JPH0685402A - 分布帰還レーザ含有製品 - Google Patents
分布帰還レーザ含有製品Info
- Publication number
- JPH0685402A JPH0685402A JP4352429A JP35242992A JPH0685402A JP H0685402 A JPH0685402 A JP H0685402A JP 4352429 A JP4352429 A JP 4352429A JP 35242992 A JP35242992 A JP 35242992A JP H0685402 A JPH0685402 A JP H0685402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- region
- semiconductor
- layer
- lattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＦＢレーザの製造収率向上に好都合な構造
の格子領域を提供する。 【構成】 本格子領域は１つ以上の薄い半導体層（ＱＷ
と略称、例えば１２１）を有し、これはレーザの縦方向
で周期的に変化するＱＷである。好ましい本実施例で
は、このＱＷは格子エッチングの間パターン化され、最
上部の格子ＱＷは実質的に基板組成を有する層１３２で
おおわれる。特にこの構造により波形にエッチングされ
た表面上に欠陥のないエピタキシャル成長が容易に行わ
れ、また結合係数κの成長も容易にされる。さらに本発
明のレーザは部分的または純粋に利得結合とすることが
でき、そのために所望の波長区別が得られる。
の格子領域を提供する。 【構成】 本格子領域は１つ以上の薄い半導体層（ＱＷ
と略称、例えば１２１）を有し、これはレーザの縦方向
で周期的に変化するＱＷである。好ましい本実施例で
は、このＱＷは格子エッチングの間パターン化され、最
上部の格子ＱＷは実質的に基板組成を有する層１３２で
おおわれる。特にこの構造により波形にエッチングされ
た表面上に欠陥のないエピタキシャル成長が容易に行わ
れ、また結合係数κの成長も容易にされる。さらに本発
明のレーザは部分的または純粋に利得結合とすることが
でき、そのために所望の波長区別が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は“格子”構造を有する半
導体レーザに係わり、特に分布帰還（ＤＦＢ）レーザと
総称する種類のレーザに関する。
導体レーザに係わり、特に分布帰還（ＤＦＢ）レーザと
総称する種類のレーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＦＢ半導体レーザは、多くの利点（例
えば、非常に狭いバンドの放射）を可能とする特徴を有
し、そのため特に光ファイバ通信用に望ましいことは周
知である。ところが、このようなレーザの製造には、一
般的に現在２つの主なる技術的問題がある。その１つは
光帰還結合係数κの制御の再現性であり、他の１つはブ
ラッグ反射バンドの端部における可能な２つの振動から
１つの限定された振動波長を区別することである。
えば、非常に狭いバンドの放射）を可能とする特徴を有
し、そのため特に光ファイバ通信用に望ましいことは周
知である。ところが、このようなレーザの製造には、一
般的に現在２つの主なる技術的問題がある。その１つは
光帰還結合係数κの制御の再現性であり、他の１つはブ
ラッグ反射バンドの端部における可能な２つの振動から
１つの限定された振動波長を区別することである。
【０００３】前者の問題は、レーザ特性、例えばスペク
トル線幅、高調波ひずみおよび強度ノイズに非常に重要
な影響を及ぼすことが知られており、そのためこれらが
製造収率に厳しい影響を及ぼすことが起る。また後者
は、制御不可の場合には、特定波長を有するデバイスの
割合を実質上減少させ、そのためまた製造収率に影響を
及ぼすことが起る。インデックス結合ＤＦＢレーザにお
ける振動波長縮退問題を取扱う１つの周知の方法は、反
射防止（以下ＡＲと略称する）／高反射率（以下ＨＲと
略称する）塗装ファセットを用いる方法である。
トル線幅、高調波ひずみおよび強度ノイズに非常に重要
な影響を及ぼすことが知られており、そのためこれらが
製造収率に厳しい影響を及ぼすことが起る。また後者
は、制御不可の場合には、特定波長を有するデバイスの
割合を実質上減少させ、そのためまた製造収率に影響を
及ぼすことが起る。インデックス結合ＤＦＢレーザにお
ける振動波長縮退問題を取扱う１つの周知の方法は、反
射防止（以下ＡＲと略称する）／高反射率（以下ＨＲと
略称する）塗装ファセットを用いる方法である。
【０００４】しかし、この方法もまたファセットにおけ
る位相不確定性による収率問題をひき起こすことがあ
る。他の方法はλ／４または波形ピッチ変調位相シフト
を導入する方法である。完全なＡＲコーティングでは、
原則的には高収率でＤＦＢレーザを製造可能であるが、
この収率は数パーセントの反射率で（通常遭遇すること
であるが）急速に低下する。さらに、このようなレーザ
は、背部ファセットによる放射でパワーの実質的に半分
を浪費し、高い空間的ホール焼損を示すことがあり、こ
のために通常光- 電流曲線における光非線形性、スペク
トル線幅の増加およびより小さいフラット周波数変調応
答をひき起こすことになる。
る位相不確定性による収率問題をひき起こすことがあ
る。他の方法はλ／４または波形ピッチ変調位相シフト
を導入する方法である。完全なＡＲコーティングでは、
原則的には高収率でＤＦＢレーザを製造可能であるが、
この収率は数パーセントの反射率で（通常遭遇すること
であるが）急速に低下する。さらに、このようなレーザ
は、背部ファセットによる放射でパワーの実質的に半分
を浪費し、高い空間的ホール焼損を示すことがあり、こ
のために通常光- 電流曲線における光非線形性、スペク
トル線幅の増加およびより小さいフラット周波数変調応
答をひき起こすことになる。
【０００５】また、波長縮退問題に対する別の方法に利
得結合を導入する方法がある。これについては、エッチ
・コゲルニク（Ｈ．Ｋｏｇｅｌｎｉｋ）ら、ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、第４３巻、
２３２７頁、（１９７２年）を参照のこと。学説は次の
ように予測する。純利得結合レーザは、ＡＲ塗装ファセ
ットに対して正しくブラッグ波長で１つのレーザ光モー
ドを有し（それにより縮退問題を解決する）、またたと
え小さい程度の利得結合でもＡＲ塗装レーザと非ＡＲ塗
装レーザの両者に有利になることがある。
得結合を導入する方法がある。これについては、エッチ
・コゲルニク（Ｈ．Ｋｏｇｅｌｎｉｋ）ら、ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、第４３巻、
２３２７頁、（１９７２年）を参照のこと。学説は次の
ように予測する。純利得結合レーザは、ＡＲ塗装ファセ
ットに対して正しくブラッグ波長で１つのレーザ光モー
ドを有し（それにより縮退問題を解決する）、またたと
え小さい程度の利得結合でもＡＲ塗装レーザと非ＡＲ塗
装レーザの両者に有利になることがある。
【０００６】この利得結合の方法の効力は、ＧａＡｓ／
ＡｌＧａＡｓ ＤＦＢレーザで最近示された。これにつ
いては、ワイ・ルオ（Ｙ．Ｌｕｏ）ら、アプライド・フ
ィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第５６巻、（１７）、１６２０
頁、（１９９０年）、およびワイ・ルオ（Ｙ．Ｌｕｏ）
ら、ＩＥＥＥジャーナル・オブ・クワンタム・エレクト
ロニクス（ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、第２７巻、（６）、
１７２４頁、（１９９１年）を参照のこと。これら２つ
の報告は、周期的に変る厚さの活性層を有するＤＦＢレ
ーザを開示している。これは次のようにして得られる。
ＡｌＧａＡｓ ＤＦＢレーザで最近示された。これにつ
いては、ワイ・ルオ（Ｙ．Ｌｕｏ）ら、アプライド・フ
ィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第５６巻、（１７）、１６２０
頁、（１９９０年）、およびワイ・ルオ（Ｙ．Ｌｕｏ）
ら、ＩＥＥＥジャーナル・オブ・クワンタム・エレクト
ロニクス（ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、第２７巻、（６）、
１７２４頁、（１９９１年）を参照のこと。これら２つ
の報告は、周期的に変る厚さの活性層を有するＤＦＢレ
ーザを開示している。これは次のようにして得られる。
【０００７】それは適当な多層半導体本体の表面に周期
Λの通常の格子のエッチングを行い、露出バッファ層の
表面が（周期Λで）波形となるように格子上にバッファ
層を成長させ、および活性層の表面がフラットなるよう
に露出波形バッファ層の表面上に活性層を成長させるこ
とにより得られる。この手順は明らかに複雑で、製造プ
ロセスにこれを組込むのは容易にできることではない。
また波形活性層を有する利得結合ＤＦＢレーザを開示す
る次の報告、すなわち、ティ・イノウエ（Ｔ．Ｉｎｏｕ
ｅ）ら、ＩＥＥＥトランザクションズ・フォトニックス
・テクノロジー・レターズ（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第３巻、（１１）、９５８頁、
（１９９１年）．を参照のこと。
Λの通常の格子のエッチングを行い、露出バッファ層の
表面が（周期Λで）波形となるように格子上にバッファ
層を成長させ、および活性層の表面がフラットなるよう
に露出波形バッファ層の表面上に活性層を成長させるこ
とにより得られる。この手順は明らかに複雑で、製造プ
ロセスにこれを組込むのは容易にできることではない。
また波形活性層を有する利得結合ＤＦＢレーザを開示す
る次の報告、すなわち、ティ・イノウエ（Ｔ．Ｉｎｏｕ
ｅ）ら、ＩＥＥＥトランザクションズ・フォトニックス
・テクノロジー・レターズ（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第３巻、（１１）、９５８頁、
（１９９１年）．を参照のこと。
【０００８】別の方法が次の２つの報告、すなわち、ビ
ー・ボーチャート（Ｂ．Ｂｏｒｃｈｅｒｔ）ら、ＩＥＥ
Ｅトランザクションズ・フォトニックス・テクノロジー
・レターズ、第３巻、（１１）、９５５頁、（１９９１
年）およびワイ・ナカノ（Ｙ．Ｎａｋａｎｏ）ら、アプ
ライド・フィジックス・レターズ、第５５巻、（１
６）、頁、１６０６頁、（１９８９年）に示されてい
る。これら２つの報告は、レーザの活性領域から距離を
おかれている周期的損失構造を有する利得結合ＤＦＢレ
ーザを開示している。前記２つの問題のうち少なくとも
１つを取扱う方法が知られてはいるが、一般にこれらの
方法は複雑で、および／または十分に有効なものではな
い。例えば、最後に引用した２つの報告の利得結合ＤＦ
Ｂレーザは比較的複雑な構造を有し、これはモード縮退
の問題のみを取扱うが、結合一定制御問題は取扱わな
い。
ー・ボーチャート（Ｂ．Ｂｏｒｃｈｅｒｔ）ら、ＩＥＥ
Ｅトランザクションズ・フォトニックス・テクノロジー
・レターズ、第３巻、（１１）、９５５頁、（１９９１
年）およびワイ・ナカノ（Ｙ．Ｎａｋａｎｏ）ら、アプ
ライド・フィジックス・レターズ、第５５巻、（１
６）、頁、１６０６頁、（１９８９年）に示されてい
る。これら２つの報告は、レーザの活性領域から距離を
おかれている周期的損失構造を有する利得結合ＤＦＢレ
ーザを開示している。前記２つの問題のうち少なくとも
１つを取扱う方法が知られてはいるが、一般にこれらの
方法は複雑で、および／または十分に有効なものではな
い。例えば、最後に引用した２つの報告の利得結合ＤＦ
Ｂレーザは比較的複雑な構造を有し、これはモード縮退
の問題のみを取扱うが、結合一定制御問題は取扱わな
い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】受入可能のＤＦＢレー
ザの製造収率を増加するという重要性の見地から、前記
２つの問題を信頼性よく克服できる単純なレーザのデザ
インが利用できれば非常に望ましく、本出願はこのよう
なデザインを開示するものである。
ザの製造収率を増加するという重要性の見地から、前記
２つの問題を信頼性よく克服できる単純なレーザのデザ
インが利用できれば非常に望ましく、本出願はこのよう
なデザインを開示するものである。
【００１０】用語の説明 ここで使用する用語について説明する。ここで“量子井
戸”とは、第１の組成と厚さｔの薄い半導体領域で、第
２の組成の半導体材料間に介在するものをいい、これら
の組成と厚さｔは次のように選ばれる。第１の組成の適
当なバンドギャップ・エネルギーＥg1は第２の組成のバ
ンドギャップ・エネルギーＥg2より小さいように組成は
選ばれる。さらに、量子井戸における自由キャリアが量
子効果を示すようにｔを選び、例えばその井戸に関係付
けられた最低束縛エネルギー・レベルが井戸材料の適当
なバンド端部と一致しないように行われる。通常ｔは約
３０ｎｍより小さい。
戸”とは、第１の組成と厚さｔの薄い半導体領域で、第
２の組成の半導体材料間に介在するものをいい、これら
の組成と厚さｔは次のように選ばれる。第１の組成の適
当なバンドギャップ・エネルギーＥg1は第２の組成のバ
ンドギャップ・エネルギーＥg2より小さいように組成は
選ばれる。さらに、量子井戸における自由キャリアが量
子効果を示すようにｔを選び、例えばその井戸に関係付
けられた最低束縛エネルギー・レベルが井戸材料の適当
なバンド端部と一致しないように行われる。通常ｔは約
３０ｎｍより小さい。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の定義はクレーム
で示す通りである。本発明は、広義には特にレーザ製造
収率を実質的に向上することのできる特徴を持つ新規Ｄ
ＦＢ半導体レーザを有する製品（例えば、光ファイバ・
トランスミッタもしくはトランシーバ、またはそのよう
なトランスミッタもしくはレシーバを有する光ファイバ
通信システム）である。特に、本発明のＤＦＢレーザ
は、半導体基板上に多数のエピタキシャル半導体層を持
つ半導体本体を有するものである。
で示す通りである。本発明は、広義には特にレーザ製造
収率を実質的に向上することのできる特徴を持つ新規Ｄ
ＦＢ半導体レーザを有する製品（例えば、光ファイバ・
トランスミッタもしくはトランシーバ、またはそのよう
なトランスミッタもしくはレシーバを有する光ファイバ
通信システム）である。特に、本発明のＤＦＢレーザ
は、半導体基板上に多数のエピタキシャル半導体層を持
つ半導体本体を有するものである。
【００１２】この半導体本体は、周期Λ（レーザの含有
する縦方向で）を持つ周期的に変化する第１の領域
（“格子”領域）と、さらに電子- 空孔の再結合により
所定の波長λの電磁放射を生成し、および格子と光学的
相互作用を行う第２の領域（活性領域）を有するもので
ある。この活性領域は格子領域から距離をおいて設けら
れる。レーザは、さらに、半導体本体を通る電流を容易
に流す接点手段を有する。特に、本発明のレーザでは、
格子領域は、第１の半導体組成の、１つ以上の縦方向で
変化（例えば、パターン化）する薄い半導体層を有し、
ここである第１の組成層は第２の組成の半導体材料の間
に介在するように行われる。
する縦方向で）を持つ周期的に変化する第１の領域
（“格子”領域）と、さらに電子- 空孔の再結合により
所定の波長λの電磁放射を生成し、および格子と光学的
相互作用を行う第２の領域（活性領域）を有するもので
ある。この活性領域は格子領域から距離をおいて設けら
れる。レーザは、さらに、半導体本体を通る電流を容易
に流す接点手段を有する。特に、本発明のレーザでは、
格子領域は、第１の半導体組成の、１つ以上の縦方向で
変化（例えば、パターン化）する薄い半導体層を有し、
ここである第１の組成層は第２の組成の半導体材料の間
に介在するように行われる。
【００１３】この第１の組成層はここでは“量子井戸”
（以下“ＱＷ”と略称する）と呼ばれるが、ここで本発
明の実施には第１の組成層が量子井戸の前記特性を示す
ような層の厚さである必要はない。本発明の好ましい実
施例では、所定のＱＷは次のようにパターン化される。
それは、レーザの少なくとも一部において、ＱＷは別々
のセグメントに分割され、ここで各セグメントは縦方向
でΛより小さい寸法となるように行われる。活性領域と
格子領域の間隔は、通常のレーザ光動作中では、波長λ
の放射が格子と相互作用できるような間隔にされる。
（以下“ＱＷ”と略称する）と呼ばれるが、ここで本発
明の実施には第１の組成層が量子井戸の前記特性を示す
ような層の厚さである必要はない。本発明の好ましい実
施例では、所定のＱＷは次のようにパターン化される。
それは、レーザの少なくとも一部において、ＱＷは別々
のセグメントに分割され、ここで各セグメントは縦方向
でΛより小さい寸法となるように行われる。活性領域と
格子領域の間隔は、通常のレーザ光動作中では、波長λ
の放射が格子と相互作用できるような間隔にされる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明のレーザの一例の様相を模式的
に示す。基板１１（例えば、ｎ+ＩｎＰ）上にＱＷ１２
１、１２２（例えば、ｎ−ＩｎyＧａ1-yＡｓ、ここでｙ
のあらゆる値を、ＩｎＧａＡｓとしてまとめる）が配置
され、障壁層１３１（例えば、ｎ−ＩｎＰ）がその間に
介在する。好都合にＱＷ構造は最上層（１３２）が次の
ような障壁層組成を有するように形成されるが、ここで
障壁層組成はすぐ近接の基板材料（ドーピング・レベル
の相異が可能であることを除く、本発明の説明には、光
バッファ層は基板の一部と考える）のと実質上同一にな
るように選択される。
に示す。基板１１（例えば、ｎ+ＩｎＰ）上にＱＷ１２
１、１２２（例えば、ｎ−ＩｎyＧａ1-yＡｓ、ここでｙ
のあらゆる値を、ＩｎＧａＡｓとしてまとめる）が配置
され、障壁層１３１（例えば、ｎ−ＩｎＰ）がその間に
介在する。好都合にＱＷ構造は最上層（１３２）が次の
ような障壁層組成を有するように形成されるが、ここで
障壁層組成はすぐ近接の基板材料（ドーピング・レベル
の相異が可能であることを除く、本発明の説明には、光
バッファ層は基板の一部と考える）のと実質上同一にな
るように選択される。
【００１５】前記多層構造の表面は、周期Λのブラッグ
格子が形成されるように既知の手段でパターン化され、
ここでこの格子は最低ＱＷ層以下まで好都合に広がる。
好ましい実施例においては、このように生成された波形
表面１４は、僅かに少量の異なる組成（例えば、ＩｎＧ
ａＡｓ）が露出されるが、主として１つの組成（例え
ば、ＩｎＰ）の材料からできている。この表面のこの相
対的均一性により同一組成の高品位エピタキシャル材料
のその上の成長が容易になることは当業者により好まれ
るところである。
格子が形成されるように既知の手段でパターン化され、
ここでこの格子は最低ＱＷ層以下まで好都合に広がる。
好ましい実施例においては、このように生成された波形
表面１４は、僅かに少量の異なる組成（例えば、ＩｎＧ
ａＡｓ）が露出されるが、主として１つの組成（例え
ば、ＩｎＰ）の材料からできている。この表面のこの相
対的均一性により同一組成の高品位エピタキシャル材料
のその上の成長が容易になることは当業者により好まれ
るところである。
【００１６】表面１４上にスペーサ層１５（例えば、ｎ
−ＩｎＰ）の成長が行われ、表面１４を好都合に完全に
おおう。スペーサ層上に導波路層１６（例えば、ＩｎＧ
ａＡｓＰ）が配置され、次に多数のＱＷ１７（例えば、
ＩｎxＧａ1-xＡｓ、ここでｘはｙと異なるとは限らな
い）からできている活性領域が配置され、その間に障壁
層１８（例えば、ＩｎＧａＡｓＰ）が介在する。これは
次に、導波路層１９（例えば、ＩｎＧａＡｓＰ）、クラ
ッド層２０（例えば、ｐ−ＩｎＰ）、およびキャップ層
２１（例えば、ｐ+ＩｎＧａＡｓＰ）と続く。接点は通
常のものとすることができ、ここでは図示しない。
−ＩｎＰ）の成長が行われ、表面１４を好都合に完全に
おおう。スペーサ層上に導波路層１６（例えば、ＩｎＧ
ａＡｓＰ）が配置され、次に多数のＱＷ１７（例えば、
ＩｎxＧａ1-xＡｓ、ここでｘはｙと異なるとは限らな
い）からできている活性領域が配置され、その間に障壁
層１８（例えば、ＩｎＧａＡｓＰ）が介在する。これは
次に、導波路層１９（例えば、ＩｎＧａＡｓＰ）、クラ
ッド層２０（例えば、ｐ−ＩｎＰ）、およびキャップ層
２１（例えば、ｐ+ＩｎＧａＡｓＰ）と続く。接点は通
常のものとすることができ、ここでは図示しない。
【００１７】ＱＷを有する新規格子構造を除き、本発明
のレーザは通常の構造を有することができる。本発明の
適用は実質的にすべての種類の半導体ＤＦＢレーザに可
能であることは明白で、マルチ量子井戸ＤＦＢレーザの
使用に限るものではない。本発明の実施は次のように可
能であることは当業者により認められるところである。
それは図１に示すような、“格子”が活性領域の“下”
にあるようなＤＦＢレーザにおいて、また“格子”が活
性領域の“上”にあるようなレーザにおいて、および格
子構造が光導波路により活性領域に横に接続されている
いわゆる“分布ブラッグ反射”（ＤＢＲと略称する）レ
ーザにおいても本発明は実施可能である。
のレーザは通常の構造を有することができる。本発明の
適用は実質的にすべての種類の半導体ＤＦＢレーザに可
能であることは明白で、マルチ量子井戸ＤＦＢレーザの
使用に限るものではない。本発明の実施は次のように可
能であることは当業者により認められるところである。
それは図１に示すような、“格子”が活性領域の“下”
にあるようなＤＦＢレーザにおいて、また“格子”が活
性領域の“上”にあるようなレーザにおいて、および格
子構造が光導波路により活性領域に横に接続されている
いわゆる“分布ブラッグ反射”（ＤＢＲと略称する）レ
ーザにおいても本発明は実施可能である。
【００１８】光学的に格子ＱＷは、ＱＷが結合されて、
例えば“超格子”を形成するように、距離をおいて配置
されることが可能である。ここでは結合マルチＱＷ構造
もまたは非結合マルチＱＷ構造も区別せずＱＷ構造とひ
とつにまとめて表す。ＤＦＢレーザにおいてこの新規格
子構造を用いることにより多くの利点を得ることができ
る。例えば、ＱＷは薄くて、スペーサ層やすぐ近接の基
板材料と実質的に同じ組成を有する材料で好ましくはイ
ンタリーブされたり、またキャップ付与されたりするこ
とから、格子表面上のスペーサ層の成長は実質的にホモ
エピタキシャル成長の一例である。
例えば“超格子”を形成するように、距離をおいて配置
されることが可能である。ここでは結合マルチＱＷ構造
もまたは非結合マルチＱＷ構造も区別せずＱＷ構造とひ
とつにまとめて表す。ＤＦＢレーザにおいてこの新規格
子構造を用いることにより多くの利点を得ることができ
る。例えば、ＱＷは薄くて、スペーサ層やすぐ近接の基
板材料と実質的に同じ組成を有する材料で好ましくはイ
ンタリーブされたり、またキャップ付与されたりするこ
とから、格子表面上のスペーサ層の成長は実質的にホモ
エピタキシャル成長の一例である。
【００１９】このため一般的に格子上のエピタキシャル
成長は容易となり、実質的に欠陥のないものを得ること
ができる。さらに、結合定数κは一般的にＱＷの数、組
成および／または厚さを適切に選択することにより好都
合に制御することができる。格子の深さプロファイルは
一般的にＱＷの組成および／もしくは厚さならびに／ま
たは障壁層の組成および／もしくは厚さの適切な変更に
より合わせることができる。従って本発明の実施例で
は、格子ＱＷはどれもみな同じ厚さや同じ組成のものと
は限らず、および／または格子障壁層もまたどれもみな
同じ厚さや同じ組成のものとは限らないことである。
成長は容易となり、実質的に欠陥のないものを得ること
ができる。さらに、結合定数κは一般的にＱＷの数、組
成および／または厚さを適切に選択することにより好都
合に制御することができる。格子の深さプロファイルは
一般的にＱＷの組成および／もしくは厚さならびに／ま
たは障壁層の組成および／もしくは厚さの適切な変更に
より合わせることができる。従って本発明の実施例で
は、格子ＱＷはどれもみな同じ厚さや同じ組成のものと
は限らず、および／または格子障壁層もまたどれもみな
同じ厚さや同じ組成のものとは限らないことである。
【００２０】レーザの最適性能には、κＬ（ここでＬは
空洞長さ）の量は一般的に１〜２の範囲内でなければな
らないことが知られている。従って、多くの場合、κは
割合小さい方が望ましく、ほんの１つもしくは少数の格
子ＱＷで得ることができる。次に、このことから、実質
的に図１に示すようにすべてのＱＷがエッチングされる
格子を有することが可能となる。このような（好まし
い）レーザでは、実際の格子の深さは、従来のＤＦＢレ
ーザで得られる状況とは反対に、κに影響するのに重要
な役割をはたすものではない。従って、本発明の好まし
いレーザでκを制御することは一般的に比較的簡単なこ
ととなる。
空洞長さ）の量は一般的に１〜２の範囲内でなければな
らないことが知られている。従って、多くの場合、κは
割合小さい方が望ましく、ほんの１つもしくは少数の格
子ＱＷで得ることができる。次に、このことから、実質
的に図１に示すようにすべてのＱＷがエッチングされる
格子を有することが可能となる。このような（好まし
い）レーザでは、実際の格子の深さは、従来のＤＦＢレ
ーザで得られる状況とは反対に、κに影響するのに重要
な役割をはたすものではない。従って、本発明の好まし
いレーザでκを制御することは一般的に比較的簡単なこ
ととなる。
【００２１】本発明のレーザの他の有利な特徴は次のと
おりである。ＱＷにおける周知の量子サイズ効果から、
格子ＱＷを次のように設計することができる。それはた
とえ同じ材料組成がレーザの活性層および格子ＱＷにお
いて用いられたとしても格子ＱＷの吸収端部がレーザ光
波長以上にあるように設計可能であり、それにより製造
を単純にできる。注目点として、得られたＤＦＢレーザ
はインデックス結合レーザであるが、本発明はインデッ
クス結合レーザおよび利得（損失）結合レーザならびに
これら両結合機構の組合せを示すレーザにも実施可能で
あることをここに特記する。
おりである。ＱＷにおける周知の量子サイズ効果から、
格子ＱＷを次のように設計することができる。それはた
とえ同じ材料組成がレーザの活性層および格子ＱＷにお
いて用いられたとしても格子ＱＷの吸収端部がレーザ光
波長以上にあるように設計可能であり、それにより製造
を単純にできる。注目点として、得られたＤＦＢレーザ
はインデックス結合レーザであるが、本発明はインデッ
クス結合レーザおよび利得（損失）結合レーザならびに
これら両結合機構の組合せを示すレーザにも実施可能で
あることをここに特記する。
【００２２】もし利得（損失）結合格子を所望する場合
には、ＱＷ吸収端部がレーザ光波長以下であるように格
子ＱＷの厚さおよび／または組成を選ぶことができる。
格子ＱＷを非常に薄くすることにより利得結合効果をイ
ンデックス結合効果以上に主にすることができる。もし
所望ならば、格子ＱＷは適当な活性領域材料より狭いバ
ルク・バンドギャップを持つ組成を有することもでき
る。引張りまたは圧縮のいずれかの場合にＱＷが変形さ
れるように格子ＱＷ組成を選択することもできる。
には、ＱＷ吸収端部がレーザ光波長以下であるように格
子ＱＷの厚さおよび／または組成を選ぶことができる。
格子ＱＷを非常に薄くすることにより利得結合効果をイ
ンデックス結合効果以上に主にすることができる。もし
所望ならば、格子ＱＷは適当な活性領域材料より狭いバ
ルク・バンドギャップを持つ組成を有することもでき
る。引張りまたは圧縮のいずれかの場合にＱＷが変形さ
れるように格子ＱＷ組成を選択することもできる。
【００２３】変形ＱＷを用いて本発明のＤＦＢレーザの
ＴＥモードやＴＭモードの各結合係数を変更することが
でき、これによりデバイス設計技術者にさらなる自由度
を供与できることは当業者の認めるところである。前記
の説明は、格子領域のＱＷの使用により特に格子の再成
長の再現性や結合係数の制御を非常に容易にできること
を示している。また本発明は、利得結合ＤＦＢレーザを
得るためさらには波長縮退を除去するために、非常に便
利で有効なスキームを提供するものである。
ＴＥモードやＴＭモードの各結合係数を変更することが
でき、これによりデバイス設計技術者にさらなる自由度
を供与できることは当業者の認めるところである。前記
の説明は、格子領域のＱＷの使用により特に格子の再成
長の再現性や結合係数の制御を非常に容易にできること
を示している。また本発明は、利得結合ＤＦＢレーザを
得るためさらには波長縮退を除去するために、非常に便
利で有効なスキームを提供するものである。
【００２４】実質上図１に示すようなレーザは次のよう
に製造された。２つの４ｎｍの厚さのｎ−Ｉｎ0.62Ｇａ
0.38Ａｓ層、ただし夫々９．３ｎｍの厚さのｎ−ＩｎＰ
層により離され、キャップ付与されたもの、は通常の
（１００）方位の５ｃｍの直径のｎ+ＩｎＰ基板上に温
度摂氏５４５度で通常の化学ビームエピタキシ（ＣＢ
Ｅ）により成長が行われた。一次格子（Λ＝２４０ｎ
ｍ）は通常のホログラフ法と湿式エッチングにより調製
された。格子深さは約４８ｎｍであった。標準的な洗浄
をした後、このウェハをＣＢＥ装置に再び導入し前もっ
てクラッキングしたＰＨ3からＰの過圧下で温度摂氏約
５４５度に加熱した。これらの条件下では格子エロージ
ョンの発生は見られなかった。
に製造された。２つの４ｎｍの厚さのｎ−Ｉｎ0.62Ｇａ
0.38Ａｓ層、ただし夫々９．３ｎｍの厚さのｎ−ＩｎＰ
層により離され、キャップ付与されたもの、は通常の
（１００）方位の５ｃｍの直径のｎ+ＩｎＰ基板上に温
度摂氏５４５度で通常の化学ビームエピタキシ（ＣＢ
Ｅ）により成長が行われた。一次格子（Λ＝２４０ｎ
ｍ）は通常のホログラフ法と湿式エッチングにより調製
された。格子深さは約４８ｎｍであった。標準的な洗浄
をした後、このウェハをＣＢＥ装置に再び導入し前もっ
てクラッキングしたＰＨ3からＰの過圧下で温度摂氏約
５４５度に加熱した。これらの条件下では格子エロージ
ョンの発生は見られなかった。
【００２５】厚さ６５ｎｍ（格子の最上部から測って）
のｎ−ＩｎＰスペーサ層の成長を行い、次に標準的変形
層６−ＱＷセパレート・コンファインメント・ヘテロ構
造（ＳＣＨ）の成長を行った。クォータナリ（Ｑ1.25）
導波路層は５２．２ｎｍの厚さで、Ｉｎ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
ＱＷとＱ1.25障壁層はそれぞれ５ｎｍと１８．６ｎｍで
あった。次にこのウェハは、さらに、埋込みヘテロ構造
に通常の処理を行い、ここで温度摂氏６３０度でのＦｅ
ドープされたＩｎＰのＭＯ−ＶＰＥ（有機金属−気相エ
ピタキシ）による再成長を含めた。ジェチル亜鉛とテト
ラエチル・スズを夫々ｐ形ドーピングとｎ形ドーピング
のソースとして用いた。
のｎ−ＩｎＰスペーサ層の成長を行い、次に標準的変形
層６−ＱＷセパレート・コンファインメント・ヘテロ構
造（ＳＣＨ）の成長を行った。クォータナリ（Ｑ1.25）
導波路層は５２．２ｎｍの厚さで、Ｉｎ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
ＱＷとＱ1.25障壁層はそれぞれ５ｎｍと１８．６ｎｍで
あった。次にこのウェハは、さらに、埋込みヘテロ構造
に通常の処理を行い、ここで温度摂氏６３０度でのＦｅ
ドープされたＩｎＰのＭＯ−ＶＰＥ（有機金属−気相エ
ピタキシ）による再成長を含めた。ジェチル亜鉛とテト
ラエチル・スズを夫々ｐ形ドーピングとｎ形ドーピング
のソースとして用いた。
【００２６】図２はレーザ出力対駆動電流についてのデ
ータ例を示し、図３は同じレーザのレーザ光スペクトル
を示し、および図４はサイド・モード・サプレッション
比率（ＳＭＳＲと略称する）対駆動電流についてのデー
タを示すが、ここではすべて実質的に前記のように製造
された０．５ｍｍの空洞長さの２ＱＷ−格子レーザで、
両ファセット上に（５％）ＡＲコーティングを行ったも
のである。ＡＲコーティングは任意に選択したもので、
本発明のレーザは、劈開のままのレーザでさえ高いＳＭ
ＳＲを示し得るものである。
ータ例を示し、図３は同じレーザのレーザ光スペクトル
を示し、および図４はサイド・モード・サプレッション
比率（ＳＭＳＲと略称する）対駆動電流についてのデー
タを示すが、ここではすべて実質的に前記のように製造
された０．５ｍｍの空洞長さの２ＱＷ−格子レーザで、
両ファセット上に（５％）ＡＲコーティングを行ったも
のである。ＡＲコーティングは任意に選択したもので、
本発明のレーザは、劈開のままのレーザでさえ高いＳＭ
ＳＲを示し得るものである。
【００２７】図５は、本発明のさらに次の実施例を模式
的に示す。波形表面上１４上に、クラッド層４１（例え
ば、ｎ−ＩｎＰ）、活性層４２（例えば、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ）、クラッド層４３（例えば、ｐ−ＩｎＰ）およびキ
ャップ層２１（例えば、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ）の成長が
行われた。図６は、さらに本発明の（利得結合）レーザ
構造例を模式的に示す。基板１１（例えば、ｎ+−Ｉｎ
Ｐ）はエッチングされて波形表面５０を形成した。この
表面上に、薄層５１（例えば、ｎ- ＩｎＰ）が堆積さ
れ、続いてＱＷ層５２（例えば、ｎ−ＩｎＧａＡｓ）、
障壁層５３（例えば、ｎ−ＩｎＰ）、さらにＱＷ層５４
（例えば、ｎ−ＩｎＧａＡｓ）、およびクラッド層５５
（例えば、ｎ−ＩｎＰ）の堆積が行われた。
的に示す。波形表面上１４上に、クラッド層４１（例え
ば、ｎ−ＩｎＰ）、活性層４２（例えば、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ）、クラッド層４３（例えば、ｐ−ＩｎＰ）およびキ
ャップ層２１（例えば、ｐ+−ＩｎＧａＡｓ）の成長が
行われた。図６は、さらに本発明の（利得結合）レーザ
構造例を模式的に示す。基板１１（例えば、ｎ+−Ｉｎ
Ｐ）はエッチングされて波形表面５０を形成した。この
表面上に、薄層５１（例えば、ｎ- ＩｎＰ）が堆積さ
れ、続いてＱＷ層５２（例えば、ｎ−ＩｎＧａＡｓ）、
障壁層５３（例えば、ｎ−ＩｎＰ）、さらにＱＷ層５４
（例えば、ｎ−ＩｎＧａＡｓ）、およびクラッド層５５
（例えば、ｎ−ＩｎＰ）の堆積が行われた。
【００２８】適当な堆積法により、図６に示すような周
期的に厚さの変化する層が得られる。ここに示した種類
の格子は、先に説明したＱＷ格子を用いたレーザの実質
上いずれの種類にも用いることができる。以上の説明
は、本発明の一実施例に関するもので、この技術分野の
当業者であれば、本発明の種々の変形例が考え得るが、
それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は発明の容易な
る理解のためで、その技術的範囲を制限するよう解釈さ
れるべきではない。
期的に厚さの変化する層が得られる。ここに示した種類
の格子は、先に説明したＱＷ格子を用いたレーザの実質
上いずれの種類にも用いることができる。以上の説明
は、本発明の一実施例に関するもので、この技術分野の
当業者であれば、本発明の種々の変形例が考え得るが、
それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は発明の容易な
る理解のためで、その技術的範囲を制限するよう解釈さ
れるべきではない。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の格子構造を
適用することにより、波形エッチングされた表面上に欠
陥のないエピタキシャル成長が容易に行われ、また結合
係数κの成長も容易にされ、さらに得られたレーザは利
得結合とすることができ、そのため所望の波長区別が得
られ、レーザの製造収率を向上することができる。
適用することにより、波形エッチングされた表面上に欠
陥のないエピタキシャル成長が容易に行われ、また結合
係数κの成長も容易にされ、さらに得られたレーザは利
得結合とすることができ、そのため所望の波長区別が得
られ、レーザの製造収率を向上することができる。
【図１】本発明の実施例の適切な様相を模式的に示す図
である。
である。
【図２】本発明のレーザ例における出力パワー対駆動電
流についてのデータを示す図である。
流についてのデータを示す図である。
【図３】本発明のレーザ例における出力強度対波長につ
いてのデータを示す図である。
いてのデータを示す図である。
【図４】本発明のレーザ例におけるサイド・モード・サ
プレッション比率対駆動電流についてのデータを示す図
である。
プレッション比率対駆動電流についてのデータを示す図
である。
【図５】本発明の別の実施例を模式的に示す図である。
【図６】本発明のさらに別の実施例を模式的に示す図で
ある。
ある。
１１ 基板、（第２の組成の）半導体層 １４ 表面 １５ スペーサ層 １６ 導波路層 １７ 量子井戸層 １８ 障壁層 １９ 導波路層 ２０ クラッド層 ２１ キャップ層 ４１ クラッド層 ４２ 活性層 ４３ クラッド層 ５０ 表面 ５１ 薄層 ５２ 量子井戸層 ５３ 障壁層 ５４ 量子井戸層 ５５ クラッド層 １２１ 量子井戸層、（第１の組成の）半導体層 １２２ 量子井戸層 １３１ 障壁層、（第２の組成の）半導体層 １３２ 最上層
Claims (8)
- 【請求項１】 ａ）周期的に変化する第１の半導体領域
（以下“格子”領域と呼ぶ）において、格子領域が周期
Λを有する前記第１の半導体領域と、 ｂ）そこで電子−空孔の再結合により波長λの電磁放射
を生成するために設けられた第２の半導体領域（以下
“活性”領域と呼ぶ）において、活性領域が格子領域か
ら距離をおいて設けられた前記第２の半導体領域とを有
し、 ｃ）レーザは、さらに、前記半導体本体を通る電流を容
易に流す接点手段を有し、ここでレーザは縦方向を含む
前記レーザを有する、半導体基板上に多数のエピタキシ
ャル半導体層を持つ半導体本体を有する分布帰還（以下
ＤＦＢと略称する）レーザ含有製品において、さらに、 ｄ）格子領域は第１の組成の１つ以上の半導体層（例え
ば、１２１）を有し、ここである第１の組成層は第２の
組成の半導体材料（例えば、１１，１３１）の間に介在
しかつ周期Λで縦方向において変化することを特徴とす
る前記ＤＦＢレーザ含有製品。 - 【請求項２】 レーザの少なくとも一部において、所定
の量子井戸層は別々のセグメントに分割され、各セグメ
ントは縦方向でΛより小さい寸法となるように所定の第
１の組成層はパターン化されることを特徴とする請求項
１に記載の製品。 - 【請求項３】 所定の第１の組成層は周期Λの厚さの変
化を示すことを特徴とする請求項１に記載の製品。 - 【請求項４】 格子領域は基板と活性領域との間にある
ことを特徴とする請求項１に記載の製品。 - 【請求項５】 活性領域は基板と格子領域との間にある
ことを特徴とする請求項１に記載の製品。 - 【請求項６】 ＤＦＢレーザは分布ブラッグ反射レーザ
であることを特徴とする請求項１に記載の製品。 - 【請求項７】 半導体基板はＩｎＰ基板であることを特
徴とする請求項１に記載の製品。 - 【請求項８】 所定の第１の組成層は３０ｎｍより薄い
厚さｔを有することを特徴とする請求項１に記載の製
品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/806,969 US5208824A (en) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | Article comprising a DFB semiconductor laser |
| US806969 | 1997-02-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685402A true JPH0685402A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2542779B2 JP2542779B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=25195255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352429A Expired - Lifetime JP2542779B2 (ja) | 1991-12-12 | 1992-12-11 | 分布帰還型レ―ザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5208824A (ja) |
| EP (1) | EP0546706B1 (ja) |
| JP (1) | JP2542779B2 (ja) |
| DE (1) | DE69209016T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539766A (en) * | 1993-08-19 | 1996-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
| JPH098396A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| JP2003133636A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| JP2016184705A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 富士通株式会社 | 半導体光素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713350B1 (fr) * | 1993-12-06 | 1995-12-29 | Franck Delorme | Composant optique à pluralité de réseaux de bragg et procédé de fabrication de ce composant. |
| US5452318A (en) * | 1993-12-16 | 1995-09-19 | Northern Telecom Limited | Gain-coupled DFB laser with index coupling compensation |
| EP0706243A3 (en) * | 1994-09-28 | 1996-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Distributed feedback semiconductor laser and manufacturing process |
| US5506859A (en) * | 1995-02-16 | 1996-04-09 | At&T Corp. | Article comprising a DFB laser with loss coupling |
| TW304310B (ja) * | 1995-05-31 | 1997-05-01 | Siemens Ag | |
| US5659640A (en) * | 1995-06-27 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Integrated waveguide having an internal optical grating |
| US5751756A (en) * | 1995-09-05 | 1998-05-12 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device for use as a light source of an optical disk or the like |
| DE19538232A1 (de) * | 1995-10-13 | 1997-04-17 | Siemens Ag | Optoelektronisches Bauelement mit kodirektionaler Modenkopplung |
| US5727013A (en) * | 1995-10-27 | 1998-03-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Single lobe surface emitting complex coupled distributed feedback semiconductor laser |
| JPH09311220A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-12-02 | Canon Inc | 異なる偏光依存性を持つ領域が交互に配置された回折格子、及びそれを用いた光半導体デバイス |
| US5926493A (en) * | 1997-05-20 | 1999-07-20 | Sdl, Inc. | Optical semiconductor device with diffraction grating structure |
| AU6628700A (en) | 1999-08-13 | 2001-03-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Single mode, single lobe surface emitting distributed feedback semiconductor laser |
| US6477194B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-11-05 | Agere Systems Guardian Corp. | Low temperature distributed feedback laser with loss grating and method |
| US6574256B1 (en) * | 2000-01-18 | 2003-06-03 | Xerox Corporation | Distributed feedback laser fabricated by lateral overgrowth of an active region |
| JP3813450B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2006-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP3842976B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2006-11-08 | 富士通株式会社 | 分布帰還型半導体レーザとその製造方法 |
| JP5099948B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2012-12-19 | 古河電気工業株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| US9372306B1 (en) | 2001-10-09 | 2016-06-21 | Infinera Corporation | Method of achieving acceptable performance in and fabrication of a monolithic photonic integrated circuit (PIC) with integrated arrays of laser sources and modulators employing an extended identical active layer (EIAL) |
| US6885686B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-04-26 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser |
| US7457340B2 (en) * | 2002-01-18 | 2008-11-25 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser |
| GB2388707B (en) * | 2002-05-15 | 2005-06-22 | Bookham Technology Plc | Tunable laser |
| US10012797B1 (en) | 2002-10-08 | 2018-07-03 | Infinera Corporation | Monolithic photonic integrated circuit (PIC) with a plurality of integrated arrays of laser sources and modulators employing an extended identical active layer (EIAL) |
| US6965628B1 (en) * | 2002-10-30 | 2005-11-15 | Finisar Corporation | Distributed feedback laser having a differential grating |
| JP2004241569A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| US7583719B2 (en) * | 2005-08-24 | 2009-09-01 | Applied Optoelectronics, Inc, | Complex-coupled distributed feedback semiconductor laser |
| US8121170B2 (en) * | 2005-08-24 | 2012-02-21 | Applied Optoelectronics, Inc. | Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser including first-order and second-order gratings |
| US7403552B2 (en) * | 2006-03-10 | 2008-07-22 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High efficiency intersubband semiconductor lasers |
| US7505496B2 (en) * | 2006-04-05 | 2009-03-17 | Ciena Corporation | Systems and methods for real-time compensation for non-linearity in optical sources for analog signal transmission |
| US7457338B2 (en) * | 2006-04-19 | 2008-11-25 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Quantum well lasers with strained quantum wells and dilute nitride barriers |
| US7408966B2 (en) * | 2006-08-18 | 2008-08-05 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Intersubband quantum box stack lasers |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60102788A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰環形半導体レ−ザ |
| JPS6265490A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS63136587A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Sony Corp | 分布帰還型レ−ザ |
| JPH0529705A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| JPH0555686A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2619057B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| EP0406005B1 (en) * | 1989-06-30 | 1996-06-12 | Optical Measurement Technology Development Co. Ltd. | Semiconductor laser and manufacture method therefor |
| US5023198A (en) * | 1990-02-28 | 1991-06-11 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating self-stabilized semiconductor gratings |
| JP2982422B2 (ja) * | 1991-09-20 | 1999-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-12 US US07/806,969 patent/US5208824A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-20 DE DE69209016T patent/DE69209016T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-20 EP EP92310602A patent/EP0546706B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-11 JP JP4352429A patent/JP2542779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60102788A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰環形半導体レ−ザ |
| JPS6265490A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS63136587A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Sony Corp | 分布帰還型レ−ザ |
| JPH0529705A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| JPH0555686A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539766A (en) * | 1993-08-19 | 1996-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
| US5764682A (en) * | 1993-08-19 | 1998-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser and method for fabricating the same |
| US5960257A (en) * | 1993-08-19 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method distributed feedback semiconductor laser for fabricating |
| JPH098396A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| JP2003133636A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| JP2016184705A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 富士通株式会社 | 半導体光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0546706B1 (en) | 1996-03-13 |
| JP2542779B2 (ja) | 1996-10-09 |
| US5208824A (en) | 1993-05-04 |
| DE69209016D1 (de) | 1996-04-18 |
| DE69209016T2 (de) | 1996-10-31 |
| EP0546706A1 (en) | 1993-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2542779B2 (ja) | 分布帰還型レ―ザ | |
| US5926493A (en) | Optical semiconductor device with diffraction grating structure | |
| US6816525B2 (en) | Quantum dot lasers | |
| JP4047718B2 (ja) | 量子ダッシュデバイス | |
| US7560298B2 (en) | Methods for producing a tunable vertical cavity surface emitting laser | |
| EP0406005B1 (en) | Semiconductor laser and manufacture method therefor | |
| JP2007318165A (ja) | 量子ドットレーザ | |
| JP3339488B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JP5698267B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| US5276702A (en) | Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser | |
| US6031859A (en) | Mode-locked semiconductor laser | |
| US4775980A (en) | Distributed-feedback semiconductor laser device | |
| EP0533485A1 (en) | Semiconductor device and method of making it | |
| KR100632308B1 (ko) | 이득결합 분포귀환형 반도체레이저장치 및 그의 제조방법 | |
| US6526087B1 (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| JPH06152059A (ja) | 半導体光集積素子 | |
| JP2763090B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法、ならびに結晶成長方法 | |
| US5309472A (en) | Semiconductor device and a method for producing the same | |
| Tsang et al. | Long-wavelength InGaAsP/InP multiquantum well distributed feedback and distributed Bragg reflector lasers grown by chemical beam epitaxy | |
| Moore et al. | Recent developments in distributed feedback and distributed Bragg reflector lasers for wide-band long-haul fiber-optic communication systems | |
| Ky et al. | Narrow-linewidth complex-coupled DFB lasers with gain coupling induced by vertical emission | |
| JPH03195077A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 17 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 17 |