JPH0685582A - 送信パワー検出装置 - Google Patents
送信パワー検出装置Info
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- JPH0685582A JPH0685582A JP25406192A JP25406192A JPH0685582A JP H0685582 A JPH0685582 A JP H0685582A JP 25406192 A JP25406192 A JP 25406192A JP 25406192 A JP25406192 A JP 25406192A JP H0685582 A JPH0685582 A JP H0685582A
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- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 構成を簡略化し、低コストの装置を実現す
る。 【構成】 増幅回路１が出力する信号を、パワー分配器
２、ローパスフィルタ３を介してアンテナ４より電波と
して出力する。パワー分配器２は、増幅回路１の出力の
一部をパワー検出回路３１に出力する。パワー検出回路
３１は、入力された信号のレベルを検出し、その検出信
号を増幅回路１にフィードバックする。増幅回路１は、
パワー検出回路３１の出力が所定の基準値と一致するよ
うに、その出力パワーを制御する。増幅回路１は、Ｇａ
ＡｓＦＥＴを増幅素子として有しており、そのゲート
に、ゲートバイアス発生回路６が出力するゲートバイア
ス信号が供給されている。パワー検出回路３１には、こ
のゲートバイアス発生回路６により生成されたバイアス
が供給される。
る。 【構成】 増幅回路１が出力する信号を、パワー分配器
２、ローパスフィルタ３を介してアンテナ４より電波と
して出力する。パワー分配器２は、増幅回路１の出力の
一部をパワー検出回路３１に出力する。パワー検出回路
３１は、入力された信号のレベルを検出し、その検出信
号を増幅回路１にフィードバックする。増幅回路１は、
パワー検出回路３１の出力が所定の基準値と一致するよ
うに、その出力パワーを制御する。増幅回路１は、Ｇａ
ＡｓＦＥＴを増幅素子として有しており、そのゲート
に、ゲートバイアス発生回路６が出力するゲートバイア
ス信号が供給されている。パワー検出回路３１には、こ
のゲートバイアス発生回路６により生成されたバイアス
が供給される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば無線通信装置に
用いて好適な送信パワー検出装置に関する。
用いて好適な送信パワー検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の送信パワー検出装置の一
例の構成を示している。この例においては、入力信号が
増幅回路１により増幅された後、パワー分配器２、ロー
パスフィルタ３を介して、アンテナ４より電波として出
力されるようになされている。パワー分配器２は、増幅
回路１が出力する信号の一部をパワー検出回路５に出力
する。パワー検出回路５は、この入力信号から、増幅回
路１の出力するパワーを検出し、この検出結果を増幅回
路１にフィードバックする。増幅回路１は、パワー検出
回路５の出力が予め設定された所定の基準値と一致する
ように、出力パワーを制御する。
例の構成を示している。この例においては、入力信号が
増幅回路１により増幅された後、パワー分配器２、ロー
パスフィルタ３を介して、アンテナ４より電波として出
力されるようになされている。パワー分配器２は、増幅
回路１が出力する信号の一部をパワー検出回路５に出力
する。パワー検出回路５は、この入力信号から、増幅回
路１の出力するパワーを検出し、この検出結果を増幅回
路１にフィードバックする。増幅回路１は、パワー検出
回路５の出力が予め設定された所定の基準値と一致する
ように、出力パワーを制御する。
【０００３】一方、ゲートバイアス発生回路６は、増幅
回路１が有するＧａＡｓＦＥＴのゲートに供給するゲー
トバイアス電圧を発生し、増幅回路１に出力している。
回路１が有するＧａＡｓＦＥＴのゲートに供給するゲー
トバイアス電圧を発生し、増幅回路１に出力している。
【０００４】パワー検出回路５は、基本的に図６に示す
ように構成されている。即ち、パワー分配器２より供給
された信号が、コンデンサ１１を介して検出用ダイオー
ド１２，１３により整流され、コンデンサ１４により平
滑されるようになされている。これにより、コンデンサ
１４の端子電圧として、パワー分配器２より供給された
信号に対応する検出信号が得られる。
ように構成されている。即ち、パワー分配器２より供給
された信号が、コンデンサ１１を介して検出用ダイオー
ド１２，１３により整流され、コンデンサ１４により平
滑されるようになされている。これにより、コンデンサ
１４の端子電圧として、パワー分配器２より供給された
信号に対応する検出信号が得られる。
【０００５】しかしながら、ダイオード１２，１３は、
例えば図７に示すような特性を有しており、入力される
電圧が比較的小さい場合、その出力電流は、殆んど０と
なる。即ち、ダイオード１２，１３が電流を出力するに
は、ある程度以上の大きさの電圧が入力される必要があ
る。このことは、増幅回路１が出力するパワーが、ある
程度以上大きくないと、パワー検出回路５はこれを検出
することができないことを意味する。
例えば図７に示すような特性を有しており、入力される
電圧が比較的小さい場合、その出力電流は、殆んど０と
なる。即ち、ダイオード１２，１３が電流を出力するに
は、ある程度以上の大きさの電圧が入力される必要があ
る。このことは、増幅回路１が出力するパワーが、ある
程度以上大きくないと、パワー検出回路５はこれを検出
することができないことを意味する。
【０００６】そこで、パワー検出回路５は、例えば図８
に示すように構成される。この例においては、所定の基
準電圧Ｖｃｃが抵抗２１とコンデンサ２３により積分さ
れ、コイル２２を介してダイオード１２，１３にバイア
ス電圧として供給される。このようにバイアス電圧を供
給することにより、コンデンサ１１を介して入力される
信号のレベルが比較的小さい場合においても、ダイオー
ド１３より検出電流が出力されるようになる。その結
果、増幅回路１が出力するパワーが比較的小さい場合に
おいても、これを検出することが可能となる。
に示すように構成される。この例においては、所定の基
準電圧Ｖｃｃが抵抗２１とコンデンサ２３により積分さ
れ、コイル２２を介してダイオード１２，１３にバイア
ス電圧として供給される。このようにバイアス電圧を供
給することにより、コンデンサ１１を介して入力される
信号のレベルが比較的小さい場合においても、ダイオー
ド１３より検出電流が出力されるようになる。その結
果、増幅回路１が出力するパワーが比較的小さい場合に
おいても、これを検出することが可能となる。
【０００７】しかしながら、このように検出用ダイオー
ド１２，１３にバイアス電圧を付加すると、ダイオード
のＰＮ接合（ショットキー接合）の温度特性により、バ
イアス電圧、従って検出電圧が変動する。
ド１２，１３にバイアス電圧を付加すると、ダイオード
のＰＮ接合（ショットキー接合）の温度特性により、バ
イアス電圧、従って検出電圧が変動する。
【０００８】従来、この温度特性を相殺するために、定
電流回路を用意し、ダイオード１３に流れる電流が一定
になるように制御していた。
電流回路を用意し、ダイオード１３に流れる電流が一定
になるように制御していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は、このよ
うに定電流回路を設けるようにしているため、構成が複
雑になるばかりでなく、コスト高となる課題があった。
うに定電流回路を設けるようにしているため、構成が複
雑になるばかりでなく、コスト高となる課題があった。
【００１０】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、構成を簡略化し、低コストの装置を実現で
きるようにするものである。
ものであり、構成を簡略化し、低コストの装置を実現で
きるようにするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の送信パワー検出
装置は、ＧａＡｓＦＥＴを有し、入力信号を増幅する増
幅回路１と、ＧａＡｓＦＥＴのゲートに供給するバイア
ス電圧を発生するゲートバイアス発生回路６と、増幅回
路１の出力を検出用ダイオード１２，１３で整流し、増
幅回路１の出力するパワーを検出するパワー検出回路３
１とを備える送信パワー検出装置において、パワー検出
回路３１は、ゲートバイアス発生回路６の出力から、検
出用ダイオード１２，１３に供給するバイアス電圧を生
成する第１の生成回路としての整流回路６０と、検出用
ダイオード１２，１３と直列に接続された付加ダイオー
ド８２，８３と、ゲートバイアス発生回路６の出力か
ら、付加ダイオード８２，８３に供給するバイアス電圧
を生成する第２の生成回路としての整流回路７０と、検
出用ダイオード１２，１３の出力と付加ダイオード８
２，８３の出力を合成する合成回路としての抵抗８４，
８５とを備えることを特徴とする。
装置は、ＧａＡｓＦＥＴを有し、入力信号を増幅する増
幅回路１と、ＧａＡｓＦＥＴのゲートに供給するバイア
ス電圧を発生するゲートバイアス発生回路６と、増幅回
路１の出力を検出用ダイオード１２，１３で整流し、増
幅回路１の出力するパワーを検出するパワー検出回路３
１とを備える送信パワー検出装置において、パワー検出
回路３１は、ゲートバイアス発生回路６の出力から、検
出用ダイオード１２，１３に供給するバイアス電圧を生
成する第１の生成回路としての整流回路６０と、検出用
ダイオード１２，１３と直列に接続された付加ダイオー
ド８２，８３と、ゲートバイアス発生回路６の出力か
ら、付加ダイオード８２，８３に供給するバイアス電圧
を生成する第２の生成回路としての整流回路７０と、検
出用ダイオード１２，１３の出力と付加ダイオード８
２，８３の出力を合成する合成回路としての抵抗８４，
８５とを備えることを特徴とする。
【００１２】整流回路６０および７０は、ゲートバイア
ス発生回路６の出力を整流するダイオード６１，６２，
７１，７２を含むようにすることができる。
ス発生回路６の出力を整流するダイオード６１，６２，
７１，７２を含むようにすることができる。
【００１３】
【作用】上記構成の送信パワー検出装置においては、整
流回路７０で生成した電圧が付加ダイオード８２，８３
に供給される。そして、ダイオード８２，８３の出力
が、抵抗８４により検出用ダイオード１２，１３が出力
する電圧と抵抗８５を介して合成される。従って、検出
用ダイオード１２，１３の特性を付加ダイオード８２，
８３の特性と対応させることにより、検出用ダイオード
１２，１３の温度特性を補償することができる。
流回路７０で生成した電圧が付加ダイオード８２，８３
に供給される。そして、ダイオード８２，８３の出力
が、抵抗８４により検出用ダイオード１２，１３が出力
する電圧と抵抗８５を介して合成される。従って、検出
用ダイオード１２，１３の特性を付加ダイオード８２，
８３の特性と対応させることにより、検出用ダイオード
１２，１３の温度特性を補償することができる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の送信パワー検出装置の一実
施例の構成を示すブロック図であり、図５における場合
と対応する部分には同一の符号を付してある。この実施
例においては、パワー分配器２より出力される信号が、
パワー検出回路３１により検出され、その検出結果が増
幅回路１にフィードバックされるようになされている。
また、このパワー検出回路３１に対して、ゲートバイア
ス発生回路６の出力が供給されるようになされている。
その他の構成は、図５における場合と同様である。
施例の構成を示すブロック図であり、図５における場合
と対応する部分には同一の符号を付してある。この実施
例においては、パワー分配器２より出力される信号が、
パワー検出回路３１により検出され、その検出結果が増
幅回路１にフィードバックされるようになされている。
また、このパワー検出回路３１に対して、ゲートバイア
ス発生回路６の出力が供給されるようになされている。
その他の構成は、図５における場合と同様である。
【００１５】増幅回路１は、図２に示すように、ＧａＡ
ｓＦＥＴ（ガリウムヒ素ＦＥＴ）４２を増幅素子として
有している。このＧａＡｓＦＥＴ４２のゲートに、コン
デンサ４１を介してアンテナ４より出力されるべき信号
が供給されるようになされている。このＧａＡｓＦＥＴ
４２は、効率が良く、高周波信号を増幅することが可能
である。しかしながら、このＧａＡｓＦＥＴ４２は、そ
のゲートに所定のバイアス電圧を付加する必要がある。
このバイアス電圧が、ゲートバイアス発生回路６より供
給されている。
ｓＦＥＴ（ガリウムヒ素ＦＥＴ）４２を増幅素子として
有している。このＧａＡｓＦＥＴ４２のゲートに、コン
デンサ４１を介してアンテナ４より出力されるべき信号
が供給されるようになされている。このＧａＡｓＦＥＴ
４２は、効率が良く、高周波信号を増幅することが可能
である。しかしながら、このＧａＡｓＦＥＴ４２は、そ
のゲートに所定のバイアス電圧を付加する必要がある。
このバイアス電圧が、ゲートバイアス発生回路６より供
給されている。
【００１６】図３は、このゲートバイアス発生回路６と
パワー検出回路３１の構成例を示している。
パワー検出回路３１の構成例を示している。
【００１７】ゲートバイアス発生回路６は、直流電源５
１が出力する直流電圧をスイッチング回路５２によりス
イッチングした電圧を、コンデンサ５３を介してダイオ
ード５４，５５に供給し、半波整流するようになされて
いる。そして、この整流出力がコンデンサ５６により平
滑され、ＧａＡｓＦＥＴ４２のゲートにバイアス電圧
（負のバイアス電圧）として供給されるようになされて
いる。
１が出力する直流電圧をスイッチング回路５２によりス
イッチングした電圧を、コンデンサ５３を介してダイオ
ード５４，５５に供給し、半波整流するようになされて
いる。そして、この整流出力がコンデンサ５６により平
滑され、ＧａＡｓＦＥＴ４２のゲートにバイアス電圧
（負のバイアス電圧）として供給されるようになされて
いる。
【００１８】一方、スイッチング回路５２が出力するス
イッチング電圧が、コンデンサ５３を介してパワー検出
回路３１の整流回路６０と７０に供給されるようになさ
れている。整流回路６０は、ダイオード６１，６２とコ
ンデンサ６３により構成されている。この整流回路６０
により、スイッチング回路５２のスイッチング電圧が半
波整流され、正の直流電圧が生成されるようになされて
いる。そして、この正の直流電圧が、抵抗２１とコイル
２２を介して検出用ダイオード１２，１３にバイアス電
圧として供給されるようになされている。
イッチング電圧が、コンデンサ５３を介してパワー検出
回路３１の整流回路６０と７０に供給されるようになさ
れている。整流回路６０は、ダイオード６１，６２とコ
ンデンサ６３により構成されている。この整流回路６０
により、スイッチング回路５２のスイッチング電圧が半
波整流され、正の直流電圧が生成されるようになされて
いる。そして、この正の直流電圧が、抵抗２１とコイル
２２を介して検出用ダイオード１２，１３にバイアス電
圧として供給されるようになされている。
【００１９】一方、整流回路７０は、ダイオード７１，
７２とコンデンサ７３により構成されており、スイッチ
ング回路５２の出力するスイッチング電圧が半波整流さ
れて、負の直流電圧が生成されるようになされている。
７２とコンデンサ７３により構成されており、スイッチ
ング回路５２の出力するスイッチング電圧が半波整流さ
れて、負の直流電圧が生成されるようになされている。
【００２０】そして、この直流電圧は、抵抗８１を介し
て付加ダイオード８２，８３にバイアス電圧として供給
されている。この付加ダイオード８２，８３は、検出用
ダイオード１２，１３と直列になるように接続されてい
る。そして、付加ダイオード８２，８３の出力が、検出
用ダイオード１２，１３の出力と、それぞれ合成用の抵
抗８４と８５を介して合成されるようになされている。
この合成出力が、パワー検出回路３１の検出電圧として
増幅回路１にフィードバックされるようになされてい
る。
て付加ダイオード８２，８３にバイアス電圧として供給
されている。この付加ダイオード８２，８３は、検出用
ダイオード１２，１３と直列になるように接続されてい
る。そして、付加ダイオード８２，８３の出力が、検出
用ダイオード１２，１３の出力と、それぞれ合成用の抵
抗８４と８５を介して合成されるようになされている。
この合成出力が、パワー検出回路３１の検出電圧として
増幅回路１にフィードバックされるようになされてい
る。
【００２１】次に、その動作について、図４の波形図を
参照して説明する。スイッチング回路５２は、直流電源
５１の出力する直流電圧をスイッチングする（図４
（ａ））。このスイッチング電圧は、コンデンサ５３に
より直流成分が除去され（図４（ｂ））、ダイオード５
４，５５により半波整流され、さらにコンデンサ５６に
より平滑されて、負の直流電圧（図４（ｃ））が生成さ
れる。この直流電圧が、増幅回路１に内蔵されている増
幅素子としてのＧａＡｓＦＥＴ４２のゲートにバイアス
電圧として供給される。
参照して説明する。スイッチング回路５２は、直流電源
５１の出力する直流電圧をスイッチングする（図４
（ａ））。このスイッチング電圧は、コンデンサ５３に
より直流成分が除去され（図４（ｂ））、ダイオード５
４，５５により半波整流され、さらにコンデンサ５６に
より平滑されて、負の直流電圧（図４（ｃ））が生成さ
れる。この直流電圧が、増幅回路１に内蔵されている増
幅素子としてのＧａＡｓＦＥＴ４２のゲートにバイアス
電圧として供給される。
【００２２】図示せぬ回路から入力された信号が、コン
デンサ４１を介して、このＧａＡｓＦＥＴ４２のゲート
に供給され、増幅されて、パワー分配器２、ローパスフ
ィルタ３を介してアンテナ４に供給され、電波として図
示せぬ受信装置に出力される。
デンサ４１を介して、このＧａＡｓＦＥＴ４２のゲート
に供給され、増幅されて、パワー分配器２、ローパスフ
ィルタ３を介してアンテナ４に供給され、電波として図
示せぬ受信装置に出力される。
【００２３】増幅回路１が出力する信号の一部は、パワ
ー分配器２により分配され、パワー検出回路３１に入力
される。パワー検出回路３１においては、この入力信号
がコンデンサ１１を介して検出用ダイオード１２，１３
で半波整流され、コンデンサ１４で平滑された後、抵抗
８５を介して増幅回路１にフィードバックされる。
ー分配器２により分配され、パワー検出回路３１に入力
される。パワー検出回路３１においては、この入力信号
がコンデンサ１１を介して検出用ダイオード１２，１３
で半波整流され、コンデンサ１４で平滑された後、抵抗
８５を介して増幅回路１にフィードバックされる。
【００２４】次に、バイアスについて説明する。スイッ
チング回路５２が出力するスイッチング電圧が、コンデ
ンサ５３を介して整流回路６０に供給され、ダイオード
６１と６２により半波整流され、コンデンサ６３により
平滑される。コンデンサ６３により平滑された電圧が、
抵抗２１、コイル２２を介してダイオード１２，１３に
バイアス電圧として印加される。これにより、コンデン
サ１１より供給される信号成分のレベルが小さい場合に
おいても、ダイオード１２，１３によりこれが検出され
る。
チング回路５２が出力するスイッチング電圧が、コンデ
ンサ５３を介して整流回路６０に供給され、ダイオード
６１と６２により半波整流され、コンデンサ６３により
平滑される。コンデンサ６３により平滑された電圧が、
抵抗２１、コイル２２を介してダイオード１２，１３に
バイアス電圧として印加される。これにより、コンデン
サ１１より供給される信号成分のレベルが小さい場合に
おいても、ダイオード１２，１３によりこれが検出され
る。
【００２５】一方、スイッチング回路５２が出力するス
イッチングパルスは、コンデンサ５３を介して整流回路
７０に供給され、ダイオード７１，７２により半波整流
され、コンデンサ７３により平滑される。ダイオード７
１，７２は、ダイオード６１，６２と逆方向に接続され
ている。その結果、コンデンサ６３に正の直流電圧が充
電されるのに対して、コンデンサ７３に負の直流電圧が
充電される。
イッチングパルスは、コンデンサ５３を介して整流回路
７０に供給され、ダイオード７１，７２により半波整流
され、コンデンサ７３により平滑される。ダイオード７
１，７２は、ダイオード６１，６２と逆方向に接続され
ている。その結果、コンデンサ６３に正の直流電圧が充
電されるのに対して、コンデンサ７３に負の直流電圧が
充電される。
【００２６】コンデンサ６３と７３に充電される充電電
圧は、ダイオード６１，６２と７１，７２の特性を対応
させることにより、その絶対値が等しく、極性が異なる
ものとすることができる。
圧は、ダイオード６１，６２と７１，７２の特性を対応
させることにより、その絶対値が等しく、極性が異なる
ものとすることができる。
【００２７】その結果、コンデンサ６３、抵抗２１、コ
イル２２、ダイオード１３、抵抗８５、抵抗８４、ダイ
オード８３、抵抗８１、コンデンサ７３の経路でバイア
ス電流が流れる。いま、抵抗２１と抵抗８１、抵抗８５
と抵抗８４、ダイオード１３とダイオード８３をそれぞ
れ同一の特性のものに選定すると、交流成分阻止用のコ
イル２２のインピーダンスを無視すれば（あるいは、抵
抗２１コイル２２を合成した成分を、抵抗８１で対応さ
せるようにすれば）、抵抗２１とコイル２２における電
圧降下と、抵抗８１における電圧降下が等しくなり、ダ
イオード１３における電圧降下とダイオード８３におけ
る電圧降下が等しくなり、抵抗８５における電圧降下と
抵抗８４における電圧降下が等しくなるため、抵抗８５
と抵抗８４の接続点のバイアス電流に対する電位は、０
Ｖとなる。即ち、パワー分配器２よりコンデンサ１１を
介して入力される増幅回路１の出力電圧が０Ｖであると
き、抵抗８４と８５の接続点の出力電圧も０Ｖとなる。
イル２２、ダイオード１３、抵抗８５、抵抗８４、ダイ
オード８３、抵抗８１、コンデンサ７３の経路でバイア
ス電流が流れる。いま、抵抗２１と抵抗８１、抵抗８５
と抵抗８４、ダイオード１３とダイオード８３をそれぞ
れ同一の特性のものに選定すると、交流成分阻止用のコ
イル２２のインピーダンスを無視すれば（あるいは、抵
抗２１コイル２２を合成した成分を、抵抗８１で対応さ
せるようにすれば）、抵抗２１とコイル２２における電
圧降下と、抵抗８１における電圧降下が等しくなり、ダ
イオード１３における電圧降下とダイオード８３におけ
る電圧降下が等しくなり、抵抗８５における電圧降下と
抵抗８４における電圧降下が等しくなるため、抵抗８５
と抵抗８４の接続点のバイアス電流に対する電位は、０
Ｖとなる。即ち、パワー分配器２よりコンデンサ１１を
介して入力される増幅回路１の出力電圧が０Ｖであると
き、抵抗８４と８５の接続点の出力電圧も０Ｖとなる。
【００２８】いま、温度変化に対応して、検出用ダイオ
ード１３の特性が変化した場合、ダイオード８３も、そ
の温度変化に対応して同様にその特性が変化する。その
結果、抵抗８４と８５の接続点のバイアス電圧成分は０
Ｖのままとなる。
ード１３の特性が変化した場合、ダイオード８３も、そ
の温度変化に対応して同様にその特性が変化する。その
結果、抵抗８４と８５の接続点のバイアス電圧成分は０
Ｖのままとなる。
【００２９】しかしながら、ダイオード１３にはバイア
ス電圧が印加されているため、コンデンサ１１を介して
増幅回路１の出力電圧が供給されると、その出力電圧の
レベルが小さくても、その信号が検出用ダイオード１３
により整流され、コンデンサ１４に、より平滑されて抵
抗８５と抵抗８４の接続点より検出電圧として増幅回路
１に出力される。
ス電圧が印加されているため、コンデンサ１１を介して
増幅回路１の出力電圧が供給されると、その出力電圧の
レベルが小さくても、その信号が検出用ダイオード１３
により整流され、コンデンサ１４に、より平滑されて抵
抗８５と抵抗８４の接続点より検出電圧として増幅回路
１に出力される。
【００３０】増幅回路１は、この検出電圧に対応して、
出力電圧が所定の基準電圧と一致するようにサーボをか
けることになる。
出力電圧が所定の基準電圧と一致するようにサーボをか
けることになる。
【００３１】尚、以上の実施例においては、ダイオード
をペアとして用いるようにしたが、このうち、ダイオー
ド１２，５４，６１，７１は、省略することが可能であ
る。
をペアとして用いるようにしたが、このうち、ダイオー
ド１２，５４，６１，７１は、省略することが可能であ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上の如く本発明の送信パワー検出装置
によれば、検出用ダイオードに対して直列に付加ダイオ
ードを接続し、検出用ダイオードと付加タイオードに供
給するバイアス電圧を、ゲートバイアス発生回路の出力
より生成するようにしたので、構成を簡略化し、低コス
トの装置を実現することが可能となる。
によれば、検出用ダイオードに対して直列に付加ダイオ
ードを接続し、検出用ダイオードと付加タイオードに供
給するバイアス電圧を、ゲートバイアス発生回路の出力
より生成するようにしたので、構成を簡略化し、低コス
トの装置を実現することが可能となる。
【図１】本発明の送信パワー検出装置の一実施例の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】図１の増幅回路１の内部構成を説明する回路図
である。
である。
【図３】図１のゲートバイアス発生回路６およびパワー
検出回路３１の構成例を示す回路図である。
検出回路３１の構成例を示す回路図である。
【図４】図３の実施例の動作を説明するタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図５】従来の送信パワー検出装置の一例の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図６】図５におけるパワー検出回路５の構成例を示す
回路図である。
回路図である。
【図７】図６におけるダイオード１３の特性を説明する
図である。
図である。
【図８】図５のパワー検出回路５の他の構成例を示す回
路図である。
路図である。
１ 増幅回路 ２ パワー分配器 ４ アンテナ ５ パワー検出回路 ６ ゲートバイアス発生回路 １２，１３ 検出用ダイオード １４ コンデンサ ２１ 抵抗 ２２ コイル ２３ コンデンサ ３１ パワー検出回路 ４２ ＧａＡｓＦＥＴ ５１ 直流電源 ５２ スイッチング回路 ６０ 整流回路 ６１，６２ ダイオード ６３ コンデンサ ７０ 整流回路 ７１，７２ ダイオード ７３ コンデンサ ８２，８３ 付加ダイオード ８４，８５ 抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓＦＥＴを有し、入力信号を増幅
する増幅回路と、 前記ＧａＡｓＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧を
発生するゲートバイアス発生回路と、 前記増幅回路の出力を検出用ダイオードで整流し、前記
増幅回路の出力するパワーを検出するパワー検出回路と
を備える送信パワー検出装置において、 前記パワー検出回路は、 前記ゲートバイアス発生回路の出力から、前記検出用ダ
イオードに供給するバイアス電圧を生成する第１の生成
回路と、 前記検出用ダイオードと直列に接続された付加ダイオー
ドと、 前記ゲートバイアス発生回路の出力から、前記付加ダイ
オードに供給するバイアス電圧を生成する第２の生成回
路と、 前記検出用ダイオードの出力と前記付加ダイオードの出
力を合成する合成回路とを備えることを特徴とする送信
パワー検出装置。 - 【請求項２】 前記第１および第２の生成回路は、前記
ゲートバイアス発生回路の出力を整流するダイオードを
含むことを特徴とする請求項１に記載の送信パワー検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25406192A JPH0685582A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 送信パワー検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25406192A JPH0685582A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 送信パワー検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685582A true JPH0685582A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17259684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25406192A Withdrawn JPH0685582A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 送信パワー検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685582A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6137526A (en) * | 1995-02-16 | 2000-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Two-way interactive system, terminal equipment and image pickup apparatus having mechanism for matching lines of sight between interlocutors through transmission means |
| USRE38884E1 (en) * | 1995-02-16 | 2005-11-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Two-way interactive system, terminal equipment and image pickup apparatus having mechanism for matching lines of sight between interlocutors through transmission means |
| CN107369922A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 上海汽车集团股份有限公司 | Bd/gps双输出天线装置 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP25406192A patent/JPH0685582A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6137526A (en) * | 1995-02-16 | 2000-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Two-way interactive system, terminal equipment and image pickup apparatus having mechanism for matching lines of sight between interlocutors through transmission means |
| USRE38884E1 (en) * | 1995-02-16 | 2005-11-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Two-way interactive system, terminal equipment and image pickup apparatus having mechanism for matching lines of sight between interlocutors through transmission means |
| CN107369922A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 上海汽车集团股份有限公司 | Bd/gps双输出天线装置 |
| CN107369922B (zh) * | 2016-05-12 | 2023-04-07 | 上海汽车集团股份有限公司 | Bd/gps双输出天线装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |