JPH0686036U - 赤外線検出器 - Google Patents

赤外線検出器

Info

Publication number
JPH0686036U
JPH0686036U JP2761393U JP2761393U JPH0686036U JP H0686036 U JPH0686036 U JP H0686036U JP 2761393 U JP2761393 U JP 2761393U JP 2761393 U JP2761393 U JP 2761393U JP H0686036 U JPH0686036 U JP H0686036U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
detection element
intermediate layer
thermal expansion
support base
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2761393U
Other languages
English (en)
Inventor
純一 喜多
健二 田窪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2761393U priority Critical patent/JPH0686036U/ja
Publication of JPH0686036U publication Critical patent/JPH0686036U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱膨張率の差に起因する検出素子のひび割れ
の防止と、基板部分の厚さの一定化を図る。 【構成】 検出素子2と支持台3との間に中間層9を設
け、その中間層9を、検出素子と支持台の中間の熱膨張
率をもった物質かエッチングされ難い物質又は両性質を
もった物質で構成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、例えばフーリエ変換型赤外線吸光分析器(FTIR)などに用いら れる熱型の赤外線検出器、特に焦電効果を利用した焦電型赤外線検出器に関する 。
【0002】
【従来の技術】
一般に、焦電型の赤外線検出器は、上部電極および下部電極が設けられた焦電 結晶からなる検出素子と、これを支持する支持台とを有し、入射した赤外線を検 出素子で受光して、その受光赤外線による検出素子の温度変化を電気信号として 検出するものである。
【0003】 この種の赤外線検出器においては、検出素子と支持台とが例えば接着剤により 密着されるが、このようにして検出素子と支持台とを密着させると、急激な温度 変化があったような場合に両者の熱膨張率の差から検出素子にひび割れを生ずる おそれがある。
【0004】 そこで、このような熱膨張率の差に起因する検出素子のひび割れを回避するた め、例えば特開平1−270624号公報に示されたものでは、検出素子の中央 部分のみを支持台で支持したり、その回りにゲル状物質を充填したりすることを 行っている。その場合、検出素子の中央部分は導電性エポキシ樹脂やハンダ等に よって支持台に接着される。
【0005】 一方、上記のような焦電型の赤外線検出器において、その感度を高くするため には、検出器の熱容量を小さくするとともに、検出器から周囲への熱伝導を抑制 することが必要であり、そのためには支持台において検出素子を保持している基 板部分の厚みをできるだけ薄くするのが望ましい。ところが、検出器の製作時に は、例えば、検出素子を構成する焦電結晶を支持台に取り付けた上でその結晶表 面を研磨する等の作業が行われることから、支持台に大きな機械的ストレスがか かる。従って、それに耐えうるだけの充分な厚みが支持台に要求される。
【0006】 このため、検出器製作の最終段階において、機械的ストレスの少ない方法で支 持台における基板部分を薄くすることが必要であり、そのような方法として従来 はエッチングが採用されている。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
しかし、焦電型の赤外線検出器に関する上記のような従来の技術においては、 それぞれ次のような問題があった。
【0008】 まず、検出素子および支持台の両熱膨張率の差に起因する検出素子のひび割れ の防止については、上記特開平1−270624号公報に記載された技術では、 ひび割れし易い焦電結晶と支持台とを導電性エポキシ樹脂やハンダによって接着 する時に、焦電結晶が割れる可能性が高い。また、たとえ接着時に割れなかった としても焦電結晶と支持台との間にゲル状物質を毛管作用で吸い込ませる時に焦 電結晶を割る可能性がある。
【0009】 一方、高感度の赤外線検出器を得るために支持台における基板部分をエッチン グにより薄くする点に関しては、従来のエッチング工程では、同時に複数素子の エッチングを行った場合、エッチング速度のムラによってエッチング後の支持台 における基板部分の厚さが一定しないために、基板部分が厚すぎて検出器の感度 が低下したり、逆に基板部分が薄すぎて機械的強度が不足したり、極端な場合に は素子そのものをエッチングしてしまうなどして、歩留りが低下することがあっ た。
【0010】 本考案は、焦電型の赤外線検出器における上記のような問題に対処するもので 、その第1の目的は、検出素子および支持台の両熱膨張率の差に起因する検出素 子のひび割れを効果的に防止することができ、しかも支持台に検出素子を保持さ せる際に検出素子を構成する焦電結晶を割るおそれのない赤外線検出器を提供す ることである。
【0011】 また、その第2の目的は、エッチング後の支持台における基板部分の厚さにバ ラツキが生じないようにエッチング時における基板部分の厚さ制御を正確に行え る赤外線検出器を提供し、これによって高感度の赤外線検出器を歩留りよく得ら れるようにすることである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記第1の目的を達成するため、本願の第1考案は、受光した赤外線を検出す る検出素子と、この検出素子を支持する支持台とを有する赤外線検出器において 、上記検出素子と支持台との間に中間層を設け、この中間層を、上記検出素子の 熱膨張率と支持台の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する物質で構成したことを特 徴とする。
【0013】 この場合の中間層は、一層に限らず複数層であってもよいが、複数層の場合は 、検出素子および支持台の両熱膨張率の差を段階的に縮小できるように、中間の 各層が検出素子および支持台の両熱膨張率の間において順次少しづつ異なる熱膨 張率を有する構成とする。
【0014】 また、上記第2の目的を達成するため、本願の第2考案は、受光した赤外線を 検出する検出素子と、この検出素子を支持する支持台とを有する赤外線検出器に おいて、上記検出素子と支持台との間に中間層を設け、この中間層を、上記支持 台をエッチングするための溶剤に対して難溶解性を示す物質で構成したことを特 徴とする。
【0015】 この場合、中間層の上、つまり中間層と検出素子との間には、さらに検出素子 を保持する基板部分となるべき別の層を設けてもよい。 第1および第2考案は、赤外線検出器における検出素子と支持台との間に中間 層を設ける点で共通するが、その中間層を構成する物質が、第1考案では検出素 子および支持台の両熱膨張率の中間の熱膨張率を有するものであるのに対し、第 2考案ではエッチング溶剤に対して難溶解性を示すものである点で異なる。しか し、後述する実施例で例示するMgO(酸化マグネシウム)のように、上記中間 の熱膨張率とエッチング溶剤に対する難溶解性という両物性を併せ持つ物質も存 在する。従って、そのような物質で中間層を形成した場合には、第1および第2 の両考案を同時に具現することが可能である。
【0016】
【作用】
本願第1考案によれば、検出素子と支持台との間に設けられた中間層が、その 検出素子と支持台の両熱膨張率の中間の熱膨張率を有する物質で構成されている ので、温度変化に伴って検出素子および支持台が異なる割合で膨張又は収縮した 際に、その両者の中間の割合で中間層が膨張又は収縮することとなる。従って、 そのような熱膨張率の違いから生じる検出素子に対するストレスは、検出素子と 支持台とが直接互いに接している場合よりも小さくなる。これにより、検出素子 と支持台の両熱膨張率の違いに起因するストレスのために検出素子を構成する焦 電結晶にひび割れが生じることを防止することができる。
【0017】 その場合、検出素子および支持台の両熱膨張率の間において互いに少しづつ異 なる熱膨張率を有する複数の層によって中間層を構成しておけば、支持台との熱 膨張率の違いから検出素子に作用するストレスを、中間層における各層によって 段階的に緩和することができるので、検出素子に直接作用するストレスをより小 さくすることができる。
【0018】 一方、本願第2考案によれば、検出素子と支持台との間に設けられた中間層が 、その支持台をエッチングするための溶剤に対して難溶解性を示す物質で構成さ れているので、エッチングにより支持台を薄くする際に中間層はほとんどエッチ ングされないこととなる。従って、エッチング後には中間層(中間層と検出素子 との間にさらに別の層が設けられている場合には、中間層とその上部側の別の層 )が検出素子を保持する基板部分として残るから、エッチングを同時に行う複数 の素子間でエッチング速度にムラがある場合でも、検出素子を保持する基板部分 の厚さを正確に制御することができ、基板部分の厚さの良く揃った赤外線検出器 が得られる。
【0019】 また、第1および第2考案において、特に、上述したMgOのように、検出素 子および支持台の両熱膨張率の中間の熱膨張率を有すると同時にエッチング溶剤 に対する難溶解性をも示す物質で中間層を形成した場合には、上記熱膨張率の違 いに起因する検出素子のひび割れ防止と基板部分の厚さの一定化ないし薄層化と を同時に達成することができる。
【0020】
【実施例】
以下、本考案の実施例について説明する。 〔第1実施例〕 図1は、本考案の第1実施例の構成を示すものである。同図に示すように、こ の実施例に係る赤外線検出器1は、受光した赤外線を検出する検出素子2と、図 面上その下方に配置された検出素子支持用の支持台3とを有する。
【0021】 このうち支持台3は、感光性ガラス(熱膨張率:8.4×10-6/°C)によ って構成されており、下方に配置されたアルミニウム製のヒートシンク4に固定 されている。このヒートシンク4は、支持台3に対して反対側に位置する側に温 度調節用の温度検出器およびペルチエ素子が密着されており(いずれも図示せず )、それらによって一定温度(例えば、33°C)に調節されるようになってい る。
【0022】 一方、検出素子2は、本実施例では焦電体であるDLATGS(deuterated l-alanine triglycine sulphate )単結晶(熱膨張率:5×10-5/°C)によ って構成されており、その上面及び下面に金でなる薄い上部電極5及び下部電極 6が設けられている。このうち上部電極5の上面側には、入射した赤外線を効率 よく熱に変換するために例えば金黒でなる黒化膜7が成膜されている。また、そ の上には、空気中の水分から検出素子2を保護するために、その表面側を覆う保 護膜8が形成されている。なお、上部電極5及び下部電極6には、赤外線受光時 の電気的変化を外部に取り出すための引出し線5aおよび5bがそれぞれ設けら れている。
【0023】 そして、この赤外線検出器1においては、本考案の特徴部分として、支持台3 と検出素子2との間に中間層9が設けられている。この中間層9は、検出素子2 の熱膨張率(5×10-5/°C)と支持台3の熱膨張率(8.4×10-6/°C )との中間の熱膨張率(1×10-5/°C)を有し且つ支持台3のエッチング時 に使用されるエッチング溶剤(本実施例では希フッ酸)に対して難溶解性を示す MgO薄膜によって構成されている。このMgO薄膜は、例えばrfスパッタリ ング法によって支持台3上に、未だ検出素子2を設けていない状態で成膜したも ので、その厚さは約2μmである。そして、こうして成膜されたMgO薄膜でな る中間層9の上に、弾性の高い例えばポリウレタン樹脂でなる接着剤(図示せず )を介して上記検出素子2が張り付けられている。
【0024】 ここで、図例の赤外線検出器1においては、その感度を高めるために支持台3 の中央部分に感光性ガラスの存在しない空間部分Aが形成されているが、この空 間部分Aは、当該検出器1を製造する際に支持台3とヒートシンク4を未だ結合 していない状態で、次のようにして希フッ酸(エッチング溶剤)を用いたエッチ ングにより形成したものである。
【0025】 まず、エッチングされるべき板状の支持台素材(本実施例では感光性ガラス) の上に、レジスト層として希フッ酸に対して難溶解性を示す物質でなる中間層( 本実施例ではMgO薄膜)9を設ける。次に、その中間層9の上に検出素子2を 設けて、その表面に保護膜8を形成した後、支持台素材の下方からエッチングを 行って上記空間部分Aに存在していた感光性ガラスを除去する。これにより、支 持台3の中央部分に空間部分Aが形成される。
【0026】 このような構成によれば、検出素子2と支持台3との間に、希フッ酸に対して 難溶解性を示す一定厚みのMgO薄膜でなる中間層9が設けられているから、検 出器製造時において希フッ酸を用いたエッチングにより受光部の反対側となる支 持台3の中央部分を薄くして空間部分Aを形成する際に、支持台3の中央部分は エッチングにより除去されても、中間層9はほとんどエッチングされずにそのま ま残る。従って、複数の素子を同時にエッチングする際にエッチング速度に多少 のムラがあっても、エッチング後には、検出素子2を保持する基板部分として、 厚みが一定の中間層9が検出素子2と支持台3との間に残ることになる。これに より、検出素子2を保持する基板部分の厚みが薄くて良く揃った高感度の赤外線 検出器が歩留り良く製作できることとなる。
【0027】 また、そうして得られた赤外線検出器において、例えば急激な温度変化に伴っ て検出素子2および支持台3が異なる割合で膨張又は収縮した場合、本実施例の 構成によれば、上記エッチング時にレジスト層として機能したMgO薄膜でなる 中間層9が検出素子2の熱膨張率(5×10-5/°C)と支持台3の熱膨張率( 8.4×10-6/°C)との中間の熱膨張率(1×10-5/°C)を有している から、検出素子2および支持台3の中間の割合で中間層9が膨張又は収縮する。 従って、検出素子2および支持台3の熱膨張率の違いから生じる検出素子2に対 するストレスは、それらの中間の割合で膨張又は収縮する中間層9の存在によっ て緩和されるから、検出素子2と支持台3とが直接互いに接している場合よりも 小さくなる。これにより、検出素子2と支持台3の両熱膨張率の違いに起因する ストレスのために検出素子2を構成する焦電結晶(DLATGS単結晶)にひび 割れが生じるという不具合を回避することができる。 〔第2実施例〕 図2に、本考案の第2実施例の構成を示す。同図において、図1と同じ符号で 示した部分は第1実施例の構成と同様もしくは略同様であるので、ここではその 説明を省略する。
【0028】 本実施例の赤外線検出器10は、検出素子2と支持台3との間に設けられた中 間層11が、支持台3上に設けられたMgO薄膜(熱膨張率:1×10-5/°C )でなる第1中間層11aと、さらにこの第1中間層11aの上に例えばスピン コートにより設けられたDLATGS多結晶(熱膨張率:1〜5×10-5/°C )でなる第2中間層11bとで構成されている点が第1実施例のものと異なる。 そして、第2中間層11bの上に、第1実施例と同様にして、上部電極5及び下 部電極6等を有するDLATGS単結晶(熱膨張率:5×10-5/°C)でなる 検出素子2が張り付けられている。
【0029】 この第2実施例の構成によれば、検出素子2と支持台3との間に設けられた中 間層11が、検出素子2および支持台3の両熱膨張率の中間の熱膨張率を有する 第1中間層11aと、同じく中間の熱膨張率を有するが検出素子2の熱膨張率と の差が第1中間層11aよりも小さい第2中間層11bとからなるので、温度変 化に伴う熱膨張・収縮時において検出素子2と支持台3の両熱膨張率の違いによ り検出素子2に作用するストレスが、まず第1中間層11aによって緩和され、 次いで第2中間層11bによってさらに緩和される。従って、検出素子2に直接 作用するストレスを、より小さくすることが可能となる。
【0030】 また、この実施例に係る赤外線検出器10の場合も、検出器製作時において支 持台3をエッチングした際には、検出素子2を保持する基板部分として、一定の 厚みを有する第1中間層11aおよび第2中間層11bが検出素子2と支持台3 との間に残るから、検出素子2を保持する基板部分の厚みが薄くて良く揃った高 感度の赤外線検出器が得られる。 〔第3実施例〕 図3に、本考案の第3実施例の構成を示す。同図において、図1と同じ符号で 示した部分は第1実施例の構成と同様もしくは略同様であるので、ここではその 説明を省略する。
【0031】 本実施例の赤外線検出器20は、検出素子2と支持台3との間に設けられた中 間層21が、レジスト層として支持台3上に設けられたSiO(酸化シリコン) でなる第1中間層21aと、さらにその上に設けられたガラス基板でなる第2中 間層21bとで構成されている点が第1実施例のものと異なる。この場合の第1 中間層21aは、例えばEB蒸着などの方法で形成することができる。
【0032】 この赤外線検出器20では、支持台3と検出素子2側の第2中間層21bとの 間に、エッチング溶剤である希フッ酸に対して難溶解性を示すSiOでなる第1 中間層21aが設けられているので、希フッ酸を用いたエッチング後には両中間 層21a、21bを併せた中間層21の全体が検出素子2に対する基板部分とし て残る。従って、中間層21の厚みをあらかじめ所要の厚み寸法に設定しておく ことで、第1実施例の場合と同様にして、検出素子2を保持する基板部分の厚み が薄くて良く揃った高感度の赤外線検出器が歩留り良く得られることになる。
【0033】 なお、この第3実施例では第1中間層21aとしてSiOを使用し、また第1 実施例では中間層9としてMgOを使用したが、エッチング溶剤に対して難溶解 性を示す物質は、これらに限らないことは勿論である。
【0034】 ただし、この種の中間層は検出素子を保持する基板部分となるため、第1実施 例のように検出素子2と支持台3との間に一層の中間層9しか設けない場合には 、上述したSiOやMgOさらにはSiN(窒化シリコン)などの機械的強度の 大きい材質のものを使用する必要がある。
【0035】 一方、第3実施例のように、中間層21を第1および第2中間層21aおよび 21bで構成し且つこのうちの検出素子2側に位置する第2中間層21bをガラ ス基板などの機械的強度の十分大きい材質で形成した場合には、支持台3側に位 置する第1中間層21aとして、機械的強度の比較的小さいポリイミドなどの材 質のものを使用してもよい。このような層はスピンコートなどの方法で形成する ことができる。
【0036】
【考案の効果】
以上のように本願の第1考案によれば、受光した赤外線を検出する検出素子と 、この検出素子を支持する支持台とを有する赤外線検出器において、上記検出素 子と支持台との間に、その両者の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する物質でなる 中間層を設けたので、検出素子と支持台の両熱膨張率の違いから検出素子に作用 するストレスを緩和することができる。従って、この種の熱膨張率の違いに起因 するストレスのために生じる焦電結晶のひび割れ、つまり検出素子のひび割れを 中間層の存在によって効果的に防止することができる。しかも、本考案では、従 来のようにひび割れしやすい焦電結晶の中央部分のみを導電性エポキシ等により 支持台に接着したりその周囲にゲル状物質を充填したりする等の作業を行わなく てもよいから、支持台に中間層を介して検出素子を保持させる際に焦電結晶を割 るおそれもない。
【0037】 また、本願の第2考案によれば、検出素子とこれを支持する支持台との間に、 その支持台をエッチングするための溶剤に対して難溶解性を示す物質でなる中間 層を設けたので、エッチング後には中間層が検出素子を保持する基板部分として 残る。従って、エッチング速度にムラがある場合でも、検出素子を保持する基板 部分の厚さの良く揃った赤外線検出器が歩留り良く得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1実施例に係る赤外線検出器の構成
を示す縦断面図
【図2】本考案の第2実施例に係る赤外線検出器の構成
を示す縦断面図
【図3】本考案の第3実施例に係る赤外線検出器の構成
を示す縦断面図
【符号の説明】
1、10、20・・・赤外線検出器 2・・・検出素子 3・・・支持台 9、11、21・・・中間層

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受光した赤外線を検出する検出素子と、
    この検出素子を支持する支持台とを有する赤外線検出器
    であって、上記検出素子と支持台との間に中間層が設け
    られており、この中間層は、上記検出素子の熱膨張率と
    支持台の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する物質で構成
    されていることを特徴とする赤外線検出器。
  2. 【請求項2】 受光した赤外線を検出する検出素子と、
    この検出素子を支持する支持台とを有する赤外線検出器
    であって、上記検出素子と支持台との間に中間層が設け
    られており、この中間層は、上記支持台をエッチングす
    るための溶剤に対して難溶解性を示す物質で構成されて
    いることを特徴とする赤外線検出器。
JP2761393U 1993-05-26 1993-05-26 赤外線検出器 Pending JPH0686036U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2761393U JPH0686036U (ja) 1993-05-26 1993-05-26 赤外線検出器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2761393U JPH0686036U (ja) 1993-05-26 1993-05-26 赤外線検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0686036U true JPH0686036U (ja) 1994-12-13

Family

ID=12225791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2761393U Pending JPH0686036U (ja) 1993-05-26 1993-05-26 赤外線検出器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0686036U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190793A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 パナソニック株式会社 赤外線検出装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190793A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 パナソニック株式会社 赤外線検出装置
JPWO2013190793A1 (ja) * 2012-06-18 2016-02-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 赤外線検出装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2896725B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
US5627112A (en) Method of making suspended microstructures
AU718934B2 (en) Semiconductor device and method for making same
US5523564A (en) Infrared detecting element
US5339180A (en) Flat display
JP4063892B2 (ja) サーマルディテクタアレー
US20030118076A1 (en) Sensor for a contact-free temperature measurement
JPH08271344A (ja) 焦電膜を備えたモノリシック感熱検出器およびその製造方法
JP2821062B2 (ja) 半導体エネルギー検出器の製造方法
US4224520A (en) Room temperature two color infrared detector
JPH06268183A (ja) 半導体装置の製造方法
CN109455664B (zh) 一种微桥组件、红外探测器及其制造方法
JPH0686036U (ja) 赤外線検出器
CN102928089A (zh) 一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法
JPH0945882A (ja) 半導体基板及びその製造方法
JPH05283757A (ja) 光電変換素子
JPH10115556A (ja) 赤外線検出器
US4900367A (en) Method of making a reticulated temperature sensitive imaging device
JPH08247844A (ja) 焦電型赤外線固体撮像装置およびその製造方法
JP3585337B2 (ja) 中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法
JPH0595122A (ja) 半導体圧力変換器の製造方法
JPH08247843A (ja) 焦電型赤外線固体撮像装置およびその製造方法
JP3676015B2 (ja) 半導体装置
TW541413B (en) Two-layer thermo-electric stack sensor device
JPH0129413B2 (ja)