JPH0686331U - マイクロ波電力導入機構 - Google Patents

マイクロ波電力導入機構

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JPH0686331U
JPH0686331U JP3104593U JP3104593U JPH0686331U JP H0686331 U JPH0686331 U JP H0686331U JP 3104593 U JP3104593 U JP 3104593U JP 3104593 U JP3104593 U JP 3104593U JP H0686331 U JPH0686331 U JP H0686331U
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microwave power
electrode
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dielectric
shaft portion
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JP3104593U
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English (en)
Inventor
行人 中川
Original Assignee
日電アネルバ株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 同軸管を用いたマイクロ波電力導入機構にお
いて、同軸管の真空シール性を高電力の導入の場合にも
長期に安定性させる。 【構成】 内部にプラズマ放電が生成される放電室であ
る真空容器5内に配置されかつスリットを有する平板状
電極1と、プラズマ放電の生成に利用される電場を発生
させるため電極1に対しマイクロ波を供給する同軸管3
と、電極に接続される同軸型伝送路の内軸部3Aとその
周囲の外軸部3Bの間に誘電体6を隙間なく充填して設
ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案はマイクロ波電力導入機構に関し、特に、ドライエッチング装置、プラ ズマCVD装置、スパッタリング装置、表面改質装置等に応用されるマイクロ波 放電反応装置で用いられるマイクロ波電力導入機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、マイクロ波領域の電磁波を利用して電力を供給する放電反応装置には各 種のものが提案されているが、例えば特開昭55−141729号公報に開示さ れるECR(電子サイクロトロン共鳴)装置がある。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
また本考案者らは、先に、例えば放射状のスリットを有しかつこのスリットに マイクロ波が供給される平板状電極を含み、さらにこの平板状電極に磁場を発生 するための磁気回路を付設した電極装置を利用したマイクロ波放電反応装置を提 案した(特願平2−400904号)。このマイクロ波放電反応装置によれば、 前記電極装置に発生する電場および磁場の相互作用によって広い面積の前面空間 に均一なプラズマを発生させることができ、実用的なマイクロ波放電反応装置を 実現できる。
【0004】 上記マイクロ波放電反応装置では、前記電極装置に対しマイクロ波電力を供給 するマイクロ波電力導入機構として同軸管(同軸伝送路)を用いている。この同 軸管では、内部導体と外部導体との間に大気側に通じるスペースが形成されてい るので真空シールを施す必要がある。従来の真空シール構造では、比較的に低い 電力が供給されるマイクロ波放電反応装置を想定していたために、内部導体と外 部導体を絶縁するための誘電体を当該スペースに設け、さらにこの絶縁体の内周 部および外周部にゴムで形成したOリングを配置することにより真空シールを形 成するのが一般的であった。
【0005】 しかしながら、Oリングによる上記真空シール構造を用いて相対的に大きな電 力のマイクロ波を前記電極装置に供給しプラズマ密度を大きくしようとすると、 同軸管に異常加熱が発生し、真空シールのための2つのOリングを焼損するとい う不具合が発生した。この異常加熱の原因としては、主に、1)同軸管の内部導 体の表面電流によるジュール加熱、2)真空シール用Oリングの誘電損失による 加熱、3)同軸管の内部導体と外部導体の間のスペースにおいて発生する放電に 起因する加熱、を挙げることができる。
【0006】 本考案の目的は、放電室内に導入されるマイクロ波電力が大きくなっても安定 した真空シールを行うことのできる真空シール構造を有するマイクロ波電力導入 機構を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロ波電力導入機構は、内部にプラズマ放電が生成される放 電室内に配置されかつスリットを有する電極と、プラズマ放電の生成に利用され る電場を発生させるため電極に対しマイクロ波を供給する同軸型伝送路と、電極 に接続される同軸型伝送路の内軸部とその周囲の外軸部の間に誘電体を隙間なく 充填して配置するように構成される。
【0008】 前記の構成において、好ましくは、誘電体は電極に接近して配置する。
【0009】 前記の構成において、好ましくは、誘電体は、奥の方の位置に配置される第1 の誘電体と、真空側に配置される第2の誘電体からなる。
【0010】 前記の構成において、好ましくは、内軸部と外軸部の間に配置された誘電体は ろう付けされる。
【0011】 前記の構成において、前記内軸部は誘電体で支持され、内軸部および平板状電 極等は誘電体を利用して放電室である真空容器に取り付けられる。
【0012】
【作用】
本考案によるマイクロ波電力導入機構は、所定形状のスリットを例えば複数個 備える平板状電極と、放電室に大電力のマイクロ波を効率よく放射し、同時にE CR条件を満足する磁場を発生させるための手段として同心円状の複数の円筒状 永久磁石を設けたマイクロ波放電反応装置に適用される。平板状電極の中心部に 接続された内部導体(内軸部)とその周囲に配置された外部導体(外軸部)とに よって形成される同軸管によってマイクロ波電力が平板状電極に導入される。供 給されたマイクロ波によってスリットに定在波を生じて電場が形成されると共に 、この電場と前記永久磁石の磁場との相互作用および他の付加条件に基づいてプ ラズマ放電が生成される。上記マイクロ波放電反応装置によれば、広い面積の前 記平板状電極によって効率よく、均一性の良好なプラズマの生成が可能であり、 大面積の基板に対して均一性の良好な表面処理が可能となる。
【0013】 また本考案によるマイクロ波電力導入機構では、安定かつ高密度のプラズマを 発生させる目的で、同軸管の内部導体と外部導体の間のスペースに誘電体を充填 し、これにより平板状電極のスリットを通して内部に入り込むプラズマ放電が前 記スペースに入るのをなくし、マイクロ波電力導入機構における異常な発熱を防 止し、大電力のマイクロ波の導入を可能とし、基板の高速処理を可能とする。
【0014】
【実施例】
以下に、本考案の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【0015】 図1に、本考案に係るマイクロ波電力導入機構の例を示す。図1において、1 はプラズマ放電を発生させるための平板状電極であり、供給されたマイクロ波に 基づき定在波が形成されるスリットを少なくとも1つ有する。2はECR条件を 満たす磁場を発生させるための円筒状(リング状)の複数の永久磁石2Aからな る磁気回路であって、前記複数の永久磁石2Aは同心円状の位置に配置される。 同心円状に配置された複数の永久磁石2Aは、隣合うもの同士でその磁極の配置 位置が反対になるように配列される。3はマイクロ波電力を外部から導入し平板 状電極1に対し供給するための同軸管、3Aは同軸管3の棒状の内部導体(内軸 部)、3Bは同軸管3の管状の外部導体(外軸部)、4は永久磁石2Aを固定す るための固定板である。内部導体3Aはその左端部が平板状電極1の中心部に接 続され、外部導体3Bはその左端部が固定板4の中央孔4aの周囲に接続される 。これらの構成部分によって電極装置およびマイクロ波電力導入機構が形成され 、これらによって全体としては所定条件下でプラズマ発生機構として機能する。 5は、前記プラズマ発生機構を設置するための真空容器の一部であり、真空容器 5は放電室を形成する。
【0016】 上記の構成において、外部導体3Bは真空容器5の壁部に挿通状態で取り付け られ、図1中で外部導体3Aの左端部に取り付けられた固定板4にさらに永久磁 石2Aが固定される。また平板状電極1は内部導体3Aの図中左端部に固定され ている。
【0017】 次に、6は、真空容器5において内部導体3Aを固定する作用と、内部導体3 Aと外部導体3Bとの間を真空シールする作用とを兼ねた誘電体で形成された充 填物である。充填物6の材質としては、望ましくは、一般に誘電損の小さくかつ ろう付けが容易な物質である高純度アルミナが利用される。充填物6の形状はほ ぼ円筒型であり、所要の厚みを有し、その内周面は内部導体3Aに接触し、外周 面は外部導体3Bの内周面に接触する。さらに厳密に述べると、真空側の部分に おいて隙間を生じることなく充填物6を内部導体3Aおよび外部導体3Bに接触 させ、かつ大気圧側の部分では好ましくは内部導体3Aとの間に隙間7、外部導 体3Bとの間に隙間8をそれぞれ形成している。かかる充填物6を配置すること で、真空容器5の内部空間で生成されたプラズマ放電が平板状電極1のスリット を通して入り込んだとしても、同軸管3の内部導体3Aと外部導体3Bとの間の 隙間に入り込むことを阻止することができる。
【0018】 充填物6と内部導体3Aとの接合部9、および充填物6と外部導体3Bとの接 合部10には、望ましくは一般的な銀ろう付けが行われる。すなわち充填物6の 必要な部分のみに予めメタライズを行い、真空炉中で例えば銀を用いたろう付け を行う方法が用いられる。このとき、前述の通り、充填物6の真空側において隙 間のない構造を採用することが、プラズマ放電による同軸管3の加熱を防止する ために重要である。特に、同軸管3の内部導体3Aの異常な加熱を防止すること ができる。また上記構成によれば、前記課題の箇所で説明した3種類の異常加熱 の原因を一挙に取り除くことができる。
【0019】 上記のごとく、充填物6を設けることによって、内部導体3Aと外部導体3B の間の真空側隙間をなくし、もってプラズマ放電の当該隙間への入り込みを防止 し、またゴム製Oリングによる真空シールの廃止してマイクロ波損失を減少し、 充填物6による封着部に銀ろう付けを用いることによって同軸管の各部表面での ジュール損失による発熱を減少している。
【0020】 同軸管3において封着作用を生じる前述の接合部9,10に用いる材料として は、一般的に鉄、ニッケル、コバルト合金(コバール)等を用いる場合が多い。 この場合において、マイクロ波に対する損失が大きく、そのため構造によっては 発熱が問題となる場合には、ろう付けを行う前に、同軸管3に金、銀等の導電率 の高い金属の膜をメッキ等により付着させておくことが望ましい。同軸管3に小 口径のものを利用する場合は、金属材質として銅を利用して損失を小さくするこ とも可能である。
【0021】 上記の構成は次のように変更できる。内部導体3Aと外部導体3Bのスペース において、奥の位置にアルミナ(第1の誘電体)で形成した充填物を設け、平板 状電極1に近い真空側の手前位置には例えば石英(第2の誘電体)を用いた充填 物を設ける。石英はアルミナに比較して温度変化に対する耐性が高く、高い温度 のプラズマ放電に接触しても割れにくいという特性を有している。従って真空シ ール性能を高めることができる。石英の代わりに酸化ベリリウム、窒化シリコン 、窒化アルミニウムおよびそれらの類似物等の誘電体を用いることができる。
【0022】 なお本考案は、上記実施例で説明した平板状電極を利用した装置のみならずマ イクロ波を同軸管により導入するすべての装置に応用することが可能である。
【0023】
【考案の効果】
以上の説明で明らかなように本考案によれば、放電反応室である真空容器に設 置された電極装置に対し同軸管を用いてマイクロ波電力を供給するにあたり、O リングを使用する代わりに誘電体の充填物で真空シール構造を形成して、同軸管 の内部スペースにプラズマ放電が入り込むのを防止すると共にジュール熱の発生 およびOリングの焼損をなくすようにしたため、同軸管を用いても大きな電力の マイクロ波を長時間安定して導入することでき、従来よりも大電力のマイクロ波 電力の導入が可能となり、高密度プラズマによる高速表面処理が実現できる。
【0024】 奥の方に第1の誘電体を設け、手前の石英等の第2の誘電体を設けた構成によ れば、熱に対する耐性を高め、真空シール性能を高めることができる。
【0025】 また同軸管の内部スペースに配置された充填物で同軸管の内部導体を支持する ようにしたため、簡単な構成で内部導体を固定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】真空容器に設けられた本考案に係るマイクロ波
電力導入機構を示す部分断面図である。
【符号の説明】
1 平板状電極 2 磁気回路 2A 永久磁石 3 同軸管 3A 内部導体(内軸部) 3B 外部導体(外軸部) 4 固定板 5 真空容器 6 誘電体の充填物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/302 B H05H 1/46 9014−2G

Claims (5)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部にプラズマ放電が生成される放電室
    内に配置されかつスリットを有する電極と、前記プラズ
    マ放電の生成に利用される電場を発生させるため前記電
    極に対しマイクロ波を供給する同軸型伝送路と、前記電
    極に接続される前記同軸型伝送路の内軸部とその周囲の
    外軸部の間に誘電体を隙間なく配置したことを特徴とす
    るマイクロ波電力導入機構。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のマイクロ波電力導入機構
    において、前記誘電体は前記電極に接近させて配置する
    ことを特徴とするマイクロ波電力導入機構。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のマイクロ波電力導入機構
    において、前記誘電体は、奥の方に配置される第1の誘
    電体と、真空側に配置される第2の誘電体からなること
    を特徴とするマイクロ波電力導入機構。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項に記載のマ
    イクロ波電力導入機構において、前記内軸部と前記外軸
    部の間に配置された前記誘電体はろう付けされることを
    特徴とするマイクロ波電力導入機構。
  5. 【請求項5】 請求項1〜3のいずれか1項に記載のマ
    イクロ波電力導入機構において、前記内軸部は、前記誘
    電体で支持されることを特徴とするマイクロ波電力導入
    機構。
JP3104593U 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波電力導入機構 Pending JPH0686331U (ja)

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JP3104593U JPH0686331U (ja) 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波電力導入機構

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ID=12320518

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JP3104593U Pending JPH0686331U (ja) 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波電力導入機構

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09245993A (ja) * 1996-03-04 1997-09-19 Anelva Corp プラズマ処理装置及びアンテナの製造方法

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