JPH0685437A - 電子部品の洗浄方法 - Google Patents
電子部品の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0685437A JPH0685437A JP25738192A JP25738192A JPH0685437A JP H0685437 A JPH0685437 A JP H0685437A JP 25738192 A JP25738192 A JP 25738192A JP 25738192 A JP25738192 A JP 25738192A JP H0685437 A JPH0685437 A JP H0685437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- gap
- gap part
- easier
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子部品の品質を低下させずに、代替洗浄方法
への移行を容易にすることのできる電子部品の洗浄方法
を提供する。 【構成】洗浄液４中に電子部品５を浸漬して、その電子
部品５を減圧または加圧下で洗浄する。
への移行を容易にすることのできる電子部品の洗浄方法
を提供する。 【構成】洗浄液４中に電子部品５を浸漬して、その電子
部品５を減圧または加圧下で洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の洗浄方法に
関し、特に、フロン、エタン等のオゾン層破壊物質を使
用しない電子部品の洗浄方法に関する。
関し、特に、フロン、エタン等のオゾン層破壊物質を使
用しない電子部品の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フロン、エタン等の塩素系有機溶
剤によるオゾン層破壊が問題になり、その全廃が急がれ
ている。たとえば、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の洗
浄工程においても、上記の塩素系有機溶剤を使用してお
り、この塩素系有機溶剤を使用しないで洗浄する、いわ
ゆる代替洗浄方法の開発が急がれている。
剤によるオゾン層破壊が問題になり、その全廃が急がれ
ている。たとえば、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の洗
浄工程においても、上記の塩素系有機溶剤を使用してお
り、この塩素系有機溶剤を使用しないで洗浄する、いわ
ゆる代替洗浄方法の開発が急がれている。
【０００３】現在、提案されている代替洗浄方法は、以
下に述べるものがある。 水洗浄 これは、水溶性フラックスを水により除去するものであ
る。 アルカリケン化 これは、ロジン（松脂）系フラックスをアルカリケン化
剤によって、一旦、水に溶解する物質にし、その後水で
すすぐものである。 準水系洗浄 これは、ロジン系フラックスを、炭化水素、テルペン、
高級アルコール、界面活性剤等の溶剤に溶かして除去
し、その後水ですすぐものである。このように、従来の
代替洗浄方法は、ほとんど水を用いて行うことになる。
下に述べるものがある。 水洗浄 これは、水溶性フラックスを水により除去するものであ
る。 アルカリケン化 これは、ロジン（松脂）系フラックスをアルカリケン化
剤によって、一旦、水に溶解する物質にし、その後水で
すすぐものである。 準水系洗浄 これは、ロジン系フラックスを、炭化水素、テルペン、
高級アルコール、界面活性剤等の溶剤に溶かして除去
し、その後水ですすぐものである。このように、従来の
代替洗浄方法は、ほとんど水を用いて行うことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、たとえ
ば、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の基板とその基板上
の部品との隙間に入り込んだフラックスを洗浄する場合
には、上記の従来の代替洗浄方法では、フラックスを十
分洗浄しきれず、電子部品の絶縁性劣化などの品質問題
が生じるおそれがある。この理由としては、従来の代替
洗浄方法に使用する溶剤や水は、隙間部分へ入り込みに
くいということがあげられる。隙間に入りやすいかどう
かを表す物性値として、ヌレ指数がある。このヌレ指数
は、（１）式で表されるように、
ば、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の基板とその基板上
の部品との隙間に入り込んだフラックスを洗浄する場合
には、上記の従来の代替洗浄方法では、フラックスを十
分洗浄しきれず、電子部品の絶縁性劣化などの品質問題
が生じるおそれがある。この理由としては、従来の代替
洗浄方法に使用する溶剤や水は、隙間部分へ入り込みに
くいということがあげられる。隙間に入りやすいかどう
かを表す物性値として、ヌレ指数がある。このヌレ指数
は、（１）式で表されるように、
【０００５】 ヌレ指数＝（密度×１０００）／（粘度×表面張力）
（１）
（１）
【０００６】密度、粘度、表面張力を組み合わせたもの
で、その値が大きいと隙間に入りやすくなるため、その
値を比較することにより、隙間部分の洗浄性が比較でき
る。すなわち、塩素系有機溶剤であるフロンＲ−１１３
が１２０、 １、１、１−トリクロロエタンが５５であ
るのに対し、従来の代替洗浄方法に使用する溶剤や水
は、炭化水素およびテルペンが３０〜４０、高級アルコ
ール、界面活性剤が５〜２０、水が１５であり、従来の
代替洗浄方法に使用する溶剤や水のヌレ指数は、塩素系
有機溶剤のヌレ指数よりも小さい。したがって、従来の
代替洗浄方法に使用する溶剤や水は、塩素系有機溶剤に
比べて、隙間部分の洗浄性が劣り、電子部品の品質が低
下してしまうという不都合がある。
で、その値が大きいと隙間に入りやすくなるため、その
値を比較することにより、隙間部分の洗浄性が比較でき
る。すなわち、塩素系有機溶剤であるフロンＲ−１１３
が１２０、 １、１、１−トリクロロエタンが５５であ
るのに対し、従来の代替洗浄方法に使用する溶剤や水
は、炭化水素およびテルペンが３０〜４０、高級アルコ
ール、界面活性剤が５〜２０、水が１５であり、従来の
代替洗浄方法に使用する溶剤や水のヌレ指数は、塩素系
有機溶剤のヌレ指数よりも小さい。したがって、従来の
代替洗浄方法に使用する溶剤や水は、塩素系有機溶剤に
比べて、隙間部分の洗浄性が劣り、電子部品の品質が低
下してしまうという不都合がある。
【０００７】本発明は、電子部品の品質を低下させず
に、代替洗浄方法への移行を容易にすることのできる電
子部品の洗浄方法を提供することを目的にしている。
に、代替洗浄方法への移行を容易にすることのできる電
子部品の洗浄方法を提供することを目的にしている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品の洗浄
方法は、上記目的を達成するために、洗浄液中に電子部
品を浸漬して、その電子部品を減圧または加圧下で洗浄
することを特徴とする。
方法は、上記目的を達成するために、洗浄液中に電子部
品を浸漬して、その電子部品を減圧または加圧下で洗浄
することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明の電子部品の洗浄方法は、上記のよう
に、電子部品を減圧または加圧下で洗浄することによ
り、電子部品の、たとえば、隙間部分への洗浄液の侵入
が容易になり、電子部品の洗浄性を高めることができ
る。
に、電子部品を減圧または加圧下で洗浄することによ
り、電子部品の、たとえば、隙間部分への洗浄液の侵入
が容易になり、電子部品の洗浄性を高めることができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照しつつ
詳述する。図１は本発明の一実施例の電子部品の洗浄方
法を説明するための図である。この図において、１は、
槽部２と蓋部３とから構成される密閉容器で、この密閉
容器１内に、従来の代替洗浄方法で使用した洗浄剤や水
等の洗浄液４が充填され、さらに、洗浄液４中には、ハ
イブリッドＩＣ等の電子部品５が浸漬されている。この
電子部品５は、たとえば、基板６面上に部品７が搭載さ
れ、半田付け固定されたものである。この基板６と部品
７との間に隙間部分８が形成されている。
詳述する。図１は本発明の一実施例の電子部品の洗浄方
法を説明するための図である。この図において、１は、
槽部２と蓋部３とから構成される密閉容器で、この密閉
容器１内に、従来の代替洗浄方法で使用した洗浄剤や水
等の洗浄液４が充填され、さらに、洗浄液４中には、ハ
イブリッドＩＣ等の電子部品５が浸漬されている。この
電子部品５は、たとえば、基板６面上に部品７が搭載さ
れ、半田付け固定されたものである。この基板６と部品
７との間に隙間部分８が形成されている。
【００１１】この隙間部分８には気泡９が形成される場
合が多く、槽部２の孔を通して密閉容器１内の気圧を、
たとえば、１０〜１００ｍｍＨｇ程度に減圧すれば、気
泡９が上昇しやすくなり、隙間部分８の気泡９が抜け
て、隙間部分へ洗浄液４が入り込み易くなる。したがっ
て、隙間部分８に付着したフラックスを取り除くことが
できる。
合が多く、槽部２の孔を通して密閉容器１内の気圧を、
たとえば、１０〜１００ｍｍＨｇ程度に減圧すれば、気
泡９が上昇しやすくなり、隙間部分８の気泡９が抜け
て、隙間部分へ洗浄液４が入り込み易くなる。したがっ
て、隙間部分８に付着したフラックスを取り除くことが
できる。
【００１２】逆に、密閉容器１内の気圧を、たとえば、
１５００ｍｍＨｇ程度に加圧すれば、隙間部分８の気泡
９の体積が小さくなり、その分、隙間部分８へ洗浄液４
が入り込み易くなる。したがって、隙間部分８に付着し
たフラックスを取り除くことができる。
１５００ｍｍＨｇ程度に加圧すれば、隙間部分８の気泡
９の体積が小さくなり、その分、隙間部分８へ洗浄液４
が入り込み易くなる。したがって、隙間部分８に付着し
たフラックスを取り除くことができる。
【００１３】なお、上記実施例において、電子部品５
は、基板６に部品７を搭載したものであるが、この構成
に限定されるものではなく、いかなるものでもよい。ま
た、実施例では、密閉容器１内で減圧および加圧を行っ
たが、密閉容器内に限らず、たとえば、小室内に槽部２
を配置しておき、その小室内の気圧を減圧または加圧し
てもよい。
は、基板６に部品７を搭載したものであるが、この構成
に限定されるものではなく、いかなるものでもよい。ま
た、実施例では、密閉容器１内で減圧および加圧を行っ
たが、密閉容器内に限らず、たとえば、小室内に槽部２
を配置しておき、その小室内の気圧を減圧または加圧し
てもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明の電子部品の洗浄方法、以上述べ
たように、減圧または加圧下で洗浄することにより、電
子部品の洗浄性を高めることができる。したがって、電
子部品の品質を低下させずに、代替洗浄方法への移行を
容易にすることができる。
たように、減圧または加圧下で洗浄することにより、電
子部品の洗浄性を高めることができる。したがって、電
子部品の品質を低下させずに、代替洗浄方法への移行を
容易にすることができる。
【図１】本発明の電子部品の洗浄方法を説明するための
図である。
図である。
１ 密閉容器 ２ 槽部 ３ 蓋部 ４ 洗浄液 ５ 電子部品 ６ 基板 ７ 部品 ８ 隙間部分 ９ 気泡
Claims (1)
- 【請求項１】洗浄液中に電子部品を浸漬して、その電子
部品を減圧または加圧下で洗浄することを特徴とする電
子部品の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25738192A JPH0685437A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 電子部品の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25738192A JPH0685437A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 電子部品の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685437A true JPH0685437A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17305602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25738192A Pending JPH0685437A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 電子部品の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685437A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818198A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜パターンの製造方法 |
| JP2017098302A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電極のクリーニング方法および集積回路装置の製造方法 |
| WO2022097530A1 (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25738192A patent/JPH0685437A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818198A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜パターンの製造方法 |
| JP2017098302A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電極のクリーニング方法および集積回路装置の製造方法 |
| WO2022097530A1 (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7011716B2 (en) | Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products | |
| US20060081273A1 (en) | Dense fluid compositions and processes using same for article treatment and residue removal | |
| US5215593A (en) | Method of introducing liquid into small-diameter hole | |
| US5073291A (en) | Novel azeotrope-type solvent mixture of methanol and 1,4-dihydroperfluorobutane and process for cleaning electronic components with the aid of the same | |
| CN109047160B (zh) | 一种掩膜版玻璃基板的清洗方法 | |
| JPH1036894A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP3940742B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| CN109513677B (zh) | 丝印蓝宝石退镀清洗方法 | |
| EP1765526A1 (en) | Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products | |
| KR900003157B1 (ko) | 스루호울 도금의 전처리 방법 | |
| JPH03190131A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
| JPH0434000A (ja) | フラックス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法 | |
| JPH03167298A (ja) | フラックス洗浄剤 | |
| JP2008085150A (ja) | 洗浄方法 | |
| KR102468949B1 (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 | |
| JP2644948B2 (ja) | 被洗浄物の水分分離方法 | |
| JP3249551B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| KR20020051405A (ko) | 웨이퍼 세정 방법 | |
| JP2003273499A (ja) | プリント配線基板のプラズマ洗浄方法 | |
| JP2813321B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH0669178A (ja) | ガラス基板洗浄方法 | |
| JPH0323635A (ja) | 半導体基板の洗浄方法およびそれに用いる洗浄装置 | |
| JP3098819B2 (ja) | プリント配線板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| KR0146271B1 (ko) | 평판 디스플레이 세척방법 | |
| EP0501685A1 (en) | Organic solvents comprising butyl butyrate |