JPH0687462B2

JPH0687462B2 - 薄膜成長方法および薄膜成長装置

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Publication number: JPH0687462B2
Application number: JP62280247A
Authority: JP
Inventors: 忠弘大見
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1987-10-08
Filing date: 1987-11-05
Publication date: 1994-11-02
Anticipated expiration: 2009-11-02
Also published as: JPH01199424A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、高品質の薄膜を高速度に成膜することが可能
な薄膜成長方法および薄膜成長装置に関する。

［従来の技術］例えば、半導体集積回路製造プロセスでは、Al、Al−S
i、Al−Cu−Si、Ｗ、Mo等の金属膜、ポリシリコン等の
半導体薄膜及びSiO₂、Si₃N₄等の絶縁膜の成膜工程がくり
返され、その膜質が製品の歩留りに直接関係し、成膜速
度はスループットを支配する。こうした薄膜の成膜に
は、CVD（Chemical Vapor Deposition:化学気相堆積）
技術が使用されることが多い。ウェハ（基板）加熱に電
気炉を用いたホットウォール型減圧CVD技術が主として
使用される。一方、ウェハ加熱に高周波加熱あるいはラ
ンプ加熱（輻射線加熱）を用い、ウェハだけを加熱する
ようにして反応管壁や反応室内壁を可能な限り加熱しな
いようにして、ガスの温度を上げないようにして気相で
の反応を極力抑えたCVD技術も通常使用される。

しかし、いずれの方式のCVD技術も、反応室全体にSiH₄,
Si₂H₆,SiH₂Cl₂,NH₃,O₂,WF₆等の原料ガスを流す方式であ
るため、ガス温度をできるだけ上げないようにしていて
も、気相での反応が激しく起こり、気相で小粒径の微粒
子になり、ウェハ上に降り注ぐという過程を抑えること
ができないため、高品質な薄膜が得られない大きな理由
になっている。さらに、反応室全体に原料ガスを流すた
め、ウェハ面上への成膜に使用される原料ガスの割合が
極めて少なく、反応室内壁や下流側排気系内壁に大量の
生成物を堆積させると同時に、排ガス処理の負担を極め
て重くしている。反応室内壁の堆積物は、LSI（大規模
集積回路）製造の大敵であるゴミの原因となるため、生
産現場で殆ど連日、CVD装置反応室内壁の堆積物除去の
メンテナンスが必要となっている。その結果として、装
置の稼動率を低下させるとともに、メンテナンスを行う
たびに反応室内が大気にさらされるため、反応室内壁に
付着する大気成分による汚染によって、成膜過程の反応
雰囲気のクリーン度が低下する。高品質成膜の妨げにな
るとともに、膜質、膜厚等の再現性を劣化させる。

以上のような事情のため、品質がそろった高歩留りの自
動製造ライン実現は程遠いのが実情である。

こうしたCVD成膜装置の欠点を克服するため、本発明者
は第１図に示す新しい成膜装置を開発した（T.Ohmi、
“Soft and Clean Technologies for submicron LSI Fa
brication",Proc.1986SEMI Symposium,PP.1-21,1986-1
2）。第１図で、それぞれの番号は下記の通りである。1
1は円面が鏡面仕上げされたSUS304LにTiNをコーティン
グした超高真空対応反応室（真空容器）、12はシリコン
等のウェハ（基板）、13はウェハ12をのせるウェハサセ
プタ、14はN₂＋Ar低ガス圧雰囲気に45本のプラズマトー
チが多段同心円状に配置されたウェハ加熱装置、15はウ
ェハを表面側から加熱する赤外線ランプ加熱装置、16は
SiH₄,Si₂H₆,H₂＋SiH₂Cl₂,WF₆＋H₂等の原料ガス供給系、
17は反応室へウェハを搬入するロードロック室、18は反
応室にウェハを搬入するためのウェハ搬送装置、19、20
はターブ分子ポンプ、21はメカニカルブースタポンプ、
22はロータリポンプ、23はウェハ表面に原料ガスを吹き
付けるガス噴出ノズル、24は原料ガスの流れ、25は真空
計、26はゲートバルブ、27はゲートバルブ、28、29は真
空バルブ、30はゲートバルブ、31は紫外線、赤外線の透
過性の良好な合成石英板、32はメタルダイアフラム弁で
ある。

ゲートバルブ27からロータリポンプ22にいたるラインが
真空排気装置を構成している。サブミクロンパターンサ
イズLSI製造に向かう技術の流れは、同時にウェハの大
口径化をも要求する。大口径ウェハ上にサブミクロンパ
ターンを均一に描こうとすると、成膜、エッチングとも
に極めて高いウェハ面内均一性を要求される。従来の多
数枚のウェハを同時に処理するバッジ処理方式では、こ
の高い均一性の要求に応える事が難しく、ウェハを１枚
ずつ処理する枚葉化装置が必要となる。第１図の成膜装
置は、枚葉化を指向した装置である。実用的な装置とな
るには、１時間に60枚の処理能力が要求される。すなわ
ち１分間に１枚のウェハを処理することになる。ウェハ
の搬出搬入に数秒、ウェハ温度、ガスフロー等の条件設
定に20〜25秒、成膜に30秒前後の時間割当となる。LSI
に使用される各種薄膜の膜厚は、１μｍ程度である。毎
分２μｍ程度の成膜速度は最低限必要となる。しかも、
膜質は十分に良好なものでなければならない。

良好な膜質を持った薄膜を光速度で成膜する条件は、次
のようになる。気相反応を起こさせずに表面反応だけ
で成膜を行う。反応生成物がウェハ表面よりただちに
取り去られること、表面反応速度を十分に速くして、
原料ガスを十分にウェハ表面に供給すること等である。
こうした要求条件を満たすように第１図の成膜装置は設
計されている。すなわち、反応室内壁は、機械加工層を
伴わない鏡面状態に電解複合研磨技術を用いて仕上げら
れたSUS304L表面に、イオンプレーティング技術によりT
iNがコーティングされており、表面からの放出ガス量が
極めて少なくなされている、反応室には、ゲートバルブ
27を介して、2000l/secの排気能力を有するターボ分子
ポンプが接続されており、反応室の真空度を10^-10Torr
オーダーに排気できるようになっている。ウェハ加熱
は、多段同心円状に配置された45本のプラズマトーチ
（雰囲気ガスは、10²〜10^-3TorrのN₂＋Arである）によ
って行われる。プラズマトーチに流す電流値を制御する
ことにより（この装置では、各プラズマトーチの電流値
が１個ずつ独立に制御できるようになっている）、ウェ
ハ温度とウェハ面内温度分布を制御できるようになって
いる（ウェハ面内温度分布を電子的に制御可能な初めて
のウェハ加熱装置である）。超高真空状態にある反応室
11に、ゲートバルブ26を開けて静電吸着方式のウェハ搬
送装置18により、ロードロック室からウェハ12が搬入さ
れる。ウェハ加熱装置14と赤外線ランプ加熱装置15とに
よりウェハ温度が所定の温度に達すると、メタルダイア
フラムバルブ32を開けてノズル噴射口23から原料ガス
が、ウェハ表面に吹き付けられる。原料ガスの噴出速度
は、通常数100m/secに設定されるから、ノズル噴出口23
からウェハ表面に原料ガスが到達するに要する時間は、
数msec以内である。気相中の原料ガスの温度は殆ど上が
らず、気相中の反応は完全に抑止される。ウェハ表面に
吸着した原料ガスが表面反応により成膜に寄与するので
ある。さらに、超高真空状態にある反応室に原料ガスを
噴流状に吹き出しているのであるから、反応室内のガス
圧力は低く、反応生成物も非常に排気され易い状態にな
っている。

第１図の成膜装置で、原料ガスにSi₂H₆を用い、ウェハ
温度を370℃〜650℃の範囲でポリシリコンの成膜を行っ
たところ、ウェハ表面とウェハサセプタ表面以外には殆
ど堆積物が付着せず、合成石英窓31にはまったく曇りが
現われないことが明らかとなった。また、得られたポリ
シリコン薄膜の膜質も極めて良好なものであった。膜質
の向上の目的は達成され、かつ従来のCVD装置の最大の
欠点であった反応室内壁への堆積物によるゴミの発生、
及び連日必要であったメンテナンスも、その期間を圧倒
的に長くできるという効果を発揮した。しかし、ウェハ
表面に供給されるSi₂H₆のうちポロシリコン成膜に寄与
するのは、わずか0.1％以下であるということも同時に
判明した。第１図に示された成膜装置のねらいは、ウェ
ハ表面に供給された原料ガスを100％近く成膜に寄与さ
せるというものであったが、その目的は達成されなかっ
たのである。すなわち、高速度成膜を実現するには、第
１図に示される構成だけでは高速度成膜には不十分だっ
たのである。

さらに第１図の装置を用いてポリシリコンを形成した場
合段差部での被覆形状が劣化する問題も生じる。第２図
は、コンタクトホール部203に堆積されたポリシリコン
膜204の形状を示したもので、201はシリコン基板、202
は熱酸化膜である。穴の深さは約１μｍ、開口部は0.75
μｍ×0.75μｍの場合である。第２図から明らかなよう
に、ポリシリコンによる穴埋めは極めて不十分にしか行
なわれていない。アスペクト比のもっと大きなコンタク
トホールでは、Si原子は穴の奥深くまで侵入することが
できず、穴埋め形状はさらに悪いものとなる。

［発明の目的］本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、ウェハ表
面に吹きつけられた原料ガスが効率よくウェハ表面に吸
着し、原料ガスが成膜に有効に寄与して高速の成膜が行
なえるとともに、アスペクト比の大きな穴も完全に埋め
込むことが可能な薄膜成長方法及び薄膜成長装置を提供
するものである。

［発明の概要］本発明の第１の要旨は、真空排気装置に接続された真空
容器内に設けられたウエハサセプタ上に置かれたウェハ
表面に、ガス噴出ノズルを介して原料ガスを噴出させる
ことにより、該ウエハ上に薄膜を成長させる薄膜成長方
法において、該真空容器内の圧力を10^-4〜５×10^-3Torr
に保持し、かつ、ウェハ表面に対し30゜以下の角度をも
って、該ガス噴出ノズルから噴出される原料ガスを該ウ
エハ表面に入射させることを特徴とする薄膜成長方法に
ある。

本発明の第２の要旨は、真空排気装置に接続された真空
容器と、前記真空容器内に設けられたウエハサセプタ
と、前記ウエハサセプタ上に置かれたウェハ表面に原料
ガスを噴出させるためのガス噴出ノズルと、を少なくと
も有する薄膜成長装置において、前記ガス噴射ノズル
を、ガス噴出ノズルから噴射させる原料ガスがウェハ表
面に対し30゜以下の角度をもって入射されるように構成
したことを特徴とする薄膜成長装置にある。

［実施例］（第１実施例）本発明の第１の実施例を第３図に示す。同図においては
301はウェハサセプタ、302はシリコンウェハ、303はウ
ェハ表面に原料ガスを吹きつけるためのガス噴出ノズル
であり、それぞれ第１図の13,12,23に対応している。本
図では、本発明で重要な主要部分のみが図示されてお
り、他の構成は第１図と同様である。

実施例ではガス噴出ノズル303とウェハ表面のなす角度
も約20゜に設定した。なお本例では反応チャンバの真空
度が１×10^-4〜５×10^-3Torrの間に設定されていること
である。ガス噴出ノズルから噴射されたガス（多くは分
子状のガス）は、途中でチャンバ内のガス分子と全く衝
突することなくウェハ表面に到着し、しかもウェハ表面
に対し略々15゜〜25゜の角度をもって入射するようにな
っている。本装置を用い、例えば６インチのウェハを約
500℃に加熱し、ガス噴出ノズル303よりSiH₄を例えば流
量40cc/minで供給したところ、毎分約0.6μｍという高
速のポリシリコン膜の成膜が実現できた。この場合、Si
H₄→Si＋２H₂の反応がウェハ表面302で生じ、Siがウェ
ハ302表面に堆積されているのである。40cc/minの流量
で供給されるSiH₄がすべて上記反応過程により分解しポ
リSi膜となったとして計算を行なうと、成膜速度は約1.
2μm/minとなる。このことから約50％の効率で原料ガス
がポリシリコン成膜に寄与していることが分る。ウェハ
サセプタ301上でのガス流の照射面積が、ウェハ面積よ
り略々10〜20％大きいことを考慮すると、原料ガスの利
用効率は実に55〜63％にも達しており、従来の0.1％以
下に較べ格段に改善されていることがあきらかである。

第４図は、第２図と同様のコンタクトホール部403に堆
積させたポリシリコン膜404の被覆形状を模式的に示し
たものであるが、極めて平坦に、かつほぼ完全に埋め込
まれているのが分る。なお、同図で401,402はそれぞれ
シリコン基板、及び熱酸化膜である。

次に本発明によりこのような顕著な効果の得られた理由
について説明を行なう。まず、本発明の第１の実施例で
重要なのは、ウェハ表面に入射するガス分子がウェハ表
面に対し略々15゜〜25゜の入射角をもって入射している
ことである。第５図は、ガス噴出ノズルより噴出されガ
ス流としてウェハ表面に供給されたガス分子の運動を模
式的に示したものである。

ガス噴出ノズルより10^-4〜５×10^-3Torrの高真空中に噴
出されたガスは断熱膨張により温度が下るので１つ１つ
の分子をみれば室温以下の熱エネルギをもってウェハ表
面に到達する。今、ウェハとガス噴出ノズルの間の距離
がチャンバ内のガスの平均自由工程λと同程度あるいは
それ以上にとってあれば、ガス流中の分子は、雰囲気中
のガス分子と衝突することなくウェハ表面に到着するた
めノズルとウェハのなす角度と略々等しい入射角でウェ
ハ表面に到着することになる。この場合、分子の動きに
は同図（ａ），（ｂ）に示した２つの場合が考えられ
る。すなわち、入射角θが十分大きいときには同図
（ａ）のように表面ではね返されて去って行くため基板
表面で反応をおこし成膜に寄与することはない。しかし
θが小さく、ある臨界角度より小さくなると、同図
（ｂ）に示したような動きをすると考えられる。すなわ
ち、入射した分子は、表面ではね返されることなく、表
面に沿ってすべって行くのである。このようなすべり動
作に入ると、分子は基板より熱エネルギを受けて分解反
応をおこし、Si原子が基板に堆積し成膜に寄与するので
ある。我々は、ウェハ表面に入射するガス分子入射角度
（第３図のθ）を種々変化せて原料ガス（この場合Si
H₄）の成膜に寄与する利用効率を求めた結果、次のこと
が分った。

θ＞40゜では利用効率は0.5〜２％程度で非常に低い
が、θ＝30〜40゜の領域に急激になると、利用効率は上
昇しはじめ、θが30゜では約40〜50％にも達することが
分ったのである。θが30℃以下になるとこの値はさらに
大きくなる。

従って本発明の効果が得られるためには、ウェハ表面に
入射するガス分子の入射角度は30゜以下となるように装
置を設計することが肝要である。これにはガス噴出ノズ
ルとウェハ表面とのなす角を略々30゜以下にすればほぼ
この条件はみたされる。

第５図（ｂ）のような表面でのすべりが生じるとこれは
吸着分子及び分解したSi原子等の表面マイグレーション
を増加させる効果も生じ、これにより第４図に示したよ
うな高アスペクト比の穴埋めも可能となったのである。
この表面マイグレーションの増加の効果を示すもう一つ
の実験結果を第６図（ａ）〜（ｂ）に示す。同図はSi₂H
₆を用いてｐ型（100）Si上にSi薄膜を約0.5μｍ堆積さ
せたサンプルの反射電子線回折像であり、第６図
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はそれぞれ堆積時のウ
ェハ温度が450℃,500℃,550℃,600℃のサンプルに対応
している。第６図から明らかなように、第６図（ｃ），
（ｄ）のサンプルでは単結晶シリコンがエピタキシャル
成長していることが分る。このように本発明によれば、
550〜600℃程度の低温でのエピ成長も可能となるのであ
る。

以上のように入射分子の入射角度が30゜以下で生じる分
子の表面でのすべり現象を利用するためにはガス噴出ノ
ズルから噴出されたガス分子がウェハ表面に到達する以
前に雰囲気中のガス分子と衝突してその運動の方向が曲
げられるようなことがあってはならない。そのために
は、雰囲気中のガスの平均自由行程λがノズルとウェハ
間の距離に略々等しくなる程度まで反応雰囲気の真空度
を上げる必要がある。

SiH₄分子の平均自由行程は、１×10^-3Torrで約2.45cmで
あり、ノズルとウェハの距離が最も短くても１〜2cm程
度であることを考え合せると、真空度は高くても５×10
^-3Torr以下とすることが必要条件である。５×10^-3Torr
でガス噴出ノズルとウェハ間の距離を1cmとした場合、
これは平均自由行程の約２倍となるがこの程度ではガス
分子の衝突による効果はほとんど問題にならない。装置
設計の観点からは、ガス噴出ノズルとウェハ間の距離を
大きくとった方が有利な場合もある。例えば真空度が１
×10^-4Torrの場合SiH₄の平均自由行程λ＝24cmとなりノ
ズルとウェハは24cm程度まではなせる。Si₂H₆の場合は1
0数cm程度となる。例えばSiH₄を用いて８インチウェハ
に効率100％で毎分２μｍのポリシリコンの高速成膜を
行なうには116.5cc/minのSiH₄の流量が必要となる。こ
のときSiH₄の分解で生成されるH₂を排気するのに、雰囲
気の真空度を１×10^-4Torrに保とうとすると、295l/sec
の排気速度をもつターボ分子ポンプが必要となる。通常
H₂に対するポンプの排気速度はN₂等にくらべて約1/8位
と小さいため、実際には約2500l/minという大きな排気
速度をもったポンプが必要となる。これは将来の枚葉化
処理装置の小型化を考えた場合、これ以上大きなポンプ
を使うことはどうしも受け入れられない。従って真空度
は１×10^-4Torrより大きい値に設定することが重要であ
る。すなわち、必要十分や圧力範囲は１×10^-4Torr〜５
×10^-3Torrである。このようなガス圧の領域は、粘性流
と分子流のちょうど中間の領域であり、この自由分子流
と呼ぶ流域におけるガスのウェハ表面でのすべり現象を
応用して高速、高品質薄膜の形成を行なうのが本発明の
本質であり、従来技術と全く異る新しい点である。

以上述べたように本発明の顕著な効果は以下のようにま
とめられる。

自由分子流領域のガス流を用い、ウェハ表面に直接原
料ガスを供給し、すべて表面反応で成膜するため気相反
応が全くなく、反応雰囲気でのパーティクル発生がな
い。

ガス分子の入射角度をウェハ表面に対し30゜以下と
し、すべり流を発生させることによりガス分子の表面吸
着率を上げ高速成膜が実現できた。

すべり流の効果により表面マイグレーション効果を増
加させ高アスペクト比の穴埋め、低温でのエビ成長も可
能にした。

（第２実施例）第７図は本発明の第２の実施例を示す図はウェハサセプ
タ701とガス噴出ノズル702の位置関係を示した平面図で
ある。各々のガスノズルは円形サセプタの接線方向と中
心へ向う方向の間の方向に向けられており、ウェハ703
表面に左巻きのうずまき流を形成している。この場合も
ガス分子のウェハ表面に対する入射角は30゜以下とされ
ていることはいうまでもない。このようにすることによ
り、原料ガスの利用効率はさらに高められるとともに、
面内の均一性も向上させることができる。

以上ポリシリコンの堆積を例に実施例を述べてきたが、
他のいかなる材料についても同様の効果のあることは言
うまでもない。

（第３実施例）第８図は、本発明の第３の実施例を示す装置の断面図で
ある。

ウェハにガスを供給する構造、その他は本発明の第１の
実施例と同様であるが、ウェハ801およびウェハサセプ
タ802と対向した位置に透明の窓803が設けられ、この窓
より光を導入してウェハ表面に照射できるようにしたも
のである。光としては、UV光、赤外線、その他目的に応
じてどのようなものを用いてもよく、また窓材は合成石
英、弗化カルシウム、その他用いる光を吸収しない材料
を適宜選んで用いればよい。このように、成膜中のウェ
ハ表面に光を照射することにより、原料ガスの吸着、分
解、膜生成らのプロセスをさらに活発化し、原料ガスの
利用効率を高め、成膜速度を大きくすることができる。

第８図では一本のノズルを持った構造を示しているが、
例えば第７図に示したように、複数のノズル702をウェ
ハ周辺部に並べて配置した構造に対し、第８図のような
窓を設けてもよい。この場合は特に大口径ウェハに対し
ガスが全面にムラなく供給されるため、均一性が著しく
向上する。

（第４実施例）第９図は本発明の第４の実施例を示すものである。

本実施例では、ウェハ901と対向する位置に電極903を設
け、例えば100MHzの高周波電源904よりRF電力を供給す
る構造となっている。

このようにして照射ガスをRF放電によりプラズマ状態に
し、成膜反応をさらに大きくさせることができる。

この実施例ではマグネット905を用いるマグネトロン放
電を起し、高真空状態（10^-4〜10^-3Torr）でも高密度な
プラズマが発生できるようにしてあるが、別にマグネッ
トを用いなくてもよい。また、この例ではウェハと対向
する位置に設けた電極903にRFパワーを加えているが、
これは例えばウェハサセプタ902に加えてもよい。ある
いは、真空系外におかれたコイルによる無電極放電を用
いてもよいことは言うまでもない。さらに放電と第８図
に示した光照射の両方を同時に用いてもよい。

第９図には一本のノズルを持った構造を示しているが、
例えば第７図に示したように、複数のノズル702をウェ
ハ周辺部に並べて配置した構造としてもよく、このよう
なノズル配置により大口径ウェハでの面内の膜厚均一性
をさらに向上させることができる。

［発明の効果］本発明により、良好な膜質を持った薄膜が高速で成膜で
きるようになり、かつ、アスペクト比の大きなコンタク
トホール部にも十分平坦に薄膜材料を埋め込むことが可
能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行例を説明するための薄膜成長装置の概略図
である。第２図は先行例に係る堆積膜の形状を示す断面
図である。第３図は本発明の第１実施例に係り、原料ガ
スの入射角度を示す概念図である。第４図は第１実施例
に係る堆積膜の形状を示す断面図である。第５図は、ウ
ェハ表面に供給されるガス分子の運動を示す模式図であ
る。第６図はSi堆積膜の反射電子回折像を示す写真であ
る。第７図は第２実施例を示す平面図である。第８図
は、本発明の第３実施例を示す薄膜成長装置の概念図で
ある。第９図は本発明の第４実施例を示す薄膜成長装置
の概念図である。 12,302,703,801,901…ウエハ（シリコンウェハ）、13,3
01,701,802,902…ウェハサセプタ、23,303,702,804,906
…ガス噴出ノズル、803…窓、903…電極、904…高周波
電源、905…マグネット。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空排気装置に接続された真空容器内に設
けられたウエハサセプタ上に置かれたウェハ表面に、ガ
ス噴出ノズルを介して原料ガスを噴出させることによ
り、該ウエハ上に薄膜を成長させる薄膜成長方法におい
て、該真空容器内の圧力を10^-4〜５×10^-3Torrに保持
し、かつ、ウェハ表面に対し30゜以下の角度をもって、
該ガス噴出ノズルから噴出される原料ガスを該ウエハ表
面に入射させることを特徴とする薄膜成長方法。
【請求項２】薄膜を成長させる際に、ウエハ表面に光を
照射する特許請求の範囲第１項に記載の薄膜成長方法。
【請求項３】薄膜を成長させる際に照射ガスをプラズマ
状態とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の薄
膜成長方法。
【請求項４】複数のガス噴出ノズルを用いる特許請求の
範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の薄膜成長方
法。
【請求項５】真空排気装置に接続された真空容器と、前
記真空容器内に設けられたウエハサセプタと、前記ウエ
ハサセプタ上に置かれたウェハ表面に原料ガスを噴出さ
せるためのガス噴射ノズルと、を少なくとも有する薄膜
成長装置において、前記ガス噴射ノズルを、ガス噴出ノ
ズルから噴射される原料ガスがウェハ表面に対し30゜以
下の角度をもって入射されるように構成したことを特徴
とする薄膜成長装置。
【請求項６】前記ガス噴出ノズルが略々ウェハの外周付
近の位置に複数個設置され、ガス噴出ノズルから噴射さ
れる原料ガス噴射が、ウェハ外周の接線方向と、ウェハ
の中心を向う方向の間の方向に向うように構成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の薄膜成長
装置。