JPH0687687A - シリコン単結晶引上げ装置 - Google Patents
シリコン単結晶引上げ装置Info
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- JPH0687687A JPH0687687A JP9704293A JP9704293A JPH0687687A JP H0687687 A JPH0687687 A JP H0687687A JP 9704293 A JP9704293 A JP 9704293A JP 9704293 A JP9704293 A JP 9704293A JP H0687687 A JPH0687687 A JP H0687687A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 51
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 シリコン単結晶引上げ装置内の黒鉛製部品に
ＳｉＯ起因物質の析出を防止し部品の劣化を防止し、使
用継続期間を延ばし、装置の解体・再組立が簡略化でき
る装置を提供する。 【構成】 不活性ガス雰囲気中でシリコン単結晶を引上
げる装置であって、シリコン溶融体２を収容するルツボ
１と、ヒーター３と、断熱シールド４と、引上げ室６を
形成する外装材１４と、不活性ガス導入部１５と、不活
性ガス排気部１６とを有し、断熱シールド４は、その内
部または上記外装材１４との間に通気路１７が形成さ
れ、通気路１７の上方端部に開口部１８が形成され、か
つ、前記開口部１８はルツボ１の開口縁部１９に近接し
た位置に設けられ、通気路１７の下方端部は不活性ガス
排気部１６と連通されてなることを特徴とする。
ＳｉＯ起因物質の析出を防止し部品の劣化を防止し、使
用継続期間を延ばし、装置の解体・再組立が簡略化でき
る装置を提供する。 【構成】 不活性ガス雰囲気中でシリコン単結晶を引上
げる装置であって、シリコン溶融体２を収容するルツボ
１と、ヒーター３と、断熱シールド４と、引上げ室６を
形成する外装材１４と、不活性ガス導入部１５と、不活
性ガス排気部１６とを有し、断熱シールド４は、その内
部または上記外装材１４との間に通気路１７が形成さ
れ、通気路１７の上方端部に開口部１８が形成され、か
つ、前記開口部１８はルツボ１の開口縁部１９に近接し
た位置に設けられ、通気路１７の下方端部は不活性ガス
排気部１６と連通されてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン単結晶引上げ
装置に関し、より詳しくは、長期間に亘る引上げ操業に
よっても引上げ装置内において汚染がきらわれる部材へ
の不要物質の析出をなくし、該部材を使用可能な期間を
延長させ、清掃・解体作業が簡略できるシリコン単結晶
引上げ装置に関する。
装置に関し、より詳しくは、長期間に亘る引上げ操業に
よっても引上げ装置内において汚染がきらわれる部材へ
の不要物質の析出をなくし、該部材を使用可能な期間を
延長させ、清掃・解体作業が簡略できるシリコン単結晶
引上げ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は、高純度シリコン単結晶棒
より得られる基板から作られることは良く知られてい
る。高純度単結晶棒は、ダイヤモンド刃により、スライ
シングされ、さらにはラッピング、化学薬品によるエッ
チング、次いで鏡面仕上げ加工を経て、例えば、半導体
集積回路等の始発材料基板として使われる。
より得られる基板から作られることは良く知られてい
る。高純度単結晶棒は、ダイヤモンド刃により、スライ
シングされ、さらにはラッピング、化学薬品によるエッ
チング、次いで鏡面仕上げ加工を経て、例えば、半導体
集積回路等の始発材料基板として使われる。
【０００３】近年、半導体技術の進歩に伴って、ドーパ
ント濃度、ドーパント以外の不純物の濃度、格子欠陥密
度等をより精密に制御する必要性が増大し、それに伴
い、半導体単結晶引上げ装置も上記精密な制御が可能で
あるとともに、そのような精密制御を長期に亘って行な
え、清掃・解体等の作業ができるだけ少ないものが要求
されるようになってきている。
ント濃度、ドーパント以外の不純物の濃度、格子欠陥密
度等をより精密に制御する必要性が増大し、それに伴
い、半導体単結晶引上げ装置も上記精密な制御が可能で
あるとともに、そのような精密制御を長期に亘って行な
え、清掃・解体等の作業ができるだけ少ないものが要求
されるようになってきている。
【０００４】従来より、シリコン単結晶の引上げにはチ
ョクラルスキー法が採用されており、その一例を図２に
示す。図２において、１はシリコン溶融体２を収容する
ルツボであり、３はルツボ１の外周に設けられたヒータ
ー、４はヒーター３の外周に設けられた断熱シールド、
５は引上げられつつあるシリコン単結晶である。
ョクラルスキー法が採用されており、その一例を図２に
示す。図２において、１はシリコン溶融体２を収容する
ルツボであり、３はルツボ１の外周に設けられたヒータ
ー、４はヒーター３の外周に設けられた断熱シールド、
５は引上げられつつあるシリコン単結晶である。
【０００５】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶
を製造する際、ルツボ１として石英製のルツボが用いら
れるため、石英製のルツボからシリコン溶融体中に酸素
が溶解し、それがシリコン単結晶中に取込まれることが
知られている。これは、石英ルツボ中に収容されたシリ
コン溶融体の熱対流や引上げ中のルツボの回転により生
じる強制対流により、シリコン溶融体が石英ルツボに作
用し、石英ルツボを形成するＳｉＯ2 とＳｉとの反応を
起こし、この反応によりＳｉＯが発生し、このＳｉＯが
一旦溶融体中に取り込まれ、ＳｉＯの大部分が溶融体表
面より蒸発し、残分がシリコン単結晶中に取り込まれる
ことにより生じるものである。
を製造する際、ルツボ１として石英製のルツボが用いら
れるため、石英製のルツボからシリコン溶融体中に酸素
が溶解し、それがシリコン単結晶中に取込まれることが
知られている。これは、石英ルツボ中に収容されたシリ
コン溶融体の熱対流や引上げ中のルツボの回転により生
じる強制対流により、シリコン溶融体が石英ルツボに作
用し、石英ルツボを形成するＳｉＯ2 とＳｉとの反応を
起こし、この反応によりＳｉＯが発生し、このＳｉＯが
一旦溶融体中に取り込まれ、ＳｉＯの大部分が溶融体表
面より蒸発し、残分がシリコン単結晶中に取り込まれる
ことにより生じるものである。
【０００６】このＳｉＯは、生成するシリコン単結晶中
の格子間酸素濃度を引き上げ、ある場合は欠陥の原因と
なり、他の場合はゲッター効果を発現することとなるた
め、結晶中に取り込まれる酸素濃度は高精度でコントロ
ールされる必要性がある。
の格子間酸素濃度を引き上げ、ある場合は欠陥の原因と
なり、他の場合はゲッター効果を発現することとなるた
め、結晶中に取り込まれる酸素濃度は高精度でコントロ
ールされる必要性がある。
【０００７】そこで、引上げ室６を完全密閉系とすると
シリコン溶融体から蒸発したＳｉＯは、シリコン溶融体
中に再融解するし、また、引上げ室６内のＳｉＯ濃度が
刻々と変化するため、一定酸素濃度の単結晶を引上げる
ことは困難になる。そのため、引上げ室６内に不活性ガ
ス７を導入し、引上げ室６内のＳｉＯを同伴させて流出
させ、引上げ室６内のＳｉＯ濃度を定常状態にすること
が行なわれている。
シリコン溶融体から蒸発したＳｉＯは、シリコン溶融体
中に再融解するし、また、引上げ室６内のＳｉＯ濃度が
刻々と変化するため、一定酸素濃度の単結晶を引上げる
ことは困難になる。そのため、引上げ室６内に不活性ガ
ス７を導入し、引上げ室６内のＳｉＯを同伴させて流出
させ、引上げ室６内のＳｉＯ濃度を定常状態にすること
が行なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図２に示す
従来のシリコン単結晶引上げ装置においては、引上げ室
６上方から不活性ガス７を流し、シリコン溶融体２表面
に接融させた後は、ルツボ１とヒーター３との間に形成
された間隙９ａ、ヒーター３と断熱シールド４との間に
形成された間隙９ｂを通り、排気孔１０、バルブ１１を
経て真空ポンプ１２により系外に放出され、この際、ヒ
ーター３、断熱シールド４の表面にＳｉＯに起因する析
出物が多量に付着することとなる。
従来のシリコン単結晶引上げ装置においては、引上げ室
６上方から不活性ガス７を流し、シリコン溶融体２表面
に接融させた後は、ルツボ１とヒーター３との間に形成
された間隙９ａ、ヒーター３と断熱シールド４との間に
形成された間隙９ｂを通り、排気孔１０、バルブ１１を
経て真空ポンプ１２により系外に放出され、この際、ヒ
ーター３、断熱シールド４の表面にＳｉＯに起因する析
出物が多量に付着することとなる。
【０００９】ここで、ヒーター３や断熱シールド４は、
黒鉛製であり、ＳｉＯ起因物質の析出により劣化した
り、あるいは操業終了後の析出物除去作業を行なわなけ
ればならなかったりし、その場合、引上げ装置の解体・
再組立を行なわねばならず、そのために多くの人手と時
間を要するという問題があった。
黒鉛製であり、ＳｉＯ起因物質の析出により劣化した
り、あるいは操業終了後の析出物除去作業を行なわなけ
ればならなかったりし、その場合、引上げ装置の解体・
再組立を行なわねばならず、そのために多くの人手と時
間を要するという問題があった。
【００１０】本発明は、上記の点を解決しようとするも
ので、その目的は、黒鉛製の部品にＳｉＯ起因物質が析
出するのを防止して黒鉛部品のＳｉＯ起因物質の析出に
よる劣化を防止し、また、黒鉛部品からの析出物除去作
業をなくすか、あるいは極端に少なくすることができ、
さらには、黒鉛製部品の解体・再組立を行なわずに、操
業できる期間を大幅に延ばすことができ、また、黒鉛製
部品への析出物が少ないため、解体・再組立が簡略化さ
れ、大型化が可能になり、引上げ可能なシリコン単結晶
棒の径も大型化することができるシリコン単結晶の引上
げ装置を提供することにある。
ので、その目的は、黒鉛製の部品にＳｉＯ起因物質が析
出するのを防止して黒鉛部品のＳｉＯ起因物質の析出に
よる劣化を防止し、また、黒鉛部品からの析出物除去作
業をなくすか、あるいは極端に少なくすることができ、
さらには、黒鉛製部品の解体・再組立を行なわずに、操
業できる期間を大幅に延ばすことができ、また、黒鉛製
部品への析出物が少ないため、解体・再組立が簡略化さ
れ、大型化が可能になり、引上げ可能なシリコン単結晶
棒の径も大型化することができるシリコン単結晶の引上
げ装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン単結晶
引上げ装置は、チョクラルスキー法により不活性ガス雰
囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリ
コン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けら
れたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シー
ルドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材
と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、
引上げ室の下方に設けられた、断熱シールド内周面で囲
まれた引上げ室底面以外の該底面部分に設けられた不活
性ガス排気部とを有し、断熱シールドは、その内部また
は上記外装材との間に通気路が形成され、通気路の上方
端部に開口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの
開口縁部に近接した位置に設けられ、通気路の下方端部
は不活性ガス排気部と連通されてなることを特徴とす
る。
引上げ装置は、チョクラルスキー法により不活性ガス雰
囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリ
コン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けら
れたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シー
ルドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材
と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、
引上げ室の下方に設けられた、断熱シールド内周面で囲
まれた引上げ室底面以外の該底面部分に設けられた不活
性ガス排気部とを有し、断熱シールドは、その内部また
は上記外装材との間に通気路が形成され、通気路の上方
端部に開口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの
開口縁部に近接した位置に設けられ、通気路の下方端部
は不活性ガス排気部と連通されてなることを特徴とす
る。
【００１２】次に、図面に従い、より詳細に本発明を説
明する。図１は本発明に係るシリコン単結晶引上げ装置
の概略の構成を示す説明図である。図１において、２は
シリコン溶融体、１はシリコン溶融体２を収容するルツ
ボ、３はルツボ１の外周に設けられたヒーター、６は引
上げ室、１４は引上げ室６を形成する外装材、１５は引
上げ室６内上方に設けられた不活性ガス導入部、１６は
引上げ室６の下方に設けられた不活性ガス排気部、４は
ヒーター３の外周に設けられた断熱シールドである。
明する。図１は本発明に係るシリコン単結晶引上げ装置
の概略の構成を示す説明図である。図１において、２は
シリコン溶融体、１はシリコン溶融体２を収容するルツ
ボ、３はルツボ１の外周に設けられたヒーター、６は引
上げ室、１４は引上げ室６を形成する外装材、１５は引
上げ室６内上方に設けられた不活性ガス導入部、１６は
引上げ室６の下方に設けられた不活性ガス排気部、４は
ヒーター３の外周に設けられた断熱シールドである。
【００１３】断熱シールド４は二重壁で形成され、その
二重の壁の間に形成された中空部を通気路１７としてあ
る。通気路１７の上方端部に開口部１８が形成され、通
気路６の下端は不活性ガス排気部１６と連通されてい
る。これにより、断熱シールド４の開口部１８から通気
路１７を経て不活性ガス排気部１６に至る流路が形成さ
れる。断熱シールド４の開口部１８はルツボ１の開口縁
部１９に近接した位置に設けられる。こうすることによ
り、ルツボ１中のシリコン溶融体２から発生したＳｉＯ
が周囲に拡散しないうちに引上げ室６内より僅かに減圧
にされた通気路１７内に吸い込まれることになり、Ｓｉ
Ｏによる汚染を防止するものである。
二重の壁の間に形成された中空部を通気路１７としてあ
る。通気路１７の上方端部に開口部１８が形成され、通
気路６の下端は不活性ガス排気部１６と連通されてい
る。これにより、断熱シールド４の開口部１８から通気
路１７を経て不活性ガス排気部１６に至る流路が形成さ
れる。断熱シールド４の開口部１８はルツボ１の開口縁
部１９に近接した位置に設けられる。こうすることによ
り、ルツボ１中のシリコン溶融体２から発生したＳｉＯ
が周囲に拡散しないうちに引上げ室６内より僅かに減圧
にされた通気路１７内に吸い込まれることになり、Ｓｉ
Ｏによる汚染を防止するものである。
【００１４】不活性ガス排気部１６は、排気孔２０と真
空ポンプ１２とバルブ１１により構成され、引上げ室６
内の気圧よりも僅かに低く目になるように、制御してあ
る。これにより引上げ室６から不活性ガス排気部１６へ
の気流が生じる。
空ポンプ１２とバルブ１１により構成され、引上げ室６
内の気圧よりも僅かに低く目になるように、制御してあ
る。これにより引上げ室６から不活性ガス排気部１６へ
の気流が生じる。
【００１５】石英製のルツボ１に収容したシリコン溶融
体２に種結晶（図示せず）を浸漬し、ルツボ１と種結晶
を回転しつつ、種結晶にシリコンを析出させて結晶成長
を行う。ここで、ルツボ１内のシリコン溶融体２は、加
熱による温度差に基づく密度の偏りにより熱対流を生
じ、またルツボ１およびシリコン単結晶５の回転に伴う
強制対流も生じる。そして、これらの対流によりシリコ
ン溶融体２はルツボ１の壁面を摩擦し、石英製のルツボ
１を溶解して酸素を取り込む。ここで、引上げ室６内は
１００ｍｂａｒ以下の減圧にされ、かつ引上げ室６上方
からアルゴンガスのごとき不活性ガス７が流される。
体２に種結晶（図示せず）を浸漬し、ルツボ１と種結晶
を回転しつつ、種結晶にシリコンを析出させて結晶成長
を行う。ここで、ルツボ１内のシリコン溶融体２は、加
熱による温度差に基づく密度の偏りにより熱対流を生
じ、またルツボ１およびシリコン単結晶５の回転に伴う
強制対流も生じる。そして、これらの対流によりシリコ
ン溶融体２はルツボ１の壁面を摩擦し、石英製のルツボ
１を溶解して酸素を取り込む。ここで、引上げ室６内は
１００ｍｂａｒ以下の減圧にされ、かつ引上げ室６上方
からアルゴンガスのごとき不活性ガス７が流される。
【００１６】シリコン溶融体２に取り込まれた酸素は、
ＳｉＯとなって蒸発する。引上げ室６上方から導入され
た不活性ガス７は、引上げ室６内のＳｉＯとともに二重
壁で形成された断熱シールド４の通気路１７の上方端部
に形成された開口部１８から通気路１７内に入り込み、
不活性ガス排気部１６から排出される。
ＳｉＯとなって蒸発する。引上げ室６上方から導入され
た不活性ガス７は、引上げ室６内のＳｉＯとともに二重
壁で形成された断熱シールド４の通気路１７の上方端部
に形成された開口部１８から通気路１７内に入り込み、
不活性ガス排気部１６から排出される。
【００１７】
【作用】断熱シールド４は、その内部または上記外装材
との間に通気路１７が形成され、通気路１７の上方端部
に開口部１８が形成され、通気路１７の下方端部は不活
性ガス排気部１６と連通されており、かつ、開口部１８
はルツボ１の開口縁部１９に近接した位置に設けられて
いるために、ルツボ１中のシリコン溶融体２から発生し
たＳｉＯが周囲に拡散しないうちに開口部１８から通気
路１７内に吸い込まれることになる。すなわち、引上げ
室６上方から導入れた不活性ガス７やシリコン溶融体２
から発生したＳｉＯは、排気のための流路以外の場所に
は流れ難くなり、上記流路以外の場所に設けられた黒鉛
製部品に接触し難くなる。従って、不活性ガス中に同伴
したＳｉＯが黒鉛製部品等の引上げ装置内の各部材へ析
出するのを防止することができる。
との間に通気路１７が形成され、通気路１７の上方端部
に開口部１８が形成され、通気路１７の下方端部は不活
性ガス排気部１６と連通されており、かつ、開口部１８
はルツボ１の開口縁部１９に近接した位置に設けられて
いるために、ルツボ１中のシリコン溶融体２から発生し
たＳｉＯが周囲に拡散しないうちに開口部１８から通気
路１７内に吸い込まれることになる。すなわち、引上げ
室６上方から導入れた不活性ガス７やシリコン溶融体２
から発生したＳｉＯは、排気のための流路以外の場所に
は流れ難くなり、上記流路以外の場所に設けられた黒鉛
製部品に接触し難くなる。従って、不活性ガス中に同伴
したＳｉＯが黒鉛製部品等の引上げ装置内の各部材へ析
出するのを防止することができる。
【００１８】
【実施例】次に、実施例を挙げてさらに詳細に本発明を
説明する。 実施例１ 図１に示した単結晶引上げ装置を用いて、直径４イン
チ、軸方位〈１００〉のシリコン単結晶棒を引上げた。
石英製のルツボ１の内径は１４インチ、引上げ室６内の
気圧は１００ｍｂａｒとし、石英製のルツボ１を８ｒｐ
ｍ、種結晶を２５ｒｐｍで互いに逆方向に回転しつつシ
リコン単結晶５を引上げた。また、不活性ガスとして
は、アルゴンガスを１１０Ｎｌ／ｍｉｎの流速で引上げ
室６内に流入した。又、ＳｉＯの析出量を比較する為、
図１中Ａ及びＢに直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍの黒鉛板
を放置した。この条件で、６９．６７時間引上げ操作を
行い、図１における黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３の重量
増加を調べた。黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３のいずれも
重量の増加がなく、ＳｉＯが析出していないことがわか
った。また、引上げられたシリコン単結晶中の酸素濃度
をＦＴ−ＩＲ法（フーリエ変換赤外分光法）により測定
したところ、下記比較例１に比べ約０．５ｐｐｍａ低い
ことがわかった。さらに、シリコン単結晶中の欠陥（Ｏ
ＳＦ密度）は比較例１に比較して同等かやや少なく、カ
ーボン濃度についても比較例１と比較して特に差は認め
られなかった。
説明する。 実施例１ 図１に示した単結晶引上げ装置を用いて、直径４イン
チ、軸方位〈１００〉のシリコン単結晶棒を引上げた。
石英製のルツボ１の内径は１４インチ、引上げ室６内の
気圧は１００ｍｂａｒとし、石英製のルツボ１を８ｒｐ
ｍ、種結晶を２５ｒｐｍで互いに逆方向に回転しつつシ
リコン単結晶５を引上げた。また、不活性ガスとして
は、アルゴンガスを１１０Ｎｌ／ｍｉｎの流速で引上げ
室６内に流入した。又、ＳｉＯの析出量を比較する為、
図１中Ａ及びＢに直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍの黒鉛板
を放置した。この条件で、６９．６７時間引上げ操作を
行い、図１における黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３の重量
増加を調べた。黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３のいずれも
重量の増加がなく、ＳｉＯが析出していないことがわか
った。また、引上げられたシリコン単結晶中の酸素濃度
をＦＴ−ＩＲ法（フーリエ変換赤外分光法）により測定
したところ、下記比較例１に比べ約０．５ｐｐｍａ低い
ことがわかった。さらに、シリコン単結晶中の欠陥（Ｏ
ＳＦ密度）は比較例１に比較して同等かやや少なく、カ
ーボン濃度についても比較例１と比較して特に差は認め
られなかった。
【００１９】比較例１ 図２に示したような従来のシリコン単結晶引上げ装置を
用いた以外は実施例１と同様にして、シリコン単結晶を
引上げた。２６．６７時間引上げ操作を行い、図２にお
ける黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３の重量増加を調べたと
ころ、ヒーター３の重量増加はなかったが、黒鉛板Ａは
４６．４ｍｇの増加、黒鉛板Ｂは３．３ｍｇの増加を示
した。
用いた以外は実施例１と同様にして、シリコン単結晶を
引上げた。２６．６７時間引上げ操作を行い、図２にお
ける黒鉛板Ａ，Ｂ及びヒーター３の重量増加を調べたと
ころ、ヒーター３の重量増加はなかったが、黒鉛板Ａは
４６．４ｍｇの増加、黒鉛板Ｂは３．３ｍｇの増加を示
した。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係るシリコン単結晶引上げ装置によれば、断熱シールド
は、その内部または外装材との間に通気路が形成され、
通気路の上方端部に開口部が形成され通気路の下方端部
は不活性ガス排気部と連結されており、かつ、断熱シー
ルドの開口部はルツボの開口縁部に近接した位置に設け
られているために、ルツボ中のシリコン融液から発生し
たＳｉＯが周囲に拡散しないうちに開口部から吸い込ま
れ、通気路を経て不活性ガス排気部から排出され、黒鉛
製部材のような引上げ装置内の各部材へのＳｉＯ起因物
質の析出が防止されるとともに、ＳｉＯ起因物質の析出
による劣化を防止し、また、引上げ装置内の各部材から
の析出物除去作業をなくすか、あるいは極端に少なくす
ることができ、さらには引上げ装置の解体・再組立を行
なわずに操業できる期間を大幅に延長することができ、
また、ＳｉＯ起因物質が析出する部材が少ないため、解
体・再組立の作業が簡略化され、大型化が可能となり、
引上げ可能なシリコン単結棒の径も大型化することがで
きる。そして、このような利点は、引上げられる単結晶
棒の品質を良好に保ったまま可能である。
係るシリコン単結晶引上げ装置によれば、断熱シールド
は、その内部または外装材との間に通気路が形成され、
通気路の上方端部に開口部が形成され通気路の下方端部
は不活性ガス排気部と連結されており、かつ、断熱シー
ルドの開口部はルツボの開口縁部に近接した位置に設け
られているために、ルツボ中のシリコン融液から発生し
たＳｉＯが周囲に拡散しないうちに開口部から吸い込ま
れ、通気路を経て不活性ガス排気部から排出され、黒鉛
製部材のような引上げ装置内の各部材へのＳｉＯ起因物
質の析出が防止されるとともに、ＳｉＯ起因物質の析出
による劣化を防止し、また、引上げ装置内の各部材から
の析出物除去作業をなくすか、あるいは極端に少なくす
ることができ、さらには引上げ装置の解体・再組立を行
なわずに操業できる期間を大幅に延長することができ、
また、ＳｉＯ起因物質が析出する部材が少ないため、解
体・再組立の作業が簡略化され、大型化が可能となり、
引上げ可能なシリコン単結棒の径も大型化することがで
きる。そして、このような利点は、引上げられる単結晶
棒の品質を良好に保ったまま可能である。
【図１】本発明に係るシリコン単結晶引上げ装置の概略
構成を示す縦断面図である。
構成を示す縦断面図である。
【図２】従来のシリコン単結晶引上げ装置の概略構成を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
１ ルツボ ２ シリコン溶融体 ３ ヒーター ４ 断熱シールド ５ シリコン単結晶 ６ 引上げ室 ７ 不活性ガス ９ａ，９ｂ 間隙 １０ 排気孔 １１ バルブ １２ 真空ポンプ １４ 外装材 １５ 不活性ガス導入部 １６ 不活性ガス排気部 １７ 通気路 １８ 開口部 １９ 開口縁部 ２０ 排気孔
フロントページの続き (72)発明者 庭山 正 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内 (72)発明者 小田 哲宏 福井県武生市北府２丁目13番50号 信越半 導体株式会社武生工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により不活性ガス雰
囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリ
コン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けら
れたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シー
ルドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材
と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、
引上げ室の下方に設けられた、断熱シールド内周面で囲
まれた引上げ室底面以外の該底面部分に設けられた不活
性ガス排気部とを有し、断熱シールドは、その内部また
は上記外装材との間に通気路が形成され、通気路の上方
端部に開口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの
開口縁部に近接した位置に設けられ、通気路の下方端部
は不活性ガス排気部と連通されてなることを特徴とする
シリコン単結晶引上げ装置。 - 【請求項２】 断熱シールドを二重壁とし、その二重壁
の中空部を通気路としたことを特徴とするシリコン単結
晶引上げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9704293A JP2888089B2 (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-31 | シリコン単結晶引上げ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-105555 | 1992-03-31 | ||
| JP10555592 | 1992-03-31 | ||
| JP9704293A JP2888089B2 (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-31 | シリコン単結晶引上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687687A true JPH0687687A (ja) | 1994-03-29 |
| JP2888089B2 JP2888089B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=26438239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9704293A Expired - Fee Related JP2888089B2 (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-31 | シリコン単結晶引上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2888089B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000020664A1 (en) * | 1998-10-07 | 2000-04-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Continuous oxidation process for crystal pulling apparatus |
| WO2013125161A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| CN114293244A (zh) * | 2020-10-07 | 2022-04-08 | 韩华思路信 | 硅锭连续生长器的吸排气装置 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP9704293A patent/JP2888089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000020664A1 (en) * | 1998-10-07 | 2000-04-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Continuous oxidation process for crystal pulling apparatus |
| US6315828B1 (en) | 1998-10-07 | 2001-11-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Continuous oxidation process for crystal pulling apparatus |
| WO2013125161A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| JP2013173646A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| CN114293244A (zh) * | 2020-10-07 | 2022-04-08 | 韩华思路信 | 硅锭连续生长器的吸排气装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2888089B2 (ja) | 1999-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |