JPH0685508B2 - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
- Publication number
- JPH0685508B2 JPH0685508B2 JP60223314A JP22331485A JPH0685508B2 JP H0685508 B2 JPH0685508 B2 JP H0685508B2 JP 60223314 A JP60223314 A JP 60223314A JP 22331485 A JP22331485 A JP 22331485A JP H0685508 B2 JPH0685508 B2 JP H0685508B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- resistor
- light receiving
- receiving element
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は受信した光信号を電気信号に変換する光受信回
路に関する。特に、周波数特性の補正を考慮した光受信
回路に関する。
路に関する。特に、周波数特性の補正を考慮した光受信
回路に関する。
本発明は、能動半導体素子を含むインピーダンス変換回
路を有する光受信回路において、 能動半導体素子の接地電極と共通電位間のインピーダン
スを受光素子に到来する光信号の繰返し周波数に対して
きわめて低い値を呈するように設定することにより、 このインピーダンス変換回路に微分特性をもたせ、かつ
利得が低下しないようにしたものである。
路を有する光受信回路において、 能動半導体素子の接地電極と共通電位間のインピーダン
スを受光素子に到来する光信号の繰返し周波数に対して
きわめて低い値を呈するように設定することにより、 このインピーダンス変換回路に微分特性をもたせ、かつ
利得が低下しないようにしたものである。
〔従来の技術〕 従来例光受信回路は、第２図に示すように、光信号を電
気信号に変換する受光素子D1と、ゲートがこの受光素子
D1のアノードに接続され、ドレインが第一抵抗器R1を介
して電源に接続され、ソースが第二の抵抗器R2を介して
共通電位に接続されるとともに第一蓄電器C1を介して共
通電位に接続される電界効果トランジスタFETと、エミ
ッタが電界効果トランジスタFETのドレインに接続さ
れ、ベースが基準電圧に接続され、コレクタが第三抵抗
器R3を介して共通電位に接続されたPNP形の第一トラン
ジスタTR1と、ペースが第一PNP形トランジスタTR1のコ
レクタに接続され、コレクタが電源に接続され、エミッ
タが第五抵抗器R5と第六抵抗器R6を介して共通電位に接
続されたNPN形の第二トランジスタTR2と、第五抵抗器R5
に並列に接続された第二蓄電器C2と、第五抵抗器R5と第
六抵抗器R6の接点と電界効果トランジスタFETのゲート
との間に接続された第七抵抗器R7とで構成されたトラン
スインピーダンス形増幅回路が使用されている。この回
路では、周波数特性が十分広くとれない場合に第四蓄電
器C4と第八抵抗器R8と第九抵抗器R9とで構成される微分
回路を接続することで帯域を広げていた。
気信号に変換する受光素子D1と、ゲートがこの受光素子
D1のアノードに接続され、ドレインが第一抵抗器R1を介
して電源に接続され、ソースが第二の抵抗器R2を介して
共通電位に接続されるとともに第一蓄電器C1を介して共
通電位に接続される電界効果トランジスタFETと、エミ
ッタが電界効果トランジスタFETのドレインに接続さ
れ、ベースが基準電圧に接続され、コレクタが第三抵抗
器R3を介して共通電位に接続されたPNP形の第一トラン
ジスタTR1と、ペースが第一PNP形トランジスタTR1のコ
レクタに接続され、コレクタが電源に接続され、エミッ
タが第五抵抗器R5と第六抵抗器R6を介して共通電位に接
続されたNPN形の第二トランジスタTR2と、第五抵抗器R5
に並列に接続された第二蓄電器C2と、第五抵抗器R5と第
六抵抗器R6の接点と電界効果トランジスタFETのゲート
との間に接続された第七抵抗器R7とで構成されたトラン
スインピーダンス形増幅回路が使用されている。この回
路では、周波数特性が十分広くとれない場合に第四蓄電
器C4と第八抵抗器R8と第九抵抗器R9とで構成される微分
回路を接続することで帯域を広げていた。
このような従来の回路では、増幅回路の後段に微分回路
を接続するので、微分回路でかなりの利得を低下する結
果となり、最小受光レベルを高くするには微分回路の後
段に増幅回路を接続する必要があり、したがって回路規
模が大きくなる欠点があった。
を接続するので、微分回路でかなりの利得を低下する結
果となり、最小受光レベルを高くするには微分回路の後
段に増幅回路を接続する必要があり、したがって回路規
模が大きくなる欠点があった。
本発明は前述の欠点を解決するもので、利得の低下を招
くことなく従来例の微分回路と同等の帯域を得ることが
できる光受信回路を提供することを目的とする。
くことなく従来例の微分回路と同等の帯域を得ることが
できる光受信回路を提供することを目的とする。
本発明は、到来する光信号を電気信号に変換する受光素
子と、この受光素子の出力が入力に接続された比較増幅
回路と、この比較増幅回路の出力が入力に接続された能
動半導体素子を含むインピーダンス変換回路とを備えた
光受信回路において、上記能動素子の接地電極と共通電
位との間に、抵抗器およびコンデンサの並列回路が接続
され、この並列回路は、上記受光素子に到来する光信号
の繰返し周波数ではきわめて低いインピーダンスを呈す
る定数に設定されたことを特徴とする。
子と、この受光素子の出力が入力に接続された比較増幅
回路と、この比較増幅回路の出力が入力に接続された能
動半導体素子を含むインピーダンス変換回路とを備えた
光受信回路において、上記能動素子の接地電極と共通電
位との間に、抵抗器およびコンデンサの並列回路が接続
され、この並列回路は、上記受光素子に到来する光信号
の繰返し周波数ではきわめて低いインピーダンスを呈す
る定数に設定されたことを特徴とする。
ここで、能動半導体素子はMOS形トランジスタ、バイポ
ーラ形トランジスタおよびFET形トランジスタのいずれ
のトランジスタであってもよい。
ーラ形トランジスタおよびFET形トランジスタのいずれ
のトランジスタであってもよい。
到来する光信号は受光素子で電気信号に変換され、これ
が比較増幅回路で増幅される。この出力がインピーダン
ス変換回路の能動半導体素子に入力する。この能動半導
体素子の接地電極と共通電位との間に挿入された抵抗器
と蓄電器の並列回路のインピーダンスは、受光素子に到
来する光信号の繰返し周波数に対してはきわめて低い値
を呈する。これはあたかも従来例回路で微分回路による
ハイパスフイルタ効果と同等の効果であり、帯域幅の拡
大を図ることができる。
が比較増幅回路で増幅される。この出力がインピーダン
ス変換回路の能動半導体素子に入力する。この能動半導
体素子の接地電極と共通電位との間に挿入された抵抗器
と蓄電器の並列回路のインピーダンスは、受光素子に到
来する光信号の繰返し周波数に対してはきわめて低い値
を呈する。これはあたかも従来例回路で微分回路による
ハイパスフイルタ効果と同等の効果であり、帯域幅の拡
大を図ることができる。
以下、本発明の実施例回路を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明実施例回路の構成を示す回路接続図で
ある。
ある。
この実施例回路は光信号を電気信号に変換するアバラン
シェフォトダイオードおよびPIN接合形フォトダイオー
ドなどの受光素子D1と、ゲートが受光素子D1のアノード
に接続され、ドレインが第一抵抗器R1を介して電源に接
続され、ソースが第二抵抗器R2を介して共通電位に接続
されるとともに第一蓄電器C1を介して共通電位に接続さ
れる電界効果トランジスタFETと、エミッタが電界効果
トランジスタFETのドレインに接続され、ベースが基準
電圧端子VRefに接続され、コレクタが第三抵抗器R3を介
して共通電位に接続されたPNP形の第一トランジスタTR1
と、ベースが第一トランジスタTR1のコレクタに接続さ
れ、コレクタが電源に接続され、エミッタが第五抵抗器
R5と第六抵抗器R6とを介して共通電位に接続されたNPN
形の第二トランジスタTR2と、第五抵抗器R5に並列に接
続された第二蓄電器C2と、第五抵抗器R5と第六抵抗器R6
の接点と電界効果トランジスタFETのゲートとの間に接
続された第七抵抗器R7と、第六抵抗器R6に並列に接続さ
れた第三蓄電器C3と、第二トランジスタのコレクタと電
源の間に挿入された第四抵抗器R4とを備え、第二トラン
ジスタTR2のコレクタが出力端子OUTに接続される。な
お、図中破線で囲まれた部分は比較増幅回路を示す。
シェフォトダイオードおよびPIN接合形フォトダイオー
ドなどの受光素子D1と、ゲートが受光素子D1のアノード
に接続され、ドレインが第一抵抗器R1を介して電源に接
続され、ソースが第二抵抗器R2を介して共通電位に接続
されるとともに第一蓄電器C1を介して共通電位に接続さ
れる電界効果トランジスタFETと、エミッタが電界効果
トランジスタFETのドレインに接続され、ベースが基準
電圧端子VRefに接続され、コレクタが第三抵抗器R3を介
して共通電位に接続されたPNP形の第一トランジスタTR1
と、ベースが第一トランジスタTR1のコレクタに接続さ
れ、コレクタが電源に接続され、エミッタが第五抵抗器
R5と第六抵抗器R6とを介して共通電位に接続されたNPN
形の第二トランジスタTR2と、第五抵抗器R5に並列に接
続された第二蓄電器C2と、第五抵抗器R5と第六抵抗器R6
の接点と電界効果トランジスタFETのゲートとの間に接
続された第七抵抗器R7と、第六抵抗器R6に並列に接続さ
れた第三蓄電器C3と、第二トランジスタのコレクタと電
源の間に挿入された第四抵抗器R4とを備え、第二トラン
ジスタTR2のコレクタが出力端子OUTに接続される。な
お、図中破線で囲まれた部分は比較増幅回路を示す。
この回路構成では、高周波成分は主として第三蓄電器C3
を通過するので、低周波数成分では利得が低く、高周波
成分では利得が高くなる。
を通過するので、低周波数成分では利得が低く、高周波
成分では利得が高くなる。
本発明は以上説明したように、第四抵抗器R4と第三蓄電
器C3を追加することにより、従来例に用いられる第八抵
抗器R8、第九抵抗器R9および第四蓄電器C4で構成される
微分回路と同等の帯域で利得を低下させることなしに得
ることができるので、十分な利得を得るために微分回路
の後段にさらに増幅回路を追加する必要がなくなり、回
路規模を小さくする効果がある。
器C3を追加することにより、従来例に用いられる第八抵
抗器R8、第九抵抗器R9および第四蓄電器C4で構成される
微分回路と同等の帯域で利得を低下させることなしに得
ることができるので、十分な利得を得るために微分回路
の後段にさらに増幅回路を追加する必要がなくなり、回
路規模を小さくする効果がある。
第１図は本発明実施例回路の構成を示す回路接続図。 第２図は従来例回路の構成を示す回路接続図。 D1……受光素子、FET……電界効果トランジスタ、TR1…
…PNP形トランジスタ、TR2……NPN形トランジスタ、R1
〜９……抵抗器、C1〜４……蓄電器、VRef……基準電圧
入力端子、OUT……出力端子、VCC……電源端子。
…PNP形トランジスタ、TR2……NPN形トランジスタ、R1
〜９……抵抗器、C1〜４……蓄電器、VRef……基準電圧
入力端子、OUT……出力端子、VCC……電源端子。
Claims (1)
- 【請求項１】到来する光信号を電気信号に変換する受光
素子と、 この受光素子の出力が入力に接続された比較増幅回路
と、 この比較増幅回路の出力が入力に接続された能動半導体
素子を含むインピーダンス変換回路と を備えた光受信回路において、 前記能動素子の接地電極と共通電位との間に、抵抗器お
よびコンデンサの並列回路が直列に接続され、 この並列回路の接続点から前記増幅回路への帰還路が設
けられ、 前記並列回路は、上記受光素子に到来する光信号の繰返
し周波数ではきわめて低いインピーダンスを呈する定数
に設定された ことを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223314A JPH0685508B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223314A JPH0685508B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 光受信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282736A JPS6282736A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0685508B2 true JPH0685508B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=16796208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60223314A Expired - Lifetime JPH0685508B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685508B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728494U (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-30 | 田島産業株式会社 | プラスチツク等の浴槽躯体使用の木製浴槽 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS488110U (ja) * | 1971-06-09 | 1973-01-29 | ||
| JPS5936445A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信回路 |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP60223314A patent/JPH0685508B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6282736A (ja) | 1987-04-16 |
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