のリソグラフィを行なう必要があ
り、通常は、10μｍパターン程度の高精度のマスクと、
高性能の露光装置が必要で、さらに、欠陥のないパター
ンを得るためには投影露光方式で露光を行なう必要があ
る。
度の大きさと解像度が要求され、たとえば、対角10イン
チあるいは14インチで、画素数が400×640のものは、表
示デバイス開発の一つの目標で、アクティブマトリック
ス形液晶表示素子は、大形の表示デバイスを実現し得る
有望なものであるが、薄膜トタンジスタ（TFT）を形成
するためには、数回のリソグラフィを行なう必要があ
り、通常は、10μｍパターン程度の高精度のマスクと、
高性能の露光装置が必要で、さらに、欠陥のないパター
ンを得るためには投影露光方式で露光を行なう必要があ
る。
しかしながら、上述したような10μｍパターンで、誤差
１μｍ程度の高精度のマスクと、従来の等倍露光あるい
は縮小露光の投影露光装置の組合わせでは、アクティブ
マトリックス形液晶表示素子は６インチ角程度のものし
か得られないという問題があった。
１μｍ程度の高精度のマスクと、従来の等倍露光あるい
は縮小露光の投影露光装置の組合わせでは、アクティブ
マトリックス形液晶表示素子は６インチ角程度のものし
か得られないという問題があった。
本発明は、上述したような点に鑑みなされたもので、大
形の固体電子デバイスの基板にパターンを露光すること
を目的とするものである。
形の固体電子デバイスの基板にパターンを露光すること
を目的とするものである。
本発明の露光方法は、アクティブマトリックス形液晶表
示素子、マルチプレックス形液晶表示素子、その他の集
積回路等の固体電子デバイスの基板にパターンを形成す
る露光方法であって、光学系により、光源の光を、マス
ク位置決め手段に位置決めした超高精度のマスクに描か
れたパターンを介して、基板位置決め手段に位置決めし
た基板に塗布されたフォトレジストに、等倍を越える倍
率で拡大投影し、比較的に小形の超高精度のマスクを用
いて、比較的に大形の基板のフォトレジストに、拡大し
たマスクのパターンを高精度に露光するものである。
示素子、マルチプレックス形液晶表示素子、その他の集
積回路等の固体電子デバイスの基板にパターンを形成す
る露光方法であって、光学系により、光源の光を、マス
ク位置決め手段に位置決めした超高精度のマスクに描か
れたパターンを介して、基板位置決め手段に位置決めし
た基板に塗布されたフォトレジストに、等倍を越える倍
率で拡大投影し、比較的に小形の超高精度のマスクを用
いて、比較的に大形の基板のフォトレジストに、拡大し
たマスクのパターンを高精度に露光するものである。
本発明の露光方法の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は第１の実施例を示すものである。
１は光源、２は光源１からの放射光L0を平行光L1にする
光学系としてのレンズ系、Ｍは表面に微細なパターン
（図面にはABと大きく示してある）を描いた比較的に小
形のガラスマスク、３はガラスマスクＭを平行光L1に垂
直に位置決めするマスク位置決め手段、４はマスク位置
決め手段３に位置決めしたガラスマスクＭを透過した平
行なパターン光L2を、一旦集光した後、放射状のパター
ン光L3として拡大する光学系としてのレンズ系、５は拡
大された放射状のパターン光L3を平行なパターン光L4に
する光学系としてのレンズ系、Ｂは表面にフォトレジス
トを塗布した比較的に大形の固体電子デバイスの基板、
６は基板Ｂを拡大された平行なパターン光L4に垂直に位
置決めする基板位置決め手段で、説明を簡単にするた
め、ハウジング等は省略してある。
光学系としてのレンズ系、Ｍは表面に微細なパターン
（図面にはABと大きく示してある）を描いた比較的に小
形のガラスマスク、３はガラスマスクＭを平行光L1に垂
直に位置決めするマスク位置決め手段、４はマスク位置
決め手段３に位置決めしたガラスマスクＭを透過した平
行なパターン光L2を、一旦集光した後、放射状のパター
ン光L3として拡大する光学系としてのレンズ系、５は拡
大された放射状のパターン光L3を平行なパターン光L4に
する光学系としてのレンズ系、Ｂは表面にフォトレジス
トを塗布した比較的に大形の固体電子デバイスの基板、
６は基板Ｂを拡大された平行なパターン光L4に垂直に位
置決めする基板位置決め手段で、説明を簡単にするた
め、ハウジング等は省略してある。
この実施例の場合、所定のパターンを描いたガラスマス
クＭをマスク位置決め手段４に位置決めするとともに、
フォトレジストを塗布した基板Ｂを基板位置決め手段６
に位置決めした状態で、光源１を所定時間点灯するか、
もしくは光源１を点灯した状態で光源１と基板Ｂの間に
配設した図示しないシャッターを所定時間開口すると、
ガラスマスクＭのパターンは１よりも大きい倍率で基板
Ｂのフォトレジストに平行なパターン光L4として投影さ
れ、パターンがフォトレジストに拡大転写される。
クＭをマスク位置決め手段４に位置決めするとともに、
フォトレジストを塗布した基板Ｂを基板位置決め手段６
に位置決めした状態で、光源１を所定時間点灯するか、
もしくは光源１を点灯した状態で光源１と基板Ｂの間に
配設した図示しないシャッターを所定時間開口すると、
ガラスマスクＭのパターンは１よりも大きい倍率で基板
Ｂのフォトレジストに平行なパターン光L4として投影さ
れ、パターンがフォトレジストに拡大転写される。
なお、上記基板Ｂには、この露光工程の後、現像工程及
び定着工程を経て、安定なパターンが残され、このパタ
ーンをエッチングマスクとして、通常の集積回路の製造
と同様に、基板Ｂ上に薄膜等をエッチングする。
び定着工程を経て、安定なパターンが残され、このパタ
ーンをエッチングマスクとして、通常の集積回路の製造
と同様に、基板Ｂ上に薄膜等をエッチングする。
この拡大転写に際して、先に、〔発明の技術的背景とそ
の問題点〕の項で説明したように、基板Ｂがアクティブ
マトリックス形液晶表示素子用の場合には、10μｍ程度
の高精度のパターンが必要とされるが、ガラスマスクＭ
には、１μｍ程度の超高精度のパターンが得られるの
で、レンズ系４の拡大倍率は10倍程度まで設定できる。
の問題点〕の項で説明したように、基板Ｂがアクティブ
マトリックス形液晶表示素子用の場合には、10μｍ程度
の高精度のパターンが必要とされるが、ガラスマスクＭ
には、１μｍ程度の超高精度のパターンが得られるの
で、レンズ系４の拡大倍率は10倍程度まで設定できる。
そして、ガラスマスクＭと基板Ｂを十分に離すことがで
きるので、両者が接触することはなく、したがって、環
境がダストフリーで、基板Ｂのフォトレジストにごみ等
がなければ、フォトレジストに拡大転写されたパターン
は欠陥のないパターンとなる。
きるので、両者が接触することはなく、したがって、環
境がダストフリーで、基板Ｂのフォトレジストにごみ等
がなければ、フォトレジストに拡大転写されたパターン
は欠陥のないパターンとなる。
また、基板Ｂが、マルチプレックス形液晶表示素子用の
場合、一層のみの配線でよいので、露光も一回でよい
が、基板Ｂが、アクティブマトリックス形液晶表示素子
用の場合には、薄膜トランジスタ（TFT）を形成するた
めに、複数のガラスマスクＭを用い、各ガラスマスクＭ
を順次にマスク位置決め手段３に位置決めして数回の露
光を行なうが、この際に、先に基板Ｂに形成したパター
ンに対し、次のガラスマスクＭのパターンを所定の関係
に合わせる必要があり、このような場合には、各ガラス
マスクＭ及び基板Ｂに対応する位置合わせ用のマークM
1、B1を設けておき、たとえば基板位置決め手段６を移
動することにより、この各マークM1、B1を一致させれば
よい。
場合、一層のみの配線でよいので、露光も一回でよい
が、基板Ｂが、アクティブマトリックス形液晶表示素子
用の場合には、薄膜トランジスタ（TFT）を形成するた
めに、複数のガラスマスクＭを用い、各ガラスマスクＭ
を順次にマスク位置決め手段３に位置決めして数回の露
光を行なうが、この際に、先に基板Ｂに形成したパター
ンに対し、次のガラスマスクＭのパターンを所定の関係
に合わせる必要があり、このような場合には、各ガラス
マスクＭ及び基板Ｂに対応する位置合わせ用のマークM
1、B1を設けておき、たとえば基板位置決め手段６を移
動することにより、この各マークM1、B1を一致させれば
よい。
なお、先に基板Ｂに形成したパターンに対し、次のガラ
スマスクＭのパターンを所定の関係に合わせるための位
置合わせ機構としては、通常この種の露光装置に付加さ
れているアライナ（Aligner）と呼ばれる位置合わせ機
構（Aligning mechanism）を用いるが、その位置合わせ
の方法としては、作業者が顕微鏡で各マークM1、B1を
のぞいて、基板位置決め手段６を移動するマニュアル
法、レーザビームスキャンにより基板Ｂの位置を認定
して自動的に位置合わせする方法、レーザビームの干
渉により基板Ｂの位置を認定して自動的に位置合わせす
る方法、の方法において、人間の目の代わりにCCD
を用いて自動的に位置合わせする方法等の様々な方法が
ある。
スマスクＭのパターンを所定の関係に合わせるための位
置合わせ機構としては、通常この種の露光装置に付加さ
れているアライナ（Aligner）と呼ばれる位置合わせ機
構（Aligning mechanism）を用いるが、その位置合わせ
の方法としては、作業者が顕微鏡で各マークM1、B1を
のぞいて、基板位置決め手段６を移動するマニュアル
法、レーザビームスキャンにより基板Ｂの位置を認定
して自動的に位置合わせする方法、レーザビームの干
渉により基板Ｂの位置を認定して自動的に位置合わせす
る方法、の方法において、人間の目の代わりにCCD
を用いて自動的に位置合わせする方法等の様々な方法が
ある。
また、基板位置決め手段６にステップ＆リピート機能を
持たせて、基板Ｂを光軸に対して垂直に移動できるよう
に形成すると、同一のガラスマスクＭを用いて、基板Ｂ
のフォトレジストの複数箇所に同一のパターンを露光す
ることもでき、当然のことながら、ガラスマスクＭに複
数のパターンを描いておき、これらの各パターンを基板
Ｂのフォトレジストに同時に露光することもできる。
持たせて、基板Ｂを光軸に対して垂直に移動できるよう
に形成すると、同一のガラスマスクＭを用いて、基板Ｂ
のフォトレジストの複数箇所に同一のパターンを露光す
ることもでき、当然のことながら、ガラスマスクＭに複
数のパターンを描いておき、これらの各パターンを基板
Ｂのフォトレジストに同時に露光することもできる。
第２図は第１図に示した第１の実施例の変形例を示すも
のである。
のである。
この変形例では、露光装置のコンパクト化のために、レ
ンズ系２とマスク位置決め手段３のガラスマスクＭの間
において、光学系としての平面鏡11により、光軸を直角
に曲げたものである。
ンズ系２とマスク位置決め手段３のガラスマスクＭの間
において、光学系としての平面鏡11により、光軸を直角
に曲げたものである。
第３図は第２の実施例を示すものである。
21は光源１からの放射光L0を集光してマスク位置決め手
段３に位置決めされたガラスマスクＭに均等に照射する
光学系としてのレンズ系、22はマスクＭを透過したパタ
ーン光L5を基板位置決め手段６に位置決めされた基板Ｂ
のフォトレジストに１よりも大きい倍率で結像させる光
学系としてのレンズ系で、この第２の実施例の場合、基
板Ｂに投影されるパターンは平行光ではないが、基板Ｂ
の平坦度がよい場合には、問題なく適用することができ
る。
段３に位置決めされたガラスマスクＭに均等に照射する
光学系としてのレンズ系、22はマスクＭを透過したパタ
ーン光L5を基板位置決め手段６に位置決めされた基板Ｂ
のフォトレジストに１よりも大きい倍率で結像させる光
学系としてのレンズ系で、この第２の実施例の場合、基
板Ｂに投影されるパターンは平行光ではないが、基板Ｂ
の平坦度がよい場合には、問題なく適用することができ
る。
そして、この第２の実施例では、第１の実施例と比較し
て、レンズ系を１枚少なくすることができ、パターンを
基板Ｂに結像投影するレンズ系22の口径も小さくでき
る。
て、レンズ系を１枚少なくすることができ、パターンを
基板Ｂに結像投影するレンズ系22の口径も小さくでき
る。
第４図は第３の実施例を示すものである。
31はマスク位置決め手段３に位置決めされたガラスマス
クＭを透過した平行なパターン光L2の光軸を直角に曲げ
る光学系としての平面鏡、32は平面鏡31によって曲げら
れた平行なパターン光L2を基板位置決め手段６に位置決
めされた基板Ｂのフォトレジストに斜めに照射して１よ
りも大きい倍率で投影する光学系としての平面鏡で、こ
の第３の実施例の場合、第１の実施例、その変形例及び
第２の実施例のようにレンズ系4,22のような屈折形の光
学系によりガラスマスクＭのパターンを拡大する代わり
に、平面鏡32のような反射形の光学系によりガラスマス
クＭのパターンを拡大するものである。
クＭを透過した平行なパターン光L2の光軸を直角に曲げ
る光学系としての平面鏡、32は平面鏡31によって曲げら
れた平行なパターン光L2を基板位置決め手段６に位置決
めされた基板Ｂのフォトレジストに斜めに照射して１よ
りも大きい倍率で投影する光学系としての平面鏡で、こ
の第３の実施例の場合、第１の実施例、その変形例及び
第２の実施例のようにレンズ系4,22のような屈折形の光
学系によりガラスマスクＭのパターンを拡大する代わり
に、平面鏡32のような反射形の光学系によりガラスマス
クＭのパターンを拡大するものである。
なお、パターンを拡大する拡大機能を備えた光学系とし
ては、屈折形のレンズや反射形の平面鏡だけでなく、凹
面鏡や凸面鏡のような反射形の曲面鏡や屈折形のプリズ
ムも用いることができるが、いずれにしても、光学系の
歪みや収差等は、10μｍ程度の高精度のパターンを形成
するためには、極めて小さなものであることが必要であ
る。
ては、屈折形のレンズや反射形の平面鏡だけでなく、凹
面鏡や凸面鏡のような反射形の曲面鏡や屈折形のプリズ
ムも用いることができるが、いずれにしても、光学系の
歪みや収差等は、10μｍ程度の高精度のパターンを形成
するためには、極めて小さなものであることが必要であ
る。
以上の説明では、ガラスマスクを用いたが、目的に応じ
て、フィルムマスクやメタルマスクを用いることができ
る。
て、フィルムマスクやメタルマスクを用いることができ
る。
上述したように、本発明によれば、比較的に小形のマス
クを用いて、比較的に大形の固体電子デバイスの基板に
パターンを拡大して露光するので、超高精度のマスクを
用いることにより、大形の基板に高精度のパターンを形
成することができ、したがって、アクティブマトリック
ス形液晶表示素子のような高精度の表示デバイスの大形
化が可能となり、このような表示デバイスを大量にかつ
安価に提供することが可能となる。
クを用いて、比較的に大形の固体電子デバイスの基板に
パターンを拡大して露光するので、超高精度のマスクを
用いることにより、大形の基板に高精度のパターンを形
成することができ、したがって、アクティブマトリック
ス形液晶表示素子のような高精度の表示デバイスの大形
化が可能となり、このような表示デバイスを大量にかつ
安価に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】 図は本発明の露光方法の実施例を示し、第１図は第１の
実施例の構成図、第２図はその変形例の構成図、第３図
は第２の実施例の構成図、第４図は第３の実施例の構成
図である。 １……光源、2,4,5,21,22……光学系としてのレンズ
系、３……マスク位置決め手段、６……基板位置決め手
段、11,31,32……光学系としての平面鏡、Ｍ……マス
ク、Ｂ……基板。
実施例の構成図、第２図はその変形例の構成図、第３図
は第２の実施例の構成図、第４図は第３の実施例の構成
図である。 １……光源、2,4,5,21,22……光学系としてのレンズ
系、３……マスク位置決め手段、６……基板位置決め手
段、11,31,32……光学系としての平面鏡、Ｍ……マス
ク、Ｂ……基板。
Claims (6)
- 【請求項１】固体電子デバイスの基板にパターンを形成
する露光方法であって、 光源と、パターンを描いたマスクを位置決めするマスク
位置決め手段と、フォトレジストを塗布した上記基板を
位置決めする基板位置決め手段と、上記光源の光を上記
マスク位置決め手段により位置決めされたマスクを介し
て上記基板位置決め手段により位置決めされた基板に照
射しマスクのパターンを基板のフォトレジストに投影し
てフォトレジストを露光する光学系とを備え、 上記光学系は、上記マスクのパターンを上記基板のフォ
トレジストに等倍を越える倍率で拡大投影することを特
徴とする露光方法。 - 【請求項２】上記光学系は、拡大した上記マスクのパタ
ーンを平行光として上記基板のフォトレジストに投影す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光方
法。 - 【請求項３】上記光学系は、屈折形光学系を主体として
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の露光方法。 - 【請求項４】上記光学系は、反射形光学系を主体として
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の露光方法。 - 【請求項５】上記マスク位置決め手段に複数のマスクを
順次に位置決めしマスク位置決め手段あるいは上記基板
位置決め手段を移動して各マスクのパターンを各パター
ン相互の位置を所定の関係に合わせた状態で上記基板の
フォトレジストに順次に露光することを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の露光
方法。 - 【請求項６】上記基板位置決め手段を移動し、同一のマ
スクにより同一の基板のフォトレジストの複数箇所に同
一のパターンを露光すること特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第５項のいずれかに記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261669A JPH0685385B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261669A JPH0685385B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 露光方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7261542A Division JP2818391B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 露光装置 |
| JP7261543A Division JP2747255B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122126A JPS62122126A (ja) | 1987-06-03 |
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Family
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-
1985
- 1985-11-21 JP JP60261669A patent/JPH0685385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS62122126A (ja) | 1987-06-03 |
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